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      一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號(hào):10487907閱讀:206來(lái)源:國(guó)知局
      一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng)的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),主要由中央處理器、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路、光電檢測(cè)電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路、舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路、開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路、電源電路及存儲(chǔ)電路組成,現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路,開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路,光電檢測(cè)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路;存儲(chǔ)電路內(nèi)設(shè)置有FLASH存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器,F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器皆連接在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路上;利用多種存儲(chǔ)模式進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ),利用不同的存儲(chǔ)器對(duì)相應(yīng)的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ),從而有效的提高現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路的處理性能,提高其處理速度。
      【專利說(shuō)明】
      一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng)
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001 ]本發(fā)明涉及自動(dòng)化控制技術(shù)領(lǐng)域,具體的說(shuō),是一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]太陽(yáng)能(solarenergy),是指太陽(yáng)的熱福射能(參見(jiàn)熱能傳播的三種方式),主要表現(xiàn)就是常說(shuō)的太陽(yáng)光線。在現(xiàn)代一般用作發(fā)電或者為熱水器提供能源。自地球上生命誕生以來(lái),就主要以太陽(yáng)提供的熱輻射能生存,而自古人類也懂得以陽(yáng)光曬干物件,并作為制作食物的方法,如制鹽和曬咸魚等。在化石燃料日趨減少的情況下,太陽(yáng)能已成為人類使用能源的重要組成部分,并不斷得到發(fā)展。太陽(yáng)能的利用有光熱轉(zhuǎn)換和光電轉(zhuǎn)換兩種方式,太陽(yáng)能發(fā)電是一種新興的可再生能源。廣義上的太陽(yáng)能也包括地球上的風(fēng)能、化學(xué)能、水能等。
      [0003]太陽(yáng)能是由太陽(yáng)內(nèi)部氫原子發(fā)生氫氦聚變釋放出巨大核能而產(chǎn)生的,來(lái)自太陽(yáng)的福射能量。
      [0004]人類所需能量的絕大部分都直接或間接地來(lái)自太陽(yáng)。植物通過(guò)光合作用釋放氧氣、吸收二氧化碳,并把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)變成化學(xué)能在植物體內(nèi)貯存下來(lái)。煤炭、石油、天然氣等化石燃料也是由古代埋在地下的動(dòng)植物經(jīng)過(guò)漫長(zhǎng)的地質(zhì)年代演變形成的一次能源。地球本身蘊(yùn)藏的能量通常指與地球內(nèi)部的熱能有關(guān)的能源和與原子核反應(yīng)有關(guān)的能源。
      [0005]智能控制(intelligentcontrols)在無(wú)人干預(yù)的情況下能自主地驅(qū)動(dòng)智能機(jī)器實(shí)現(xiàn)控制目標(biāo)的自動(dòng)控制技術(shù)??刂评碚摪l(fā)展至今已有100多年的歷史,經(jīng)歷了“經(jīng)典控制理論”和“現(xiàn)代控制理論”的發(fā)展階段,已進(jìn)入“大系統(tǒng)理論”和“智能控制理論”階段。智能控制理論的研究和應(yīng)用是現(xiàn)代控制理論在深度和廣度上的拓展。20世紀(jì)80年代以來(lái),信息技術(shù)、計(jì)算技術(shù)的快速發(fā)展及其他相關(guān)學(xué)科的發(fā)展和相互滲透,也推動(dòng)了控制科學(xué)與工程研究的不斷深入,控制系統(tǒng)向智能控制系統(tǒng)的發(fā)展已成為一種趨勢(shì)。
      [0006]自動(dòng)化(Automat1n)是指機(jī)器設(shè)備、系統(tǒng)或過(guò)程(生產(chǎn)、管理過(guò)程)在沒(méi)有人或較少人的直接參與下,按照人的要求,經(jīng)過(guò)自動(dòng)檢測(cè)、信息處理、分析判斷、操縱控制,實(shí)現(xiàn)預(yù)期的目標(biāo)的過(guò)程。自動(dòng)化技術(shù)廣泛用于工業(yè)、農(nóng)業(yè)、軍事、科學(xué)研究、交通運(yùn)輸、商業(yè)、醫(yī)療、服務(wù)和家庭等方面。采用自動(dòng)化技術(shù)不僅可以把人從繁重的體力勞動(dòng)、部分腦力勞動(dòng)以及惡劣、危險(xiǎn)的工作環(huán)境中解放出來(lái),而且能擴(kuò)展人的器官功能,極大地提高勞動(dòng)生產(chǎn)率,增強(qiáng)人類認(rèn)識(shí)世界和改造世界的能力。
      [0007]FLASH存儲(chǔ)器(FLASH閃存),英文名稱是〃Flash Memory〃,一般簡(jiǎn)稱為〃Flash〃,它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種不揮發(fā)性(Non-Volatile)內(nèi)存。閃存的物理特性與常見(jiàn)的內(nèi)存有根本性的差異:目前各類DDR、SDRAM或者RDRAM都屬于揮發(fā)性內(nèi)存,只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無(wú)法保持,因此每次電腦開(kāi)機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存;閃存在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤,這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
