基于igbt整形的驅(qū)動(dòng)控制電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其中，包括：一脈沖產(chǎn)生電路與一圖騰柱電路連接，所述圖騰柱電路與一驅(qū)動(dòng)電路連接，所述圖騰柱電路與所述驅(qū)動(dòng)電路之間連接有一脈沖變壓器。本發(fā)明采用脈沖變壓器直接驅(qū)動(dòng)方式，有效降低了電路復(fù)雜性與成本，驅(qū)動(dòng)速度快，無需外接電源供電，并利用脈沖變壓器自感電勢使IGBT柵極關(guān)斷時(shí)處于反向電壓狀態(tài)，保證IGBT可靠關(guān)斷，從而提高電路的穩(wěn)定性與可靠性。
【專利說明】
基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及一種控制電路，尤其涉及一種基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是由BJT (雙極型三極管)和MOS (絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)，高輸入阻抗、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)壓降低、耐壓高，承受電流大等特點(diǎn)。
[0003]目前，IGBT驅(qū)動(dòng)絕大多數(shù)驅(qū)動(dòng)采用直接驅(qū)動(dòng)與隔離驅(qū)動(dòng)兩種方式。圖1是日本富士公司EXB系列的隔離驅(qū)動(dòng)芯片圖，需要獨(dú)立外接電源供電并且光電隔離器件具有延時(shí)對(duì)驅(qū)動(dòng)速度方面有限制。
[0004]在采用常規(guī)直接驅(qū)動(dòng)方式中，圖2為理想情況下IGBT的柵極為零電壓關(guān)斷圖，但在實(shí)際情況中變壓器會(huì)有漏電感的產(chǎn)生，變壓器中一次繞線與二次繞線耦合系數(shù)小于I，變壓器部分繞線不只有變壓作用，還有抑流電感的作用，此部分電感稱為“漏感”。由于柵極漏感的存在會(huì)造成電壓毛刺尖峰的產(chǎn)生，然而電壓毛刺過高可能導(dǎo)致IGBT管誤導(dǎo)通。從而造成IGBT永久性損壞。由此可見隔離驅(qū)動(dòng)方式結(jié)構(gòu)復(fù)雜、電路成本高、發(fā)生故障時(shí)，排除故障的工作量大而直接驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性與可靠性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明公開了一種基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中隔離驅(qū)動(dòng)方式結(jié)構(gòu)復(fù)雜、電路成本高、驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性差、可靠性低以及故障排除難度大的問題。
[0006]本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其中，包括:一脈沖產(chǎn)生電路與一圖騰柱電路連接，所述圖騰柱電路與一驅(qū)動(dòng)電路連接，所述圖騰柱電路與所述驅(qū)動(dòng)電路之間連接有一脈沖變壓器。
[0007]如上所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其中，所述脈沖變壓器的初級(jí)與所述圖騰柱電路連接，所述脈沖變壓器的次級(jí)與所述驅(qū)動(dòng)電路連接。
[0008]如上所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其中，所述脈沖產(chǎn)生電路包括兩PffM控制信號(hào)輸出端:一第一控制信號(hào)輸出端、一第二控制信號(hào)輸出端。
