專利名稱：用于制造供智能卡用的模塊的方法及所得到的模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于制造被用來以卡，稱為智能卡，的形式被插入裝置中的電子模塊的方法及這種智能卡的制造，更具體而言它涉及用于制造借助平貼接觸和/或不接觸的智能卡用的模塊的方法，及相應的智能卡的制造。
智能卡被用于完成各種各樣的作業(yè)，例如銀行事務作業(yè)、電話通信管理或多樣的鑒定作業(yè)。
接觸式卡具有敷鍍的金屬，形成與卡表面平貼的接觸區(qū)域。這些敷鍍金屬被配置在卡體上由國際標準化組織(ISO)7816所規(guī)定的精確的位置。為了在卡與讀出頭之間或反過來的數(shù)據(jù)的電傳輸，它們是用來同讀卡機的讀出頭接觸的。這同樣適用于混合智能卡的平貼接觸部分。
具有平貼觸點的智能卡模塊由非導電材料制成的支承物組成，該支承物被粘附到形成接觸格柵的金屬構(gòu)件，以便具有接觸區(qū)域和可能的導電軌跡以及電子微電路芯片，芯片被粘附到該支承物的另外一面并且取決于用于把芯片安裝在該支承物上的方法，芯片具有輸出墊片在其表面上，該表面或與固定到支承物的一面相反或相同。
所謂的混合智能卡具有雙重運作模式，芯片隨后被連接到接觸終端塊及天線。終端塊和天線是接口元件，它們必須與微電路上適當?shù)膲|片連接。這種類型的標準產(chǎn)品多半使用被裝配在模塊中的芯片及綜合天線的卡體。當模塊被安裝在卡體中為此目的所提供的空腔內(nèi)時，兩個元件之間的連接在插入時被形成。
大體上，金屬化的格柵由平貼接觸的卡中接觸區(qū)域及可能的導電軌跡，以及在無接觸智能卡情形中的天線組成。
就一切情況而論，敷鍍金屬需要最大的關注并且是制造印刷電路模塊的一個步驟，它構(gòu)成這些模塊總成本的主要部分。
這種敷鍍金屬的制作質(zhì)量也極大地影響在質(zhì)量檢驗期間的報廢程度。
為了簡化，在下文將只涉及平貼接觸的智能卡。
在用于制作智能卡的已知方法中，主要的是基于將集成電路芯片組合在被稱為微模塊的子配件中的方法，該微模塊借助傳統(tǒng)的技術被裝配。
通用方法的要點是通過配置其有源表面連同其接觸墊片將集成電路芯片粘結(jié)在電介質(zhì)支承物的粘結(jié)在其上起作用同一側(cè)上。電介質(zhì)材料，實際上一片或一部分窄條，本身被安排在由鎳及鍍金的銅制成的金屬片上的接觸格柵上。連接焊點在電介質(zhì)材料上被形成而連線提供在格柵的接觸區(qū)域與芯片上墊片之間的連接。為了保護該組合，以環(huán)氧樹脂為基礎的密封樹脂將芯片及被焊接的連線覆蓋。這樣形成的模塊隨后被切斷并且被嵌入預先所布置的卡體的空腔中。
然而這種方法是昂貴的，由于需要大量的制作步驟。
本發(fā)明的一個目的是從較少的成本制造供接觸式智能卡用的模塊。
特別是在文件FR2671416，F(xiàn)R2671417及FR2671418中無需制造微模塊中間步驟包含將集成電路芯片直接嵌入卡體中的用于制造智能卡技術的描述已被給出。這些技術是基于使由塑料制成的卡體局部軟化并將芯片壓入這種被軟化區(qū)域中的步驟。芯片于是被配置以使其接觸墊片與卡的表面同高。絲網(wǎng)印刷作業(yè)隨后使它有可能在同一平面印制接觸區(qū)域及導電軌跡，后者使它有可能將接觸區(qū)域連接到芯片上的接觸墊片。最后，防護漆必須被施加到芯片，并到芯片上的接觸墊片與上述導電軌跡之間的接點。