      [0008]flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為O。
      [0009]由于擦除NOR器件時(shí)是以64?128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5ms,與此相反,擦除NAND器件是以8?32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。
      [0010]執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統(tǒng)計(jì)表明,對(duì)于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí)),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí),設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素:N0R的讀速度比NAND稍快一些;NAND的寫入速度比NOR快很多;NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5ms快;大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作;NAND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。
      [00??] 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory,RAM)又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
      [0012]存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容,故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。按照存儲(chǔ)單元的工作原理,隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(英文:Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(英文Dynamic RAM,DRAM) 0
      [0013]具有如下特性:
      隨機(jī)存取,所謂“隨機(jī)存取”,指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí),所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無(wú)關(guān)。相對(duì)的,讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(wèn)(SequentialAccess)存儲(chǔ)設(shè)備中的信息時(shí),其所需要的時(shí)間與位置就會(huì)有關(guān)系。它主要用來(lái)存放操作系統(tǒng)、各種應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)等。
      [0014]易失性,當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù),就必須把它們寫入一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中(例如硬盤)C3RAM和ROM相比,兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失,而ROM不會(huì)自動(dòng)消失,可以長(zhǎng)時(shí)間斷電保存。
      [0015]對(duì)靜電敏感,正如其他精細(xì)的集成電路,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器對(duì)環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會(huì)干擾存儲(chǔ)器內(nèi)電容器的電荷,引致數(shù)據(jù)流失,甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前,應(yīng)先用手觸摸金屬接地。
      [0016]訪問(wèn)速度,現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器幾乎是所有訪問(wèn)設(shè)備中寫入和讀取速度最快的,存取延遲和其他涉及機(jī)械運(yùn)作的存儲(chǔ)設(shè)備相比,也顯得微不足道。
      [0017]需要刷新(再生),現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制),未充電的代表O。由于電容器或多或少有漏電的情形,若不作特別處理,數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài),然后按照原來(lái)的狀態(tài)重新為電容器充電,彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0018]本發(fā)明的目的在于設(shè)計(jì)出一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),滿足機(jī)器人自動(dòng)控制所需,利用多種存儲(chǔ)模式進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ),并根據(jù)不同的需要,利用不同的存儲(chǔ)器對(duì)相應(yīng)的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ),從而有效的提高現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路的處理性能,提高其處理速度,達(dá)到機(jī)器人的運(yùn)行更加流暢的目的,整個(gè)系統(tǒng)具有設(shè)計(jì)科學(xué)合理、安全穩(wěn)定、實(shí)用性強(qiáng)等特點(diǎn)。
      [0019]本發(fā)明通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),主要由中央處理器、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路、光電檢測(cè)電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路、舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路、開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路、電源電路及存儲(chǔ)電路組成,所述中央處理器連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路,所述開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路,所述光電檢測(cè)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述電源電路分別連接中央處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述存儲(chǔ)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路;所述存儲(chǔ)電路內(nèi)設(shè)置有FLASH存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器,所述FLASH存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器皆連接在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路上。
