專利名稱：以錯誤分布的分割表格修補記憶體的架構(gòu)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種修補動態(tài)隨機存取記憶體的架構(gòu)及方法，特別是產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格，且依據(jù)該分割表格編碼出修補位址，而重新指向一個新的重對映位址，使存取動作發(fā)生在重對映位址，以維持動態(tài)存取記憶體運作正常。
過去25年，記憶體(如SDRAM、SSDRAM等)儲存容量的需求已經(jīng)增加了106倍，這是由于一電晶體一電容器儲存格的導(dǎo)論、溝渠電容器及成疊電容器的縮放比例及導(dǎo)論，以及電晶體的縮放比例各項技術(shù)的應(yīng)用，已經(jīng)大幅縮小SDRAM儲存格的大小，允許每一晶片擁有更高的儲存格密度。但不幸的是，伴隨著密度的增加，前述最小化特征的制程費用(processing costs)也跟著急速上升。
具有利潤的SDRAM生產(chǎn)者均知產(chǎn)能是維持利潤的主要因素，因此使得多數(shù)晶圓代工廠(fab)投資許多資金在減少非良品上，或是結(jié)合了所有作業(yè)員、技術(shù)員及工程師不斷地努力去提高良率。在分析最后25年的晶圓代工廠生產(chǎn)量之后，1996年的VLSI研究報告指出，在1991年，一個成熟晶圓代工廠，至少需投資6億至7億美元才能達到約85％的良率(無需整修)。
然而，依據(jù)由半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會1991年出版的″International Technology Roadmapfor Semiconductors in Defect Reduction″所記載對成熟的晶圓代工廠而言，無論如何減少制程/設(shè)備所產(chǎn)生的缺失，最多也只能達成85％～95％的良率，如

圖1所示。
而為降低5％～15％有缺陷的產(chǎn)品的已消耗成本，SDRAM生產(chǎn)者通常再進行修補程序，以期使5％～15％有缺陷的產(chǎn)品能修補為良品提高良率。目前而言，SDRAM生產(chǎn)者慣用的兩種修補方式如下(1)邏輯法如圖2所示，其主要的特征是包含有測試步驟及修補步驟；該測試步驟是測試記憶體100中是否有缺陷儲存格(defected cells)110存在，若發(fā)現(xiàn)有缺陷，則記錄這些缺陷儲存格110的位址；該修補步驟是藉比較器120將測試步驟所儲存的缺陷位址130與CPU傳送的欲存取資料的位址作一比較，若此位址在記錄中，則將此位址重映射(remapping)至修補記憶體140(通常是采用SRAM)，以其中的一儲存格替代測試記憶體發(fā)生缺陷的儲存格，而修補成可正常使用的狀態(tài)。此修補方式的缺點如下1.CPU送出的位址信號，除要提供給測試的記憶體100外，亦需要提供至修補記憶體140，因此位址信號必需要有足夠的扇出(fanout)能力，否則訊號將會誤判。
2.修補的速度慢。因比較器120必須一個接著一個比較，將使系統(tǒng)花費較多時間在修補記憶頁。
3.必需要有一規(guī)模龐大且高性能的比較器120執(zhí)行位址比較，其價錢非常昂貴。
(2)備份容錯法如圖3所示，其主要的特征是在晶圓測試中進行修補，是于記憶體200在晶圓制作的同時制作一備份陣列元件(spare array elements)220，測試時CPU先送行位址230信號(row address)至記憶體200儲存格，等待一適當?shù)难舆t時間(TRCD)后，再送出列位址(column address)，得以對每一個儲存格進行存取測試，一旦發(fā)現(xiàn)缺陷儲存格210，即以雷射修補的方式將備份陣列元件220代替缺陷儲存格210，而修補成可正常使用的狀態(tài)。此修補方式的缺點如下1.只能在晶圓測試中進行修補，一旦晶圓進行切割、封裝后，即無法再利用此法修補。2.每一個顆粒(die)需花費1.5秒時間修補，修補的時間過長。3.增加雷射修補的額外成本。
上述二種現(xiàn)有的慣用修補方法，尤其是備份容錯修補法更造成SDRAM生產(chǎn)者成本的極大負擔，在現(xiàn)實的實施上均非理想的方式。
