電流輸出電路的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)涉及電流輸出電路。提供了一種電流輸出電路1，其包括：偽正弦波分離電路11，將由數(shù)字代碼Din表示的偽正弦波分離為由數(shù)字信號(hào)D1和D2所表示的兩個(gè)偽半波；DA轉(zhuǎn)換器113，將由數(shù)字信號(hào)D1表示的偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)V1；DA轉(zhuǎn)換器114，將由數(shù)字信號(hào)D2表示的偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)V2；以及電壓-電流轉(zhuǎn)換電路12，將半波信號(hào)V1和V2的電壓轉(zhuǎn)換為電流并且輸出通過(guò)合并所述電流而獲得的電流Iout。
【專利說(shuō)明】電流輸出電路
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)基于提交于2015年2月10日的日本專利申請(qǐng)N0.2015-023950并且要求其優(yōu)先權(quán)權(quán)益，該申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)弓I用整體并入。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及一種電流輸出電路并且例如涉及一種安置在位置探測(cè)裝置中的電流輸出電路。
【背景技術(shù)】
[0004]對(duì)將與面板表面相接觸的電磁感應(yīng)筆的接觸位置進(jìn)行探測(cè)的位置探測(cè)裝置安裝在電磁感應(yīng)面板上。位置探測(cè)裝置包括安置在面板上的傳感器線圈以及向傳感器線圈輸出高頻電流的電流輸出電路。位置探測(cè)裝置基于由傳感器線圈接收到的電壓信號(hào)探測(cè)面板上的接觸對(duì)象的接觸位置。
[0005]日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2003-202955公開(kāi)了一種安置在位置探測(cè)裝置中的電流傳輸電路(電流輸出電路)。這個(gè)電流傳輸電路利用分離電路來(lái)將模擬正弦波分離為兩個(gè)半波信號(hào)，將半波信號(hào)的電壓轉(zhuǎn)換為電流，合并電流，并且輸出合并后的電流。日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2011-97191公開(kāi)了一種分離電路的詳細(xì)配置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]考慮到向日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2003-202955中所公開(kāi)的電流傳輸電路中安置的分離電路輸入的模擬正弦波通過(guò)以下方式生成:利用DA轉(zhuǎn)換器將由數(shù)字代碼表示的偽正弦波轉(zhuǎn)換為模擬正弦波，利用低通濾波器對(duì)模擬正弦波進(jìn)行平滑化，并且利用增益調(diào)整電路對(duì)模擬正弦波的幅度進(jìn)行調(diào)整。
[0007]本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2003-202955中所公開(kāi)的電流傳輸電路中存在問(wèn)題，由于如上面所描述的諸如用于模擬正弦波的分離電路和增益調(diào)整電路之類的大規(guī)模模擬電路是必需的，電路尺寸將變大。相關(guān)技術(shù)的其他問(wèn)題和本發(fā)明的新穎特征將從以下說(shuō)明書(shū)的描述和附圖而變得明顯。
[0008]本發(fā)明的一個(gè)方面是一種電流輸出電路，包括:將數(shù)字偽正弦波分離為第一數(shù)字偽半波和第二數(shù)字偽半波的分離電路;將第一數(shù)字偽半波轉(zhuǎn)換為第一模擬半波信號(hào)的第一DA轉(zhuǎn)換器;將第二數(shù)字偽半波轉(zhuǎn)換為第二模擬半波信號(hào)的第二DA轉(zhuǎn)換器；以及將第一半波信號(hào)和第二半波信號(hào)的電壓轉(zhuǎn)換為電流并且輸出通過(guò)合并所述電流而獲得的電流的電壓-電流轉(zhuǎn)換電路。
[0009]根據(jù)上面的方面，可以提供一種能夠防止電路尺寸增加的電流輸出電路。
【附圖說(shuō)明】
[0010]上述以及其他的方面、優(yōu)勢(shì)和特征將從以下結(jié)合附圖的特定實(shí)施例的描述中變得明顯，其中:
[0011]圖1為示出了根據(jù)第一實(shí)施例的電流輸出電路的配置示例的示圖；
[0012]圖2A到圖2D為示出了安置在圖1中示出的電流輸出電路中的組件的輸出波形的示圖；
[0013]圖3為示出了安置在圖1中示出的電流輸出電路中的一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的第一具體配置示例的示圖；
[0014]圖4為示出了安置在圖1中示出的電流輸出電路中的另一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的第一具體配置示例的示圖；
[0015]圖5為示出了安置在圖1中示出的電流輸出電路中的一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的第二具體配置示例的電路圖；
[0016]圖6為示出了安置在圖1中示出的電流輸出電路中的另一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的第二具體配置示例的電路圖；
[0017]圖7為示出了安置在圖1中示出的電流輸出電路中的一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的第三具體配置示例的電路圖；
[0018]圖8為示出了安置在圖1中示出的電流輸出電路中的另一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的第三具體配置示例的電路圖；
[0019]圖9為示出了來(lái)自安置在圖1中示出的電流輸出電路的一個(gè)路徑上的組件的輸出結(jié)果的示圖；
[0020]圖10為示出了來(lái)自安置在圖1中示出的電流輸出電路的另一個(gè)路徑上的組件的輸出結(jié)果的不圖；
[0021]圖11為示出了根據(jù)第一實(shí)施例的電流輸出電路的修改示例的示圖；
[0022]圖12為示出了根據(jù)第二實(shí)施例的電流輸出電路的配置示例的示圖；
[0023]圖13A到圖13D為示出了安置在圖12中示出的電流輸出電路中的組件的輸出波形的示圖；
[0024]圖14為示出了安置在圖12中示出的電流輸出電路中的一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的第一具體配置示例的示圖；
[0025]圖15為示出了安置在圖12中示出的電流輸出電路中的另一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的具體配置示例的示圖；
[0026]圖16為根據(jù)第三實(shí)施例的電流輸出電路的配置示例的示圖；
[0027]圖17A到圖17D為示出了安置在圖16中示出的電流輸出電路中的組件的輸出波形的示圖；
[0028]圖18為示出了安置在圖16中示出的電流輸出電路中的一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的具體配置不例的電路圖；
[0029]圖19為示出了安置在圖16中示出的電流輸出電路中的另一個(gè)DA轉(zhuǎn)換器的具體配置不例的電路圖；以及
[0030]圖20為示出了根據(jù)第三實(shí)施例的電流輸出電路的修改示例的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面，將參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行解釋。附圖采用了簡(jiǎn)化的形式，并且實(shí)施例的技術(shù)范圍不應(yīng)當(dāng)解釋為受限于附圖。相同的元素用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)指代并且省略重復(fù)解釋。
