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      調(diào)壓模組、電子設(shè)備及電壓調(diào)整方法與流程

      文檔序號(hào):40437095發(fā)布日期:2024-12-24 15:11閱讀:9來(lái)源:國(guó)知局
      調(diào)壓模組、電子設(shè)備及電壓調(diào)整方法與流程

      本申請(qǐng)屬于電子,具體涉及一種調(diào)壓模組、電子設(shè)備及電壓調(diào)整方法。


      背景技術(shù):

      1、目前,為了節(jié)省功耗,在諸如手機(jī)、平板等電子設(shè)備中采用avs(adaptive?voltagescaling,自適應(yīng)電壓調(diào)節(jié))調(diào)壓系統(tǒng),根據(jù)負(fù)載輕重調(diào)節(jié)pmic(power?managementintegrated?circuit,電源管理集成電路)模塊的輸出電壓是十分常見(jiàn)的。

      2、相關(guān)技術(shù)在利用avs調(diào)壓系統(tǒng)調(diào)壓的過(guò)程中會(huì)經(jīng)由電壓檢測(cè)回路,而電壓檢測(cè)回路因包含的元件較多(例如包含avs傳感器和avs控制器等)往往會(huì)造成調(diào)壓延時(shí),這樣會(huì)導(dǎo)致avs調(diào)壓系統(tǒng)在調(diào)壓過(guò)程中響應(yīng)速度較慢。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N調(diào)壓模組、電子設(shè)備及電壓調(diào)整方法,至少解決相關(guān)技術(shù)中avs調(diào)壓系統(tǒng)在調(diào)壓過(guò)程中響應(yīng)速度較慢的問(wèn)題。

      2、第一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N調(diào)壓模組,包括:目標(biāo)模塊、pmic模塊和電壓檢測(cè)模塊;所述電壓檢測(cè)模塊位于所述目標(biāo)模塊和pmic模塊之間;

      3、所述pmic模塊包括電壓輸出端口和gpio端口;所述pmic模塊的電壓輸出端口通過(guò)電源走線與所述目標(biāo)模塊連接;所述電壓檢測(cè)模塊具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端,所述電壓檢測(cè)模塊的第一輸入端和所述電壓檢測(cè)模塊的第二輸入端均通過(guò)所述電源走線與所述目標(biāo)模塊連接,所述電壓檢測(cè)模塊的輸出端與所述pmic模塊的gpio端口連接。

      4、第二方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電子設(shè)備,包括如第一方面所述的調(diào)壓模組。

      5、第三方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電壓調(diào)整方法,應(yīng)用于如第一方面所述的調(diào)壓模組,包括:

      6、通過(guò)電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)到pmic模塊的輸出電壓跌落至預(yù)設(shè)值以下的情況下,輸出目標(biāo)信號(hào)至所述pmic模塊;

      7、所述pmic模塊基于所述目標(biāo)信號(hào)調(diào)高所述pmic模塊的電壓輸出端口的輸出電壓。

      8、在本申請(qǐng)的實(shí)施例中,調(diào)壓模組包括目標(biāo)模塊、pmic模塊和電壓檢測(cè)模塊;所述電壓檢測(cè)模塊位于所述目標(biāo)模塊和pmic模塊之間;所述pmic模塊包括電壓輸出端口和gpio端口;所述pmic模塊的電壓輸出端口通過(guò)電源走線與所述目標(biāo)模塊連接;所述電壓檢測(cè)模塊具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端,所述電壓檢測(cè)模塊的第一輸入端和所述電壓檢測(cè)模塊的第二輸入端均通過(guò)所述電源走線與所述目標(biāo)模塊連接,所述電壓檢測(cè)模塊的輸出端與所述pmic模塊的gpio端口連接。這樣,本申請(qǐng)?jiān)谀繕?biāo)模塊和pmic模塊之間設(shè)置電壓檢測(cè)模塊,通過(guò)電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)目標(biāo)模塊和pmic模塊之間的電源走線上的電壓情況,由于通過(guò)電壓檢測(cè)模塊可以快速檢測(cè)到目標(biāo)模塊的電源電壓,pmic模塊可以直接獲取電壓檢測(cè)模塊檢測(cè)到的電源電壓,避免了相關(guān)技術(shù)中avs調(diào)壓系統(tǒng)的檢測(cè)回路帶來(lái)的延時(shí),進(jìn)一步提升調(diào)壓模組的響應(yīng)速度。