然而，用這樣的方法，只有小尺寸的芯片能被加工。而且接觸區(qū)域及互連軌跡的絲網(wǎng)印刷是需要技巧去完成的，由于軌跡在芯片接觸墊片上安置的已經(jīng)就位要求非常精確的定位，它必須借助計算機輔助觀測(CAV)被檢驗。這項制約損害了生產(chǎn)率及制作方法的效率。而且，芯片被施加到被軟化的區(qū)域，在那里難于使它正確地與卡的側(cè)邊完全平行地安置。在本方法實施中這些步驟中任何一個的任何缺陷然后將導致整個卡，包括芯片，的報廢。
被計劃用于降低智能卡成本價格的另一個解決辦法使用基于借助MID(在英國語言文學中“模制互連設備”)型過程應用電傳導軌跡的所謂“Chrysalis”技術。按照例如在文件EP-A-0753827，EP-A-0688050及EP-A-0668051中所描述的使用這種技術的不同的方法，卡被配置用來安放集成電路的外殼，導電軌跡貼著這些外殼的底部及側(cè)壁被布置并且被連接到在卡支承物表面上所形成的金屬接觸區(qū)域。
把導電軌跡施加在該外殼中能按三種不同的辦法實現(xiàn)-第一個辦法是完成熱沖壓，可能用錫或鎳被覆蓋的，并配置熱激活粘接劑的含有銅金屬化的薄片被切下，并隨后被熱粘結(jié)在該外殼中。
-第二個辦法是借助墊片將含有鈀催化劑的油漆施加在用來被噴涂金屬的位置，并且加熱油漆。金屬化然后通過電化學的自動催化過程借助銅和/或鎳的沉積被實現(xiàn)。
-第三個辦法是實現(xiàn)使用激光全息照相的平版凹印(1ithogravure)。這個平版凹印使具有非常精確的和高分辨率的三維金屬化的沉積有可能實現(xiàn)。
按照這些技術，是卡體本身在其最后印刷之前有待金屬化，因此這增加了印刷報廢的耗費。而且，正是在這種情況需要使芯片直接固定在卡體中，與那些用于在窄條上轉(zhuǎn)移的設備相比，它要求較低速率的轉(zhuǎn)移設備，這樣制作的卡的成本價格因此保持較高而報廢程度也保持在高水平。
為了以較小成本大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)，現(xiàn)在按照本發(fā)明已研制了用于制作具有平貼接觸和/或無接觸的智能卡品種的存儲媒體，它包含具有含有金屬化格柵的電介質(zhì)支承膜以及被連接到該金屬化格柵的集成電路芯片的微模塊，該方法包括按任何順序的步驟，要點是-在微模塊的支承膜上生成金屬化格柵，以及-使支承膜變形以使至少該附著區(qū)域相對于該金屬化格柵面處于較低的水平。
這種方法取得的優(yōu)點是顯著的-它采用的技術使得它有可能避免將電介質(zhì)支承物粘結(jié)和打孔的步驟，-它使得有可能采用低成本的電介質(zhì)支承材料，-它容許使用現(xiàn)有的機器，-它使得有可能將金屬化與在卷盤(coil)上和/或在直線上制作智能卡的后續(xù)步驟相結(jié)合。
借助按照本發(fā)明的方法，接觸區(qū)域和/或天線以及任何導電軌跡在電介質(zhì)支承膜的同一面上并且該方法因而避免了附加的步驟。在這種方法的一種實施例中，還有可能免除電解沉積所遭受的制約，即對所有待金屬化的區(qū)域提高到相同電位的約束。
根據(jù)第一種實施例，按照本發(fā)明的方法包括借助附加的方法，例如借助絲網(wǎng)印刷、墨滾印刷(pad printing)、膠印、噴墨、使用可彎曲膠版印刷、描圖工具或任何相似的技術，以按照對應于該金屬化格柵的預定圖案沉積至少一種金屬化的催化接觸劑(catalysing initiator)的方式，沉積金屬化格柵的接觸劑，以及隨后在接觸劑出現(xiàn)的區(qū)域上由該接觸劑所催化的至少一種適當?shù)慕饘?，例如銅(Cu)、鎳(Ni)和/或金(Au)的非電解固定。