[0032]在下面的實(shí)施例中，當(dāng)為了方便起見(jiàn)而環(huán)境有所要求時(shí)，通過(guò)將本發(fā)明劃分為多個(gè)部分或者實(shí)施例來(lái)描述本發(fā)明。然而，除非另外特別地規(guī)定，否則這些部分或者實(shí)施例彼此并非無(wú)關(guān)。一個(gè)部分或者實(shí)施例與其他部分或者實(shí)施例中的一些或者所有的修改、應(yīng)用、細(xì)節(jié)、補(bǔ)充說(shuō)明等相關(guān)。當(dāng)在下面的實(shí)施例中提及元素的數(shù)目等(包括件數(shù)、數(shù)值、數(shù)量、范圍等)時(shí)，其數(shù)目并不限于具體數(shù)目并且可以大于或小于或等于具體數(shù)目，除非另外特別地規(guī)定或者原理上明確地限制為具體數(shù)目。
[0033]此外，在下面的實(shí)施例中，組件(包括操作步驟等)并非總是必要的，除非另外特別地規(guī)定并且原理上被視為確實(shí)必要。類似地，當(dāng)在下面的實(shí)施例中提及組件等的形狀、位置關(guān)系等時(shí)，除非另外特別地規(guī)定并且原理上被視為不必絕對(duì)如此，否則它們將包括例如在形狀等方面基本上接近或相似的形狀等。上述相似地適用于上面所描述的數(shù)目等(包括件數(shù)、數(shù)值、數(shù)量、范圍等)。
[0034]第一實(shí)施例
[0035]圖1為示出了根據(jù)第一實(shí)施例的電流輸出電路I的配置示例的示圖。根據(jù)本實(shí)施例的電流輸出電路I將數(shù)字偽正弦波分離為兩個(gè)偽半波，將所分離的偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)，將模擬半波信號(hào)的電壓轉(zhuǎn)換為電流，合并電流，并且將合并的電流作為模擬正弦波信號(hào)輸出。相應(yīng)地，根據(jù)本實(shí)施例的電流輸出電路I并非必須包括諸如用于模擬正弦波的增益調(diào)整電路和分離電路的大規(guī)模模擬電路。因此可以使得根據(jù)本實(shí)施例的電流輸出電路I的電路尺寸和電流消耗與當(dāng)數(shù)字偽正弦波被轉(zhuǎn)換為模擬正弦波、并且接著該模擬正弦波被分離為兩個(gè)半波信號(hào)時(shí)所能降低的相比更多地降低。下面給出關(guān)于上述更為具體的解釋。
[0036]電流輸出電路I安置在例如安裝在電磁感應(yīng)觸摸面板上的位置探測(cè)裝置中并且是用于輸出與基于由數(shù)字代碼Din表示的偽正弦波的模擬正弦波對(duì)應(yīng)的模擬正弦波信號(hào)1ut的電路。
[0037]注意，安裝在電磁感應(yīng)面板上的位置探測(cè)裝置包括安置在面板上的傳感器線圈和用于向傳感器線圈輸出高頻電流的電流輸出電路并且基于由傳感器線圈所接收到的電壓信號(hào)探測(cè)面板上的接觸對(duì)象的接觸位置。
[0038]如圖1所示，電流輸出電路I包括偽正弦波分離電路11和電壓-電流轉(zhuǎn)換電路12。
[0039](偽正弦波分離電路11)
[0040]偽正弦波分離電路11是用于將外部提供到電流輸出電路I的輸入端子IN并且由數(shù)字代碼Din表示的偽正弦波(參見(jiàn)圖2A)分離為兩個(gè)模擬半波信號(hào)Vl和V2的電路。
[0041]注意，由數(shù)字代碼Din表示的偽正弦波由時(shí)段性地從預(yù)先準(zhǔn)備好的正弦波值表格中讀取正弦波值的計(jì)數(shù)器等所生成。由數(shù)字代碼Din表示的偽正弦波與由模擬振蕩器生成的正弦波相比較少受到工藝變化等的影響，并且由此可以容易地維持穩(wěn)定的信號(hào)頻率。
[0042]在本實(shí)施例中，數(shù)字代碼Din為具有n(n為自然數(shù))比特寬度的數(shù)據(jù)。數(shù)字代碼Din的第一比特到第η-1比特代表數(shù)字代碼Din的絕對(duì)值，并且數(shù)字代碼Din的第η比特(MSB)代表數(shù)字代碼Din的代碼。參照?qǐng)D2A，例如，當(dāng)?shù)讦潜忍氐闹禐?(在圖2A中的時(shí)段T2)時(shí)，數(shù)字代碼Din指示負(fù)幅度，而當(dāng)?shù)讦潜忍氐闹禐?(在圖2Α中的時(shí)段Tl)時(shí)，數(shù)字代碼Din指示正幅度。
[0043]偽正弦波分離電路11包括偽正弦波分離單元110，DA轉(zhuǎn)換器113和114以及低通濾波器115和116。
[0044](偽正弦波分離單元110)
[0045]偽正弦波分離單元(分離電路)110為用于將由數(shù)字代碼Din表示的偽正弦波分離為由數(shù)字信號(hào)Dl和D2表示的兩個(gè)偽半波(第一偽半波和第二偽半波)并且輸出數(shù)字信號(hào)Dl和D2的單元。
[0046]具體地，偽正弦波分離單元110包括11-1個(gè)01?電路0_1到0_11-1以及11-1個(gè)4仰電路八_1到六_11-1。01?電路0_1到0_11-1輸出在數(shù)字代碼0111的第一比特到第11-1比特的值和數(shù)字代碼Din的第η比特的值之間的邏輯OR作為數(shù)字信號(hào)Dl (偽半波KAND電路A_^ljA_n-l輸出在數(shù)字代碼Din的第一比特到第η-1比特的值和數(shù)字代碼Din的第η比特的值之間的邏輯AND作為數(shù)字信號(hào)D2(偽半波)。
[0047]當(dāng)數(shù)字代碼Din的第η比特的值為O時(shí)(S卩，當(dāng)數(shù)字代碼Din指示負(fù)值時(shí))，0R電路0_1到0_η-1輸出數(shù)字代碼Din的第一比特到第n-1比特的值作為數(shù)字信號(hào)Dl而沒(méi)有任何修改。當(dāng)?shù)讦潜忍氐闹禐镮時(shí)(S卩，當(dāng)數(shù)字代碼Din指示正值時(shí))，0R電路0_1到0_η-1輸出I作為數(shù)字信號(hào)Dl。也就是說(shuō)，OR電路0_1到0_η-1允許指示著負(fù)值的數(shù)字代碼Din通過(guò)，而當(dāng)數(shù)字代碼Din指示為負(fù)值之外的值時(shí)，OR電路0_1到0_η-1輸出I作為數(shù)字信號(hào)Dl。
[0048]另一方面，當(dāng)數(shù)字代碼Din的第η個(gè)比特的值為O時(shí)(S卩，當(dāng)數(shù)字代碼Din指示負(fù)值時(shí))，AND電路六_1到六_11-1輸出O作為數(shù)字信號(hào)D2。當(dāng)?shù)讦潜忍氐闹禐镮時(shí)(S卩，當(dāng)數(shù)字代碼Din指示正值時(shí))，AND電路A_^ljA_n-l輸出數(shù)字代碼Din的第一比特到第n-1比特的值作為數(shù)字信號(hào)D2而沒(méi)有任何修改。也就是說(shuō)，AND電路A_^ljA_n-l允許指示著正值的數(shù)字代碼Din通過(guò)，而當(dāng)數(shù)字代碼Din指示為正值之外的值時(shí)，AND電路4_1到六_11-1輸出O作為數(shù)字信號(hào)D2。
[0049](DA 轉(zhuǎn)換器 113 和 114)
[0050]DA轉(zhuǎn)換器(DAC;第一 DA轉(zhuǎn)換器)113將從安置在偽正弦波分離單元110中的OR電路Oj到0_η-1輸出的具有η-1比特寬度的數(shù)字信號(hào)Dl轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)(第一半波信號(hào))Vl0
[0051 ]作為輸出的參考值的電源電壓(第一參考電壓)AVDD被提供到DA轉(zhuǎn)換器113的高電勢(shì)電源端子。用于確定輸出的幅度值的偏置電壓(第一偏置電壓)Vrbl被提供到DA轉(zhuǎn)換器113的低電勢(shì)電源端子。因此，DA轉(zhuǎn)換器113將數(shù)字信號(hào)Dl (由指示為數(shù)字代碼Din中的負(fù)值的數(shù)字代碼Din表示的偽半波)轉(zhuǎn)換為基于電源電壓AVDD的模擬半波信號(hào)Vl(參見(jiàn)圖2B的頂部繪圖)。
