本發(fā)明屬于集成電路，尤其涉及一種基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法。

背景技術(shù)：

1、在早期的ldo(低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器)芯片中，由于缺乏過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)功能，輸出電流在過(guò)載情況下可能會(huì)變得非常大，進(jìn)而導(dǎo)致后一級(jí)元件燒毀。為了解決這一問(wèn)題，現(xiàn)有l(wèi)do芯片通常集成了短路保護(hù)和過(guò)流保護(hù)功能。而電流折返電路就是一種兼具限流和短路的電路結(jié)構(gòu)。電流折返電路的基本原理是，在負(fù)載電流超過(guò)預(yù)設(shè)閾值時(shí)自動(dòng)減小輸出電流，以防止過(guò)流情況的發(fā)生。一種常見(jiàn)的實(shí)現(xiàn)電流折返的方法是利用mos管的襯偏效應(yīng)來(lái)設(shè)計(jì)折返限流電路，以實(shí)現(xiàn)電流的折返，如圖1所示。但是這種設(shè)計(jì)存在一個(gè)問(wèn)題：限流電流和短路電流之間存在著一定的比例關(guān)系，這意味著短路電流會(huì)隨著限流電流的增加而增加，無(wú)法獨(dú)立控制。而理想的情況是擁有較小的短路電流。為此提出一種基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，旨在解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

3、一種基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，包括以下步驟：

4、步驟1、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，所述基礎(chǔ)電路結(jié)構(gòu)包括限流控制電阻r3；

5、步驟2、引入pmos管，所述步驟2的具體步驟如下：

6、步驟21、選擇并配置pmos管：根據(jù)電路需求選擇一個(gè)合適的pmos管，pmos管的閾值電壓和導(dǎo)通特性與電路兼容；

7、步驟22、連接pmos管：在電阻r3的兩端并聯(lián)一個(gè)pmos管，當(dāng)pmos管導(dǎo)通時(shí)，pmos管通過(guò)分擔(dān)部分電流的方式減小通過(guò)電阻r3的電流。

8、進(jìn)一步的，所述步驟1的具體過(guò)程為：

9、步驟11、搭建ldo基本框架；

10、步驟12、加入電流檢測(cè)電路；

11、步驟13、設(shè)置電流限流閾值。

12、進(jìn)一步的，所述步驟11的具體過(guò)程為：選擇合適的放大器和功率管，放大器用于控制功率管的柵極電壓，以調(diào)節(jié)輸出電流。

13、進(jìn)一步的，所述步驟12的具體過(guò)程為：在輸出路徑中串聯(lián)一個(gè)限流控制電阻r3和一個(gè)nm1，電阻r3對(duì)輸出電流進(jìn)行采樣，nm1柵極接收來(lái)自電阻r3的電壓信號(hào)。

14、進(jìn)一步的，所述步驟13的具體過(guò)程為：當(dāng)電阻r3上的電壓達(dá)到閾值時(shí)，nm1導(dǎo)通，通過(guò)電流鏡改變功率管的柵極電壓，限制輸出電流。

15、進(jìn)一步的，所述pmos管以二極管形式連接。

16、進(jìn)一步的，當(dāng)輸出電流接近預(yù)設(shè)的限流閾值時(shí)，所述pmos管導(dǎo)通并分擔(dān)部分電流，減小通過(guò)電阻r3的電流，增大限流電流；當(dāng)輸出短路時(shí)，pmos管的柵源電壓小于閾值電壓，pmos管處于關(guān)閉狀態(tài)，短路電流不變。

17、進(jìn)一步的，通過(guò)調(diào)整所述pmos管的寬長(zhǎng)比來(lái)控制電流折返點(diǎn)。

18、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

19、該基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，通過(guò)在限流控制電阻兩端以二極管形式并聯(lián)一個(gè)pmos管，利用其在采樣電流大時(shí)導(dǎo)通，采樣電流小時(shí)關(guān)閉的狀態(tài)，分擔(dān)部分電流，從而可以通過(guò)合理設(shè)置pmos管的寬長(zhǎng)比來(lái)改變電流折返點(diǎn)的位置，進(jìn)而控制預(yù)設(shè)限流電流和短路電流的比例關(guān)系，在維持較小的短路電流的同時(shí)，能夠設(shè)置更大范圍的限流電流。

技術(shù)特征：

1.一種基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，其特征在于，所述步驟1的具體過(guò)程為：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，其特征在于，所述步驟11的具體過(guò)程為：選擇合適的放大器和功率管，放大器用于控制功率管的柵極電壓，以調(diào)節(jié)輸出電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，其特征在于，所述步驟12的具體過(guò)程為：在輸出路徑中串聯(lián)一個(gè)限流控制電阻r3和一個(gè)nm1，電阻r3對(duì)輸出電流進(jìn)行采樣，nm1柵極接收來(lái)自電阻r3的電壓信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，其特征在于，所述步驟13的具體過(guò)程為：當(dāng)電阻r3上的電壓達(dá)到閾值時(shí)，nm1導(dǎo)通，通過(guò)電流鏡改變功率管的柵極電壓，限制輸出電流。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，其特征在于，所述pmos管以二極管形式連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，其特征在于，當(dāng)輸出電流接近預(yù)設(shè)的限流閾值時(shí)，所述pmos管導(dǎo)通并分擔(dān)部分電流，減小通過(guò)電阻r3的電流，增大限流電流；當(dāng)輸出短路時(shí)，pmos管的柵源電壓小于閾值電壓，pmos管處于關(guān)閉狀態(tài)，短路電流不變。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于ldo芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，其特征在于，通過(guò)調(diào)整所述pmos管的寬長(zhǎng)比來(lái)控制電流折返點(diǎn)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明適用于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種基于LDO芯片的電流折返結(jié)構(gòu)的折返點(diǎn)調(diào)整方法，包括以下步驟：步驟1、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)電路結(jié)構(gòu)，包括限流控制電阻R3；步驟2、引入PMOS管，具體步驟為：根據(jù)電路需求選擇一個(gè)合適的PMOS管，PMOS管的閾值電壓和導(dǎo)通特性與電路兼容；在電阻R3的兩端并聯(lián)一個(gè)PMOS管。本發(fā)明通過(guò)在限流控制電阻兩端以二極管形式并聯(lián)一個(gè)PMOS管，利用其在采樣電流大時(shí)導(dǎo)通，采樣電流小時(shí)關(guān)閉的狀態(tài)，分擔(dān)部分電流，從而可以通過(guò)合理設(shè)置PMOS管的寬長(zhǎng)比來(lái)改變電流折返點(diǎn)的位置，進(jìn)而控制預(yù)設(shè)限流電流和短路電流的比例關(guān)系，在維持較小的短路電流的同時(shí)，能夠設(shè)置更大范圍的限流電流。

技術(shù)研發(fā)人員：何云松,宋霄,黃年亞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫靖芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10