上電保護(hù)電路和電磁爐的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種上電保護(hù)電路和電磁爐，該上電保護(hù)電路包括：開關(guān)電路(1)和延時關(guān)斷電路(2)；開關(guān)電路(1)與延時關(guān)斷電路(2)連接；開關(guān)電路(1)接收到開關(guān)電源輸出的第一電壓時、且延時關(guān)斷電路(2)接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓之前，延時關(guān)斷電路(2)關(guān)閉，開關(guān)電路(1)閉合，以使絕緣柵雙極型晶體管關(guān)閉；延時關(guān)斷電路(2)接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓并達(dá)到預(yù)設(shè)時間之后，延時關(guān)斷電路(2)打開，以使開關(guān)電路(1)的輸出由單片機(jī)控制。本實(shí)用新型提供的上電保護(hù)電路和電磁爐，可以避免上電過程中單片機(jī)狀態(tài)不確定而導(dǎo)致IGBT的誤導(dǎo)通。
【專利說明】
上電保護(hù)電路和電磁爐
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及家用電器領(lǐng)域，尤其涉及一種上電保護(hù)電路和電磁爐。
【背景技術(shù)】
[0002]絕緣棚.雙極型晶體管(InsulatedGate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)是電磁爐的重要組成部分。然而，由于絕緣柵雙極型晶體管是一個大功率的功率管，在電磁爐上電的瞬間，若IGBT得到錯誤的驅(qū)動信號，使得流入絕緣柵雙極型晶體管的電流過大，容易使得絕緣柵雙極型晶體管擊穿損壞，從而導(dǎo)致電磁爐損壞。
[0003]目前，主要是在單片機(jī)和絕緣柵雙極型晶體管之間增加一個保護(hù)電路來對絕緣柵雙極型晶體管進(jìn)行保護(hù)，從而對電磁爐進(jìn)行保護(hù)。然而，目前在單片機(jī)和絕緣柵雙極型晶體管之間增加的保護(hù)電路，保護(hù)電路是由單片機(jī)控制打開和關(guān)閉，由于電磁爐在上電的時候，單片機(jī)狀態(tài)是不確定的，即單片機(jī)的輸入口和/或輸出口的狀態(tài)與預(yù)設(shè)的狀態(tài)不一致，從而使得單片機(jī)無法控制保護(hù)電路的打開和關(guān)閉，使得單片機(jī)和絕緣柵雙極型晶體管之間增加的保護(hù)電路失效，使得絕緣柵雙極型晶體管擊穿損壞，從而導(dǎo)致電磁爐損壞。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了解決【背景技術(shù)】中提到的至少一個問題，本實(shí)用新型提供一種上電保護(hù)電路和電磁，可以避免上電過程中單片機(jī)狀態(tài)不確定而導(dǎo)致IGBT的誤導(dǎo)通。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種上電保護(hù)電路，包括:開關(guān)電路和延時關(guān)斷電路;開關(guān)電路，用于分別與開關(guān)電源、單片機(jī)和絕緣柵雙極型晶體管連接;開關(guān)電路與延時關(guān)斷電路連接;開關(guān)電路接收到開關(guān)電源輸出的第一電壓時、且延時關(guān)斷電路接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓之前，延時關(guān)斷電路關(guān)閉，以使絕緣柵雙極型晶體管關(guān)閉；延時關(guān)斷電路接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓并達(dá)到預(yù)設(shè)時間之后，延時關(guān)斷電路打開，以使開關(guān)電路的輸出由單片機(jī)控制。這樣采用上電保護(hù)電路防止在單片機(jī)未達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，IGBT收到非正常的驅(qū)動信號，IGBT也不會導(dǎo)通，從而避免了在上電過程中單片機(jī)狀態(tài)不確定而導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通而造成電磁爐的損壞。
[0006]可選的，開關(guān)電路包括:第一三極管Q1、二極管D1、第一電阻Rl和第四電阻R4;第一電阻Rl的第一端用于與開關(guān)電源連接，第一電阻Rl的第二端與二極管Dl的正極連接;第一三極管Ql的基極分別與二極管Dl的負(fù)極和單片機(jī)的控制口連接，第一三極管Ql的集電極與第四電阻R4的第一端連接，第四電阻R4的第一端和第一三極管Ql的集電極分別用于與絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動電路連接，第一三極管Ql的發(fā)射極接地。這樣可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)電路接收到開關(guān)電源輸出的第一電壓時、且延時關(guān)斷電路接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓之前，延時關(guān)斷電路關(guān)閉，以使絕緣柵雙極型晶體管關(guān)閉。