[0052]DA轉(zhuǎn)換器(DAC;第二 DA轉(zhuǎn)換器)114將從安置在偽正弦波分離單元110中的AND電路八^到4_1!-1輸出的具有η-1比特寬度的數(shù)字信號(hào)D2轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)(第二半波信號(hào))V2o
[0053]作為輸出的參考值的接地電壓(第二參考電壓)GND被提供到DA轉(zhuǎn)換器114的低電勢(shì)電源端子。用于確定輸出的幅度值的偏置電壓(第二偏置電壓)Vrt2被提供到DA轉(zhuǎn)換器114的高電勢(shì)電源端子。因此，DA轉(zhuǎn)換器114將數(shù)字信號(hào)D2(由指示為數(shù)字代碼Din中的正值的數(shù)字代碼Din表示的偽半波)轉(zhuǎn)換為基于接地電壓GND的模擬半波信號(hào)V2(參見(jiàn)圖2B的底部繪圖)。
[0054](DA轉(zhuǎn)換器113和114的第一具體配置示例)
[0055]圖3和圖4分別示出作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的第一具體配置示例的DA轉(zhuǎn)換器113a和114a。注意，當(dāng)DA轉(zhuǎn)換器113a和114a用作DA轉(zhuǎn)換器113和114時(shí)，解碼器111和112進(jìn)一步包括在電流輸出電路2中。
[0056]解碼器111對(duì)從偽正弦波分離單元110輸出的數(shù)字信號(hào)Dl進(jìn)行解碼并且輸出控制信號(hào) Sl_l 到 Sl_m(m 為 2~(n-l))。
[0057]解碼器112對(duì)從偽正弦波分離單元110輸出的數(shù)字信號(hào)D2進(jìn)行解碼并且輸出控制信號(hào)S2_l到S2_m。
[0058]DA轉(zhuǎn)換器113a為電阻串的DA轉(zhuǎn)換器，并且包括電阻性元件Rl_l到Rl_m-1以及開(kāi)關(guān)元件SW1_1到SWl_m。電阻性元件Rl_l到串行安置在DA轉(zhuǎn)換器113a的高電勢(shì)電源端子和低電勢(shì)電源端子之間。開(kāi)關(guān)元件SW1_1到SWl_m-l安置在相應(yīng)電阻性元件Rl_l到Rl_m-1的一端和DA轉(zhuǎn)換器113a的輸出端子之間。進(jìn)一步，開(kāi)關(guān)元件SWl_m安置在電阻性元件Rl_m-1的另一端和DA轉(zhuǎn)換器113a的輸出端子之間。開(kāi)關(guān)元件SW1_1到SWl_m中的一個(gè)元件由控制信號(hào)Sl_UljSl_m接通，而開(kāi)關(guān)元件中的其余元件則關(guān)斷。
[0059]DA轉(zhuǎn)換器114a為電阻串的DA轉(zhuǎn)換器，并且包括電阻性元件R2_l到R2_m-1以及開(kāi)關(guān)元件SW2_I到SW2_m。電阻性元件R2_I到R2_m_I串行安置在DA轉(zhuǎn)換器114a的高電勢(shì)電源端子和低電勢(shì)電源端子之間。開(kāi)關(guān)元件SW2_1到SW2_m-l安置在相應(yīng)電阻性元件R2_l到R2_m-1的一端和DA轉(zhuǎn)換器114a的輸出端子之間。進(jìn)一步，開(kāi)關(guān)元件SW2_m安置在電阻性元件R2_m-1的另一端和DA轉(zhuǎn)換器114a的輸出端子之間。開(kāi)關(guān)元件SW2_1到SW2_m中的一個(gè)元件由控制信號(hào)S2_l到S2_m接通，而開(kāi)關(guān)元件中的其余元件則關(guān)斷。
[0060]利用上面提及的配置，DA轉(zhuǎn)換器113a和114a可以分別將由數(shù)字信號(hào)Dl和D2所表示的偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)Vl和V2并且輸出模擬半波信號(hào)Vl和V2。
[0061](DA轉(zhuǎn)換器113和114的第二具體配置示例)
[0062]圖5和圖6分別示出作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的第二具體配置示例的DA轉(zhuǎn)換器113b和114b。在這個(gè)例子中，DA轉(zhuǎn)換器113b將具有五比特寬度的數(shù)字信號(hào)D1_0到Dl_4轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)VI，并且DA轉(zhuǎn)換器114b將具有五比特寬度的數(shù)字信號(hào)D2_0到D2_4轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)V2。注意，數(shù)字信號(hào)D1_0到Dl_4分別對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)Dl的第一比特到第五比特的值，并且數(shù)字信號(hào)D2_0到D2_4分別對(duì)應(yīng)于數(shù)字信號(hào)D2的第一比特到第五比特的值。
[0063]DA轉(zhuǎn)換器113b為電流相加DA轉(zhuǎn)換器，并且包括恒定電流源11_0到11_4、晶體管Ttl_0到Ttl_5以及Tbl_0到Tbl_5、二極管Ddl以及電阻性元件Rol。在這個(gè)例子中，晶體管Ttl_0到Ttl_4以及Tbl_0到Tbl_4為P溝道MOS晶體管，并且晶體管Ttl_5和Tbl_5為N溝道MOS晶體管。
[0064]恒定電流源11_0到11_4以2的冪進(jìn)行加權(quán)。具體地，具有1^12\1代14\1^匕8X Iref以及16 X Iref的電流值的電流分別流過(guò)恒定電流源11_0到11_4。
[0065]晶體管Ttl_0到Ttl_4安置在相應(yīng)恒定電流源11_0到11_4和二極管Ddl的陽(yáng)極之間，并且參考電壓Vref(=AVDD/2)被提供到晶體管Ttl_0到Ttl_4的柵極。晶體管Tbl_0到Tbl_4安置在相應(yīng)恒定電流源11_0到11_4和晶體管Ttl_5的漏極之間，并且分別基于數(shù)字信號(hào)D1_0到Dl_4導(dǎo)通或截止。當(dāng)數(shù)字信號(hào)D1_0到Dl_4的值為1(即，電源電壓AVDD電平)時(shí)，電流流過(guò)晶體管Ttl_0到Ttl_4，而當(dāng)數(shù)字信號(hào)D1_0到Dl_4的值為0(即，接地電壓GND電平)時(shí)，電流流過(guò)晶體管Tbl_0到Tbl_4。
[0066]晶體管Ttl_5和Tbl_5構(gòu)成電流鏡電路。在這個(gè)例子中，晶體管Ttl_5和Tbl_5的大小相等。因此，與在晶體管Tt 1_5的源極和漏極之間流動(dòng)的電流相等的電流在晶體管Tb 1_5的源極和漏極之間流動(dòng)。電阻性元件Rol將在晶體管Tbl_5的源極和漏極之間流動(dòng)的電流轉(zhuǎn)換為電壓并且將其作為模擬半波信號(hào)Vl輸出。
[0067]DA轉(zhuǎn)換器114b為電流相加DA轉(zhuǎn)換器，并且包括恒定電流源12_0到12_4、晶體管Tt2_0到Tt2_5以及Tb2_0到Tb2_5、二極管Dd2以及電阻性元件Ro2。在這個(gè)例子中，晶體管Tt2_0到Tt2_4以及Tb2_0到Tb2_4為N溝道MOS晶體管，并且晶體管Tt2_5和Tb2_5為P溝道MOS晶體管。
[0068]恒定電流源12_0到12_4以2的冪進(jìn)行加權(quán)。具體地，具有1代12\1代14\1代匕8X Iref以及16 X Iref的電流值的電流分別流過(guò)恒定電流源12_0到12_4。
[0069]晶體管Tt2_0到Tt2_4安置在相應(yīng)恒定電流源12_0到12_4和二極管Dd2的陰極之間，并且參考電壓Vref(=AVDD/2)被提供到晶體管Tt2_0到Tt2_4的柵極。晶體管Tb2_0到Tb2_4安置在相應(yīng)恒定電流源12_0到12_4和晶體管Tt2_5的漏極之間并且分別基于數(shù)字信號(hào)D2_0到D2_4導(dǎo)通或截止。當(dāng)數(shù)字信號(hào)D2_0到D2_4的值為1(即，電源電壓AVDD電平)時(shí)，電流流過(guò)晶體管Tb2_0到Tb2_4。當(dāng)數(shù)字信號(hào)D2_0到D2_4的值為0(即，接地電壓GND電平)時(shí)，電流流過(guò)晶體管Tt2_0到Tt2_4。
