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      上電瞬態(tài)電流控制電路及其控制方法與流程

      文檔序號:40271562發(fā)布日期:2024-12-11 13:05閱讀:12來源:國知局
      上電瞬態(tài)電流控制電路及其控制方法與流程

      本申請涉及電力,尤其涉及一種上電瞬態(tài)電流控制電路及其方法。


      背景技術(shù):

      1、在電力要求較高的關(guān)鍵設(shè)備和系統(tǒng)機(jī)箱板卡上,供電電源在理想條件下會穩(wěn)定地為整個(gè)系統(tǒng)提供電力。然而,實(shí)際應(yīng)用中,由于系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和各種因素的影響,特別是儲能電容器等容性負(fù)載的存在,系統(tǒng)在上電時(shí)會面臨一些挑戰(zhàn)。

      2、首先,儲能電容器在初始上電時(shí),其充電過程尚未完成,此時(shí)電容器的阻抗非常低,接近于短路狀態(tài)。這種狀態(tài)下,電容器的行為類似于一個(gè)瞬間的電流吸收器,會導(dǎo)致系統(tǒng)在上電瞬間產(chǎn)生遠(yuǎn)高于正常工作時(shí)的瞬態(tài)沖擊電流。這種瞬態(tài)沖擊電流不僅可能超過供電電源的額定輸出能力,還可能對整個(gè)供電系統(tǒng)產(chǎn)生極大的負(fù)載壓力。

      3、這種瞬態(tài)沖擊電流帶來的負(fù)面影響是多方面的。首先,過大的電流可能導(dǎo)致供電電源的輸出電壓不穩(wěn)定,甚至超過其安全范圍,從而損壞電源設(shè)備。其次,供電系統(tǒng)可能因?yàn)樗矐B(tài)沖擊電流而陷入過載狀態(tài),出現(xiàn)啟動異常、打嗝(即系統(tǒng)啟動后短暫工作又立即停止的現(xiàn)象)甚至完全癱瘓。此外,過大的電流還可能對系統(tǒng)中的其他敏感電子元件造成損害,影響系統(tǒng)的整體性能和可靠性。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、有鑒于此,本申請?zhí)岢隽艘环N上電瞬態(tài)電流控制電路及其控制方法,來解上述問題。

      2、根據(jù)本申請的一方面,提供了一種上電瞬態(tài)電流控制電路,包括:mos管、限流電阻、第一二極管、第一電阻、第一電容和電阻組;

      3、所述限流電阻的一端適用于電連接至電源輸入端,所述限流電阻的另一端適用于電連接至所述負(fù)載的一端,減小供電系統(tǒng)的瞬態(tài)沖擊電流;

      4、所述mos管的第一端電連接至限流電阻的一端,所述mos管的第二端電連接至限流電阻的一端;

      5、所述電阻組的一端適用于電連接至電源輸出端,且所述電阻組的一端適用于電連接至所述負(fù)載的另一端,另一端電連接至所述電容組的一端;

      6、所述電容組的一端電連接至所述第一二極管的負(fù)極,所述電阻組的另一端電連接至所述第一電容的一端,控制所述第一電容的兩端電壓;

      7、所述第一電容的一端電連接至所述mos管的第一端,所述第一電容的另一端電連接至所述第一二極管的正極,且所述第一電容的另一端電連接至所述mos管的第三端,控制所述mos管的開啟時(shí)間,調(diào)整瞬態(tài)上電流的控制時(shí)長。

      8、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述電阻組包括:第一電阻和第二電阻,所述第一電阻的一端電連接至所述限流電阻,所述第一電阻的另一端電連接至所述第二電阻的一端,所述第二電阻的另一端電連接至所述第一二極管。

      9、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述電容組包括:第二電容和第三電容,所述第二電容的一端電連接至所述第一二極管的負(fù)極,所述第二電容的另一端電連接至所述第一電容的另一端,所述第三電容的一端電連接至所述第二電容的一端,所述第三電容的另一端電連接至所述第二電容的另一端。

      10、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,還包括:第三電阻,所述第三電阻的一端電連接至所述第一電容的一端,所述第三電阻的另一端電連接至所述第一電容的另一端。

      11、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,還包括:第二二極管,所述第二二極管的負(fù)極電連接至所述第一二極管的負(fù)極,所述第二二極管的正極電連接至所述第一電容的一端。

      12、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,還包括:第四電阻,所述第四電阻的一端電連接至所述第一二極管的負(fù)極,所述第四電阻的另一端電連接至所述第一電容的一端。

      13、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述mos管為n溝道m(xù)os場效應(yīng)管,所述mos管的源極電連接至所述第一電容的一端,所述mos管的柵極電連接至所述第一電容的另一端,所述mos管的漏極電連接至所述限流電阻的另一端。

      14、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述mos管的型號為fqb34n20。

      15、根據(jù)本申請的一方面,提供了一種上電瞬態(tài)電流控制方法,使用上述的電路對系統(tǒng)電源板卡的上電瞬態(tài)電流進(jìn)行控制,包括:

      16、根據(jù)限流控制電流大小確定所述限流電阻的阻值;

      17、根據(jù)瞬態(tài)上電流的控制時(shí)長確定所述第一電容的電容值,所述電容組的電容值和所述電阻組的電阻值;