按照本發(fā)明的金屬化的方法本質(zhì)上不涉及絲網(wǎng)印刷。
金屬化的接觸劑最好從以鈀為基的被用于聚合物基片金屬化的和特別是在文件EP-A-0485839及EP-A-0647726中所描述催化材料之中被選定。
構(gòu)成上述接觸劑的這種產(chǎn)品實際上能包含膜成形劑如聚氨酯、使具有適當表面活性的添加劑，例如聚酯、聚酰胺和/或聚噁唑烷酮、離子的和/或膠狀的貴金屬，或它與有機配合基的共價的或絡合的化合物、特別是Cu、Au、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)或釕(Ru)的絡合物或無機鹽、有機和/或無機的填充劑及有機溶劑。
根據(jù)按照本發(fā)明的方法的第一種實施例的一種優(yōu)選變型實例，有可能特別是借助曝曬及紫外(UV)輻射，活化該接觸劑，并且例如借助熱空氣，對它進行干燥。
被這樣處理的窄條能被連續(xù)地、順序地或不連續(xù)地直接或接著浸入為金屬化所選定的金屬，例如Cu，Ni和/或Au，的鹽浴中。
按照本發(fā)明的第一種方法的這種變型還有益地包括按照常規(guī)的方法，附加的諸如Cu、Ni、Au或Pd的金屬層在支承膜的那些作為承受金屬化的相同的區(qū)域上電解沉積的后來的步驟。這種附加的在更可取的幾個μm厚度的范圍內(nèi)的金屬化沉積已被證明可能是有益的并且被推薦用于制造加固的金屬化，在焊接作業(yè)期間提供良好效率，這是由于它給出迅速生長的動力學。
根據(jù)第二種實施例，按照本發(fā)明的方法包括至少一種合適的金屬，例如Cu，的非電解沉積，以及按照預定的圖案借助根據(jù)對應于該金屬化格柵的圖象的相減方法，特別是通過光刻法，生成金屬化格柵。
在本發(fā)明的這種實施例中，光刻法是作為相減方法被優(yōu)選的，對于它首先最好借助真空沉積技術被應用到待加工的聚合物基片，它包含上述的電介質(zhì)支承膜，至少一種金屬，諸如Cu，Ni或Au，的薄層。它還可能從由包含一條在電介質(zhì)支承物上具有或沒有粘合劑的層壓的銅帶的銅覆層開始，該電介質(zhì)支承物可是商業(yè)上可提供的低價的電介質(zhì)材料。
光刻法本身包括步驟-在上述金屬上沉積一層光敏樹脂，-通過掩膜或薄膜曝曬，-樹脂的顯影，-在未被樹脂保護區(qū)域內(nèi)材料的化學蝕刻，以及-除去光敏樹脂。
按照作為本發(fā)明首要目的的本方法的這種實施例的優(yōu)選的變更，為了改進元件互相的焊接性能并降低接觸電阻，或在實施光刻法之前或是在其后還進行金屬涂層的電解沉積，特別是Ni+Au，Ni+Pd和/或Ni+Pd+平貼Au的涂層，其中“平貼Au”是用來表示金屬Au的薄沉積的非常確切的說法。
作為變更，本方法可包含步驟，其要點是在上述電介質(zhì)支承膜變形之前固定并連接芯片，并隨后通過用具有凹口的沖壓機把支承膜壓入在卡體中的外殼使膜變形。
按照更特殊的優(yōu)選實施例，該方法包含步驟，其要點在于在支承膜變形之后連接芯片。
這第二種變型的兩個實施例是可能的-支承膜借助沖壓機被壓入并粘結(jié)在預先在卡體中形成的外殼或空腔中，在膜被固定在外殼中的同時芯片則被連接；-支承膜被放置在適宜的被緊壓住內(nèi)壁的模具的空腔中，并且在將材料引入空腔之后，通過將材料壓緊沖壓機和/或通過移動沖壓機使它變形，沖壓機具有與待形成外殼的形狀互補的形狀。
還可能通過方便地借助位于凹入部分底部的小孔施加負壓以促進薄片的變形。
