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      一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號:9416878閱讀:457來源:國知局
      一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及超微量樣品領(lǐng)域,具體涉及一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]二氧化碳?xì)怏w直接進(jìn)入加速器質(zhì)譜儀(AMS)進(jìn)行放射性同位素14C測量技術(shù)的興起,有利于超微量樣品的測量,其可將原固體石墨靶樣所需碳量從mg級降低至yg級;且略去樣品處理耗時最長、最易引入污染的還原過程,可大大提高14C-AMS分析的效率與準(zhǔn)確性。但是,對于處于高真空度、高電勢差的離子源頭部,過量的氣體的突然進(jìn)入必將對真空系統(tǒng)的栗組造成損害,嚴(yán)重的將導(dǎo)致離子源頭部的真空絕緣性遭到破壞,進(jìn)而出行擊穿、打火等嚴(yán)重?fù)p害離子源頭部的情況,最終無法正常輸出由Cs+濺射產(chǎn)生的C-束流。再者,更為關(guān)鍵的是過量的二氧化碳?xì)怏w進(jìn)入離子源頭部無法在鈦靶錐表面進(jìn)行充分的還原和Cs+濺射反應(yīng),會導(dǎo)致本已微量的樣品不必要的浪費。因此,二氧化碳?xì)怏w流速的控制至關(guān)重要,現(xiàn)在國際上通常采取的二氧化碳注入AMS離子源頭部的流速一般不大于5 yL/min。
      [0003]對于如此微小的流速控制現(xiàn)有的所有成品的流速/流量控制計均無法滿足此控制要求。當(dāng)下最為優(yōu)良的(MKS公司)質(zhì)量流量計其最低流速可控制在2mL/min,分辨率為40 μ L/min,其分辨率都已經(jīng)超過了對二氧化碳流速的控制要求。為此,國外個別實驗室開展了利用微小腔體壓縮推注的方法實現(xiàn)微流速的控制,如圖1所示。其主要依賴于精確控制推注速率進(jìn)而實現(xiàn)對于流速/流量的控制,該方法須將待測樣品一次注入到空腔內(nèi),很難實現(xiàn)后續(xù)的持續(xù)氣體補(bǔ)充與連續(xù)測量;另外此方法很難除去混入的水蒸氣雜氣。
      [0004]本專利則利用對二氧化碳?xì)怏w不同溫度下的飽和蒸汽壓的控制實現(xiàn)對流速/流量的控制。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種對二氧化碳的流速/流量的控制二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng)。
      [0006]本發(fā)明解決的技術(shù)問題可以采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng),包括單向閥、離子源與質(zhì)量流量計,其中所述單向閥的進(jìn)口處設(shè)有二氧化碳進(jìn)氣管,單向閥的出口處設(shè)有第一三通閥,所述質(zhì)量流量計與第一三通閥的另一側(cè)相連,質(zhì)量流量計的另一側(cè)設(shè)有氦氣進(jìn)氣管,第一三通閥的最后一側(cè)設(shè)有精確控溫冷阱,精確控溫冷阱外包括冷阱與液氮保溫箱,其中冷阱位于液氮保溫箱內(nèi),精確控溫冷阱的另一側(cè)設(shè)有第二三通閥,第二三通閥的另外兩側(cè)分別設(shè)有真空系統(tǒng)與所述離子源。
      [0007]優(yōu)選的,所述冷阱的兩側(cè)分別設(shè)有進(jìn)氣口與出氣口,所述第一三通閥與進(jìn)氣口相連,第二三通閥與出氣口相連。
      [0008]優(yōu)選的,所述第二三通閥連接在離子源的頭部。
      [0009]優(yōu)選的,所述第一三通閥與所述單向閥之間設(shè)有針閥。
      [0010]優(yōu)選的,所述針閥上設(shè)有備用氣管接口。
      [0011]優(yōu)選的,所述真空系統(tǒng)包括真空栗、PLC控制器、儲氣罐與真空閥門,其中真空閥門位于真空栗與所述第二三通閥之間,PLC控制器與真空栗相連,儲氣罐連接在真空栗的出口處。