[0007]可選的，延時切斷電路包括:第二三極管Q2、第二電阻R2、第三電阻R3和電容Cl;第二三極管Q2的基極與第二電阻R2的第一端連接，第二三極管Q2的集電極與第一電阻Rl的第二端連接，第二三極管Q2的發(fā)射極接地；電容Cl的第一端分別與第二電阻R2的第二端、第三電阻R3的第一端連接，電容Cl的第二端與第二三極管Q2的發(fā)射極連接;第三電阻R3的第二端用于接收開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓。這樣可以實(shí)現(xiàn)延時關(guān)斷電路接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓并達(dá)到預(yù)設(shè)時間之后，延時關(guān)斷電路打開，以使開關(guān)電路的輸出由單片機(jī)控制。
[0008]可選的，預(yù)設(shè)時間滿足在第三電阻R3和電容Cl上的充電時間大于單片機(jī)的復(fù)位時間。這樣使得在單片機(jī)復(fù)位達(dá)到穩(wěn)定之后，才使得延時關(guān)斷電路打開，以使開關(guān)電路的輸出由單片機(jī)控制，從而避免了在上電過程中單片機(jī)狀態(tài)不確定而導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通而造成電磁爐的損壞。
[0009]可選的，預(yù)設(shè)閾值為3.3伏特或2.8伏特。這樣以使單片機(jī)在加載了3.3伏特(V)或2.8伏特(V)的電壓時達(dá)到穩(wěn)定。
[0010]可選的，電源電壓為18伏特或20伏特。這樣以使切換電路輸出的電源電壓可以驅(qū)動IGBT，使IGBT正常工作。
[0011]另一方面，本實(shí)用新型提供一種電磁爐，包括:開關(guān)電源、單片機(jī)、絕緣柵雙極型晶體管驅(qū)動電路和上述任一實(shí)施例的上電保護(hù)電路;上電保護(hù)電路分別與開關(guān)電源、單片機(jī)和絕緣柵雙極型晶體管驅(qū)動電路連接，開關(guān)電源與單片機(jī)連接。這樣采用上電保護(hù)電路防止在單片機(jī)未達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，IGBT收到非正常的驅(qū)動信號，IGBT也不會導(dǎo)通，從而避免了在上電過程中單片機(jī)狀態(tài)不確定而導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通而造成電磁爐的損壞。
[0012]本實(shí)用新型的構(gòu)造以及它的其他實(shí)用新型目的及有益效果將會通過結(jié)合附圖而對優(yōu)選實(shí)施例的描述而更加明顯易懂。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的上電保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的上電保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的電磁爐電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]附圖標(biāo)記說明:
[0018]開關(guān)電路一 I;延時關(guān)斷電路一 2;開關(guān)電源一 3，31;單片機(jī)一 4，32; IGBT驅(qū)動電路一5，33;上電保護(hù)電路34。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0020]實(shí)施例一
[0021]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的上電保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例提供的上電保護(hù)電路，包括:開關(guān)電路I和延時關(guān)斷電路2。
[0022]開關(guān)電路I，用于分別與開關(guān)電源、單片機(jī)和絕緣柵雙極型晶體管連接。