必然地，在由該變形造成底部平面與金屬化格柵平面之間的差別應該滿足將可能在那里容納芯片并且還可容納用于芯片的覆蓋材料以及互連在那里的定位空間，這有助于無過剩物到表面上，借此使上述的接觸面適合于平貼。
本發(fā)明的另一個目的是用于制作包含集成電路芯片的微模塊的方法，該芯片被配置有被電連接到金屬化格柵的輸出墊片，它包括按適當順序的步驟，要點是-在微模塊的支承膜上生成金屬化的格柵，以及-使支承膜變形以便至少芯片的附著區(qū)域處于相對于金屬化格柵面較低的平面處，-將集成電路芯片附著在該圖案上并形成連接，-將芯片覆蓋在防護樹脂中，以及-為了在絕緣的支承物上獲得微模塊，切下該圖案以便使它脫離窄條的剩余部分。
在芯片墊片與金屬格柵之間的連接可借助專家們所熟悉的任何方法來形成。
還應該注意電介質(zhì)支承膜不需要是熱塑塑料而可以是例如由紙構(gòu)成。
在一個變型中，金屬格柵可通過對從被層壓在電介質(zhì)支承膜上的構(gòu)成金屬格柵(導線框架)的金屬長條進行機械切割來形成。
本發(fā)明的另一個目的是用于制作具有平貼接觸和/或無接觸的智能卡類型的存儲支援，它包含根據(jù)用于制作按照本發(fā)明的微模塊的方法所生成的微模塊，在其中-向卡體提供空腔，-包括其芯片及其接點的微模塊被附著并固定在該空腔中，例如通過在壓力下粘結(jié)，以便微模塊的支承基片與該空腔的形狀相符，而且為了金屬化格柵與卡體的表面同高，以及-保護樹脂被沉積在空腔中。
在另一種實施例中，本發(fā)明的另一個目的包含用于制作具有平貼接觸和/或無接觸的智能卡品種的存儲媒體，它包含被嵌入卡體中的集成電路芯片并且它被連接到金屬化格柵，根據(jù)它-該金屬化格柵構(gòu)成圖案，它被生成在形成電介質(zhì)支承物的基片上，并且還包括步驟，其要點在于-向卡體提供空腔，-使預切割的基片附著在空腔中，例如通過在壓力下粘結(jié)，以便它與該空腔的形狀相符而且使得金屬化格柵與卡體的表面同高，-使集成電路芯片附著在空腔的底部，在該圖案上，并且形成連接，以及-將保護樹脂沉積在空腔中。
因而，在根據(jù)本發(fā)明的方法的一種實施例中，成形的步驟在使模塊附著在卡的空腔中時被完成。
本發(fā)明的其他特征及優(yōu)點借助通過說明性而非限制性的實例給出并參照附圖的下列描述將顯露出來，該附圖展示-

圖1是在借助按照本發(fā)明方法的電介質(zhì)支承膜的窄條上金屬化的橫截面中的示意圖，-圖2是在借助通過金屬鹽浴結(jié)果得到的非電解沉積的橫截面中的示意圖，-圖3是在來自按照圖2的前面的步驟從窄條所隔離的微模塊熱成形的橫截面中的示意圖，-圖4是在將芯片粘結(jié)在如在圖3中所畫的先前熱成形的支承物上以后的橫截面中的示意圖，-圖5是在芯片與來自按照圖4的粘結(jié)作業(yè)的基片的軌跡之間用導線連接以后的橫截面中的示意圖，-圖6是在按照圖5的微模塊在利用先前所形成的空腔的容積將芯片及接點覆蓋以后的橫截面的示意圖。
在第一個步驟中，用于智能卡微模塊的電介質(zhì)支承膜的窄條1被導致在卷盤2之間對著絲網(wǎng)印刷裝置3通過，并且隨后便利地在曝曬設備4及熱干燥設備5的下面通過。
在第二個步驟中，使窄條1通過本發(fā)明的金屬化浴6，例如如以上所述的用于非電解的金屬化，以便在窄條1上形成被用來形成供具有平貼接觸和/或無接觸的智能卡用的金屬化格柵7。
下一步，空穴借助在高于窄條1的基片的玻璃轉(zhuǎn)變溫度下被熱成形生成，熱成形是在通用的熱成形儀器8中或者在用于微模塊的裝置上，或者最好在轉(zhuǎn)盤2上按卷形式的基片1上，或者可能在直線上。
芯片9隨后被粘結(jié)在這樣被形成的空腔內(nèi)底部。
