專利名稱：動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器功能測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器功能測試方法。
背景技術(shù)：
目前，單板上的CPU最小系統(tǒng)一般都包括中央處理單元CPU、電可擦寫存儲(chǔ)器FLASH(BOOTROM)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器SDRAM等器件，如圖1所示，其中CPU是單板的核心，用來執(zhí)行單板軟件指定的各項(xiàng)操作。FLASH是一種電可擦除的存儲(chǔ)器，即使單板掉電，保存在其中的程序或數(shù)據(jù)也是不會(huì)丟失的。CPU可以方便地讀出FLASH中的內(nèi)容，但只有在特定的情況下才可以對其進(jìn)行擦除和寫入操作。SDRAM是一種動(dòng)態(tài)的存儲(chǔ)器，單板掉電以后，保存在其中的程序或數(shù)據(jù)就會(huì)丟失，CPU可以很方便地對SDRAM進(jìn)行讀寫操作。這兩種存儲(chǔ)器本身的特點(diǎn)決定了CPU對FLASH中的數(shù)據(jù)讀寫較慢，而對SDRAM中的數(shù)據(jù)讀寫較快。所以一般都是將單板軟件保存在FLASH中，單板上電進(jìn)行必要的初始化以后，便將FLASH中的程序和數(shù)據(jù)搬移到SDRAM中來運(yùn)行，這樣可以保證單板的運(yùn)行速度較快。SDRAM在單板上的作用是相當(dāng)重要的，因此有必要對其進(jìn)行全面的測試。
目前進(jìn)行SDRAM測試的方法如下一、單板啟動(dòng)進(jìn)行完一些必要的初始化及自檢以后，直接在FLASH(或其它的ROM)中運(yùn)行測試程序，對單板上所有的SDRAM的數(shù)據(jù)線、地址線及單元進(jìn)行全面的測試。如果測試不通過，則通過點(diǎn)燈或其它方式上報(bào)錯(cuò)誤信息。如果測試通過，則將FLASH(或其它的ROM)中的程序搬移到SDRAM中，然后進(jìn)行其它的操作。
二、單板啟動(dòng)進(jìn)行完一些必要的初始化及自檢以后，直接在FLASH(或其它的ROM)中運(yùn)行測試程序，對單板上一小部分SDRAM的數(shù)據(jù)線、地址線及單元進(jìn)行全面的測試。如果測試不通過，則通過點(diǎn)燈或其它方式上報(bào)錯(cuò)誤信息。如果測試通過，則將FLASH(或其它的ROM)中的程序搬移到已測試過的SDRAM中，然后再根據(jù)實(shí)際的需求(可能是測試命令)來決定是否需要對其它的SDRAM進(jìn)行測試。
因?yàn)闇y試程序直接在FLASH(或其它的ROM)中運(yùn)行，所以速度較慢。為了提高測試速度和測試代碼的效率，上述測試程序一般要用匯編語言進(jìn)行編寫，對開發(fā)人員的要求相對較高。
另外，單板一般都是在程序搬移到SDRAM中以后才對單板的串口或網(wǎng)口進(jìn)行初始化，在使用目前的方法調(diào)試SDRAM的測試程序時(shí)串口和網(wǎng)口都還沒有初始化，不方便輸出詳細(xì)的調(diào)試信息，只能通過點(diǎn)燈或其它簡單的方式來輸出調(diào)試信息，因此調(diào)試相對較困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為了解決以上問題，提供一種動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器功能測試方法，提高測試速度。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器功能測試方法，其特征是對其分段進(jìn)行測試，其步驟如下1)將存儲(chǔ)于電可擦除存儲(chǔ)器中的程序，其中包含測試程序，搬移到動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中；2)搬移完成后，先測試所有程序都未使用到的一段動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，測試完成以后如果發(fā)現(xiàn)該段有問題，則上報(bào)出錯(cuò)信息；3)如果該段沒有問題，將測試程序搬移到該段已測試過的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的某個(gè)特定位置，并將已使用但待測試的一段動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的內(nèi)容搬移到該段已測試過的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中保存起來，然后調(diào)用測試程序?qū)@段待測試的存儲(chǔ)器進(jìn)行測試，測試完成以后，將測試前就已經(jīng)保存起來的內(nèi)容恢復(fù)；4)重復(fù)第3)步，對另一段已使用但待測試的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行測試，直到測完所有各段；在測試過程中如果發(fā)現(xiàn)問題，則上報(bào)出錯(cuò)信息，中斷測試。
由于采用了以上的方案，將測試程序搬移到動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器以后才運(yùn)行，利用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器運(yùn)行速度快的優(yōu)點(diǎn)，大大提高了測試速度。由于在測試每一段已使用的內(nèi)存以前都對其中的內(nèi)容進(jìn)行了保存，在測試完成以后，又進(jìn)行了恢復(fù)，所以程序一直可以正常運(yùn)行。測試速度提高后，對測試程序代碼的效率要求自然就降低了，這樣也就不必再采用匯編語言，用普通的高級語言(如C語言)也就可以了，大大方便了編程。