[0023]開關(guān)電路I用于與開關(guān)電源連接，可以接收開關(guān)電源輸出的第一電壓;開關(guān)電路I用于與單片機(jī)(Single Chip Microcomputer，簡稱MCU)連接，可以接收單片機(jī)輸出的脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulat1n，簡稱PffM)信號;開關(guān)電路I用于與絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動電路連接，可以輸出絕緣柵雙極型晶體管驅(qū)動電路的控制信號。需要說明的是，本實(shí)施例中將開關(guān)電源輸出給開關(guān)電路I的電壓稱為第一電壓，將開關(guān)電源輸出給單片機(jī)和延時開關(guān)電路2的電壓稱為第二電壓，僅是為了區(qū)分開關(guān)電源輸出給開關(guān)電路、單片機(jī)和開關(guān)電路2的電壓，但并不僅限于此，本實(shí)施例在此不進(jìn)行限定和贅述。
[0024]開關(guān)電路I與延時關(guān)斷電路2連接;開關(guān)電路I接收到開關(guān)電源輸出的第一電壓時、且延時關(guān)斷電路2接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓之前，延時關(guān)斷電路2關(guān)閉，以使絕緣柵雙極型晶體管關(guān)閉;延時關(guān)斷電路2接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓并達(dá)到預(yù)設(shè)時間之后，延時關(guān)斷電路2打開，以使開關(guān)電路I的輸出可由單片機(jī)控制。
[0025]具體的，本實(shí)施例中，上電保護(hù)電路由開關(guān)電路I和延時關(guān)斷電路2組成，剛開始上電時，開關(guān)電源的電壓建立并將建立的第一電壓輸出，單片機(jī)還處于不穩(wěn)定狀態(tài)，加載到單片機(jī)的電壓非常小，此時，加載在單片機(jī)上的電壓不能滿足預(yù)設(shè)閾值，單片機(jī)處于復(fù)位狀態(tài)，延時關(guān)斷電路2關(guān)閉，開關(guān)電路I打開，關(guān)閉IGBT的驅(qū)動電路，以使IGBT關(guān)閉；當(dāng)開關(guān)電源輸出滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓時，加載到單片機(jī)的電壓達(dá)到單片機(jī)的復(fù)位電壓，在預(yù)設(shè)時間之后，單片機(jī)開始處于穩(wěn)定狀態(tài)，延時關(guān)斷電路2打開，開關(guān)電路I的輸出可由單片機(jī)進(jìn)行控制，以使IGBT正常工作。
[0026]具體的，不同廠家的單片機(jī)的穩(wěn)定電壓(復(fù)位電壓)不同，預(yù)設(shè)閾值可以具體根據(jù)單片機(jī)的穩(wěn)定電壓而定，本實(shí)施例中預(yù)設(shè)閾值可以為3.3伏特(V)或2.8伏特(V)，以使單片機(jī)在加載了3.3伏特(V)或2.8伏特(V)的電壓時達(dá)到穩(wěn)定;預(yù)設(shè)閾值也可以為4伏特(V)或2伏特(V)，以使單片機(jī)在加載了4伏特(V)或2伏特(V)的電壓時達(dá)到穩(wěn)定。
[0027]具體的，本實(shí)施例中電源電壓可以為18伏特(V)或20伏特(V)，使IGBT可以正常工作。
[0028]本實(shí)施例中，開關(guān)電路用于分別與開關(guān)電源、單片機(jī)和絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動電路連接，開關(guān)電路與延時關(guān)斷電路連接;開關(guān)電路接收到開關(guān)電源輸出的電壓時、且延時關(guān)斷電路接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓之前，延時關(guān)斷電路關(guān)閉，以使絕緣柵雙極型晶體管關(guān)閉;延時關(guān)斷電路接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓并達(dá)到預(yù)設(shè)時間之后，延時關(guān)斷電路打開，以使開關(guān)電路的輸出可由單片機(jī)控制。這樣采用上電保護(hù)電路防止在單片機(jī)未達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，IGBT收到非正常的驅(qū)動信號，IGBT也不會導(dǎo)通，從而避免了在上電過程中單片機(jī)狀態(tài)不確定而導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通而造成電磁爐的損壞，并且降低了電磁爐的待機(jī)功耗。
[0029]實(shí)施例二
[0030]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的上電保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，上述實(shí)施例中開關(guān)電路I包括:第一三極管Q1、二極管D1、第一電阻Rl和第四電阻R4;第一電阻Rl的第一端用于與開關(guān)電源3連接，第一電阻Rl的第二端與二極管Dl的正極連接;第一三極管Ql的基極分別與二極管DI的負(fù)極和單片機(jī)的控制口連接，第一三極管Ql的集電極與第四電阻R4的第一端連接，第四電阻R4的第一端和第一三極管Ql的集電極分別用于與絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動電路連接，第一三極管Ql的發(fā)射極接地。