借助使用連線10在芯片9上的墊片與窄條1所攜帶金屬化格柵7之間接線，芯片9與格柵7被連接。
供智能卡用的微模塊的制作還包含在上述空腔的容積內(nèi)部在適當?shù)臉渲?1中將芯片9及接點覆蓋。
作為選擇方案，可能在通過金屬化浴6與用設備8的熱成形之間，插入金屬電解沉積的步驟(未被示出)，它增加了在為了形成金屬化格柵的窄條1上金屬沉積的厚度。
光刻技術，未被示出，包含在所涉及的技術領域中的技術人員所熟悉的手段，它們的原理已在上面被指出因此它們不需要在這里被評述。
在用于制作完整的智能卡類型的存儲媒體的方法的變更實施例中，微模塊，或者對應于支承沒有芯片的圖案的電介質(zhì)支承膜的部分的基片在將存儲媒體注入過程中被插入媒體的體內(nèi)，為了這樣做，基片被與窄條剩余部分脫離并且被切割到微模塊最后的尺寸。這個基片，根據(jù)情況具有或不具有芯片，然后被夾緊在注模中，為了在注入形成卡體的材料期間將被在那里保持應有的位置，并且給予所需要的密封以使所注入的材料不在模塊與模具之間穿過并且不覆蓋上述的格柵。實際上，這個夾緊能借助空吸或借助靜電的方法實現(xiàn)，形成卡體的材料然后被注入到模具中。
在具有固定內(nèi)核的模具中進行注模的場合，基片取模具在所注入材料的壓力下的形狀。
在具有可移動內(nèi)核的模具中進行注模的場合，首先材料被注入而其次通過使內(nèi)核符合于空腔正好在注入后的尺寸來使得基片變形。
在這個注入作業(yè)的最后，獲得一個被配置有，借助平貼電接觸形成到所需空腔凹凸處的模塊的卡。
按照本發(fā)明的存儲媒體因而具有三維的金屬化格柵。
在變型的實施例中，微模塊的基片還可具有在其厚度中形成的孔眼。這些孔眼的目的在于使密封樹脂能與卡體的材料直接接觸，并因而構(gòu)成使模塊固定在空腔中的點、而且它們使得被俘獲在卡體的空腔與基片之間的任何空氣泡有可能放電。
因而本發(fā)明的另一個目的是供智能卡用的模塊，該卡具有被配置在電介質(zhì)支承膜上的金屬化格柵及被連接到該金屬化格柵并被安排在附著區(qū)域的集成電路，該附著區(qū)域位于低于金屬化格柵面的平面處。
本發(fā)明的另一個目的是供智能卡用的模塊，該卡具有從以鈀為基的用于聚合物基片金屬化的催化材料中特別選定的金屬化接觸劑。
權(quán)利要求
1.用于制造具有平貼接觸或無接觸的智能卡品種的存儲媒體的方法，它包含攜帶金屬化格柵7的支承膜的微模塊，以及被安排在附著區(qū)域中并被連接到該金屬化格柵7的集成電路芯片9，該方法的特征在于它包括按任何順序的步驟，要點是-在微模塊的支承膜1上生成金屬化格柵7，以及-使支承膜1變形以使至少該附著區(qū)域相對于該金屬化格柵面處于較低的平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于它還包括在卷盤上和/或在直線中制作芯片卡的后續(xù)步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于金屬化格柵是由非電解方法生成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其特征在于它包括借助附加的方法，借助絲網(wǎng)印刷、墨滾印刷、膠印、噴墨、使用可彎曲膠版印刷、描圖工具或任何類似的技術，以按照對應于該金屬化格柵表面預定的圖案沉積至少一個金屬化接觸劑的方式，沉積金屬化格柵接觸劑，隨后在接觸劑出現(xiàn)的區(qū)域上，由該接觸劑所催化的至少一種適當?shù)慕饘?