本發(fā)明的主要目的是提供一個獨一無二的記憶體錯誤修補架構(gòu)及其方法，以便于SDRAM生產(chǎn)者不用放棄那些不可避免的缺陷的產(chǎn)品，更能大幅降低測試與修補的額外成本花費，增加SDRAM生產(chǎn)者的利益。
為達上述目的，本發(fā)明提出一種產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，是于每一次開機或記憶體測試時產(chǎn)生，包括有下列步驟將動態(tài)隨機記憶體以適當大小劃分為多個記憶頁；依據(jù)記憶體錯誤分布的統(tǒng)計資料以4K為一基準，每4K×2n范圍作為切割單位(n為大于或等于1的整數(shù))的記憶頁數(shù)作為分割單位作數(shù)次分割；而對應(yīng)每8K，16K，32K，128K等記憶體的可能錯誤量，設(shè)定可容許錯誤記憶頁數(shù)、安排儲存錯誤記憶頁位址的對應(yīng)記憶體數(shù)及比較器數(shù)量。
另外，本發(fā)明提出一種以產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格修補動態(tài)隨機存取記憶體的方法，包括有下列步驟a.系統(tǒng)開機；b.執(zhí)行測試檢查以發(fā)現(xiàn)錯誤在記憶體晶片中的位址及其分布；c.當錯誤的分布在預(yù)先規(guī)劃的范圍內(nèi)時，則建立一錯誤分布的分割表格；d.當錯誤的分布產(chǎn)生集中在某一范圍時，則建立一錯誤分布的分割表格并設(shè)定位址限制器；e.輸入位址至位址限制器；f.比較器檢查輸入位址是否在不同的位址范圍；g.若無發(fā)現(xiàn)錯誤，則將輸入位址對映至SDRAM，并由此對映位址讀出資料；h.若發(fā)現(xiàn)錯誤，將產(chǎn)生一錯誤致能信號以使系統(tǒng)不會至原輸入位址讀取資料，并且產(chǎn)生一錯誤信號至編碼器；i.該編碼器針對該錯誤信號建立一修補位址；j.修補記憶體依據(jù)該修補位址重新指向一個新的重對映位址；k.將該重對映位址取代原輸入位址；l.資料將從該重對映位址的SDRAM中被讀出。
配合上述方法本發(fā)明提出一種架構(gòu)，其至少包括多個位址限制器，是依據(jù)前述產(chǎn)生的記憶頁錯誤分布的分割表格中，發(fā)現(xiàn)錯誤量超過該分割區(qū)塊限制時，將對該區(qū)塊的記憶體位址限制，以借用其它錯誤率較低的分割區(qū)塊的錯誤限額來彌補該分割區(qū)塊超量的錯誤；多個對應(yīng)記憶體，是用以儲存發(fā)生錯誤的記憶頁位址，其所使用的量是與分割區(qū)塊所允許的錯誤量相對應(yīng)；多個比較器陣列，是比較存取要求的輸入位址與位址限制器篩選后的位址，以判斷是否為不同記憶體位址區(qū)域，而斷定是否有錯誤存在，并產(chǎn)生錯誤信號至編碼器；一編碼器，是接收到錯誤信號后建立一個修補位址對應(yīng)至修補記憶體；一修補記憶體，是將前述應(yīng)編碼獲得需修補的記憶頁位址重新指向一個新的重對映位址，并儲存這些資料；一多工器，是受比較器陣列產(chǎn)生的錯誤致能信號所控制，以使系統(tǒng)選擇原輸入位址或是重對映位址讀取資料。
由于本發(fā)明是以動態(tài)隨機存取記憶體的適當大小的記憶頁作為分割基本區(qū)塊，在每一次開機或記憶體測試時建立記憶頁錯誤分布的分割表格，并設(shè)定該基本范圍可容許發(fā)生錯誤的數(shù)量，當錯誤超過該限定范圍時，能借用其它錯誤率較低的分割區(qū)塊的錯誤限額來彌補該分割區(qū)塊超量的錯誤，以維持動態(tài)存取記憶體運作正常，大幅降低測試與修補的額外成本花費，因此其提供了一個獨一無二的記憶體錯誤修補架構(gòu)及其方法，以便于SDRAM生產(chǎn)者不用放棄那些不可避免的缺陷的產(chǎn)品，增加SDRAM生產(chǎn)者的利益。
圖1顯示目前晶圓代工廠中記憶體的良率統(tǒng)計；圖2顯示記憶體的邏輯修補法的示意圖；圖3顯示記憶體的備份容錯修補法的示意圖；圖4顯示依據(jù)統(tǒng)計學(xué)資料數(shù)據(jù)所獲得的正常記憶體錯誤分布圖；圖5顯示在本發(fā)明的實施例中錯誤分布的分割表格；圖6顯示在本發(fā)明的實施例中記憶體晶片內(nèi)的架構(gòu)示意圖；圖7顯示圖4的錯誤曲線圖從中間向左偏移；圖8顯示本發(fā)明的流程圖。