      [0020]進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,所述隨機(jī)存儲(chǔ)器采用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和/或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
      [0021]進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路內(nèi)設(shè)置有編碼器、運(yùn)動(dòng)控制器、PWM功放、直流伺服電機(jī),所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接編碼器,所述編碼器連接運(yùn)動(dòng)控制器,所述運(yùn)動(dòng)控制器連接PWM功放,所述PWM功放連接直流伺服電機(jī),所述直流伺服電機(jī)連接編碼器。
      [0022]進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,所述光電檢測(cè)電路內(nèi)設(shè)置有光敏元件接收器、反射鏡、光源、調(diào)制波形發(fā)生器、調(diào)制波形處理器及調(diào)制放大器,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接調(diào)制波形發(fā)生器,所述調(diào)制波形發(fā)生器連接光源,所述光源連接反射鏡,所述反射鏡連接光敏元件接收器,所述光敏元件接收器連接調(diào)制放大器,所述調(diào)制放大器連接調(diào)制波形處理器,所述調(diào)制波形處理器連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路。
      [0023]進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,所述電源電路內(nèi)設(shè)置有太陽(yáng)能電池板、穩(wěn)壓電路、電源控制器及直流供電電路,所述太陽(yáng)能電池板連接穩(wěn)壓電路,所述穩(wěn)壓電路連接電源控制器,所述電源控制器連接直流供電電路,所述直流供電電路分別連接中央處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路。
      [0024]進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,所述電源電路內(nèi)還設(shè)置有蓄電池組,所述蓄電池組連接電源控制器。
      [0025]進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,還包括參數(shù)存儲(chǔ)器,所述參數(shù)存儲(chǔ)器連接中央處理器。
      [0026]進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路主芯片采用CycloneII1
      [0027]進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,所述中央處理器采用TMS570LS1114微控制器。
      [0028]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
      (I)本發(fā)明滿足機(jī)器人自動(dòng)控制所需,利用多種存儲(chǔ)模式進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ),并根據(jù)不同的需要,利用不同的存儲(chǔ)器對(duì)相應(yīng)的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ),從而有效的提高現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路的處理性能,提高其處理速度,達(dá)到機(jī)器人的運(yùn)行更加流暢的目的,整個(gè)系統(tǒng)具有設(shè)計(jì)科學(xué)合理、安全穩(wěn)定、實(shí)用性強(qiáng)等特點(diǎn)。
      [0029](2)本發(fā)明通過(guò)自動(dòng)化技術(shù)、智能化控制技術(shù)、以及微處理器控制技術(shù)相結(jié)合而進(jìn)行系統(tǒng)控制,使得機(jī)器人在使用過(guò)程中能夠有效完成所設(shè)定工作流程,采用微控制器與現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列相結(jié)合的中心控制技術(shù),提高整個(gè)系統(tǒng)的處理性能及處理效率,使得整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)行更加穩(wěn)定,并有效降低故障率;并設(shè)計(jì)利用清潔能源內(nèi)的太陽(yáng)能進(jìn)行供電,使得整個(gè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)可減少不可再生能源的損耗,同時(shí)還能夠滿足惡劣天氣下依然正常工作,達(dá)到24小時(shí)全天候系統(tǒng)工作的目的。
      [0030](3)本發(fā)明所述光電檢測(cè)電路內(nèi)有效保證機(jī)器人在運(yùn)行區(qū)域內(nèi)進(jìn)行運(yùn)動(dòng),而不會(huì)出現(xiàn)因超出運(yùn)行區(qū)域進(jìn)行運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生事故的發(fā)生。
      [0031](4)本發(fā)明所述隨機(jī)存儲(chǔ)器可進(jìn)一步提高現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路的處理性能,在運(yùn)行時(shí),靜態(tài)存儲(chǔ)器作高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)使用,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器做主存儲(chǔ)器使用。
      [0032](5)本發(fā)明所述的蓄電池能夠滿足在光照度不夠使太陽(yáng)能進(jìn)行發(fā)電或夜間時(shí)候依然滿足對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行供電。
