一種溫度控制裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種溫度控制裝置，其包括：托盤(pán)和帶動(dòng)托盤(pán)旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)軸，托盤(pán)的頂部端面上設(shè)有若干試劑位和若干樣本位，試劑位和樣本位均為盲孔；轉(zhuǎn)軸與試劑位之間的中空間隙中設(shè)有第一加熱電阻絲，第一加熱電阻絲用于加熱所述試劑位中的試劑；樣本位的外周設(shè)有第二加熱電阻絲，第二加熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，第二加熱電阻絲用于加熱所述樣本位中的樣本；托盤(pán)的托盤(pán)底為中空結(jié)構(gòu)，托盤(pán)底包括第一底盤(pán)和第二底盤(pán)，第一底盤(pán)和第二底盤(pán)之間設(shè)有制冷片，制冷片貼緊所述第一底盤(pán)的底面。其溫控調(diào)節(jié)效率高，溫控精度高，且成本低。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種溫度控制裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及醫(yī)療器械溫度控制領(lǐng)域，具體涉及一種溫度控制裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]二類(lèi)檢驗(yàn)醫(yī)療器械包括凝血分析儀需要配置溫度控制裝置來(lái)滿(mǎn)足檢測(cè)工作狀態(tài)下對(duì)溫控的需求。為了提高設(shè)備運(yùn)行效率，現(xiàn)在常用的檢驗(yàn)類(lèi)醫(yī)療設(shè)備多采用旋轉(zhuǎn)式裝置作為樣本和試劑位裝置，這類(lèi)設(shè)備大多涉及血液類(lèi)和測(cè)試試劑樣本檢測(cè)，而血液類(lèi)和測(cè)試試劑對(duì)溫度的要求較高，血液類(lèi)樣本一般要求在常溫下保存，試劑要求在2°C_8°C下保存，檢測(cè)時(shí)則要求在37°C狀態(tài)下工作，并且溫度控制要求為±0.5°C。
[0003]現(xiàn)在因?yàn)樾D(zhuǎn)類(lèi)檢測(cè)裝置在結(jié)構(gòu)上的設(shè)計(jì)特殊性，這類(lèi)裝置很難進(jìn)行精確制冷和精確制熱的溫度控制。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問(wèn)題，提供一種溫度控制裝置，本實(shí)用新型的溫度控制裝置為旋轉(zhuǎn)式一體裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)精確制冷和精確制熱的溫度控制，并且該裝置溫控調(diào)節(jié)效率高，成本低，能夠滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)凝血分析類(lèi)裝置中旋轉(zhuǎn)式溫控裝置發(fā)展的需求。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0006]—種溫度控制裝置，其包括:
[0007]托盤(pán)，所述托盤(pán)的頂部端面上設(shè)有若干試劑位和若干樣本位，所述試劑位和樣本位均為盲孔，若干所述試劑位之間等間距的呈圓周排列，若干所述樣本位之間等間距的呈圓周排列，所述樣本位設(shè)置在所述試劑位的外周；
[0008]轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸貫穿所述托盤(pán)中心能夠帶動(dòng)所述托盤(pán)旋轉(zhuǎn)；
[0009]所述轉(zhuǎn)軸與所述試劑位之間的中空間隙中設(shè)有第一加熱電阻絲，所述第一加熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，所述第一加熱電阻絲用于加熱所述試劑位中的試劑；
[0010]所述樣本位的外周設(shè)有第二加熱電阻絲，所述第二加熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，所述第二加熱電阻絲用于加熱所述樣本位中的樣本；
[0011 ]所述托盤(pán)的托盤(pán)底為中空結(jié)構(gòu)，所述托盤(pán)底包括第一底盤(pán)和第二底盤(pán)，所述樣本位的底部為所述第二底盤(pán)，所述試劑位的底部為所述第一底盤(pán)，所述第一底盤(pán)和第二底盤(pán)之間設(shè)有制冷片，所述制冷片貼緊所述第一底盤(pán)的底面，所述制冷片用于制冷。
[0012]優(yōu)選地，還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器設(shè)置在所述第一底盤(pán)和第二底盤(pán)之間。
[0013]優(yōu)選地，所述第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲的加熱溫度能夠達(dá)到37°C ±0.5-C。
[0014]優(yōu)選地，所述第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲恒溫控制的溫度誤差為37°C 土
0.rc。
[0015]優(yōu)選地，所述制冷片的制冷溫度能夠至14°C ±2°C。