      技術(shù)特征:

      1.一種調(diào)壓模組,其特征在于,包括:目標(biāo)模塊、電源管理集成電路pmic模塊和電壓檢測(cè)模塊;所述電壓檢測(cè)模塊位于所述目標(biāo)模塊和pmic模塊之間;

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓模組,其特征在于,所述pmic模塊還包括控制單元和調(diào)壓?jiǎn)卧?,所述gpio端口與所述控制單元連接,所述控制單元與所述調(diào)壓?jiǎn)卧B接,所述調(diào)壓?jiǎn)卧c所述電壓輸出端口連接。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)壓模組,其特征在于,所述目標(biāo)模塊包括多個(gè),所述電壓輸出端口包括多個(gè),一個(gè)電壓輸出端口通過(guò)一條電源走線與一個(gè)所述目標(biāo)模塊連接;

      4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的調(diào)壓模組,其特征在于,所述電壓檢測(cè)模塊包括比較器、第一電容和第一電阻,所述比較器具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端,所述比較器的第一輸入端通過(guò)所述電源走線與所述目標(biāo)模塊連接,所述比較器的第二輸入端通過(guò)所述第一電阻、所述電源走線與所述目標(biāo)模塊連接,所述比較器的第二輸入端還通過(guò)所述第一電容接地,所述比較器的輸出端與所述gpio端口連接。

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的調(diào)壓模組,其特征在于,所述比較器的輸出包含第一電平信號(hào),所述第一電平信號(hào)指示所述pmic模塊調(diào)高通過(guò)所述電壓輸出端口向所述目標(biāo)模塊提供的輸出電壓。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的調(diào)壓模組,其特征在于,所述電壓檢測(cè)模塊包括運(yùn)算放大器、第二電阻、第二電容、第一反相器和第二反相器;所述運(yùn)算放大器具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端,所述運(yùn)算放大器的第一輸入端通過(guò)所述電源走線與所述目標(biāo)模塊連接,所述運(yùn)算放大器的第二輸入端通過(guò)所述第二電阻、所述電源走線與所述目標(biāo)模塊連接,所述運(yùn)算放大器的第二輸入端還經(jīng)由所述第二電容接地;所述運(yùn)算放大器的輸出端經(jīng)由所述第一反相器和所述第二反相器與所述gpio端口連接。

      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)壓模組,其特征在于,所述電壓檢測(cè)模塊還包括第三反相器;所述gpio端口包括第一gpio端口和第二gpio端口;

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的調(diào)壓模組,其特征在于,

      9.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的調(diào)壓模組。

      10.一種電壓調(diào)整方法,應(yīng)用于權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的調(diào)壓模組,其特征在于,所述方法包括:

      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,所述pmic模塊基于所述目標(biāo)信號(hào)調(diào)高所述pmic模塊的電壓輸出端口的輸出電壓,包括:

      12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,在所述pmic模塊基于所述目標(biāo)信號(hào)調(diào)高所述pmic模塊的電壓輸出端口的輸出電壓之后,所述方法還包括:


      技術(shù)總結(jié)
      本申請(qǐng)公開了一種調(diào)壓模組、電子設(shè)備及電壓調(diào)整方法,本申請(qǐng)?zhí)峁┑恼{(diào)壓模組包括:目標(biāo)模塊、PMIC模塊和電壓檢測(cè)模塊;電壓檢測(cè)模塊位于目標(biāo)模塊和PMIC模塊之間;PMIC模塊包括電壓輸出端口和GPIO端口;PMIC模塊的電壓輸出端口通過(guò)電源走線與目標(biāo)模塊連接;電壓檢測(cè)模塊具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端,電壓檢測(cè)模塊的第一輸入端和電壓檢測(cè)模塊的第二輸入端均通過(guò)電源走線與目標(biāo)模塊連接,電壓檢測(cè)模塊的輸出端與PMIC模塊的GPIO端口連接。

      技術(shù)研發(fā)人員:鐘磊,呂宗安
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:維沃移動(dòng)通信有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/23
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