[0031]具體的，本實(shí)施中的開關(guān)電路I是由第一三極管Q1、二極管D1、第一電阻Rl和第四電阻R4組成，第一電阻Rl的第一端用于與開關(guān)電源3連接，第一電阻Rl的第二端與二極管Dl的正極連接，第一三極管Ql的基極與二極管Dl的負(fù)極連接，以使第一電阻Rl為限流電阻，第一電阻Rl與二極管Dl串聯(lián)接在IGBT電源電壓VCC和第一三極管Ql的基極，且第一電阻Rl與二極管Dl與單片機(jī)輸出脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulat1n，簡稱PWM)的驅(qū)動信號并聯(lián)，從而可以控制IGBT驅(qū)動電路5的輸出。
[0032]需要說明的是，第一電阻Rl的第一端指的是用于與開關(guān)電源3連接的一端，也可以稱為輸入端，第一電阻Rl的第二端指的是與二極管Dl的正極連接的一端，也可以稱為輸出端;第四電阻R4的第一端指的是第一三極管Ql的集電極連接的一端，也可以稱為輸出端，第一電阻Rl的第二端指的是用于接收開關(guān)電源3輸出的第一電壓的一端，也可以稱為輸入端，本實(shí)施例在此不進(jìn)行限定和贅述。
[0033]進(jìn)一步地，上述實(shí)施例中延時切斷電路2包括:第二三極管Q2、第二電阻R2、第三電阻R3和電容Cl;第二三極管Q2的基極與第二電阻R2的第一端連接，第二三極管Q2的集電極與第一電阻Rl的第二端連接，第二三極管Q2的發(fā)射極接地；電容Cl的第一端分別與第二電阻R2的第二端、第三電阻R3的第一端連接，電容Cl的第二端與第二三極管Q2的發(fā)射極連接；第三電阻R3的第二端用于接收開關(guān)電源3輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓。
[0034]具體的，本實(shí)施中的延時切斷電路2是由第二三極管Q2、第二電阻R2、第三電阻R3和電容Cl組成，第二三極管Q2的基極與第二電阻R2的第一端連接，電容Cl的第一端分別與第二電阻R2的第二端、第三電阻R3的第一端連接，電容Cl的第二端與第二三極管Q2的發(fā)射極連接，以使第二電阻R2為限流電阻，第三電阻R3和電容Cl為延時電路，接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓之后，延時關(guān)斷電路2打開，以使開關(guān)電路I的輸出可由單片機(jī)控制。
[0035]需要說明的是，第二電阻R2的第一端指的是與第二三極管Q2的基極連接的一端，也可以稱為輸出端，第二電阻R2的第二端指的是與第二三極管Q2的集電極連接的一端，也可以稱為輸入端;第三電阻R3的第一端指的是與電容Cl的第一端連接的一端，也可以稱為輸出端，第三電阻R3的第二端指的是用于接收開關(guān)電源3輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓連接的一端，也可以稱為輸入端；電容Cl的第一端指的是與第二電阻R2的第二端連接的一端，也可以稱為輸入端，電容Cl的第二端指的是與第二三極管Q2的發(fā)射極連接的一端，也可以稱為輸出端，本實(shí)施例在此不進(jìn)行限定和贅述。
[0036]具體的，預(yù)設(shè)時間滿足在第三電阻R3和電容Cl上的充電時間大于單片機(jī)的復(fù)位時間。這樣使得在單片機(jī)復(fù)位達(dá)到穩(wěn)定之后，才使得延時關(guān)斷電路打開，以使開關(guān)電路的輸出可由單片機(jī)控制，從而避免了在上電過程中單片機(jī)狀態(tài)不確定而導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通而造成電磁爐的損壞。
[0037]需要說明的是，單片機(jī)在電源電壓從零伏特至復(fù)位電壓這一段時間處于復(fù)位狀態(tài)，當(dāng)電源電壓大于復(fù)位電壓一段時間后，單片機(jī)才開始穩(wěn)定工作，將單片機(jī)達(dá)到復(fù)位電壓到穩(wěn)定工作的這一段時間稱為單片機(jī)的復(fù)位時間。