      18、接通電源后,所述限流電阻連通所述電阻組,所述電阻組連通所述電容組,所述電容組連通第一電容;

      19、達(dá)到所述控制時(shí)長時(shí),mos管的基極與柵極連通所述第一電容的兩端,所述mos管的漏極連通所述電阻組,向負(fù)載輸電。

      20、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述控制時(shí)長的計(jì)算方式為:t=n*rc,所述n為控制時(shí)長的系數(shù),所述r為控制電路的電阻值,所述c為控制電路的電容值。

      21、本申請的有益效果:

      22、本申請?zhí)岢龅纳想娝矐B(tài)電流控制電路及其控制方法,連接方式簡單,且能夠延長瞬態(tài)沖擊電流的控制時(shí)長,保護(hù)電源設(shè)備。具體的,在電源板卡上串聯(lián)mos管,通過第一電阻、第一二極管和電阻組來控制第一電容兩端的電壓,由于第一電容的兩端與mos管的源極與柵極電連接,且當(dāng)源極與柵極之間的電壓達(dá)到設(shè)定電壓時(shí),mos管開啟工作。由于電容組不斷充電,且電容組與第一電容處于并聯(lián)狀態(tài),因此可以間接控制第一電容兩端的電壓,使得mos管開啟。此時(shí),延長上電瞬態(tài)電流的時(shí)間。電容組持續(xù)充電達(dá)到一定電壓時(shí),超過第一二極管的擊穿電壓,此時(shí),第一電容進(jìn)行充電,使得第一電容兩端的電壓可以達(dá)到mos管的導(dǎo)通電壓的范圍內(nèi),進(jìn)一步延長上電瞬態(tài)電流。且當(dāng)mos管開啟后,可以旁路掉限流電阻,以減少系統(tǒng)運(yùn)行的功耗和發(fā)熱。

      23、根據(jù)下面參考附圖對示例性實(shí)施例的詳細(xì)說明,本申請的其它特征及方面將變得清楚。



      技術(shù)特征:

      1.一種上電瞬態(tài)電流控制電路,其特征在于,包括:mos管、限流電阻、第一二極管、電容組、第一電容和電阻組;

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電瞬態(tài)電流控制電路,其特征在于,所述電阻組包括:第一電阻和第二電阻,所述第一電阻的一端電連接至所述限流電阻,所述第一電阻的另一端電連接至所述第二電阻的一端,所述第二電阻的另一端電連接至所述第一二極管。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電瞬態(tài)電流控制電路,其特征在于,所述電容組包括:第二電容和第三電容,所述第二電容的一端電連接至所述第一二極管的負(fù)極,所述第二電容的另一端電連接至所述第一電容的一端,所述第三電容的一端電連接至所述第二電容的一端,所述第三電容的另一端電連接至所述第二電容的另一端。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電瞬態(tài)電流控制電路,其特征在于,還包括:第三電阻,所述第三電阻的一端電連接至所述第一電容的一端,所述第三電阻的另一端電連接至所述第一電容的另一端。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電瞬態(tài)電流控制電路,其特征在于,還包括:第二二極管,所述第二二極管的負(fù)極電連接至所述第一二極管的負(fù)極,所述第二二極管的正極電連接至所述第一電容的一端。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的上電瞬態(tài)電流控制電路,其特征在于,還包括:第四電阻,所述第四電阻的一端電連接至所述第一二極管的負(fù)極,所述第四電阻的另一端電連接至所述第一電容的一端。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的上電瞬態(tài)電流控制電路,其特征在于,所述mos管為n溝道m(xù)os場效應(yīng)管,所述mos管的源極電連接至所述第一電容的一端,所述mos管的柵極電連接至所述第一電容的另一端,所述mos管的漏極電連接至所述限流電阻的另一端。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的上電瞬態(tài)電流控制電路,其特征在于,所述mos管的型號為fqb34n20。

      9.一種上電瞬態(tài)電流控制方法,其特征在于,使用權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的電路對系統(tǒng)電源板卡的上電瞬態(tài)電流進(jìn)行控制,包括:

      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的上電瞬態(tài)電流控制方法,其特征在于,所述控制時(shí)長的計(jì)算方式為:t=n*rc,所述n為控制時(shí)長的系數(shù),所述r為控制電路的電阻值,所述c為控制電路的電容值。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請涉及一種上電瞬態(tài)電流控制電路及其控制方法,該控制電路包括MOS管、限流電阻、第一二極管、電容組、第一電容和電阻組;限流電阻的一端電連接至電源輸入端,限流電阻的另一端電連接至負(fù)載的一端,MOS管的第一端電連接至限流電阻的一端,MOS管的第二端電連接至限流電阻的一端;電阻組的一端電連接至電源輸出端,且電阻組的一端電連接至負(fù)載的另一端,另一端電連接至電容組的一端;電容組的一端電連接至第一二極管的負(fù)極,電阻組的另一端電連接至第一電容的一端;第一電容的一端電連接至MOS管的第一端,第一電容的另一端電連接至第一二極管的正極,第一電容的另一端電連接至MOS管的第三端,控制MOS管的開啟時(shí)間,調(diào)整瞬態(tài)上電流的控制時(shí)長。

      技術(shù)研發(fā)人員:葉子楠,李叢林,孫征宇,楊兆平
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:北京實(shí)干興邦科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/10
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