為詳細揭露本發(fā)明，以下舉一實施例配合圖式作詳細說明。由實驗得知，記憶體錯誤分布像高斯分布，如圖4所示，根據(jù)統(tǒng)計學(xué)資料，我們可以推論每8K，16K，32K，128K等記憶體的錯誤量，以便于我們在建立錯誤的分割表格(Slicing Table ofFault Distribution)時，不會高估或低估缺陷記憶頁的數(shù)量，使所有資源均可能必須有效的使用。本發(fā)明是利用上述的實驗值將內(nèi)建在記憶體晶片內(nèi)，當系統(tǒng)開機和SDRAM記憶頁被檢查時，將幫助建立一記憶體錯誤分布的分割表格，即建立記憶體錯誤分布的分割表格是一種即時的運作。
假設(shè)一2G SDRAM，其每一個記憶頁為4K Bytes，總共有512K記憶頁，且已知2G SDRAM所有缺陷記憶頁的統(tǒng)計資料，及在正常條件下對于每8K、16K、32K、128K的缺陷記憶頁的數(shù)量，基于這些數(shù)據(jù)可建立一錯誤分布的分割表，它將直接填入對應(yīng)的記憶體總數(shù)和相對應(yīng)的比較器，除修補記憶體的大小的外，儲存對缺陷的記憶頁(儲存格)重映射的位址。
理想中，更多的比較器能同時執(zhí)行以使缺陷頁被被快速的發(fā)現(xiàn)及修補；然而，額外的相關(guān)記憶體(其可為SRAM)及比較器是要求更高花費，所以在應(yīng)濟考量上，將不會使用超過16個相關(guān)記憶體和比較器。
圖5顯示在本發(fā)明的實施例中錯誤分布的分割表格的詳細內(nèi)容依據(jù)記憶體錯誤分布的統(tǒng)計資料以4K為一基準，每4K×2n范圍作為切割單位(n為大于或等于1的整數(shù))的記憶頁數(shù)作為分割單位作數(shù)次分割，即在本實施例中是分別以每8K、每16K、每32K、每128K為切割范圍作數(shù)次切割，當然這些范圍是可依據(jù)設(shè)計者針對實際應(yīng)用時而加以訂定。在這些切割的范圍中，而每一個切割范圍中可容許錯誤記憶頁數(shù)、安排儲存錯誤記憶頁位址的對應(yīng)記憶體數(shù)及比較器數(shù)量設(shè)定如下1.在每8K個記憶頁中容許2個錯誤記憶頁(儲存格)，并且安排2個對應(yīng)的記憶體儲存在8K個記憶頁范圍內(nèi)所發(fā)現(xiàn)的錯誤記憶頁位址，和2個對應(yīng)的比較器在8K記憶頁中所尋找符合的位址。
2.在每16K個記憶頁中容許2個錯誤記憶頁(儲存格)，并且安排2個對應(yīng)的記憶體儲存在16K個記憶頁范圍內(nèi)所發(fā)現(xiàn)的錯誤記憶頁位址，和2個對應(yīng)的比較器在16K記憶頁中所尋找符合的位址。
3.在每32K個記憶頁中容許2個錯誤記憶頁(儲存格)，并且安排2個對應(yīng)的記憶體儲存在32K個記憶頁范圍內(nèi)所發(fā)現(xiàn)的錯誤記憶頁位址，和2個對應(yīng)的比較器在32K記憶頁中所尋找符合的位址。
4.在每128K個記憶頁中容許4個錯誤記憶頁(儲存格)，并且安排4個對應(yīng)的記憶體儲存在128K個記憶頁范圍內(nèi)所發(fā)現(xiàn)的錯誤記憶頁位址，和4個對應(yīng)的比較器在128K記憶頁中所尋找符合的位址。
因此以一2G SDRAM而言，每一記憶頁為4K，將共用512K記憶頁數(shù)量。若以8K記憶頁(即以2個4K記憶頁)為切割單位，總共可切割出64個8K記憶頁，而每8K記憶頁可允許2個錯誤頁存在，因此在此切割范圍下總共可允許128個錯誤頁存在。
若再以16K記憶頁(即以4個4K記憶頁)為切割單位，總共可切割出32個16K記憶頁，而每16K記憶頁可再額外允許2個錯誤頁存在，因此在此切割范圍下總共可再額外允許64個錯誤頁存在。
若再以32K記憶頁(即以8個4K記憶頁)為切割單位，總共可切割出16個32K記憶頁，而每32K記憶頁可再額外允許2個錯誤頁存在，因此在此切割范圍下總共可再額外允許32個錯誤頁存在。