，例如Cu、Ni和/或Au，的非電解定位。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于金屬化的接觸劑從被以鈀為基的用于聚合物基片金屬化的催化材料中選定。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于金屬化接觸劑主要由諸如聚氨酯的膜成形劑、使具有適當表面活性的添加劑，諸如聚酯，聚酰胺和/或聚噁唑烷酮、離子的和/或膠狀的貴金屬，或它與有機配合基(ligand)的共價的或絡合的化合物、特別是Cu、Au、Ag、Pt、Pd或Ru的絡合物或無機鹽、有機和/或無機的填充劑以及有機溶劑組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于它包括該接觸劑的活化作用，特別是在紫外(UV)輻射下曝曬以及干燥。
8.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于它包含窄條連續(xù)地、順序地或不連續(xù)地直接或隨后浸入為金屬化所選定的金屬，例如Cu，Ni和/或Au，的鹽浴6中。
9.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于它還包括在支承膜承受上述金屬化的相同區(qū)域上金屬，例如Cu、Ni、Au或Pd，的附加層的電解沉積的后續(xù)步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其特征在于它包括至少一種適當?shù)慕饘?，例如Cu，的非電解沉積，并且通過根據(jù)對應于該金屬化格柵圖象的相減方法，特別是通過光刻法，按照預定的圖案生成敷鍍金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其特征在于首先對待處理的聚合物基片，包含上述電介質(zhì)支承膜，施加至少一種金屬，諸如Cu、Ni或Au，的薄層，最好借助真空沉積技術。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2之一的方法，其特征在于機械切割的金屬格柵被層壓在支承膜上。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于光刻法本身包括步驟-在上述金屬上沉積一層光敏樹脂，-通過掩膜或薄膜曝曬，-樹脂的顯影，-在未被樹脂保護區(qū)域內(nèi)材料的化學蝕刻，以及-除去光敏樹脂。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于，或是在光刻完成之前或是在其后，金屬涂層的電解沉積被實現(xiàn)，特別是Ni+Au，Ni+Pd和/或Ni+Pd+平貼Au的涂層，其中“平貼Au”表示金屬Au薄的沉積。
15.根據(jù)權(quán)利要求1到14的任何一個的方法，其特征在于它還包括以下步驟，要點是在電介質(zhì)支承膜變形以前固定并連接芯片，以及隨后通過用具有凹口的沖壓機將支承膜壓入卡體中的空腔內(nèi)使支承膜變形。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于它包含要點是在支承膜變形后連接芯片的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其特征在于借助沖壓機支承膜被壓入并固定在卡體中預先形成的凹槽或空腔中，隨后在薄膜被固定在凹槽中的同時芯片被連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其特征在于，為了使膜變形，它被放置在適宜的被緊壓住內(nèi)壁的模具的模槽內(nèi)，并且在材料被引入空腔之后，借助頂著沖壓機8的材料壓力或沖壓機的移動使支承膜變形，沖壓機具有與待成形的凹口形狀互補的形狀。