[0009]如上所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其中，所述圖騰柱電路包括:一第一P溝道場效應(yīng)管、一第二 P溝道場效應(yīng)管，一第一 N溝道場效應(yīng)管、一第二 N溝道場效應(yīng)管，所述第一P溝道場效應(yīng)管、所述第一N溝道場效應(yīng)管串接在一電源端、一接地端之間，所述第二P溝道場效應(yīng)管、所述第二N溝道場效應(yīng)管串接在所述電源端、所述接地端之間，所述第一P溝道場效應(yīng)管的柵極、所述第一 N溝道場效應(yīng)管的柵極連接，所述第二 P溝道場效應(yīng)管的柵極、所述第二 N溝道場效應(yīng)管的柵極連接，所述第一控制信號(hào)輸出端連接在所述第一 P溝道場效應(yīng)管的柵極、所述第一N溝道場效應(yīng)管的柵極之間，所述第二控制信號(hào)輸出端連接在所述第二 P溝道場效應(yīng)管的柵極、所述第二 N溝道場效應(yīng)管的柵極之間。
[0010]如上所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路包括:一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端、一第二輸出端，所述第一輸入端與所述第一輸出端連接，，所述第二輸入端與所述第二輸出端連接，一電容串接在所述第一輸出端與所述第二輸出端之間；一二極管連接在所述第二輸入端與所述第二輸出端之間，一第三N溝道場效應(yīng)管并接在所述二極管上，所述第三N溝道場效應(yīng)管的柵極連接在所述第一輸入端、所述第二輸入端之間。
[0011]如上所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其中，所述脈沖變壓器的初級(jí)分別連接在所述第一P溝道場效應(yīng)管、所述第一N溝道場效應(yīng)管之間，以及所述第二P溝道場效應(yīng)管、所述第二 N溝道場效應(yīng)管之間。
[0012]如上所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其中，所述脈沖變壓器的次級(jí)分別與第一輸入端、第二輸入端連接。
[0013]如上所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路與IGBT連接，所述驅(qū)動(dòng)電路開通IGBT包括:
第一時(shí)間段:對(duì)第三N溝道場效應(yīng)管與IGBT柵極進(jìn)行充電，IGBT柵極電壓小于門檻電壓，逐漸接近并達(dá)到門檻電壓，IGBT仍然保持關(guān)斷狀態(tài)，發(fā)射極電壓與所述第一輸出端電壓相同，集電極電壓與所述第二輸出端電壓相同，此時(shí)IGBT無電流流過iC=0;
第二時(shí)間段:所述第三N溝道場效應(yīng)管導(dǎo)通，通過所述電容、所述第三N溝道場效應(yīng)管與IGBT形成回路對(duì)IGBT進(jìn)行充電，IGBT工作在線性區(qū)，IGBT電流IC由柵極電壓uGE決定；由于IGBT電流上升，會(huì)在寄生電感上產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電動(dòng)勢，所以u(píng)CE電壓降低；
第三時(shí)間段:在第二時(shí)間段負(fù)載電流全部轉(zhuǎn)入IGBT中，所述二極管開始進(jìn)入反向恢復(fù)階段;負(fù)載電流、二極管恢復(fù)電流都流過IGBT，IGBT的電流會(huì)形成一個(gè)電流尖峰，uCE因二極管壓降進(jìn)一步降低;在第三時(shí)間段，所述二極管反向恢復(fù)過程結(jié)束，從第三時(shí)間段開始IGBT從線性區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)；
第四時(shí)間段:還包括一米勒電容，由于米勒電容的影響，IGBT進(jìn)入米勒平臺(tái)，柵極電壓保持不變；由于IGBT集射極電壓的下降，柵極充電電流會(huì)有一小部分電流通過米勒電容流出，當(dāng)柵極充電電流大小與通過米勒電容流出電流相等時(shí)，柵極電壓便不會(huì)變化，IGBT進(jìn)入米勒平臺(tái)；
第五時(shí)間段= IGBT完全導(dǎo)通，IGBT電流等于負(fù)載電流，集射極電壓為飽和電壓。
[0014]如上所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路的驅(qū)動(dòng)方法，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷IGBT包括:
第一時(shí)間段:1GBT正常導(dǎo)通，IGBT集射極電壓為飽和電壓，IGBT流過電流為負(fù)載電流；第二時(shí)間段= IGBT驅(qū)動(dòng)電流開始關(guān)斷IGBT，柵極電壓開始下降，但是IGBT的電流和集射極電壓均保持不變；
第三時(shí)間段:IGBT進(jìn)入米勒平臺(tái)，柵極電壓保持不變，IGBT開始由飽和區(qū)進(jìn)入線性區(qū)，集射極電壓開始迅速上升，電流保持不變；
第四時(shí)間段:1GBT結(jié)束米勒平臺(tái)，柵極電壓開始下降，IGBT電流迅速下降，在線路的寄生電感上產(chǎn)生感應(yīng)電勢，形成關(guān)斷尖峰；
第五時(shí)間段= IGBT柵極電壓低于門檻電壓，IGBT電流下降到一定值后開始產(chǎn)生拖尾現(xiàn)象，IGBT集射極電壓恢復(fù)到母線電壓值；由于所述脈沖變壓器具有漏電感，所述漏電感與所述電容并聯(lián)構(gòu)成諧振電路，使IGBT柵極下拉至負(fù)壓狀態(tài)，保證IGBT可靠關(guān)斷，IGBT電流完全降為零，IGBT完全關(guān)斷。
[0015]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中隔離驅(qū)動(dòng)方式結(jié)構(gòu)復(fù)雜、電路成本高、驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性差、可靠性低以及故障排除難度大的問題，通過圖騰柱電路配合驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT的控制，本發(fā)明采用脈沖變壓器直接驅(qū)動(dòng)方式，有效降低了電路復(fù)雜性與成本，驅(qū)動(dòng)速度快，無需外接電源供電，并利用脈沖變壓器自感電勢使IGBT柵極關(guān)斷時(shí)處于反向電壓狀態(tài)，保證IGBT可靠關(guān)斷，從而提高電路的穩(wěn)定性與可靠性。
【附圖說明】
[0016]圖1是日本富士公司EXB系列的隔離驅(qū)動(dòng)芯片圖；
圖2為理想情況下IGBT的柵極為零電壓關(guān)斷圖；
圖3是本發(fā)明基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路的電路圖；
圖4是本發(fā)明基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路的開通過程的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述:
圖3是本發(fā)明基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路的電路圖、請(qǐng)參見圖3，一種基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其中，包括:一脈沖產(chǎn)生電路I與一圖騰柱電路2連接，圖騰柱電路2與一驅(qū)動(dòng)電路3連接，圖騰柱電路2與驅(qū)動(dòng)電路3之間連接有一脈沖變壓器。
[0018]本發(fā)明的脈沖變壓器的初級(jí)與圖騰柱電路2連接，脈沖變壓器的次級(jí)與驅(qū)動(dòng)電路3連接。
[0019]本發(fā)明的脈沖產(chǎn)生電路I包括兩13??控制信號(hào)輸出端:一第一控制信號(hào)輸出端、一第二控制信號(hào)輸出端。
[0020]本發(fā)明的圖騰柱電路2包括:一第一P溝道場效應(yīng)管21、一第二 P溝道場效應(yīng)管22，一第一 N溝道場效應(yīng)管23、一第二 N溝道場效應(yīng)管24，第一 P溝道場效應(yīng)管21、第一 N溝道場效應(yīng)管23串接在一電源端、一接地端之間，第二P溝道場效應(yīng)管22、第二N溝道場效應(yīng)管24串接在電源端、接地端之間，第一P溝道場效應(yīng)管21的柵極、第一N溝道場效應(yīng)管23的柵極連接，第二 P溝道場效應(yīng)管22的柵極、第二 N溝道場效應(yīng)管24的柵極連接，第一控制信號(hào)輸出端連接在第一P溝道場效應(yīng)管21的柵極、第一N溝道場效應(yīng)管23的柵極之間，第二控制信號(hào)輸出端連接在第二 P溝道場效應(yīng)管22的柵極、第二 N溝道場效應(yīng)管24的柵極之間。
