一種可編程高電壓源裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種可編程高電壓源裝置，屬于電路技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)有的具有升壓電流輸出的可編程高電壓源，結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，且分辨率不尚，成本尚。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]目的:為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實(shí)用新型提供一種可編程高電壓源裝置。
[0004]技術(shù)方案:為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種可編程高電壓源裝置，包括運(yùn)算放大器、數(shù)字電位計(jì)、電阻、第一 MOS管、第二MOS管、二極管、電源輸入端、電源輸出端，所述運(yùn)算放大器包括輸入正極端、輸入負(fù)極端、輸出端，數(shù)字電位計(jì)包括信號(hào)輸入端、電位計(jì)輸出端，所述電源輸入端與接地之間串聯(lián)有數(shù)字電位計(jì)，電位計(jì)輸出端與輸入正極端相連接，輸入負(fù)極端與電源輸出端相連接，輸出端與第二 MOS管G極相連接，第二 MOS管S極與接地相連，第一 MOS管串聯(lián)在電源輸入端、電源輸出端，第一 MOS管G極與第二 MOS管D極相連接，所述與第一 MOS管的D極與G極之間并聯(lián)，所述第一 MOS管、第二 MOS管的D極與S極之間均逆向并聯(lián)有二極管。
[0006]所述運(yùn)算放大器采用0P184。
[0007]所述數(shù)字電位計(jì)采用AD5292。
[0008]作為優(yōu)選方案，所述第一 MOS管設(shè)置為PMOS管。
[0009]作為優(yōu)選方案，所述第二 MOS管設(shè)置為NMOS管。
[0010]有益效果:本實(shí)用新型提供的一種可編程高電壓源裝置，提供10位分辨率，輸出電壓范圍為0-30V，能夠提供最大2.5A的輸出電流。本結(jié)構(gòu)低噪聲、低漂移輸出電壓和高電流，電源輸出精確。
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作更進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0013]如圖1所示，一種可編程高電壓源裝置，包括運(yùn)算放大器1、數(shù)字電位計(jì)2、電阻3、第一 MOS管4、第二 MOS管5、二極管6、電源輸入端7、電源輸出端8，所述運(yùn)算放大器I包括輸入正極端11、輸入負(fù)極端12、輸出端13，數(shù)字電位計(jì)2包括信號(hào)輸入端21、電位計(jì)輸出端22，所述電源輸入端7與接地之間串聯(lián)有數(shù)字電位計(jì)2，電位計(jì)輸出端22與輸入正極端11相連接，輸入負(fù)極端12與電源輸出端7相連接，輸出端13與第二 MOS管5G極相連接，第二MOS管5S極與接地相連，第一 MOS管4串聯(lián)在電源輸入端7、電源輸出端13，第一 MOS管4G極與第二 MOS管極相連接，所述與第一 MOS管4的D極與G極之間并聯(lián)，所述第一 MOS管4、第二 MOS管5的D極與S極之間均逆向并聯(lián)有二極管6。
[0014]所述運(yùn)算放大器I采用0P184。
[0015]所述數(shù)字電位計(jì)2采用AD5292。
[0016]作為優(yōu)選方案，所述第一 MOS管4設(shè)置為PMOS管。
[0017]作為優(yōu)選方案，所述第二 MOS管5設(shè)置為NMOS管。
[0018]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出:對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可編程高電壓源裝置，包括運(yùn)算放大器、數(shù)字電位計(jì)、電阻，其特征在于:還包括第一 MOS管、第二 MOS管、二極管、電源輸入端、電源輸出端，所述運(yùn)算放大器包括輸入正極端、輸入負(fù)極端、輸出端，數(shù)字電位計(jì)包括信號(hào)輸入端、電位計(jì)輸出端，所述電源輸入端與接地之間串聯(lián)有數(shù)字電位計(jì)，電位計(jì)輸出端與輸入正極端相連接，輸入負(fù)極端與電源輸出端相連接，輸出端與第二 MOS管G極相連接，第二 MOS管S極與接地相連，第一 MOS管串聯(lián)在電源輸入端、電源輸出端，第一 MOS管G極與第二 MOS管D極相連接，所述與第一 MOS管的D極與G極之間并聯(lián)，所述第一 MOS管、第二 MOS管的D極與S極之間均逆向并聯(lián)有二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可編程高電壓源裝置，其特征在于:所述運(yùn)算放大器采用 0P184。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可編程高電壓源裝置，其特征在于:所述數(shù)字電位計(jì)采用 AD5292。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可編程高電壓源裝置，其特征在于:所述第一MOS管設(shè)置為PMOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可編程高電壓源裝置，其特征在于:所述第二MOS管設(shè)置為NMOS管。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可編程高電壓源裝置，包括運(yùn)算放大器、數(shù)字電位計(jì)、電阻、第一MOS管、第二MOS管、二極管、電源輸入端、電源輸出端，所述運(yùn)算放大器包括輸入正極端、輸入負(fù)極端、輸出端，數(shù)字電位計(jì)包括信號(hào)輸入端、電位計(jì)輸出端，所述電源輸入端與接地之間串聯(lián)有數(shù)字電位計(jì)，電位計(jì)輸出端與輸入正極端相連接，輸入負(fù)極端與電源輸出端相連接，輸出端與第二MOS管G極相連接，第二MOS管S極與接地相連，第一MOS管串聯(lián)在電源輸入端、電源輸出端，第一MOS管G極與第二MOS管D極相連接，所述與第一MOS管的D極與G極之間并聯(lián)。本實(shí)用新型低噪聲、低漂移輸出電壓和高電流，電源輸出精確。
【IPC分類】G05F1-56
【公開(kāi)號(hào)】CN204595661
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520182531
【發(fā)明人】楊俊民
【申請(qǐng)人】蘇州錕恩電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年3月30日