19.包含配置有被電連接到金屬化格柵的輸出墊片10的集成電路芯片9的用于制作微模塊的方法，其特征在于它包括按適當順序的步驟，要點是-在微模塊的支承膜上生成金屬化的格柵，以及-使支承膜變形以便至少芯片的附著區(qū)域相對于金屬化格柵面處于較低的平面，-將集成電路芯片附著在該圖案上并形成連接，-將芯片覆蓋在防護樹脂中，以及-為了在絕緣的支承物上獲得微模塊，切下該圖案以便使它脫離窄條的剩余部分。
20.用于制造具有平貼接觸和/或無接觸的智能卡品種的存儲媒體的方法，其特征在于它包括借助按照權(quán)利要求19的方法制造微模塊，并且為了安排金屬化網(wǎng)格與卡體的表面平貼，將微模塊附著并固定在該卡中的空腔中。
21.用以制造具有平貼接觸和/或無接觸的智能卡品種的存儲媒體的方法，它包含借助按照權(quán)利要求1到16的任何一個的方法所獲得的微模塊，在其中-向卡體提供空腔，-微模塊包括其芯片及其接頭被附著并固定在該空腔中，例如通過在壓力下粘結(jié)，以便微模塊的支承基片與該空腔的形狀相符而且為了金屬化的格柵與卡體的表面同高，以及-保護性樹脂11被沉積在空腔中。
22.用于制造具有平貼接觸和/或無接觸的智能卡品種的存儲媒體的方法，它包含被嵌入卡體中的集成電路芯片9并且芯片被連接到金屬化格柵7-該敷鍍金屬構(gòu)成圖案，它被生成在形成電介質(zhì)支承物的基片上，并且在于它還包括步驟，其要點是-向卡體提供空腔，-使預切割的基片附著并固定在空腔中，例如通過在壓力下粘結(jié)，以便它與該空腔的形狀豐符并且為了金屬化格柵與卡體的表面同高，-將集成電路的芯片附著在空腔的底部，在該圖案上并形成連接，以及-沉積在空腔中保護性樹脂。
23.供智能卡用的模塊借助按照權(quán)利要求19的方法被獲得。
24.根據(jù)權(quán)利要求23供智能卡用的模塊，其特征在于它具有金屬化的接觸劑，特別被從以鈀為基的用于聚合物基片金屬化的催化材料中選定。
25.用于具有被配置在電介質(zhì)支承膜上的金屬化格柵和被連接到該金屬化格柵并被配置在附著區(qū)域上的智能卡模塊的集成電路芯片，其特征在于該附著區(qū)域位于低于金屬化格柵的平面處。
26.智能卡，借助按照權(quán)利要求1-18和20-22的任何一個的方法被獲得。
27.智能卡，包含按照權(quán)利要求25的模塊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于制造諸如芯片卡的存儲介質(zhì)的方法,該存儲介質(zhì)包括一個微模塊,該微模塊包括一個承載金屬化柵極(7)的支承膜(1),和一個連接到該金屬化柵極的集成電路芯片(9)。該方法包括以下步驟:在微模塊的支承膜(1)上生成金屬化格柵(7),以及使支承膜(1)變形以使至少該附著區(qū)域相對于該金屬化格柵面處于較低的平面。
文檔編號G06K19/077GK1370307SQ0081175
公開日2002年9月18日 申請日期2000年5月30日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月17日
發(fā)明者J-C·菲達爾戈, L·多塞托 申請人:格姆普拉斯公司