      [0012]有益效果是:本發(fā)明是一種控制二氧化碳流速的控制系統(tǒng),本發(fā)明主要是保證本二氧化碳處于低溫環(huán)境下,使得二氧化碳蒸汽壓極低且可控,從而控制其流速達(dá)到超微流速。本發(fā)明主要是將二氧化碳通入冷阱中,而冷阱位于液氮保溫箱內(nèi),液氮保溫箱的溫控區(qū)間較大,故本裝置可以對-150?-90攝氏度進(jìn)行精確的控制,以保證二氧化碳處于低溫環(huán)境內(nèi),此外低溫環(huán)境內(nèi)可以將二氧化碳?xì)怏w內(nèi)主要雜氣水蒸氣直接凝華而得到純凈的二氧化碳?xì)怏w。再由精確控溫冷阱進(jìn)入到離子源內(nèi),以進(jìn)行同位素的測量。此外,在單向閥與第一三通閥之間的針閥,可以使得本系統(tǒng)在操作之間先通入的二氧化碳?xì)怏w將雜氣從針閥中排出,保證本系統(tǒng)的結(jié)果的精確性。真空系統(tǒng)可以在每次實驗結(jié)束后,將本系統(tǒng)保持真空,以保證每次實驗的相互獨立,避免交叉污染。
      【附圖說明】
      [0013]圖1為現(xiàn)有的二氧化碳?xì)怏w流速控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      圖2為本發(fā)明一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      圖3為本發(fā)明一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng)的真空系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      圖4為二氧化碳在不同溫度下的飽和度的曲線示意圖;
      其中1,二氧化碳進(jìn)氣管;2,單向閥;3,第一三通閥;4,質(zhì)量流量計;5,氦氣進(jìn)氣管;6,針閥;7,進(jìn)氣口 ;8,液氮保溫箱;9,冷阱;10,出氣口 ;11,真空系統(tǒng);12,第二三通閥;13,離子源;14,真空閥門;15,PLC控制器;16,真空栗;17,儲氣罐;18,步進(jìn)電機(jī);19,空腔;20,精確控溫冷阱。
      【具體實施方式】
      [0014]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
      [0015]圖2和圖3出示本發(fā)明一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng)的【具體實施方式】:一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng),包括單向閥2、離子源13與質(zhì)量流量計4,其中所述單向閥2的進(jìn)口處設(shè)有二氧化碳進(jìn)氣管1,單向閥2的出口處設(shè)有第一三通閥3,所述質(zhì)量流量計4與第一三通閥3的另一側(cè)相連,質(zhì)量流量計4的另一側(cè)設(shè)有氦氣進(jìn)氣管5,第一三通閥3的最后一側(cè)設(shè)有精確控溫冷阱20,精確控溫冷阱20包括冷阱9與液氮保溫箱8,其中冷阱9位于液氮保溫箱8內(nèi),精確控溫冷阱20的另一側(cè)設(shè)有第二三通閥12,第二三通閥12的另外兩側(cè)分別設(shè)有真空系統(tǒng)11與所述離子源13。
      [0016]結(jié)合圖2和圖3,所述冷阱9的兩側(cè)分別設(shè)有進(jìn)氣口 7與出氣口 10,所述第一三通閥3與進(jìn)氣口 7相連,第二三通閥12與出氣口 10相連。所述第二三通閥12連接在離子源13的頭部。所述第一三通閥3與所述單向閥2之間設(shè)有針閥6。所述針閥6上設(shè)有備用氣管接口。結(jié)合圖2,所述真空系統(tǒng)11包括真空栗16、PLC控制器15、儲氣罐17與真空閥門14,其中真空閥門14位于真空栗16與所述第二三通閥12之間,PLC控制器15與真空栗16相連,儲氣罐17連接在真空栗16的出口處。
      [0017]結(jié)合圖1,可知現(xiàn)有的二氧化碳流速控制系統(tǒng)是將二氧化碳?xì)怏w通過單向閥2通入空腔19中,再由高精度的步進(jìn)電機(jī)18將氣體從空腔19中由單向閥2推入離子源13內(nèi),此方法精度很難提高。結(jié)合圖4,可知二氧化碳?xì)怏w隨著溫度的降低,其蒸汽壓極低且易控,而且液氮保溫箱8的溫控區(qū)間為-184?200攝氏度。本發(fā)明利用二氧化碳的該特性,通過降低冷阱9的溫度,實現(xiàn)對二氧化碳?xì)怏w的飽和蒸汽壓的控制,使得二氧化碳?xì)怏w得以實現(xiàn)超微流速的控制。
      [0018]首先,從二氧化碳進(jìn)氣管I中接入預(yù)純化后的二氧化碳?xì)怏w,以單向閥2導(dǎo)入并接入第一三通閥3后進(jìn)入精確控溫冷阱20,第一三通另一端為氦氣從氦氣進(jìn)氣管5接入,其速率由高精度的質(zhì)量流量計4控制。針閥6 —端提供額外的氣體備用接口與后續(xù)管路氣體吹掃路徑。經(jīng)由精確控溫冷阱20釋放的穩(wěn)定二氧化碳?xì)饬鲗⑦M(jìn)入離子源13頭部,同時期間由第二三通閥12連接額外的真空系統(tǒng)11,保證不同樣品間管路的潔凈度,避免交叉污染。