[0021]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中:本發(fā)明的脈沖產(chǎn)生電路可以由兩路PW M控制信號(hào):outA、outB構(gòu)成，outA、outB為高電平或低電平信號(hào)，即outA為高電平，outB為低電平時(shí)，第二 P溝道場效應(yīng)管22、第一 N溝道場效應(yīng)管23導(dǎo)通，第一 P溝道場效應(yīng)管21、第二 N溝道場效應(yīng)管24截止，此時(shí)第二 P溝道場效應(yīng)管22、第一 N溝道場效應(yīng)管23與脈沖變壓器形成通路，脈沖電壓加至脈沖變壓器初級(jí)，與初級(jí)同相位的次級(jí)得到開通信號(hào)，與初級(jí)相反的次級(jí)得到截止信號(hào)。這部分的作用是匹配電壓與提高輸出驅(qū)動(dòng)能力，并且轉(zhuǎn)換驅(qū)動(dòng)開關(guān)電平。然后通過脈沖變壓器傳輸與隔咼。
[0022]本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路3包括:一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端、一第二輸出端，第一輸入端與第一輸出端連接，，第二輸入端與第二輸出端連接，一電容32串接在第一輸出端與第二輸出端之間；一二極管33連接在第二輸入端與第二輸出端之間，一第三N溝道場效應(yīng)管31并接在二極管33上，第三N溝道場效應(yīng)管31的柵極連接在第一輸入端、第二輸入端之間。
[0023]本發(fā)明的脈沖變壓器的初級(jí)分別連接在第一P溝道場效應(yīng)管21、第一 N溝道場效應(yīng)管23之間，以及第二P溝道場效應(yīng)管22、第二N溝道場效應(yīng)管24之間。
[0024]本發(fā)明的脈沖變壓器的次級(jí)分別與第一輸入端、第二輸入端連接。
[0025]本發(fā)明的圖騰柱電路2、驅(qū)動(dòng)電路3均可以設(shè)有多個(gè)電阻。
[0026]圖4是本發(fā)明基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路的開通過程的示意圖，請(qǐng)參見圖4，驅(qū)動(dòng)電路3與IGBT連接，驅(qū)動(dòng)電路3開通IGBT包括:
第一時(shí)間段:對(duì)第三N溝道場效應(yīng)管31與IGBT柵極進(jìn)行充電，IGBT柵極電壓UGE小于門檻電壓，逐漸接近并達(dá)到門檻電壓，IGBT仍然保持關(guān)斷狀態(tài)，發(fā)射極電壓與第一輸出端電壓相同，集電極電壓UCE與第二輸出端電壓相同，此時(shí)IGBT無電流流過iC=0;
第二時(shí)間段:第三N溝道場效應(yīng)管31導(dǎo)通，通過電容32、第三N溝道場效應(yīng)管31與IGBT形成回路對(duì)IGBT進(jìn)行充電，IGBT工作在線性區(qū)，IGBT電流IC由柵極電壓uGE決定；由于IGBT電流上升，會(huì)在寄生電感上產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電動(dòng)勢，所以u(píng)CE電壓降低；
第三時(shí)間段:在第二時(shí)間段負(fù)載電流全部轉(zhuǎn)入IGBT中，二極管33開始進(jìn)入反向恢復(fù)階段;負(fù)載電流、二極管33恢復(fù)電流都流過IGBT，IGBT的電流會(huì)形成一個(gè)電流尖峰，uCE因二極管33壓降進(jìn)一步降低;在第三時(shí)間段，二極管33反向恢復(fù)過程結(jié)束，從第三時(shí)間段開始IGBT從線性區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)；
第四時(shí)間段:還包括一米勒電容32，由于米勒電容32的影響，IGBT進(jìn)入米勒平臺(tái)，柵極電壓保持不變；由于IGBT集射極電壓的下降，柵極充電電流會(huì)有一小部分電流通過米勒電容32流出，當(dāng)柵極充電電流大小與通過米勒電容32流出電流相等時(shí)，柵極電壓便不會(huì)變化，IGBT進(jìn)入米勒平臺(tái)；