[0070]晶體管竹2_5和1132_5構(gòu)成電流鏡電路。在這個(gè)例子中，晶體管竹2_5和1132_5的大小相等。因此，與在晶體管Tt 2_5的源極和漏極之間流動(dòng)的電流相等的電流在晶體管Tb2_5的源極和漏極之間流動(dòng)。電阻性元件Ro2將在晶體管Tb2_5的源極和漏極之間流動(dòng)的電流轉(zhuǎn)換為電壓并且將其作為模擬半波信號(hào)V2輸出。
[0071]利用上面提及的配置，DA轉(zhuǎn)換器113b和114b可以分別將由數(shù)字信號(hào)Dl和D2所表示的偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)Vl和V2并且輸出模擬半波信號(hào)Vl和V2。
[0072](DA轉(zhuǎn)換器113和114的第三具體配置示例)
[0073]圖7和圖8分別示出作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的第三具體配置示例的DA轉(zhuǎn)換器113c和 114c。
[0074]DA轉(zhuǎn)換器113c為R2R電阻梯DA轉(zhuǎn)換器，并且包括電阻性元件R3_l到R3_n-1、電阻性元件R4_l到R4_n-1以及開(kāi)關(guān)元件SW3_1到SW3_n-l。注意，電阻性元件R3_l到R3_n-1以及R4_I的電阻值基本上是電阻性元件R4_2到R4_n-1的電阻值的兩倍。
[0075]電阻性元件R4_l到R4_n-1串行安置在對(duì)其提供了偏置電壓Vrbl的低電勢(shì)電源端子與DA轉(zhuǎn)換器113c的輸出端子之間。電阻性元件R3j到R3_n-1安置在相應(yīng)電阻性元件的R4_l到R4_n-1的一端和相應(yīng)開(kāi)關(guān)元件SW3_1到SW3_n-l的第一端子之間。相應(yīng)開(kāi)關(guān)元件SW3_I到SW3_n-l的第二端子連接到對(duì)其提供了電源電壓AVDD的高電勢(shì)電源端子。開(kāi)關(guān)元件SW3_I到SW3_n-l的第三端子連接到對(duì)其提供了偏置電壓Vrbl的低電勢(shì)電源端子。開(kāi)關(guān)元件SW3_I到SW3_n-l基于來(lái)自O(shè)R電路Oj到0_η-1的輸出信號(hào)將第二端子或者第三端子連接到第一端子。
[0076]當(dāng)來(lái)自O(shè)R電路0_1到0_η-1的輸出信號(hào)例如指示I時(shí)，開(kāi)關(guān)元件SW3_1到SW3_n-l將對(duì)其提供了電源電壓A VDD的相應(yīng)第二端子連接到第一端子。當(dāng)來(lái)自O(shè)R電路0_1到0_η-1的輸出信號(hào)例如指示O時(shí)，開(kāi)關(guān)元件SW3j到SW3_n-l將對(duì)其提供了偏置電壓Vrbl的相應(yīng)第三端子連接到相應(yīng)第一端子。
[0077]DA轉(zhuǎn)換器114c為R2R電阻梯DA轉(zhuǎn)換器，并且包括電阻性元件R5_l到R5_n-1、電阻性元件R6_l到R6_n-1以及開(kāi)關(guān)元件SW4_1到SW4_n-l。注意，電阻性元件R5_l到R5_n-1以及R6_I基本上是電阻性元件R6_2到R6_n-1的電阻值的兩倍。
[0078]電阻性元件R6_l到R6_n_l串行安置在對(duì)其提供了接地電壓GND的低電勢(shì)電源端子與DA轉(zhuǎn)換器114(:的輸出端子之間。電阻性元件1?5_1到1?5_11-1安置在相應(yīng)電阻性元件的1?6_1到R6_n-1的一端和相應(yīng)開(kāi)關(guān)元件SW4_1到SW4_n-l的第一端子之間。相應(yīng)開(kāi)關(guān)元件SW4j到SW4_n-l的第二端子連接到對(duì)其提供了偏置電壓Vrt2的高電勢(shì)電源端子。開(kāi)關(guān)元件5胃4_1到SW4_n-l的第三端子連接到對(duì)其提供了接地電壓GND的低電勢(shì)電源端子。開(kāi)關(guān)元件SW4_^IJSW4_n-l基于來(lái)自AND電路A_^ljA_n-l的輸出信號(hào)將第二端子或者第三端子連接到第一端子。
[0079 ] 當(dāng)來(lái)自AND電路六_1到A_n-1的輸出信號(hào)例如指示I時(shí)，開(kāi)關(guān)元件SW4_1到SW4_n_ I將對(duì)其提供了偏置電壓Vrt2的相應(yīng)第二端子連接到第一端子。當(dāng)來(lái)自AND電路A_^ljA_n-l的輸出信號(hào)例如指示O時(shí)，開(kāi)關(guān)元件SW4_1到SW4_n-l將對(duì)其提供了接地電壓GND的相應(yīng)第三端子連接到相應(yīng)第一端子。
[0080]利用上面提及的配置，DA轉(zhuǎn)換器113c和114c可以分別將由數(shù)字信號(hào)Dl和D2所表示的偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)Vl和V2并且輸出模擬半波信號(hào)Vl和V2。
[0081 ](低通濾波器115和116)
[0082]低通濾波器(LPF;第一低通濾波器)115對(duì)從DA轉(zhuǎn)換器113輸出的模擬半波信號(hào)Vl進(jìn)行平滑化(參見(jiàn)圖2C中的頂部繪圖)。進(jìn)一步，低通濾波器(LPF;第二低通濾波器)116對(duì)從DA轉(zhuǎn)換器114輸出的模擬半波信號(hào)V2進(jìn)行平滑化(參見(jiàn)圖2C中的底部繪圖)。(電壓-電流轉(zhuǎn)換電路12)
[0083]電壓-電流轉(zhuǎn)換電路12將從偽正弦波分離電路11輸出的模擬半波信號(hào)Vl和V2的電壓轉(zhuǎn)換為電流，合并電流，并且將合并的電流輸出作為電流I out。
[0084]電壓-電流轉(zhuǎn)換電路12包括VI放大器(第一放大器和第二放大器)121和122、驅(qū)動(dòng)晶體管(第一驅(qū)動(dòng)晶體管和第二驅(qū)動(dòng)晶體管)Trl和Tr2以及電阻性元件(第三電阻性元件和第四電阻性元件)Rl和R2 ο驅(qū)動(dòng)晶體管Tr I為例如P溝道MOS晶體管。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr 2為例如N溝道MOS晶體管。
[0085]電阻性元件Rl的一端連接到對(duì)其提供了電源電壓AVDD的電源電壓端子(此后稱為電源電壓端子AVDD)，而電阻性元件Rl的另一端連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的漏極連接到電壓-電流轉(zhuǎn)換電路12的輸出端子OUT 放大器121對(duì)來(lái)自偽正弦波分離電路11的輸出電壓Vl和驅(qū)動(dòng)晶體管Tr I的源極電壓之間的電勢(shì)差進(jìn)行放大并且將放大的電勢(shì)差提供到驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極。
[0086]VI放大器121控制驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極電壓，使得驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極電壓將與來(lái)自偽正弦波分尚電路11的輸出電壓Vl具有相同的值。以這種方式，與在電源電壓AVDD和來(lái)自偽正弦波分離電路11的輸出電壓Vl之間的電勢(shì)差和電阻性元件Rl的電阻值對(duì)應(yīng)的電流在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極和漏極之間流動(dòng)。
[0087]電阻性元件R2的一端連接到對(duì)其提供了接地電壓GND的接地電壓端子(此后稱為接地電壓端子GND)，并且電阻性元件R2的另一端連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的漏極連接到電壓-電流轉(zhuǎn)換電路12的輸出端子OUT 放大器122對(duì)偽正弦波分離電路11的輸出電壓V2和驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極電壓之間的電勢(shì)差進(jìn)行放大并且將放大的電勢(shì)差提供到驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的柵極。