[0016]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0017]其一、本實(shí)用新型的溫度控制裝置是一種旋轉(zhuǎn)式樣本裝置，該裝置上設(shè)有樣本位、試劑位，承載上述樣本位和試劑位的托盤(pán)采用鋁材質(zhì)，鋁材質(zhì)具有良好的導(dǎo)熱性能，并且專(zhuān)選中心軸下采用中空結(jié)構(gòu)設(shè)置，方便制冷元器件和溫度傳感器控制線導(dǎo)出，制冷元器件采用電制冷片。
[0018]其二、本實(shí)用新型的溫度控制裝置及方法的恒溫控制誤差僅在37°C±TC，其誤差范圍小，測(cè)量精度高，能夠保證儀器高質(zhì)量運(yùn)行。
[0019]上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021 ]圖1是本實(shí)用新型溫度控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是圖1的A-A剖面圖；
[0023]圖3是圖2中A部分的放大示意圖；
[0024]圖4是本實(shí)用新型智能溫控的原理圖；
[0025]圖5是本實(shí)用新型智能溫控的接線圖；
[0026]圖6是加熱原理圖；
[0027]圖7是制冷原理圖。
[0028]其中，1-托盤(pán)，2-轉(zhuǎn)軸，101-試劑位，102-樣本位，103-第一加熱電阻絲，104-第二加熱電阻絲，105-絕緣保護(hù)層，106-第一底盤(pán)，107-第二底盤(pán)，108-制冷片。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0030]實(shí)施例
[0031]參照?qǐng)D1-3所示，本實(shí)施例中公開(kāi)了一種溫度控制裝置，該溫度控制裝置是旋轉(zhuǎn)式裝置，其主要包括托盤(pán)I和轉(zhuǎn)軸2，其中上述托盤(pán)I是用來(lái)承載試劑和樣本的裝置，上述轉(zhuǎn)軸2在旋轉(zhuǎn)電機(jī)的帶動(dòng)下能夠帶動(dòng)上述托盤(pán)I旋轉(zhuǎn)。
[0032]它們之間的具體結(jié)構(gòu)為:在上述托盤(pán)I的頂部端面上設(shè)有若干試劑位101和若干樣本位102，上述試劑位101和樣本位102均為盲孔，若干上述試劑位101之間等間距的呈圓周排列，若干上述樣本位102之間等間距的呈圓周排列，上述樣本位102設(shè)置在上述試劑位101的外周。
[0033]上述轉(zhuǎn)軸2貫穿上述托盤(pán)I中心能夠帶動(dòng)上述托盤(pán)旋轉(zhuǎn)，上述轉(zhuǎn)軸2由旋轉(zhuǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)其旋轉(zhuǎn)。
[0034]因?yàn)楸緦?shí)施例中的溫度控制裝置能夠?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)溫控，因此該裝置設(shè)置了加熱元器件和制冷元器件，在上述轉(zhuǎn)軸2與上述試劑位101之間的中空間隙中設(shè)有第一加熱電阻絲103，上述第一加熱電阻絲103的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，上述第一加熱電阻絲103用于加熱上述試劑位101中的試劑。
[0035]上述樣本位102的外周設(shè)有第二加熱電阻絲104，上述第二加熱電阻絲104的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層105，上述第二加熱電阻絲104用于加熱上述樣本位102中的樣本。
[0036]為了方便上述加熱元器件和傳感器導(dǎo)線的導(dǎo)出，將上述托盤(pán)I的托盤(pán)底設(shè)計(jì)成中空結(jié)構(gòu)，即上述托盤(pán)底包括第一底盤(pán)106和第二底盤(pán)107，上述樣本位102的底部為上述第二底盤(pán)107，上述試劑位101的底部為上述第一底盤(pán)106，上述第一底盤(pán)106和第二底盤(pán)107之間設(shè)有制冷片108，上述制冷片108貼緊上述第一底盤(pán)106的底面，上述制冷片108用于制冷。
[0037]并且還設(shè)置了溫度傳感器，上述溫度傳感器設(shè)置在上述第一底盤(pán)106和第二底盤(pán)107之間。上述托盤(pán)底部的中空結(jié)構(gòu)設(shè)置，方便了加熱元器件和傳感器的導(dǎo)線導(dǎo)出。
[0038]在本實(shí)施例中，上述第一加熱電阻絲103和第二加熱電阻絲104的加熱溫度能夠達(dá)到37 °C ± 0.5 °C，上述制冷片108的制冷溫度能夠至14°C ± 2 °C，上述第一加熱電阻絲103和第二加熱電阻絲104恒溫控制的溫度誤差為37°C±0.TC。因此，該裝置能夠在結(jié)構(gòu)上滿(mǎn)足旋轉(zhuǎn)和溫控的需求，并且溫度控制的精度較高。
[0039]在本實(shí)施例中，為了更好的傳導(dǎo)熱量，提高上述溫度控制裝置的溫度控制效率，上述托盤(pán)采用鋁材質(zhì)。
[0040]如圖4-7所示，上述溫度控制的裝置的溫控方法和原理為:
[0041]SlM⑶單元根據(jù)預(yù)先設(shè)置的加熱、制冷以及溫控流程參數(shù)，給樣本位、試劑位發(fā)送溫fe命令O
[0042]S2用于試劑位加熱的第一加熱電阻絲、用于樣本位上加熱的第二加熱電阻絲以及用于整個(gè)裝置制冷的制冷片根據(jù)接收到的命令進(jìn)行各種單元加溫操作、制冷操作。
[0043]S3溫度傳感器將監(jiān)測(cè)到的溫度信號(hào)傳輸給芯片NE5532，傳感器信號(hào)經(jīng)過(guò)芯片NE5532信號(hào)運(yùn)放后，傳輸給MCU單元系統(tǒng)。