若以128K記憶頁(即以32個4K記憶頁)為切割單位，總共可切割出4個128K記憶頁，而每16K記憶頁可再額外允許4個錯誤頁存在，因此在此切割范圍下總共可再額外允許16個錯誤頁存在。
綜上述，一2G SDRAM總共可以允許有240個錯誤記憶頁存在(128+64+32+16＝240)。
以下以一記憶體晶片內(nèi)的實際作業(yè)(從位址進入至位址輸出)為例說明，如圖6所示，記憶體晶片內(nèi)的架構(gòu)包括有數(shù)個位址限制器(Address Limiter)310、數(shù)個對應(yīng)記憶體(associate memory)320、數(shù)個比較器陣列(compartor array)330、編碼器(encoder)340、修補記憶體(repair memory)350及多工器(multiplexer)360；分述如下位址限制器310是依據(jù)對錯誤分布的分割表格中，發(fā)現(xiàn)錯誤量超過該分割區(qū)塊限制時，將對該區(qū)塊的記憶體位址限制，以借用其它錯誤率較低的分割區(qū)塊的錯誤限額來彌補該分割區(qū)塊超量的錯誤。圖4所示是依據(jù)統(tǒng)計學(xué)資料數(shù)據(jù)所獲得的正常記憶體錯誤分布區(qū)域，然而當SDRAM在其較低的位址范圍有較高、較嚴重的錯誤比率時，其錯誤曲線圖將從中間向左偏移而如圖7所示，在較低的位址范圍的實際錯誤頁(儲存格)數(shù)量將超過切割分布區(qū)域所容許的錯誤數(shù)目。
以圖7所示的范例中，有將近10個的最大的錯誤頁數(shù)量落在32K個記憶頁的范圍內(nèi)。但依切割分布區(qū)域所容許的錯誤是每8K有2個錯誤，每16K有4個錯誤，每32K有6個錯誤，每128K有10個錯誤。為了覆蓋這些額外錯誤頁，我們將必須″借助″于128K的限額。盡管可以安排錯誤容許分布區(qū)域，但總?cè)菰S錯誤的數(shù)量是不變的。換言之，如果某個區(qū)域超過該區(qū)域的錯誤限額，在錯誤總數(shù)不變的情沉下，即必須犧牲其他區(qū)域可容許錯誤限額來彌補這個特殊區(qū)域，這就是所謂的記憶體位址限制。當系統(tǒng)開機時，記憶體應(yīng)過測試檢查后，系統(tǒng)將發(fā)現(xiàn)發(fā)生最大錯誤數(shù)量的記憶體位址區(qū)塊，為了靈活使用錯誤覆蓋限額于每個區(qū)塊，將犧牲幾個區(qū)域的錯誤限額來彌補那超額的區(qū)域。
對應(yīng)記憶體320用以儲存發(fā)生錯誤的記憶頁位址，其所使用的量是與分割區(qū)塊所允許的錯誤量相對應(yīng)，如圖5所示，一個2G bit(～231 bit)SDRAM(位址A30A0)，每一記憶頁為4K(～212 bit)(位址A11A0)，即共有512K(219)個記憶頁(位址A30A12)。依據(jù)圖5的錯誤分布的分割表格，每8K個記憶頁(32M size)容許2個錯誤記憶頁(儲存格)，并安排2個對應(yīng)記憶體去存放錯誤記憶頁的位址，同樣的，每16K、32K、128個記憶頁是分別額外增加2個、2個及4個對應(yīng)記憶體去存放錯誤記憶頁的位址。而我們須要增加1位元來確認是否有無缺陷(如果該位元值為″0″表示沒有缺陷；為″1″表示有缺陷)，所以對8K(225size)記憶體范圍而言，每一個對應(yīng)記憶體的大小應(yīng)為(2G/32M)×(位移位址+1)bit。于此該位移位址(address offset)是(A30A25)。
比較器陣列330是比較存取要求的輸入位址380、位址限制器310篩選后的位址及對應(yīng)記憶體320的輸出位址，以判斷是否為不同記憶體位址區(qū)域，而斷定是否有錯誤存在。當SDRAM存取要求的輸入位址380進入記憶體晶片時，該位址將會先被記憶體位址限制器310所篩選。經(jīng)過篩選通過后，輸入位址380及對應(yīng)記憶體320的輸出位址將會同時被比較器330檢查是否為不同記憶體位址區(qū)域。此比較動作將會產(chǎn)生延遲(delay)，但在比較的同時記憶體將進行其正常運作，因此不會有任何效能損失。如果沒有缺陷頁被發(fā)現(xiàn)，其位址將仍然依正常程序進行資料存??；如有缺陷頁會發(fā)現(xiàn)，將有一錯誤信號會被送至編碼器340。