[0088]VI放大器122控制驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的柵極電壓，使得驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極電壓將與來(lái)自偽正弦波分離電路11的輸出電壓V2具有相同的值。以這種方式，與偽正弦波分離電路11的輸出電壓V2和接地電壓GND之間的電勢(shì)差和電阻性元件R2的電阻值對(duì)應(yīng)的電流在驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極和漏極之間流動(dòng)。
[0089]由此，電壓-電流轉(zhuǎn)換電路12從輸出端子OUT輸出電流1ut，其為通過(guò)對(duì)流過(guò)電阻性元件Rl和R2的電流進(jìn)行合并而得到的電流(參見(jiàn)圖2D)。
[0090]下面，將詳細(xì)地解釋來(lái)自電流輸出電路I的輸出電流Iout的零峰值Ia。輸出電流1ut的零峰值Ia由從偽正弦波分離電路11輸出的半波信號(hào)Vl和V2的幅度值Va以及電阻性元件Rl和R2的電阻值確定。
[0091]首先，通過(guò)參照?qǐng)D1、圖2以及圖9對(duì)由上部路徑(通過(guò)DA轉(zhuǎn)換器113—低通濾波器115—VI放大器121—驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的路徑)生成的電流進(jìn)行解釋。
[0092]在時(shí)段Tl中，其中數(shù)字代碼Din的第η比特(MSB)的值指示I，構(gòu)成數(shù)字信號(hào)Dl的第一比特到第η-1比特的值(DA轉(zhuǎn)換器113的輸入代碼)全部指示I。因此，DA轉(zhuǎn)換器113輸出指示電源電壓AVDD的半波信號(hào)Vl。由于電源電壓AVDD被提供到VI放大器121，電源電壓AVDD通過(guò)虛短路被施加到電阻性元件Rl的兩端。由于電流此時(shí)將不流過(guò)電阻性元件Rl，所以在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極和漏極之間流動(dòng)的電流為零。
[0093]另一方面，在時(shí)段T2中，其中數(shù)字代碼Din的第η比特(MSB)的值指示0，構(gòu)成數(shù)字信號(hào)Dl的第一比特到第η-1比特的值(DA轉(zhuǎn)換器113的輸入代碼)指示對(duì)應(yīng)于數(shù)字代碼Din的值。因此，DA轉(zhuǎn)換器113輸出具有幅度Va( =AVDD-Vrbl)的半波信號(hào)VI。由于具有幅度Va的半波信號(hào)Vl被提供到VI放大器121，所以具有幅度Va的電壓通過(guò)虛短路被施加到電阻性元件Rl的另一端(電阻性元件Rl的連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極的一端)。具體地，電壓VrbU =AVDD-Va = AVDD-(AVDD-VrbI))被施加到電阻性元件Rl的兩端。由此，由Vrb 1/R1表示的電流在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源極和漏極之間流動(dòng)。
[0094]接著，參照?qǐng)D1、圖2以及圖10對(duì)由下部路徑(通過(guò)DA轉(zhuǎn)換器114—低通濾波器116—VI放大器122—驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的路徑)生成的電流Ia進(jìn)行解釋。
[0095]在時(shí)段T2中，其中數(shù)字代碼Din的第η比特(MSB)的值指示O，構(gòu)成數(shù)字信號(hào)D2的第一比特到第η-1比特的值(DA轉(zhuǎn)換器114的輸入代碼)全部指示O。因此，DA轉(zhuǎn)換器114輸出指示著接地電壓GND的半波信號(hào)V2。由于接地電壓GND被提供到VI放大器122，接地電壓GND通過(guò)虛短路被施加到電阻性元件R2的兩端。由于電流此時(shí)將不流過(guò)電阻性元件R2，所以在驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極和漏極之間流動(dòng)的電流為零。
[0096]另一方面，在時(shí)段Tl中，其中數(shù)字代碼Din的第η比特(MSB)的值指示I，構(gòu)成數(shù)字信號(hào)D2的第一比特到第η-1比特的值(DA轉(zhuǎn)換器114的輸入代碼)指示對(duì)應(yīng)于數(shù)字代碼Din的值。因此，DA轉(zhuǎn)換器114輸出具有幅度Va(=Vrt2+GND)的半波信號(hào)V2。由于具有幅度Va的半波信號(hào)V2被提供到VI放大器122，所以具有幅度Va的電壓通過(guò)虛短路被施加到電阻性元件R2的另一端(電阻性元件R2的連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極的一端)。具體地，電壓Vrt2( =Va-GND= (Vrt2+GND)-GND)被施加到電阻性元件R2的兩端。由此，由Vrt2/R2表示的電流在驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極和漏極之間流動(dòng)。
[0097]因此，電壓-電流轉(zhuǎn)換電路12在時(shí)段Tl輸出由Vrt2/R2表示的電流1ut并且在時(shí)段T2輸出由Vrbl/Rl表示的電流lout?？傊?，輸出電流1ut的零峰值Ia由半波信號(hào)Vl和V2的幅度值Va以及電阻性元件Rl和R2的電阻值來(lái)確定。
[0098]如上面所描述的，根據(jù)本實(shí)施例的電流輸出電路I將數(shù)字偽正弦波分離為兩個(gè)偽半波，將偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)，將模擬半波信號(hào)的電壓轉(zhuǎn)換為電流，合并電流，并且輸出合并的電流作為模擬正弦波信號(hào)lout。相應(yīng)地，對(duì)于根據(jù)本實(shí)施例的電流輸出電路I來(lái)說(shuō)并非必須包括諸如用于模擬正弦波的增益調(diào)整電路和分離電路的大規(guī)模模擬電路。因此可以使得本實(shí)施例的電流輸出電路I的電路尺寸和電流消耗與當(dāng)數(shù)字偽正弦波被轉(zhuǎn)換為模擬正弦波并且接著該模擬正弦波被分離為兩個(gè)半波信號(hào)時(shí)所能降低的相比更多地降低。
[0099](電流輸出電路I的修改示例)
[0100]圖11為示出作為電流輸出電路I的修改示例的電流輸出電路Ia的示圖。電流輸出電路Ia包括取代偽正弦波分離電路11的偽正弦波分離電路11a。
[0101]在偽正弦波分離電路Ila中，作為輸出的參考值的偏置電壓Vrtl被提供到DA轉(zhuǎn)換器113的高電勢(shì)電源端子，并且用于確定輸出的幅度值的偏置電壓Vrbl被提供到DA轉(zhuǎn)換器113的低電勢(shì)電源端子。此外，用于確定輸出的幅度值的偏置電壓Vrt2被提供到DA轉(zhuǎn)換器114的高電勢(shì)電源端子，并且將作為輸出的參考值的偏置電壓Vrb2被提供到DA轉(zhuǎn)換器114的低電勢(shì)電源端子。此時(shí)，偏置電壓VrtUVrbl、Vrt2以及Vrb2需要被調(diào)整從而滿足下述等式(I)。
[0102]Vrtl-Vrbl=Vrt2-Vrb2...(I)
[0103]以這種方式，電流輸出電路Ia可以將任意的偏置電壓提供到DA轉(zhuǎn)換器113和114的高電勢(shì)電源端子和低電勢(shì)電源端子。
[0104]第二實(shí)施例
[0105]圖12為根據(jù)第二實(shí)施例的電流輸出電路2的配置示例的示圖。電流輸出電路2和電流輸出電路I具有相同的配置，除了前者包括偽正弦波分離電路21取代了包括在電流輸出電路I中的偽正弦波分離電路11。偽正弦波分離電路21進(jìn)一步包括用于改變確定來(lái)自DA轉(zhuǎn)換器113和114的輸出的幅度值Va的偏置電壓的可變電阻性元件R3。