      [0033](6)本發(fā)明采用HVM調(diào)制信號(hào)來(lái)完成電機(jī)及舵機(jī)的速度調(diào)制、方向調(diào)制,使其運(yùn)行更加穩(wěn)定安全。
      【附圖說(shuō)明】
      [0034]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,應(yīng)當(dāng)理解,以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例,因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。
      [0035]圖1為本發(fā)明整體結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0036]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)介紹,但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
      [0037]實(shí)施例1:
      一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),如圖1所示,主要由中央處理器、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路、光電檢測(cè)電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路、舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路、開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路、電源電路及存儲(chǔ)電路組成,所述中央處理器連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路,所述開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路,所述光電檢測(cè)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述電源電路分別連接中央處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述存儲(chǔ)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路;所述存儲(chǔ)電路內(nèi)設(shè)置有FLASH存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器,所述FLASH存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器皆連接在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路上。
      [0038]在運(yùn)行時(shí),整個(gè)系統(tǒng)需要控制多個(gè)電動(dòng)機(jī)和行程開(kāi)關(guān),并進(jìn)行光電檢測(cè),為提高處理性能,加快處理速度,在中央處理器控制處理的基礎(chǔ)上外擴(kuò)現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路來(lái)進(jìn)行諸如光電檢測(cè)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)、舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)、開(kāi)關(guān)量檢測(cè),以提高整個(gè)系統(tǒng)的處理性能。其中,現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)電路,采用了邏輯單元陣列LCA(Logic Cell Array)這樣一個(gè)概念,內(nèi)部包括可配置邏輯模塊CLB(Configurable Logic Block)、輸入輸出模塊1B(Input Output Block)和內(nèi)部連線(Interconnect)三個(gè)部分;現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)是可編程器件,與傳統(tǒng)邏輯電路和門陣列(如PAL,GAL及CPLD器件)相比,F(xiàn)PGA具有不同的結(jié)構(gòu)。FPGA利用小型查找表(16 X 1RAM)來(lái)實(shí)現(xiàn)組合邏輯,每個(gè)查找表連接到一個(gè)D觸發(fā)器的輸入端,觸發(fā)器再來(lái)驅(qū)動(dòng)其他邏輯電路或驅(qū)動(dòng)I/O,由此構(gòu)成了既可實(shí)現(xiàn)組合邏輯功能又可實(shí)現(xiàn)時(shí)序邏輯功能的基本邏輯單元模塊,這些模塊間利用金屬連線互相連接或連接到I/O模塊。FPGA的邏輯是通過(guò)向內(nèi)部靜態(tài)存儲(chǔ)單元加載編程數(shù)據(jù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的,存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的值決定了邏輯單元的邏輯功能以及各模塊之間或模塊與I/O間的聯(lián)接方式,并最終決定了 FPGA所能實(shí)現(xiàn)的功能,F(xiàn)PGA允許無(wú)限次的編程。
      [0039]在信號(hào)處理過(guò)程中,為便于使機(jī)器人在規(guī)定的區(qū)域內(nèi)運(yùn)行,特別設(shè)置有光電檢測(cè)電路,在運(yùn)行時(shí),現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路所形成的控制舵機(jī)運(yùn)動(dòng)的信號(hào)將加載至舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路內(nèi)完成諸如轉(zhuǎn)向等方向控制類的舵機(jī)控制,在控制時(shí),舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路內(nèi)所生成的PWM的信號(hào)就能夠快速調(diào)節(jié)舵機(jī)的轉(zhuǎn)角,從而實(shí)現(xiàn)機(jī)器人的方向控制;開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路用于完成電路系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的開(kāi)關(guān)量數(shù)據(jù)檢測(cè)。