第五時(shí)間段= IGBT完全導(dǎo)通，IGBT電流等于負(fù)載電流，集射極電壓為飽和電壓。
[0027]驅(qū)動(dòng)電路3關(guān)斷IGBT包括:
第一時(shí)間段:1GBT正常導(dǎo)通，IGBT集射極電壓為飽和電壓，IGBT流過電流為負(fù)載電流；第二時(shí)間段= IGBT驅(qū)動(dòng)電流開始關(guān)斷IGBT，柵極電壓開始下降，但是IGBT的電流和集射極電壓均保持不變；
第三時(shí)間段:IGBT進(jìn)入米勒平臺(tái)，柵極電壓保持不變，IGBT開始由飽和區(qū)進(jìn)入線性區(qū)，集射極電壓開始迅速上升，電流保持不變；
第四時(shí)間段:1GBT結(jié)束米勒平臺(tái)，柵極電壓開始下降，IGBT電流迅速下降，在線路的寄生電感上產(chǎn)生感應(yīng)電勢，形成關(guān)斷尖峰；
第五時(shí)間段= IGBT柵極電壓低于門檻電壓，IGBT電流下降到一定值后開始產(chǎn)生拖尾現(xiàn)象，IGBT集射極電壓恢復(fù)到母線電壓值；由于脈沖變壓器具有漏電感，漏電感與電容32并聯(lián)構(gòu)成諧振電路，使IGBT柵極下拉至負(fù)壓狀態(tài)，保證IGBT可靠關(guān)斷，IGBT電流完全降為零，IGBT完全關(guān)斷。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其特征在于，包括:一脈沖產(chǎn)生電路與一圖騰柱電路連接，所述圖騰柱電路與一驅(qū)動(dòng)電路連接，所述圖騰柱電路與所述驅(qū)動(dòng)電路之間連接有一脈沖變壓器。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其特征在于，所述脈沖變壓器的初級(jí)與所述圖騰柱電路連接，所述脈沖變壓器的次級(jí)與所述驅(qū)動(dòng)電路連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其特征在于，所述脈沖產(chǎn)生電路包括兩PWM控制信號(hào)輸出端:一第一控制信號(hào)輸出端、一第二控制信號(hào)輸出端。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其特征在于，所述圖騰柱電路包括:一第一 P溝道場效應(yīng)管、一第二 P溝道場效應(yīng)管，一第一 N溝道場效應(yīng)管、一第二 N溝道場效應(yīng)管，所述第一 P溝道場效應(yīng)管、所述第一 N溝道場效應(yīng)管串接在一電源端、一接地端之間，所述第二P溝道場效應(yīng)管、所述第二N溝道場效應(yīng)管串接在所述電源端、所述接地端之間，所述第一P溝道場效應(yīng)管的柵極、所述第一N溝道場效應(yīng)管的柵極連接，所述第二P溝道場效應(yīng)管的柵極、所述第二 N溝道場效應(yīng)管的柵極連接，所述第一控制信號(hào)輸出端連接在所述第一 P溝道場效應(yīng)管的柵極、所述第一 N溝道場效應(yīng)管的柵極之間，所述第二控制信號(hào)輸出端連接在所述第二 P溝道場效應(yīng)管的柵極、所述第二 N溝道場效應(yīng)管的柵極之間。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路包括:一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端、一第二輸出端，所述第一輸入端與所述第一輸出端連接，，所述第二輸入端與所述第二輸出端連接，一電容串接在所述第一輸出端與所述第二輸出端之間；一二極管連接在所述第二輸入端與所述第二輸出端之間，一第三N溝道場效應(yīng)管并接在所述二極管上，所述第三N溝道場效應(yīng)管的柵極連接在所述第一輸入端、所述第二輸入端之間。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其特征在于，所述脈沖變壓器的初級(jí)分別連接在所述第一P溝道場效應(yīng)管、所述第一N溝道場效應(yīng)管之間，以及所述第二P溝道場效應(yīng)管、所述第二 N溝道場效應(yīng)管之間。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路，其特征在于，所述脈沖變壓器的次級(jí)分別與第一輸入端、第二輸入端連接。