[0106]注意到在圖12中，電阻串DA轉(zhuǎn)換器113a和114a分別作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的具體配置示例而安置。此外，解碼器111和112進(jìn)一步包括在偽正弦波分離電路21中。對(duì)解碼器111和112以及DA轉(zhuǎn)換器113和114的細(xì)節(jié)已經(jīng)做出了描述。
[0107]可變電阻性元件R3的一端連接到DA轉(zhuǎn)換器113c的低電勢(shì)電源端子(電阻性元件Rl_m-1的另一端)，并且可變電阻性元件R3的另一端連接到DA轉(zhuǎn)換器114c的高電勢(shì)電源端子(電阻性元件R2_l的一端)。
[0?08]用于確定來(lái)自DA轉(zhuǎn)換器113a和114a的輸出的幅度值Va的偏置電壓可以通過(guò)調(diào)整可變電阻性元件R3的電阻值而改變。這就使得DA轉(zhuǎn)換器113a和114a改變輸出(偽半波)的幅度值Va。
[0109]當(dāng)可變電阻性元件R3的電阻值例如降低時(shí)，來(lái)自DA轉(zhuǎn)換器113a和114a的輸出的幅度值(零峰值)Va將增加(圖13B中的幅度Va ’)。來(lái)自電流輸出電路2的輸出電流I out的零峰值Ia由輸出自偽正弦波分離電路IIa的半波信號(hào)Vl和V2的幅度值Va以及電阻元件Rl和R2的電阻值來(lái)確定。因此，當(dāng)幅度值Va增加時(shí)，輸出電流1ut的零峰值Ia也將增加(圖13D中的零峰值la’)。
[0110]注意，由于來(lái)自安置在偽正弦波分離電路21中的DA轉(zhuǎn)換器113a和114a的輸出的幅度值Va由經(jīng)由可變電阻性元件R3串行連接的多個(gè)電阻性元件的電阻電壓分配比來(lái)確定，因此由于工藝變化所導(dǎo)致的誤差的幾率較小。相應(yīng)地，電流輸出電路2可以降低輸出電流1ut的幅度值Ia的誤差(更為具體地，從輸出電流1ut的電流波形的中心的偏移)。
[0111]如目前為止所描述的，根據(jù)本實(shí)施例的電流輸出電路2將數(shù)字偽正弦波分離成兩個(gè)偽半波，將偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)，將模擬半波信號(hào)的電壓轉(zhuǎn)換為電流，合并電流，并且輸出合并的電流作為模擬正弦波信號(hào)lout。相應(yīng)地，對(duì)于電流輸出電路2來(lái)說(shuō)并非必須包括諸如用于模擬正弦波的增益調(diào)整電路和分離電路的大規(guī)模模擬電路。因此可以使得電流輸出電路2的電路尺寸和電流消耗與當(dāng)數(shù)字偽正弦波被轉(zhuǎn)換為模擬正弦波并且接著該模擬正弦波被分離為兩個(gè)半波信號(hào)時(shí)所能降低的相比更多地降低。
[0112]進(jìn)一步，根據(jù)本實(shí)施例的電流輸出電路2利用可變電阻性元件R3來(lái)改變相應(yīng)DA轉(zhuǎn)換器113a和114a的偏置電壓Vrb I和Vrt2。這允許電流輸出電路2根據(jù)使用來(lái)改變輸出電流1ut的幅度值la。
[0113]雖然本實(shí)施例解釋的例子中可變電阻性元件R3對(duì)于DA轉(zhuǎn)換器113a和114a是共用的，但本發(fā)明并不限于此，并且可以在DA轉(zhuǎn)換器113a和114a中單獨(dú)地安置可變電阻性元件。
[0114]雖然本實(shí)施例解釋的例子中電阻串DA轉(zhuǎn)換器113a和114a作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的具體配置示例而分別安置，但本發(fā)明并不限于此。R2R電阻梯DA轉(zhuǎn)換器113c和114c或者電流相加DA轉(zhuǎn)換器可以作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的具體配置示例而分別安置。下面將解釋電流相加DA轉(zhuǎn)換器的配置。
[0115](電流輸出DA轉(zhuǎn)換器213a和214a)
[0116]圖14和圖15是分別示出了作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的具體配置示例的電流相加類型轉(zhuǎn)換器213a和214a的示圖。
[0117]DA轉(zhuǎn)換器213a的基本配置與DA轉(zhuǎn)換器113b的相同。然而，在DA轉(zhuǎn)換器213a中，構(gòu)成電流鏡電路的晶體管Ttl_5和Tbl_5的尺寸比率與構(gòu)成DA轉(zhuǎn)換器113b中的電流鏡電路的晶體管的尺寸比率不同。由此，作為流動(dòng)在晶體管Ttl_5的源極和漏極之間的電流Il的a倍的電流a X 11例如在晶體管Tb 1_5的源極和漏極之間流動(dòng)。從DA轉(zhuǎn)換器213a輸出的半波信號(hào)Vl的幅度Va由在晶體管Tbl_5的源極和漏極之間流動(dòng)的電流aX Il以及電阻性元件Rol的電阻值確定。由此，半波信號(hào)Vl的幅度Va可以通過(guò)調(diào)整晶體管Ttl_5和Tbl_5的尺寸比率來(lái)任意調(diào)整。
[0118]DA轉(zhuǎn)換器214a的基本配置與DA轉(zhuǎn)換器114b的相同。然而，在DA轉(zhuǎn)換器214a中，構(gòu)成電流鏡電路的晶體管Tt2_5和Tb2_5的尺寸比率與構(gòu)成DA轉(zhuǎn)換器114b中的電流鏡電路的晶體管的尺寸比率不同。由此，作為流動(dòng)在晶體管Tt5_5的源極和漏極之間的電流12的a倍的電流a X 12例如在晶體管Tb2_5的源極和漏極之間流動(dòng)。從DA轉(zhuǎn)換器214a輸出的半波信號(hào)V2的幅度Va由在晶體管Tb2_5的源極和漏極之間流動(dòng)電流aX 12以及電阻性元件Ro2的電阻值確定。由此，半波信號(hào)V2的幅度Va可以通過(guò)調(diào)整晶體管竹2_5和1132_5的尺寸比率來(lái)任意調(diào)整。
[0119]注意，代替對(duì)構(gòu)成電流鏡電路的晶體管的尺寸比率進(jìn)行調(diào)整，可以調(diào)整恒定電流源的電流值，或者電阻性元件Rol和Ro2的電阻值可以改變。然而，通過(guò)調(diào)整構(gòu)成電流鏡電路的晶體管的尺寸比率，電流消耗較之當(dāng)對(duì)恒定電流源的電流值進(jìn)行調(diào)整時(shí)可以降低的電流消耗而言更為有效。此外，通過(guò)調(diào)整構(gòu)成電流鏡電路的晶體管的尺寸比率，可以防止由開(kāi)關(guān)的插入所導(dǎo)致的誤差的增加，而不像當(dāng)電阻性元件Rol和Ro2的電阻值改變時(shí)那樣。
[0120]第三實(shí)施例
[0121]圖16為示出了根據(jù)第三實(shí)施例的電流輸出電路3的配置示例的示圖。電流輸出電路3和電流輸出電路I具有相同的配置，除了前者包括偽正弦波分離電路31取代了包括在電流輸出電路I中的偽正弦波分離電路U。偽正弦波分離電路31進(jìn)一步包括用于設(shè)定確定來(lái)自DA轉(zhuǎn)換器113和114的輸出的參考值的參考電壓(AVDD和GND)的空載電壓Vi的電阻性元件R4和R5 (第一電阻性元件和第二電阻性元件)。
[0122]注意到在圖16中，電阻串DA轉(zhuǎn)換器113a和114a分別作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的具體配置示例而安置。此外，解碼器111和112進(jìn)一步包括在電流輸出電路3中。對(duì)解碼器111和112以及DA轉(zhuǎn)換器113a和114a的細(xì)節(jié)已經(jīng)做出了描述。
[0123]電阻性元件R4安置在電源電壓端子AVDD和DA轉(zhuǎn)換器213的高電勢(shì)電源端子(電阻性元件Rl_l的一端)之間。電阻性元件R5安置在接地電壓端子GND和DA轉(zhuǎn)換器214的低電勢(shì)電源端子(R2_m-1的另一端)之間。
[0124]因此，從DA轉(zhuǎn)換器113a輸出的半波信號(hào)Vl的參考值指示了比電源電壓AVDD低空載電壓Vi的電壓值，并且從DA轉(zhuǎn)換器114a輸出的半波信號(hào)V2的參考值比接地電壓GND高空載電壓Vi(參見(jiàn)圖17B)。