      [0040]為提高現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路處理數(shù)據(jù)的性能,將數(shù)據(jù)按性能要求進(jìn)行調(diào)用,提高處理速度,特采用多種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模式,優(yōu)選的設(shè)置有FLASH存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器作為現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路的存儲(chǔ)電路使用,在運(yùn)行時(shí),F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器采用SPR4096A,主要用來(lái)存儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路諸如備份數(shù)據(jù)、運(yùn)行狀態(tài)、處理時(shí)長(zhǎng)等需要長(zhǎng)期存儲(chǔ)使用的數(shù)據(jù)信息。SPR4096A FLASH具有如下特征:512KX8位的存儲(chǔ)空間;內(nèi)嵌4ΚX8位的SRAM;外部CPU可以通過(guò)串行接口或8位并行接口來(lái)訪問(wèn)Flash/SRAM; I/O接口的電壓范圍為2.25?3.6 V,并支持stand by的省電模式??梢源蟠蠼档拖到y(tǒng)的成本。在使用時(shí),數(shù)據(jù)處理過(guò)程中,現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路結(jié)合隨機(jī)存儲(chǔ)器和FLASH存儲(chǔ)器可有效完成數(shù)據(jù)交換,以達(dá)到良好的數(shù)據(jù)處理效果。
      [0041 ] 實(shí)施例2:
      本實(shí)施例是在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,提高現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路的處理性能,特別設(shè)置有下述結(jié)構(gòu):所述隨機(jī)存儲(chǔ)器采用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和/或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)的特點(diǎn)是工作速度快,只要電源不撤除,寫入SRAM的信息就不會(huì)消失,不需要刷新電路,同時(shí)在讀出時(shí)不破壞原來(lái)存放的信息,一經(jīng)寫入可多次讀出,但集成度較低,功耗較大,在本發(fā)明中作高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)使用。DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory),它是利用場(chǎng)效應(yīng)管的柵極對(duì)其襯底間的分布電容來(lái)保存信息,以存儲(chǔ)電荷的多少,即電容端電壓的高低來(lái)表示“I”和“O”,在本發(fā)明中作為主存儲(chǔ)器使用。
      [0042]實(shí)施例3:
      本實(shí)施例是在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,能利用PffM控制方式對(duì)電機(jī)進(jìn)行調(diào)速與控制,如圖1所示,特別設(shè)置有下述結(jié)構(gòu):所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路內(nèi)設(shè)置有編碼器、運(yùn)動(dòng)控制器、PWM功放、直流伺服電機(jī),所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接編碼器,所述編碼器連接運(yùn)動(dòng)控制器,所述運(yùn)動(dòng)控制器連接PWM功放,所述PWM功放連接直流伺服電機(jī),所述直流伺服電機(jī)連接編碼器。
      [0043]為控制機(jī)器人的運(yùn)行軌跡及動(dòng)作,現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路將機(jī)器人的運(yùn)行軌跡及動(dòng)作數(shù)據(jù)通過(guò)相應(yīng)的轉(zhuǎn)換后加載至電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路、舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路及開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路內(nèi),機(jī)器人的驅(qū)動(dòng)件主要是電機(jī)和舵機(jī),皆采用PWM進(jìn)行調(diào)速與控制,根據(jù)編碼器(優(yōu)選脈沖編碼器)的反饋信號(hào),對(duì)機(jī)器人的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)控制,在控制時(shí),編碼器對(duì)待控制動(dòng)作信號(hào)進(jìn)行編碼,而后傳送至運(yùn)動(dòng)控制器內(nèi)形成相應(yīng)的控制信號(hào),并將PWM功放進(jìn)行信號(hào)放大后再控制直流伺服電機(jī)進(jìn)行相應(yīng)的運(yùn)動(dòng)。
      [0044]本發(fā)明通過(guò)自動(dòng)化技術(shù)、智能化控制技術(shù)、以及微處理器控制技術(shù)相結(jié)合而進(jìn)行系統(tǒng)控制,使得機(jī)器人在使用過(guò)程中能夠有效完成所設(shè)定工作流程,采用微控制器與現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列相結(jié)合的中心控制技術(shù),提高整個(gè)系統(tǒng)的處理性能及處理效率。
      [0045]實(shí)施例4:
      本實(shí)施例是在實(shí)施例1或2的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,為便于使機(jī)器人在規(guī)定的區(qū)域內(nèi)運(yùn)行,如圖1所示,特別設(shè)置成下述結(jié)構(gòu):所述光電檢測(cè)電路內(nèi)設(shè)置有光敏元件接收器、反射鏡、光源、調(diào)制波形發(fā)生器、調(diào)制波形處理器及調(diào)制放大器,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接調(diào)制波形發(fā)生器,所述調(diào)制波形發(fā)生器連接光源,所述光源連接反射鏡,所述反射鏡連接光敏元件接收器,所述光敏元件接收器連接調(diào)制放大器,所述調(diào)制放大器連接調(diào)制波形處理器,所述調(diào)制波形處理器連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路。