      [0019]基于上述,本發(fā)明是一種控制二氧化碳流速的控制系統(tǒng),本發(fā)明主要是保證本二氧化碳處于低溫環(huán)境下,使得二氧化碳降低飽和蒸汽壓,從而控制其流速達(dá)到超微流速。本發(fā)明主要是將二氧化碳通入冷阱9中,而冷阱9位于液氮保溫箱8內(nèi),液氮保溫箱8的溫控區(qū)間較大,故本裝置可以對-150?-90攝氏度進(jìn)行精確的控制,以保證二氧化碳處于低溫環(huán)境內(nèi),此外低溫環(huán)境內(nèi)可以將二氧化碳?xì)怏w內(nèi)主要雜氣水蒸氣直接凝華而得到純凈的二氧化碳?xì)怏w。再由精確控溫冷阱9進(jìn)入到離子源13內(nèi),以進(jìn)行同位素的測量。此外,在單向閥2與第一三通閥3之間的針閥6,可以使得本系統(tǒng)在操作之間先通入的二氧化碳?xì)怏w將雜氣從針閥6中排出,保證本系統(tǒng)的結(jié)果的精確性。真空系統(tǒng)11可以在每次實驗結(jié)束后,將本系統(tǒng)保持真空,以保證每次實驗的相互獨立,避免交叉污染。
      [0020]以上所述僅為本發(fā)明的實施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
      【主權(quán)項】
      1.一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng),包括單向閥、離子源與質(zhì)量流量計,其特征在于:所述單向閥的進(jìn)口處設(shè)有二氧化碳進(jìn)氣管,單向閥的出口處設(shè)有第一三通閥,所述質(zhì)量流量計與第一三通閥的另一側(cè)相連,質(zhì)量流量計的另一側(cè)設(shè)有氦氣進(jìn)氣管,第一三通閥的最后一側(cè)設(shè)有精確控溫冷阱,精確控溫冷阱包括冷阱與液氮保溫箱,其中冷阱位于液氮保溫箱內(nèi),精確控溫冷阱的另一側(cè)設(shè)有第二三通閥,第二三通閥的另外兩側(cè)分別設(shè)有真空系統(tǒng)與所述離子源。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng),其特征在于:所述冷阱的兩側(cè)分別設(shè)有進(jìn)氣口與出氣口,所述第一三通閥與進(jìn)氣口相連,第二三通閥與出氣口相連。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng),其特征在于:所述第二三通閥連接在離子源的頭部。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng),其特征在于:所述第一三通閥與所述單向閥之間設(shè)有針閥。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng),其特征在于:所述針閥上設(shè)有備用氣管接口。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng),其特征在于:所述真空系統(tǒng)包括真空栗、PLC控制器、儲氣罐與真空閥門,其中真空閥門位于真空栗與所述第二三通閥之間,PLC控制器與真空栗相連,儲氣罐連接在真空栗的出口處。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種二氧化碳?xì)怏w超微流速控制系統(tǒng),包括單向閥、離子源與質(zhì)量流量計,其中所述單向閥的進(jìn)口處設(shè)有二氧化碳進(jìn)氣管,單向閥的出口處設(shè)有第一三通閥,所述質(zhì)量流量計與第一三通閥的另一側(cè)相連,質(zhì)量流量計的另一側(cè)設(shè)有氦氣進(jìn)氣管,第一三通閥的最后一側(cè)設(shè)有精確控溫冷阱,精確控溫冷阱包括冷阱與液氮保溫箱,其中冷阱位于液氮保溫箱內(nèi),精確控溫冷阱的另一側(cè)設(shè)有第二三通閥,第二三通閥的另外兩側(cè)分別設(shè)有真空系統(tǒng)與所述離子源。本發(fā)明是一種控制二氧化碳流速控制系統(tǒng),本發(fā)明主要是保證本二氧化碳處于低溫環(huán)境下,使得二氧化碳蒸汽壓極低且可控,從而控制其流速達(dá)到超微流速。
      【IPC分類】G05D27/00
      【公開號】CN105138043
      【申請?zhí)枴緾N201510545402
      【發(fā)明人】付云翀, 程鵬, 杜花, 劉起, 黃春海
      【申請人】中國科學(xué)院地球環(huán)境研究所
      【公開日】2015年12月9日
      【申請日】2015年8月31日
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