[0038]具體的，如圖2所示，在實(shí)際應(yīng)用中，給開關(guān)電源3加載交流電壓AC/L和AC/N上電時，開關(guān)電源3的電壓VCCl先一步建立，MCU4還處于不穩(wěn)定狀態(tài)，加載到MCU4的電壓非常小，此時，開關(guān)電源3的電壓VCCl通過第一電阻Rl和二極管Dl提供高電平給第一三極管Ql，第二三極管Q2集電極的電壓高于第二三極管Q2基極的電壓，第二三極管Q2處于未導(dǎo)通(截止)狀態(tài)，第一三極管Ql基極的電壓高于第一三極管Ql集電極和發(fā)射極的電壓，第一三極管Ql處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，使得第一三極管Ql集電極的電壓為低電平，S卩IGBT的驅(qū)動電路關(guān)閉，以使IGBT關(guān)閉，即使此時MCU4輸出脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulat1n，簡稱PWM)的驅(qū)動信號給IGBT驅(qū)動電路5，IGBT也不會導(dǎo)通；當(dāng)開關(guān)電源3輸出滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓時，加載到MCU4的電壓達(dá)到M⑶4的復(fù)位電壓，在第三電阻R3和電容Cl上的充電時間大于MCU4的復(fù)位時間之后，MCU4狀態(tài)確定后，有足夠大的電流流入延時切斷電路2中的第二三極管Q2，通過第三電阻R3和電容Cl組成的積分延時電路，延時一段時間給第二三極管Q2的基極，第二三極管Q2飽和導(dǎo)通，從而使得第一三極管Ql基極的電壓，可由單片機(jī)的Pmi輸出控制，實(shí)現(xiàn)延時關(guān)斷電路2打開，開關(guān)電源輸出的第一電壓可以通過開關(guān)電路I得到IGBT所需的電源電壓，使得IGBT驅(qū)動電路5正常工作。
[0039]需要說明的是，本實(shí)施例中IGBT驅(qū)動電路包括有IGBT，IGBT驅(qū)動電路與目前的IGBT驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)和原理相同，本實(shí)施例在此不進(jìn)行限定和贅述。本實(shí)施中的第四電阻R4的設(shè)置具體可以根據(jù)IGBT驅(qū)動電路而定，若IGBT驅(qū)動電路中設(shè)置有第四電阻R4，則在開關(guān)電路I中不再設(shè)置第四電阻R4;若IGBT驅(qū)動電路中沒有設(shè)置第四電阻R4，則在開關(guān)電路I中需要設(shè)置第四電阻R4。本實(shí)施例中的各個電阻的取值大小根據(jù)實(shí)際電路情況而定，只要能滿足第一三極管Ql和/或第二三極管Q2工作在飽和導(dǎo)通狀態(tài)即可。
[0040]本實(shí)施例中，開關(guān)電路包括:第一三極管Q1、二極管D1、第一電阻Rl和第四電阻R4;第一電阻Rl的第一端用于與開關(guān)電源3連接，第一電阻Rl的第二端與二極管Dl的正極連接，第一三極管Ql的基極與二極管Dl的負(fù)極連接，第一三極管Ql的集電極與第四電阻R4的第一端連接，第四電阻R4的第一端和第一三極管Ql的集電極分別用于與絕緣柵雙極型晶體管連接，第一三極管Ql的發(fā)射極接地，第四電阻R4的第二端用于接收開關(guān)電源輸出的第一電壓，實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電路接收到開關(guān)電源輸出的第一電壓時、且延時關(guān)斷電路接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓之前，延時關(guān)斷電路關(guān)閉，以使絕緣柵雙極型晶體管關(guān)閉；延時切斷電路包括:第二三極管Q2、第二電阻R2、第三電阻R3和電容Cl，第二三極管Q2的基極與第二電阻R2的第一端連接，第二三極管Q2的集電極與第一電阻Rl的第二端連接，第二三極管Q2的發(fā)射極接地，電容Cl的第一端分別與第二電阻R2的第二端、第三電阻R3的第一端連接，電容Cl的第二端與第二三極管Q2的發(fā)射極連接，第三電阻R3的第二端用于接收開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓，實(shí)現(xiàn)了延時關(guān)斷電路接收到開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓并達(dá)到預(yù)設(shè)時間之后，延時關(guān)斷電路打開，以使開關(guān)電路的輸出可由單片機(jī)控制。
[0041 ] 實(shí)施例三
[0042]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的電磁爐電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本實(shí)施例提供的電磁爐包括:開關(guān)電源31、單片機(jī)32、IGBT驅(qū)動電路33和上述任一實(shí)施例中的上電保護(hù)電路34。
[0043]上電保護(hù)電路34分別與開關(guān)電源31、單片機(jī)32和IGBT驅(qū)動電路33連接，開關(guān)電源31與單片機(jī)32連接。
[0044]電磁爐的上電保護(hù)電路34與上述實(shí)施例提供的上電保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)和功能相同，本實(shí)施例在此不進(jìn)行限定和贅述。