[0044]S4MCU單元系統(tǒng)進(jìn)行模擬信號(hào)A/D轉(zhuǎn)換后進(jìn)行運(yùn)算分析，計(jì)算當(dāng)前溫度值與設(shè)定的目標(biāo)溫度之間的關(guān)系，對(duì)第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲進(jìn)行控制，若當(dāng)前的溫度值比設(shè)定的溫度高，通過(guò)MCU單元系統(tǒng)控制關(guān)閉第一加熱電阻絲或第二加熱電阻絲的加熱器，若當(dāng)前溫度值比設(shè)定的溫度低，通過(guò)MCU單元系統(tǒng)控制開(kāi)啟第一加熱電阻絲或第二加熱電阻絲的加熱器。
[0045]S5將溫度控制的執(zhí)行結(jié)果傳輸給M⑶單元。
[0046]本實(shí)施例的工作原理如下:
[0047]MCU單元根據(jù)預(yù)先設(shè)置的加熱、制冷以及溫控流程參數(shù)，給檢測(cè)器單元發(fā)送各種命令，檢測(cè)器單元根據(jù)接收到的命令進(jìn)行溫度的跟蹤點(diǎn)設(shè)置、增益控制，執(zhí)行相應(yīng)的溫度控制操作，并根據(jù)需要返回執(zhí)行的結(jié)果給MCU單元。
[0048]溫度控制單元將溫控信號(hào)傳輸給檢測(cè)器，檢測(cè)器上的加熱元器件和制冷元器件接到命令后開(kāi)始加熱和制冷，傳感器獲得的溫度信號(hào)傳輸給信號(hào)調(diào)理放大單元，經(jīng)過(guò)信號(hào)調(diào)理放大單元放大后傳輸給ADC單元，ADC單元將信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字量信號(hào)(實(shí)時(shí)溫度數(shù)值)，數(shù)值被主機(jī)讀取。
[0049]恒溫控制是傳感器信號(hào)值經(jīng)NE5532芯片信號(hào)運(yùn)放，傳輸M⑶單元系統(tǒng)進(jìn)行模擬信號(hào)A/D轉(zhuǎn)換運(yùn)算分析，計(jì)算當(dāng)前溫度值與設(shè)定目標(biāo)溫度之間的關(guān)系，對(duì)系統(tǒng)加熱源進(jìn)行通斷控制。若當(dāng)前溫度值比設(shè)定溫度高，通過(guò)MCU單元系統(tǒng)控制關(guān)斷加熱器;若當(dāng)前溫度值比設(shè)定溫度低，通過(guò)MCU單元系統(tǒng)控制開(kāi)啟加熱器;恒溫誤差在37±0.1°C，滿(mǎn)足了控制需求。
[0050]對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種溫度控制裝置，其特征在于，其包括: 托盤(pán)，所述托盤(pán)的頂部端面上設(shè)有若干試劑位和若干樣本位，所述試劑位和樣本位均為盲孔，若干所述試劑位之間等間距的呈圓周排列，若干所述樣本位之間等間距的呈圓周排列，所述樣本位設(shè)置在所述試劑位的外周； 轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸貫穿所述托盤(pán)中心能夠帶動(dòng)所述托盤(pán)旋轉(zhuǎn)； 所述轉(zhuǎn)軸與所述試劑位之間的中空間隙中設(shè)有第一加熱電阻絲，所述第一熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，所述第一加熱電阻絲用于加熱所述試劑位中的試劑； 所述樣本位的外周設(shè)有第二加熱電阻絲，所述第二加熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，所述第二加熱電阻絲用于加熱所述樣本位中的樣本； 所述托盤(pán)的托盤(pán)底為中空結(jié)構(gòu)，所述托盤(pán)底包括第一底盤(pán)和第二底盤(pán)，所述樣本位的底部為所述第二底盤(pán)，所述試劑位的底部為所述第一底盤(pán)，所述第一底盤(pán)和第二底盤(pán)之間設(shè)有制冷片，所述制冷片貼緊所述第一底盤(pán)的底面，所述制冷片用于制冷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度控制裝置，其特征在于，還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器設(shè)置在所述第一底盤(pán)和第二底盤(pán)之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度控制裝置，其特征在于，所述第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲的加熱溫度能夠達(dá)到37°C ±0.5°C。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種溫度控制裝置，其特征在于，所述第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲恒溫控制的溫度誤差為37°C ±0.1°C。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度控制裝置，其特征在于，所述制冷片的制冷溫度能夠至 14°C±2°C。
【文檔編號(hào)】G05D23/24GK205581681SQ201620237841
【公開(kāi)日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年3月25日
【發(fā)明人】丁鴻
【申請(qǐng)人】丁鴻