      [0046]在運(yùn)行時(shí),現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路將發(fā)出光電檢測(cè)指令至調(diào)制波形發(fā)生器內(nèi),調(diào)制波形發(fā)生器的波形調(diào)制采用頻率調(diào)制方法,由于檢測(cè)系統(tǒng)的調(diào)制頻率在幾十至幾百kHz的范圍內(nèi),為滿足要求,優(yōu)選考慮采用發(fā)光二級(jí)管(響應(yīng)速度快,其工作頻率可達(dá)幾MHz或十幾MHz)來(lái)完成調(diào)制波形的生成;光源內(nèi)設(shè)置有光源驅(qū)動(dòng)及光源,光源驅(qū)動(dòng)主要負(fù)責(zé)把調(diào)制波形放大到足夠的功率去驅(qū)動(dòng)光源發(fā)光,而光源采用適合波形為方波的調(diào)制光的發(fā)射、且工作頻率較高的紅外發(fā)光二極管,利用紅外發(fā)光二級(jí)管將調(diào)制光進(jìn)行發(fā)射后,反射鏡將此調(diào)制光反射至光敏元件接收器上,光敏元件接收器采用光敏二極管接收調(diào)制光線,并將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào),由于此電信號(hào)較弱,因此需進(jìn)一步進(jìn)行濾波及放大處理,故將光敏二極管轉(zhuǎn)換后的電信號(hào)首先加載至調(diào)制放大器內(nèi)進(jìn)行信號(hào)放大,此調(diào)制信號(hào)的放大采用交流放大的形式,還能使調(diào)制光信號(hào)與背景光信號(hào)分離,為信號(hào)處理提供方便。經(jīng)放大、分離處理后的調(diào)制光信號(hào)將利用調(diào)制波形處理器進(jìn)一步進(jìn)行濾波及信號(hào)識(shí)別處理,而后加載至現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路內(nèi),以此為參考而調(diào)整機(jī)器人的運(yùn)行區(qū)域,光電檢測(cè)電路其本質(zhì)是將“交流”的、有用的調(diào)制光信號(hào)從“直流”的、無(wú)用的背景光信號(hào)中分離出來(lái),從而達(dá)到抗干擾的目的。
      [0047]實(shí)施例5:
      本實(shí)施例是在實(shí)施例1或2的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,利用清潔能源內(nèi)的太陽(yáng)能進(jìn)行供電,使得整個(gè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)可減少不可再生能源的損耗,同時(shí)還能夠滿足惡劣天氣下依然正常工作,達(dá)到24小時(shí)全天候系統(tǒng)工作的目的,如圖1所示,特別設(shè)置成下述結(jié)構(gòu):所述電源電路內(nèi)設(shè)置有太陽(yáng)能電池板、穩(wěn)壓電路、電源控制器及直流供電電路,所述太陽(yáng)能電池板連接穩(wěn)壓電路,所述穩(wěn)壓電路連接電源控制器,所述電源控制器連接直流供電電路,所述直流供電電路分別連接中央處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路。
      [0048]在工作中,太陽(yáng)能電池板將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為直流電能,而后將通過(guò)穩(wěn)壓電路進(jìn)行穩(wěn)壓,經(jīng)穩(wěn)壓后的直流電源將通過(guò)電源控制器內(nèi)的輸出電路輸送至直流供電電路內(nèi),而后由直流供電電路分別給中央處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路進(jìn)行供電。
      [0049]實(shí)施例6:
      本實(shí)施例是在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,能夠在光照度不夠使太陽(yáng)能進(jìn)行發(fā)電或夜間時(shí)候依然滿足對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行供電,如圖1所示,特別設(shè)置有下述結(jié)構(gòu):所述電源電路內(nèi)還設(shè)置有蓄電池組,所述蓄電池組連接電源控制器。
      [0050]在使用時(shí),多余的電能將被存儲(chǔ)在蓄電池組內(nèi),而出現(xiàn)太陽(yáng)能光照不夠或陰雨天氣或夜間時(shí),蓄電池組將進(jìn)行釋電,并通過(guò)電源控制器的輸出電路輸送至直流供電電路內(nèi),對(duì)中央處理器及現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路進(jìn)行供電,達(dá)到24小時(shí)全天候的使整個(gè)系統(tǒng)工作。[0051 ] 實(shí)施例7:
      本實(shí)施例是在實(shí)施例1或2的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,便于提高處理性能,并更多的存儲(chǔ)機(jī)器人運(yùn)行軌跡及動(dòng)作,如圖1所示,特別設(shè)置有下述結(jié)構(gòu):還包括參數(shù)存儲(chǔ)器,所述參數(shù)存儲(chǔ)器連接中央處理器。
      [0052]在參數(shù)存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)有機(jī)器人運(yùn)行軌跡數(shù)據(jù)及動(dòng)作數(shù)據(jù),中央處理器將通過(guò)讀取此類數(shù)據(jù)后加載至現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路內(nèi),用于控制機(jī)器人的運(yùn)行軌跡及動(dòng)作。
      [0053]實(shí)施例8:
      本實(shí)施例是在實(shí)施例1或2的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,能利用成熟的邏輯門陣列處理技術(shù)完成諸如開(kāi)關(guān)量檢測(cè)控制、舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)控制、光電檢測(cè)控制、舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路控制等操作,特別采用下述設(shè)置方式:所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路主芯片采用Cyclone II10
      [0054]Cyclone III,低成本的Cyclone III FPGA是Altera Cyclone系列的第三代產(chǎn)品。Cyclone III FPGA系列前所未有地同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低功耗、低成本和高性能,進(jìn)一步擴(kuò)展了FPGA在成本敏感大批量領(lǐng)域中的應(yīng)用。采用臺(tái)灣半導(dǎo)體生產(chǎn)公司(TSMC)的65-nm低功耗(LP)工藝技術(shù)。Cyclone III容量在5K至120K邏輯單元(LE)之間,最多534個(gè)用戶1/0引腳。Cyclone III器件具有4-Mbit嵌入式存儲(chǔ)器、288個(gè)嵌入式18*18乘法器、專用外部存儲(chǔ)器接口電路、鎖相環(huán)(PLL)以及高速差分1/0等。
      [0055]實(shí)施例9:
      本實(shí)施例是在實(shí)施例1或2的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的,為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,能利用成熟的微控制器芯片技術(shù)完成主控制處理,特別采用下述設(shè)置方式:所述中央處理器采用TMS570LS1114微控制器。
      [0056]TMS570LS1114器件是一款高性能汽車級(jí)安全系統(tǒng)微控制器系列。此安全架構(gòu)包括:以鎖步模式運(yùn)行的雙核CPU,CPU和存儲(chǔ)器內(nèi)置自檢(BIST)邏輯,閃存和數(shù)據(jù)SRAM上的ECC,外設(shè)存儲(chǔ)器的奇偶校驗(yàn),外設(shè)1/0上的回路功能。
      [0057]TMS570LS1114器件集成了ARM Cortex_R4F浮點(diǎn)CPU JbCPU 提供一個(gè)高效1.66DMIPS/MHz,并且具有能夠以高達(dá)180MHz運(yùn)行的配置,從而提供高達(dá)298DMIPS。此器件支持字不變大端序[BE32]格式。
      [0058]TMS570LS1114器件具有IMB集成閃存和128KB數(shù)據(jù)RAM,此配置具有單個(gè)位糾錯(cuò)和雙位糾錯(cuò)功能。這個(gè)器件上的閃存存儲(chǔ)器是一個(gè)由64位寬數(shù)據(jù)總線接口實(shí)現(xiàn)的非易失性、電可擦除并且可編程的存儲(chǔ)器。為了實(shí)現(xiàn)所有讀取、編程和擦除操作,此閃存運(yùn)行在一個(gè)3.3V電源輸入上(與1/0電源一樣的電平)。當(dāng)處于管線模式中時(shí),閃存可在高達(dá)180MHz的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率下運(yùn)行。SRAM在整個(gè)支持的頻率范圍內(nèi)支持字節(jié)、半子、字和雙字模式的單周期讀取和寫入訪問(wèn)。
      [0059]TMS570LS1114器件特有針對(duì)基于實(shí)時(shí)控制的外設(shè),其中包括2個(gè)下一代高端定時(shí)器(N2HET)時(shí)序協(xié)處理器,此協(xié)處理器具有多達(dá)44個(gè)I/O端子,7個(gè)支持多達(dá)14個(gè)輸出的增強(qiáng)型脈寬調(diào)制器(ePWM)模塊,6個(gè)增強(qiáng)型捕捉(eCAP)模塊,2個(gè)增強(qiáng)型正交編碼器脈沖(eQEP)模塊,以及2個(gè)支持多達(dá)24個(gè)輸入的12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。
      [0060]N2HET1是一款高級(jí)智能定時(shí)器,此定時(shí)器能夠?yàn)閷?shí)時(shí)應(yīng)用提供精密的計(jì)時(shí)功能。該定時(shí)器為軟件控制型,采用一個(gè)精簡(jiǎn)指令集,并具有一個(gè)專用的定時(shí)器微級(jí)機(jī)和一個(gè)連接的I/o端口。N2HET可被用于脈寬調(diào)制輸出、捕捉或者比較輸入,或者通用I/O J2HET特別適合于那些需要多種傳感器信息的應(yīng)用,以及那些要求具有復(fù)雜和準(zhǔn)確時(shí)間脈沖的驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器的應(yīng)用。一個(gè)高端定時(shí)器傳輸單元(HTU)能夠執(zhí)行DMA類型處理來(lái)與主存儲(chǔ)器之間傳輸N2HET數(shù)據(jù)。一個(gè)內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)被內(nèi)置于HTU內(nèi)。
      [0061 ] ePWM模塊能夠用最少的CPU開(kāi)銷或干預(yù)來(lái)生成復(fù)雜脈寬波形。ePWM易于使用,并且支持高側(cè)和低側(cè)PWM和死區(qū)生成。借助于集成觸發(fā)區(qū)保護(hù)以及與片載MibADC的同步,ePWM模塊非常適合于數(shù)字電機(jī)控制應(yīng)用。
      [0062]eCAP模塊在外部事件的精確定時(shí)捕捉十分重要的系統(tǒng)中是必不可少的。在不被用于捕捉應(yīng)用時(shí),eCAP還可被用于監(jiān)視ePWM輸出或用于簡(jiǎn)單的PffM生成。
      [0063]eQEP模塊用于與一個(gè)線性或旋轉(zhuǎn)遞增編碼器進(jìn)行直接連接以從一個(gè)高性能運(yùn)動(dòng)和位置控制系統(tǒng)中正在旋轉(zhuǎn)的機(jī)械中獲得位置、方向和速度信息。
      [0064]此器件具有212位分辨率MibADC,每個(gè)MibADC總共具有24個(gè)通道和受64字奇偶校驗(yàn)保護(hù)的緩沖器RAM JibADC通道可被獨(dú)立轉(zhuǎn)換或者可針對(duì)順序轉(zhuǎn)換序列由軟件成組。16個(gè)輸入可在2個(gè)MibADC間共用。有三個(gè)獨(dú)立的組。每個(gè)組可在被觸發(fā)時(shí)被轉(zhuǎn)換一次,或者通過(guò)配置以執(zhí)行連續(xù)轉(zhuǎn)換模式。MibADCl還支持外部模擬復(fù)用器的使用。
      [0065]此器件有多個(gè)通信接口:3fMibSPI,2fSPI,lfLINlfSCI,3fDCANjPlfl2C。SPI為相似移位寄存器類型器件之間的高速通信提供了一種便捷方法。LIN支持本地互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)2.0并可被用作一個(gè)使用標(biāo)準(zhǔn)不歸零碼(NRZ)格式的全雙工模式UART。DCAN支持CAN 2.0(A和B)協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)并使用一個(gè)串行、多主控通信協(xié)議,此協(xié)議用高達(dá)IMbps的穩(wěn)健耐用通信速率有效支持分布式實(shí)時(shí)控制。DCAN非常適合工作于嘈雜和惡劣環(huán)境中的系統(tǒng)(例如:汽車和工業(yè)領(lǐng)域),此類應(yīng)用需要可靠的串行通信或多路復(fù)用布線。
      [0066]I2C模塊是一個(gè)多主控通信模塊,此模塊通過(guò)I2C串行總線在微控制器和一個(gè)I2C兼容器件之間提供一個(gè)接口。此I2C支持10Kbps和400Kbps的速度。
      [0067]—個(gè)調(diào)頻鎖相環(huán)(FMPLL)時(shí)鐘模塊被用來(lái)將外部頻率基準(zhǔn)與一個(gè)內(nèi)部使用的更高頻率相乘。此全局時(shí)鐘模塊(GCM)管理可用時(shí)鐘源與器件時(shí)鐘域間的映射。
      [0068]此器件還有一個(gè)外部時(shí)鐘前置分頻器(ECP)模塊,當(dāng)被啟用時(shí),此模塊在ECLK端子上輸出一個(gè)連續(xù)外部時(shí)鐘。ECLK頻率是一個(gè)外設(shè)接口時(shí)鐘(VCLK)頻率的用戶可編程比例。這個(gè)可被外部監(jiān)視的低頻輸出作為此器件運(yùn)行頻率的指示器。