[0125]由于空載電壓Vi始終施加在電阻性元件Rl和R2上，因此對(duì)應(yīng)于空載電壓Vi的電流(空載電流)始終在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和Tr2的源極和漏極之間流動(dòng)。這就防止了驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和Tr2的源極-漏極的電阻值的迅速增長(zhǎng)，其中迅速增長(zhǎng)是由于在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和Tr2的源極-漏極之間流動(dòng)的電流變?yōu)榱闼鶎?dǎo)致的。結(jié)果是，電流輸出電路3可以降低當(dāng)輸出電流I out的值變?yōu)榱銜r(shí)所產(chǎn)生的失真。
[0126]如目前為止所描述的，根據(jù)本實(shí)施例的電流輸出電路3將數(shù)字偽正弦波分離成兩個(gè)偽半波，將偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)，將模擬半波信號(hào)的電壓轉(zhuǎn)換為電流，合并電流，并且輸出合并的電流作為模擬正弦波信號(hào)lout。相應(yīng)地，對(duì)于電流輸出電路3來(lái)說(shuō)并非必須包括諸如用于模擬正弦波的增益調(diào)整電路和分離電路的大規(guī)模模擬電路。因此可以使得電流輸出電路3的電路尺寸和電流消耗與當(dāng)數(shù)字偽正弦波被轉(zhuǎn)換為模擬正弦波并且接著該模擬正弦波被分離為兩個(gè)半波信號(hào)時(shí)所能降低的相比更多地降低。
[0127]此外，根據(jù)本實(shí)施例的電流輸出電路3利用電阻性元件R4和R5來(lái)將空載電壓Vi設(shè)置到相應(yīng)DA轉(zhuǎn)換器113a和114a的參考電壓AVDD和GND。這允許電流輸出電路3降低當(dāng)輸出電流I out的值變?yōu)榱銜r(shí)所產(chǎn)生的失真。
[0128]雖然本實(shí)施例解釋的例子中電阻串DA轉(zhuǎn)換器113a和114a作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的具體配置示例而分別安置，但本發(fā)明并不限于此。R2R電阻梯DA轉(zhuǎn)換器113c和114c或者電流相加DA轉(zhuǎn)換器可以作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的具體配置示例而分別安置。下面將解釋電流相加DA轉(zhuǎn)換器的配置。
[0129](電流輸出DA轉(zhuǎn)換器213b和214b)
[0130]圖18和圖19是分別示出了作為DA轉(zhuǎn)換器113和114的具體配置示例的電流相加DA轉(zhuǎn)換器213b和214b的示圖。
[0131]DA轉(zhuǎn)換器213b和113具有相同的配置，除了前者進(jìn)一步包括導(dǎo)致空載電流Iidl從DA轉(zhuǎn)換器213b的輸出端子流到接地電壓端子GND的恒定電流源11_5。由此，電流I i d I始終流過(guò)電阻性元件RoI ο相應(yīng)地，從DA轉(zhuǎn)換器213b輸出的半波信號(hào)Vl的參考值指示比電源電壓AVDD低空載電壓Vi( =Rol X Iidl)的電壓值。
[0132]DA轉(zhuǎn)換器214b和DA轉(zhuǎn)換器114具有相同的配置，除了前者進(jìn)一步包括導(dǎo)致空載電流I idI從電源電壓端子AVDD流到DA轉(zhuǎn)換器214b的輸出端子的恒定電流源12_5。由此，電流Iidl始終流過(guò)電阻性元件Ro2。相應(yīng)地，從DA轉(zhuǎn)換器214b輸出的半波信號(hào)V2的參考值指示比接地電壓GND高空載電壓Vi( =Ro2 X Iidl)的電壓值。
[0133](電流輸出電路3的修改示例)
[0134]圖20為示出作為電流輸出電路3的修改示例的電流輸出電路3a的示圖。電流輸出電路3a包括偽正弦波分離電路31a來(lái)取代偽正弦波分離電路31。
[0135]偽正弦波分離電路31a和偽正弦波分離電路31具有相同的配置，除了前者進(jìn)一步包括可變電阻性元件R3。具體地，偽正弦波分離電路31a具有與偽正弦波分離電路11相同的配置，除了前者進(jìn)一步包括第二實(shí)施例的可變電阻性元件R3和第三實(shí)施例的電阻性元件R4和R5。
[0136]如此，電流輸出電路3a可以達(dá)到電流輸出電路2和電流輸出電路3二者所達(dá)到的效果。換句話說(shuō)，由于可變電阻性元件R3包括在電流輸出電路3a中，輸出電流1ut的幅度值Ia可以取決于使用而改變。進(jìn)一步，由于電阻性元件R4和R5包括在電流輸出電路3a中，可以降低當(dāng)輸出電流1ut的值變?yōu)榱銜r(shí)產(chǎn)生的失真。
[0137]注意，在圖11中示出的電流輸出電路Ia中，可以以類似于使用可變電阻性元件R3的情況的方式，依據(jù)使用通過(guò)調(diào)整偏置電壓Vrbl和Vrt2來(lái)改變輸出電流1ut的幅度值la。此外，在圖11中示出的電流輸出電路Ia中，以類似于使用電阻性元件R4和R5的情況的方式，通過(guò)調(diào)整偏置電壓Vrbl和Vrt2而降低當(dāng)輸出電流1ut的值變?yōu)榱銜r(shí)所產(chǎn)生的失真。
[0138]描述至此，根據(jù)第一實(shí)施例到第三實(shí)施例的電流輸出電路將數(shù)字偽正弦波分離為兩個(gè)偽半波，將偽半波轉(zhuǎn)換為模擬半波信號(hào)，將模擬半波信號(hào)的電壓轉(zhuǎn)換為電流，合并電流，并且輸出電流作為模擬正弦波信號(hào)lout。相應(yīng)地，對(duì)于根據(jù)第一實(shí)施例到第三實(shí)施例的電流輸出電路來(lái)說(shuō)并非必須包括諸如用于模擬正弦波的增益調(diào)整電路和分離電路的大規(guī)模模擬電路。因此可以使得根據(jù)第一實(shí)施例到第三實(shí)施例的電流輸出電路的電路尺寸和電流消耗與當(dāng)數(shù)字偽正弦波被轉(zhuǎn)換為模擬正弦波并且接著該模擬正弦波被分離為兩個(gè)半波信號(hào)時(shí)所能降低的相比更多地降低。
[0139]此外，根據(jù)第二實(shí)施例的電流輸出電路2利用可變電阻性元件R3改變相應(yīng)DA轉(zhuǎn)換器113a和114a的偏置電壓Vrbl和Vrt2。這允許根據(jù)第二實(shí)施例的電流輸出電路2根據(jù)使用來(lái)改變輸出電流1ut的幅度值la。
[0140]附加地，根據(jù)第三實(shí)施例的電流輸出電路3利用電阻性元件R4和R5來(lái)將空載電壓Vi設(shè)置到相應(yīng)DA轉(zhuǎn)換器113a和114a的參考電壓AVDD和GND。這允許根據(jù)第三實(shí)施例的電流輸出電路3降低當(dāng)輸出電流1ut的值變?yōu)榱銜r(shí)所產(chǎn)生的失真。
[0141]雖然已經(jīng)參照示例性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明人做出的本發(fā)明進(jìn)行了闡釋，但明顯的是本發(fā)明并不受其限制，并且可以進(jìn)行各種修改而不會(huì)背離本發(fā)明的范圍。
[0142]例如，半導(dǎo)體襯底、半導(dǎo)體層以及擴(kuò)散層(擴(kuò)散區(qū)域)等的導(dǎo)電類型(p型或η型)可以在根據(jù)上述實(shí)施例的電流輸出電路中反轉(zhuǎn)。因此，當(dāng)P型或η型的導(dǎo)電類型中的一個(gè)被稱為第一導(dǎo)電類型并且P型或η型的導(dǎo)電類型中的另一個(gè)被稱為第二導(dǎo)電類型時(shí)，第一導(dǎo)電類型可以是P型，并且第二導(dǎo)電類型可以是η型?？纱娴?，第一導(dǎo)電類型可以是η型，并且第二導(dǎo)電類型可以是P型。
[0143]第一實(shí)施例到第三實(shí)施例可以如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所需要地進(jìn)行合并。