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路與IGBT連接，所述驅(qū)動(dòng)電路開通IGBT包括: 第一時(shí)間段:對(duì)第三N溝道場效應(yīng)管與IGBT柵極進(jìn)行充電，IGBT柵極電壓小于門檻電壓，逐漸接近并達(dá)到門檻電壓，IGBT仍然保持關(guān)斷狀態(tài)，發(fā)射極電壓與所述第一輸出端電壓相同，集電極電壓與所述第二輸出端電壓相同，此時(shí)IGBT無電流流過iC=0; 第二時(shí)間段:所述第三N溝道場效應(yīng)管導(dǎo)通，通過所述電容、所述第三N溝道場效應(yīng)管與IGBT形成回路對(duì)IGBT進(jìn)行充電，IGBT工作在線性區(qū)，IGBT電流IC由柵極電壓uGE決定；由于IGBT電流上升，會(huì)在寄生電感上產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電動(dòng)勢，所以u(píng)CE電壓降低； 第三時(shí)間段:在第二時(shí)間段負(fù)載電流全部轉(zhuǎn)入IGBT中，所述二極管開始進(jìn)入反向恢復(fù)階段;負(fù)載電流、二極管恢復(fù)電流都流過IGBT，IGBT的電流會(huì)形成一個(gè)電流尖峰，uCE因二極管壓降進(jìn)一步降低;在第三時(shí)間段，所述二極管反向恢復(fù)過程結(jié)束，從第三時(shí)間段開始IGBT從線性區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)； 第四時(shí)間段:還包括一米勒電容，由于米勒電容的影響，IGBT進(jìn)入米勒平臺(tái)，柵極電壓保持不變；由于IGBT集射極電壓的下降，柵極充電電流會(huì)有一小部分電流通過米勒電容流出，當(dāng)柵極充電電流大小與通過米勒電容流出電流相等時(shí)，柵極電壓便不會(huì)變化，IGBT進(jìn)入米勒平臺(tái)； 第五時(shí)間段= IGBT完全導(dǎo)通，IGBT電流等于負(fù)載電流，集射極電壓為飽和電壓。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于IGBT整形的驅(qū)動(dòng)控制電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷IGBT包括: 第一時(shí)間段:1GBT正常導(dǎo)通，IGBT集射極電壓為飽和電壓，IGBT流過電流為負(fù)載電流；第二時(shí)間段= IGBT驅(qū)動(dòng)電流開始關(guān)斷IGBT，柵極電壓開始下降，但是IGBT的電流和集射極電壓均保持不變； 第三時(shí)間段:IGBT進(jìn)入米勒平臺(tái)，柵極電壓保持不變，IGBT開始由飽和區(qū)進(jìn)入線性區(qū)，集射極電壓開始迅速上升，電流保持不變； 第四時(shí)間段:IGBT結(jié)束米勒平臺(tái)，柵極電壓開始下降，IGBT電流迅速下降，在線路的寄生電感上產(chǎn)生感應(yīng)電勢，形成關(guān)斷尖峰； 第五時(shí)間段=IGBT柵極電壓低于門檻電壓，IGBT電流下降到一定值后開始產(chǎn)生拖尾現(xiàn)象，IGBT集射極電壓恢復(fù)到母線電壓值；由于所述脈沖變壓器具有漏電感，所述漏電感與所述電容并聯(lián)構(gòu)成諧振電路，使IGBT柵極下拉至負(fù)壓狀態(tài)，保證IGBT可靠關(guān)斷，IGBT電流完全降為零，IGBT完全關(guān)斷。
【文檔編號(hào)】G05B19/04GK106094576SQ201610159506
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年3月21日 公開號(hào)201610159506.6, CN 106094576 A, CN 106094576A, CN 201610159506, CN-A-106094576, CN106094576 A, CN106094576A, CN201610159506, CN201610159506.6
【發(fā)明人】郭少朋
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