      [0069]直接內(nèi)存訪問(wèn)(DMA)控制器有16個(gè)通道,32個(gè)控制數(shù)據(jù)包和對(duì)其內(nèi)存的奇偶校驗(yàn)保護(hù)。MPU被內(nèi)置在DMA中,以保護(hù)內(nèi)存不受錯(cuò)誤傳輸?shù)挠绊憽?br>[0070]錯(cuò)誤信令模塊(ESM)監(jiān)控所有器件錯(cuò)誤并在檢測(cè)到一個(gè)故障時(shí)確定是觸發(fā)一個(gè)中斷還是觸發(fā)一個(gè)外部錯(cuò)誤引腳/球狀引腳??蓮耐獠勘O(jiān)視的nERROR端子可作為一個(gè)微控制器中故障條件的指示器。
      [0071 ]外部?jī)?nèi)存接口(EMIF)提供到異步和同步內(nèi)存或者其它從器件的內(nèi)存擴(kuò)展。
      [0072]—個(gè)參數(shù)覆蓋模塊(POM)被用來(lái)提高應(yīng)用代碼的校準(zhǔn)功能。POM能夠?qū)㈤W存訪問(wèn)重新路由至內(nèi)部存儲(chǔ)器或EMIF,從而避免了閃存內(nèi)參數(shù)更新所需的重編程步驟。
      [0073]本發(fā)明滿足機(jī)器人自動(dòng)控制所需,利用多種存儲(chǔ)模式進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ),并根據(jù)不同的需要,利用不同的存儲(chǔ)器對(duì)相應(yīng)的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ),從而有效的提高現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路的處理性能,提高其處理速度,達(dá)到機(jī)器人的運(yùn)行更加流暢的目的,整個(gè)系統(tǒng)具有設(shè)計(jì)科學(xué)合理、安全穩(wěn)定、實(shí)用性強(qiáng)等特點(diǎn)。
      [0074]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已,并不用于限制本發(fā)明,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),其特征在于:主要由中央處理器、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路、光電檢測(cè)電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路、舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路、開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路、電源電路及存儲(chǔ)電路組成,所述中央處理器連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路,所述開(kāi)關(guān)量檢測(cè)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接舵機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路,所述光電檢測(cè)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述電源電路分別連接中央處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路,所述存儲(chǔ)電路連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路;所述存儲(chǔ)電路內(nèi)設(shè)置有FLASH存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器,所述FLASH存儲(chǔ)器及隨機(jī)存儲(chǔ)器皆連接在現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),其特征在于:所述隨機(jī)存儲(chǔ)器采用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和/或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),其特征在于:所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路內(nèi)設(shè)置有編碼器、運(yùn)動(dòng)控制器、PWM功放、直流伺服電機(jī),所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接編碼器,所述編碼器連接運(yùn)動(dòng)控制器,所述運(yùn)動(dòng)控制器連接PWM功放,所述PffM功放連接直流伺服電機(jī),所述直流伺服電機(jī)連接編碼器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),其特征在于:所述光電檢測(cè)電路內(nèi)設(shè)置有光敏元件接收器、反射鏡、光源、調(diào)制波形發(fā)生器、調(diào)制波形處理器及調(diào)制放大器,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路連接調(diào)制波形發(fā)生器,所述調(diào)制波形發(fā)生器連接光源,所述光源連接反射鏡,所述反射鏡連接光敏元件接收器,所述光敏元件接收器連接調(diào)制放大器,所述調(diào)制放大器連接調(diào)制波形處理器,所述調(diào)制波形處理器連接現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),其特征在于:所述電源電路內(nèi)設(shè)置有太陽(yáng)能電池板、穩(wěn)壓電路、電源控制器及直流供電電路,所述太陽(yáng)能電池板連接穩(wěn)壓電路,所述穩(wěn)壓電路連接電源控制器,所述電源控制器連接直流供電電路,所述直流供電電路分別連接中央處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),其特征在于:所述電源電路內(nèi)還設(shè)置有蓄電池組,所述蓄電池組連接電源控制器。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),其特征在于:還包括參數(shù)存儲(chǔ)器,所述參數(shù)存儲(chǔ)器連接中央處理器。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),其特征在于:所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列電路主芯片采用Cyclone III。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的機(jī)器人控制管理系統(tǒng),其特征在于:所述中央處理器采用TMS570LS1114微控制器。
      【文檔編號(hào)】G05B19/042GK105843129SQ201610320428
      【公開(kāi)日】2016年8月10日
      【申請(qǐng)日】2016年5月16日
      【發(fā)明人】楊定寬
      【申請(qǐng)人】蘇州邁奇杰智能技術(shù)有限公司
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