編碼器340在編碼器340接收到錯誤信號后，將會建立一個修補位址對應(yīng)至修補記憶體350，該修補記憶體350包含了重對映位址的資訊。修補位址是以被特殊的編碼方法所建立，它將包含2種資料一是從那一個記憶頁范圍所被允許的錯誤，另一是輸入位址的部份。
修補記憶體350修補記憶體350將前述應(yīng)編碼獲得需修補的記憶頁位址重新指向一個新的重對映位址，并儲存這些資料。至于修補記憶體350的大小應(yīng)取決于修補位址的長度和切割分布區(qū)域的錯誤頁容許限額。
多工器360是受比較器陣列330產(chǎn)生的錯誤致能信號所控制，以使系統(tǒng)選擇原輸入位址或是重對映位址讀取資料。
本發(fā)明的流程如圖8所示，包括下列步驟系統(tǒng)開機(如步驟401)后，執(zhí)行測試檢查以發(fā)現(xiàn)錯誤在記憶體晶片中的位址及其分布(如步驟402)；當錯誤的分布在預(yù)先規(guī)劃的范圍內(nèi)時，則建立一錯誤分布的分割表格(如步驟403)；當錯誤的分布產(chǎn)生集中在某一范圍時，則建立一錯誤分布的分割表格并設(shè)定位址限制器310(如步驟404)，然后記憶體控制器輸入位址至位址限制器310(如步驟405)，接著比較器陣列330依據(jù)錯誤分布的分割表格，檢查輸入位址380是否在不同的位址范圍(如步驟406)；若無發(fā)現(xiàn)錯誤，則將輸入位址380對映至SDRAM，并由此對映位址讀出資料(如步驟407)；若發(fā)現(xiàn)錯誤，將產(chǎn)生一錯誤致能信號至多工器360，隔離SDRAM及原輸入位址，以使系統(tǒng)不會至原輸入位址讀取資料，并且產(chǎn)生一錯誤信號至編碼器340(如步驟408)，于是編碼器340針對錯誤建立一修補位址(如步驟409)，且修補記憶體350依據(jù)修補位址重新指向一個新的重對映位址(如步驟410)，同時將重對映位址取代原輸入位址(如步驟411)，最后資料將從重對映位址的SDRAM中被讀出(如步驟412)。
綜上所述，本發(fā)明所提供的一種以產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格修補動態(tài)隨機存取記憶體的架構(gòu)及方法，可使SDRAM生產(chǎn)者不用放棄那些不可避免的缺陷的產(chǎn)品，更能大幅降低測試與修補的額外成本花費，增加SDRAM生產(chǎn)者的利益，故已符合專利法發(fā)明的要件，依法提出申請，請審查員詳細審查，并祈早日批準專利。
以上已將本發(fā)明作一詳細說明，以上所述，不能限定本發(fā)明實施的范圍。對熟悉該項技術(shù)的人士，當可對其進行各種等效的變化，均應(yīng)包括在本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，是于每一次開機或記憶體測試時產(chǎn)生，其特征在于包括有下列步驟a.將記憶體以適當大小劃分為多個記憶頁；b.依據(jù)記憶體錯誤分布的統(tǒng)計資料對應(yīng)每4K×2n范圍的可能錯誤量；c.以對應(yīng)于上述的記憶頁范圍作為分割單位作多次分割；d.設(shè)定可容許錯誤記憶頁數(shù)、安排儲存錯誤記憶頁位址的對應(yīng)記憶體數(shù)及比較器數(shù)量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，其特征在于步驟b中，n為大于或等于1的整數(shù)，即以8K、16K、32K、64K、128K等范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，其特征在于步驟c以n為1時，是以每8K個記憶頁為切割單位，則步驟d設(shè)定容許2個錯誤記憶頁存在，安排有2個對應(yīng)記憶體及2個比較器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，其特征在于步驟c以n為2時，是以每16K個記憶頁為切割單位，則步驟d設(shè)定容許2個錯誤記憶頁存在，安排有2個對應(yīng)記憶體及2個比較器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