[0144]雖然已經(jīng)就幾個(gè)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以通過(guò)在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且本發(fā)明不限于上面所描述的例子。
[0145]此外，權(quán)利要求的范圍不限于上面所描述的實(shí)施例。
[0146]此外，應(yīng)當(dāng)注意到，
【申請(qǐng)人】意在于囊括所有權(quán)利要求元素的等同物，即使是在審查過(guò)程中后來(lái)進(jìn)行修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電流輸出電路，包括: 分離電路，將數(shù)字偽正弦波分離為第一數(shù)字偽半波和第二數(shù)字偽半波； 第一 DA轉(zhuǎn)換器，將所述第一數(shù)字偽半波轉(zhuǎn)換為第一模擬半波信號(hào)； 第二DA轉(zhuǎn)換器，將所述第二數(shù)字偽半波轉(zhuǎn)換為第二模擬半波信號(hào)；以及電壓-電流轉(zhuǎn)換電路，將所述第一半波信號(hào)和所述第二半波信號(hào)的電壓轉(zhuǎn)換為電流并且輸出通過(guò)合并所述電流而獲得的電流。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流輸出電路，其中 所述偽正弦波由具有η比特寬度的數(shù)字代碼表示，其中η為自然數(shù)，并且 所述分離電路包括: 多個(gè)OR電路，其將在代表所述數(shù)字代碼的代碼的最高有效比特的值和除了所述最高有效比特之外的比特的值之間的邏輯OR作為所述第一偽半波進(jìn)行輸出；以及 多個(gè)AND電路，其將在所述數(shù)字代碼中的所述最高有效比特的值和除了所述最高有效比特之外的比特的值之間的邏輯AND作為所述第二偽半波進(jìn)行輸出。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流輸出電路，其中 確定輸出的參考值的第一參考電壓被提供到所述第一DA轉(zhuǎn)換器的高電勢(shì)電源端子，并且確定所述輸出的幅度的第一偏置電壓被提供到所述第一 DA轉(zhuǎn)換器的低電勢(shì)電源端子，確定輸出的參考值的第二參考電壓被提供到所述第二 DA轉(zhuǎn)換器的低電勢(shì)電源端子，并且確定所述輸出的幅度的第二偏置電壓被提供到所述第二 DA轉(zhuǎn)換器的高電勢(shì)電源端子，并且 在所述第一參考電壓和所述第一偏置電壓之間的電勢(shì)差基本上與在所述第二參考電壓和所述第二偏置電壓之間的電勢(shì)差相同。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流輸出電路，其中 確定所述輸出的參考值的所述第一參考電壓被提供到所述第一 DA轉(zhuǎn)換器的高電勢(shì)電源端子，并且確定所述輸出的幅度的所述第一偏置電壓被提供到所述第一 DA轉(zhuǎn)換器的低電勢(shì)電源端子， 確定所述輸出的參考值的所述第二參考電壓被提供到所述第二 DA轉(zhuǎn)換器的低電勢(shì)電源端子，并且確定所述輸出的幅度的所述第二偏置電壓被提供到所述第二 DA轉(zhuǎn)換器的高電勢(shì)電源端子，并且 所述第一參考電壓為電源電壓，并且所述第二參考電壓為接地電壓。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電流輸出電路，進(jìn)一步包括可變電阻性元件，所述可變電阻性元件被安置在所述第一 DA轉(zhuǎn)換器的低電勢(shì)電源端子和所述第二 DA轉(zhuǎn)換器的高電勢(shì)電源端子和之間，其中 所述第一 DA轉(zhuǎn)換器和所述第二 DA轉(zhuǎn)換器為電阻串DA轉(zhuǎn)換器或R2R電阻梯DA轉(zhuǎn)換器。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電流輸出電路，進(jìn)一步包括: 第一可變電阻性元件，被安置在所述第一 DA轉(zhuǎn)換器的低電勢(shì)電源端子和生成所述第一偏置電壓的電源之間；以及 第二可變電阻性元件，被安置在所述第二 DA轉(zhuǎn)換器的高電勢(shì)電源端子和生成所述第二偏置電壓的電源之間，其中 所述第一 DA轉(zhuǎn)換器和所述第二 DA轉(zhuǎn)換器為電阻串DA轉(zhuǎn)換器或R2R電阻梯DA轉(zhuǎn)換器。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電流輸出電路，進(jìn)一步包括: 第一電阻性元件，被安置在所述第一 DA轉(zhuǎn)換器的高電勢(shì)電源端子和生成所述第一參考電壓的電源之間；以及 第二電阻性元件，被安置在所述第二 DA轉(zhuǎn)換器的低電勢(shì)電源端子和生成所述第二參考電壓的電源之間，其中 所述第一 DA轉(zhuǎn)換器和所述第二 DA轉(zhuǎn)換器為電阻串DA轉(zhuǎn)換器或R2R電阻梯DA轉(zhuǎn)換器。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電流輸出電路，進(jìn)一步包括: 第一電阻性元件，被安置在所述第一 DA轉(zhuǎn)換器的高電勢(shì)電源端子和生成所述第一參考電壓的電源之間；以及 第二電阻性元件，被安置在所述第二 DA轉(zhuǎn)換器的低電勢(shì)電源端子和生成所述第二參考電壓的電源之間，其中 所述第一 DA轉(zhuǎn)換器和所述第二 DA轉(zhuǎn)換器為電阻串DA轉(zhuǎn)換器或R2R電阻梯DA轉(zhuǎn)換器。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流輸出電路，進(jìn)一步包括: 第一低通濾波器，對(duì)從所述第一DA轉(zhuǎn)換器輸出的所述第一半波信號(hào)進(jìn)行平滑化；以及 第二低通濾波器，對(duì)從所述第二 DA轉(zhuǎn)換器輸出的所述第二半波信號(hào)進(jìn)行平滑化。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流輸出電路，其中所述電壓-電流轉(zhuǎn)換電路包括: 第三電阻性元件，被安置在高電勢(shì)電源端子和輸出端子之間，所述高電勢(shì)電源端子被提供有電源電壓； 第一驅(qū)動(dòng)晶體管，被安置在所述第三電阻性元件和所述輸出端子之間； 第一放大器，對(duì)所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電壓和所述第一半波信號(hào)的電壓之間的電勢(shì)差進(jìn)行放大并且將所述放大的電勢(shì)差提供到所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極； 第四電阻性元件，被安置在低電勢(shì)電源端子和所述輸出端子之間，所述低電勢(shì)電源端子被提供有所述接地電壓； 第二驅(qū)動(dòng)晶體管，被安置在所述第四電阻性元件和所述輸出端子之間；以及第二放大器，對(duì)在所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電壓和所述第二半波信號(hào)的電壓之間的電勢(shì)差進(jìn)行放大并且將所述放大的電勢(shì)差提供到所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。11.一種位置探測(cè)裝置，包括: 傳感器線圈，被安置為與觸摸面板相對(duì)應(yīng)；以及根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流輸出電路，向所述傳感器線圈輸出電流，其中基于從所述傳感器線圈接收到的電壓信號(hào)，對(duì)在所述觸摸面板上的接觸對(duì)象的接觸位置進(jìn)行探測(cè)。
【文檔編號(hào)】G05F1/56GK105867498SQ201511001588
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年12月28日
【發(fā)明人】不破幸祐
【申請(qǐng)人】瑞薩電子株式會(huì)社