[0045]本實(shí)施例中，采用上電保護(hù)電路，防止在單片機(jī)未達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，IGBT收到非正常的驅(qū)動信號，IGBT也不會導(dǎo)通，從而避免了在上電過程中單片機(jī)狀態(tài)不確定而導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通而造成電磁爐的損壞。
[0046]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對其限制;盡管參照前述各實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種上電保護(hù)電路，其特征在于，包括:開關(guān)電路(I)和延時關(guān)斷電路(2); 所述開關(guān)電路(I)，用于分別與開關(guān)電源、單片機(jī)和絕緣柵雙極型晶體管IGBT連接； 所述開關(guān)電路(I)與所述延時關(guān)斷電路(2)連接； 所述開關(guān)電路(I)接收到所述開關(guān)電源輸出的第一電壓時、且所述延時關(guān)斷電路(2)接收到所述開關(guān)電源輸出的滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓之前，所述延時關(guān)斷電路(2)關(guān)閉，開關(guān)電路(I)閉合，以使所述絕緣柵雙極型晶體管IGBT關(guān)閉； 所述延時關(guān)斷電路(2)接收到所述開關(guān)電源輸出的所述滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓并達(dá)到預(yù)設(shè)時間之后，所述延時關(guān)斷電路(2)打開，以使所述開關(guān)電路(I)的輸出由單片機(jī)控制。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電保護(hù)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路(I)包括:第一三極管Q1、二極管D1、第一電阻Rl和第四電阻R4; 所述第一電阻Rl的第一端用于與所述開關(guān)電源(3)連接，所述第一電阻Rl的第二端與所述二極管Dl的正極連接； 所述第一三極管Ql的基極分別與所述二極管Dl的負(fù)極和所述單片機(jī)的控制口連接，所述第一三極管Ql的集電極與所述第四電阻R4的第一端連接，所述第四電阻R4的第一端和所述第一三極管Ql的集電極分別用于與所述絕緣柵雙極型晶體管IGBT的驅(qū)動電路連接，所述第一三極管Ql的發(fā)射極接地。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的上電保護(hù)電路，其特征在于，所述延時切斷電路包括:第二三極管Q2、第二電阻R2、第三電阻R3和電容Cl ； 所述第二三極管Q2的基極與所述第二電阻R2的第一端連接，所述第二三極管Q2的集電極與所述第一電阻Rl的第二端連接，所述第二三極管Q2的發(fā)射極接地； 所述電容Cl的第一端分別與所述第二電阻R2的第二端、所述第三電阻R3的第一端連接，所述電容Cl的第二端與所述第二三極管Q2的發(fā)射極連接； 所述第三電阻R3的第二端用于接收所述開關(guān)電源(3)輸出的所述滿足預(yù)設(shè)閾值的第二電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的上電保護(hù)電路，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時間滿足在所述第三電阻R3和所述電容Cl上的充電時間大于所述單片機(jī)(4)的復(fù)位時間。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的上電保護(hù)電路，其特征在于，所述預(yù)設(shè)閾值為3.3伏特或2.8伏特。6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的上電保護(hù)電路，其特征在于，所述電源電壓為18伏特或20伏特。7.—種電磁爐，其特征在于，包括:開關(guān)電源(31)、單片機(jī)(32)、絕緣柵雙極型晶體管IGBT驅(qū)動電路(33)和如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的上電保護(hù)電路(34); 所述上電保護(hù)電路(34)分別與所述開關(guān)電源(31)、所述單片機(jī)(32)和所述絕緣柵雙極型晶體管IGBT驅(qū)動電路(33)連接，所述開關(guān)電源(31)與所述單片機(jī)(32)連接。
【文檔編號】G05F1/569GK205540383SQ201620267660
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年3月31日
【發(fā)明人】孫鵬剛, 趙禮榮
【申請人】浙江紹興蘇泊爾生活電器有限公司