，其特征在于步驟c以n為3時，是以每32K個記憶頁為切割單位，則步驟d設(shè)定容許2個錯誤記憶頁存在，安排有2個對應(yīng)記憶體及2個比較器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，其特征在于步驟c以n為5時，是以每128K個記憶頁為切割單位，則步驟d設(shè)定容許4個錯誤記憶頁存在，安排有4個對應(yīng)記憶體及4個比較器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，其特征在于該記憶頁錯誤分布的分割表格是內(nèi)建在記憶體晶片內(nèi)。
8.一種以產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格修補動態(tài)隨機存取記憶體的架構(gòu)，包括有多個位址限制器，是在記憶頁錯誤分布的分割表格中，發(fā)現(xiàn)錯誤量超過該分割區(qū)塊限制時，將對該區(qū)塊的記憶體位址限制，以借用其它錯誤率較低的分割區(qū)塊的錯誤限額來彌補該分割區(qū)塊超量的錯誤；多個對應(yīng)記憶體，是用以儲存發(fā)生錯誤的記憶頁位址，其所使用的量是與分割區(qū)塊所允許的錯誤量相對應(yīng)；多個比較器陣列，是比較存取要求的輸入位址與位址限制器篩選后的位址，以判斷是否為不同記憶體位址區(qū)域，而斷定是否有錯誤存在，并產(chǎn)生錯誤信號至編碼器；編碼器，是接收到錯誤信號后建立一個修補位址對應(yīng)至修補記憶體；修補記憶體，是將前述應(yīng)編碼獲得需修補的記憶頁位址重新指向一個新的重對映位址，并儲存這些資料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，其特征在于其還包括一多工器，是受比較器陣列產(chǎn)生的錯誤致能信號所控制，以使系統(tǒng)選擇原輸入位址或是重對映位址讀取資料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格的方法，其特征在于該修補位址包括位址位元及一確認位元。
11.一種以產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格修補動態(tài)隨機存取記憶體的方法，包括有下列步驟a.系統(tǒng)開機；b.執(zhí)行測試檢查以發(fā)現(xiàn)錯誤在記憶體晶片中的位址及其分布；c.當錯誤的分布在預(yù)先規(guī)劃的范圍內(nèi)時，則建立一錯誤分布的分割表格；d.當錯誤的分布產(chǎn)生集中在某一范圍時，則建立一錯誤分布的分割表格并設(shè)定位址限制器；e.輸入位址至位址限制器；f.比較器檢查輸入位址是否在不同的位址范圍；g.若無發(fā)現(xiàn)錯誤，則將輸入位址對映至記憶體，并由此對映位址讀出資料；h.若發(fā)現(xiàn)錯誤，將產(chǎn)生一錯誤致能信號以使系統(tǒng)不會至原輸入位址讀取資料，并且產(chǎn)生一錯誤信號至編碼器；i.該編碼器針對該錯誤信號建立一修補位址；j.修補記憶體依據(jù)該修補位址重新指向一個新的重對映位址；k.將該重對映位址取代原輸入位址；l.資料將從該重對映位址的記憶體中被讀出。
全文摘要
本發(fā)明以產(chǎn)生記憶頁錯誤分布的分割表格修補動態(tài)隨機存取記憶體的架構(gòu)及方法,主要是以動態(tài)隨機存取記憶體的適當大小的記憶頁作為分割基本區(qū)塊,在每一次開機或記憶體測試時建立記憶頁錯誤分布的分割表格,并設(shè)定該基本范圍可容許發(fā)生錯誤的數(shù)量,當錯誤超過該限定范圍時,能借用其它錯誤率較低的分割區(qū)塊的錯誤限額來彌補該分割區(qū)塊超量的錯誤,以維持動態(tài)存取記憶體運作正常,大幅降低測試與修補的額外成本花費。
文檔編號G06F11/07GK1380605SQ0111046
公開日2002年11月20日 申請日期2001年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月11日
發(fā)明者后健慈, 徐秀榮 申請人:英屬維京群島蓋內(nèi)蒂克瓦耳有限公司