圖1是單板上CPU最小系統(tǒng)示意圖。
圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖。
圖3是各段的測試流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面通過具體的實(shí)施例并結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
圖1所示電路常見于各種產(chǎn)品的各類單板，它是CPU最小系統(tǒng)的一部分，這是一種非常一般的設(shè)計(jì)方法。對于不同的單板，CPU種類，SDRAM的型號及容量可能不同。這部分電路在單板上的重要性是顯而易見的，因此在單板出廠前必須對該部分電路進(jìn)行全面的測試。
一般來說，單板軟件都保存在FLASH(或其它的ROM)中，如果不把程序搬移到SDRAM中，而直接運(yùn)行FLASH中(或其它的ROM)的測試程序?qū)DRAM進(jìn)行全面的測試，測試時(shí)間可能會(huì)比較長。例如，我們在試驗(yàn)的過程中發(fā)現(xiàn)直接從FLASH中運(yùn)行程序測試32M SDRAM需要一分多鐘，而使用同樣的測試方法，將代碼搬移到SDRAM中再運(yùn)行測試程序測試32M SDRAM則只需要十多秒。在硬件環(huán)境完全相同的情況下，測試時(shí)間主要是由每個(gè)單元進(jìn)行讀寫的次數(shù)來決定的，但是在使用同樣的測試方法的時(shí)候，將代碼搬移到SDRAM中再運(yùn)行與直接在FLASH中運(yùn)行相比在測試效率方面具有非常明顯的優(yōu)勢。將單板初始化程序及測試程序搬移到SDRAM中以后，由于測試程序占用了SDRAM的某些單元，使我們不方便對SDRAM的所有單元進(jìn)行全面的測試。這就是為什么現(xiàn)有技術(shù)具有上述缺點(diǎn)的原因。
其實(shí)這里測試SDRAM單元的方法就是對其分段進(jìn)行測試。將程序搬移到SDRAM之后，先測試單板初始化程序及其它程序(包括測試程序)都未使用到的高端的SDRAM單元，測試完成以后如果發(fā)現(xiàn)高端的SDRAM有問題，則上報(bào)出錯(cuò)的信息，包括出錯(cuò)的單元地址、寫入的數(shù)據(jù)、讀到的數(shù)據(jù)，這樣很容易找出存在故障的數(shù)據(jù)線、地址線或芯片，便于生產(chǎn)維修。如果高端的SDRAM沒有問題，則對低端的SDRAM分段，每段依次進(jìn)行″保存數(shù)據(jù)(程序)到高端的內(nèi)存中(搬移)--測試低端內(nèi)存(測試)--將數(shù)據(jù)(程序)恢復(fù)到測試前的狀態(tài)(恢復(fù))″，在這個(gè)過程中只要測試發(fā)現(xiàn)異常，便上報(bào)出錯(cuò)信息，退出SDRAM的測試程序。SDRAM電路的基本測試流程如圖2所示(流程圖是以32M SDRAM測試為例畫的，僅作為一個(gè)實(shí)例)。
圖3所示是在每段內(nèi)的測試流程。其中所用的算法分為走步″1″算法(WALK-1)和走步″0″(WALK-0)算法兩種，兩種算法最好同時(shí)采用，當(dāng)然也可以單獨(dú)采用其中一種。該測試數(shù)據(jù)線和地址線的方法也可以用來測試郵箱和FLASH電路。
走步″1″算法的初始測試矢量為1，0，0，...，0。然后讓1順序移位，所以稱為走步″1″算法。這種算法的測試矢量個(gè)數(shù)為n。例如n＝7的時(shí)候，則測試矢量為1000000010000000100000001000000010000000100000001對存儲(chǔ)器外圍互連測試而言就是執(zhí)行7次讀寫操作。走步″1″算法能夠?qū)收线M(jìn)行精確的定位。
走步″0″算法與走步″1″算法互補(bǔ)，它的初始測試矢量為0，1，1，...，1。然后讓0順序移位，所以稱為走步″0″算法。這種算法的測試矢量個(gè)數(shù)也為n。例如n＝7的時(shí)候，則測試矢量為0111111101111111011111110111111101111111011111110
對存儲(chǔ)器互連線測試而言就是執(zhí)行7次讀寫操作。走步″0″算法也能夠?qū)收线M(jìn)行精確的定位。
理論上來說走步″1″、走步″0″應(yīng)該是沒有區(qū)別的，因此二者可以任選一種。如對于那種數(shù)據(jù)線、地址線的常低和常高的故障，用走步″1″的方法很容易查出來。但是有時(shí)也有例外，例如，在臨界狀態(tài)的軟故障(例如故障的數(shù)據(jù)線的對地電阻約為30多歐姆時(shí))，可能用走步″1″的方法測不出故障，而用走步″0″卻可以測出故障；反之也有可能。由于多進(jìn)行一次走步測試，只多進(jìn)行幾十次寫入、讀出操作，也浪費(fèi)不了多少時(shí)間，因此建議在測試時(shí)將走步″1″和走步″0″的方法同時(shí)進(jìn)行，以保證數(shù)據(jù)線、地址線的測試質(zhì)量。
該測試方法對被測SDRAM的每個(gè)單元都進(jìn)行了寫入、讀出比較的操作，對于一般的應(yīng)用來說應(yīng)該是比較完備和可靠的。由于該測試方法比較簡單，對于測試一般的SDRAM單元故障，經(jīng)試用這種方法取得了較好的效果，例如測試32M SDRAM的時(shí)間大約為10多秒，本方法在生產(chǎn)測試中幫助我們發(fā)現(xiàn)了不少的SDRAM單元故障。
在使用本方法時(shí)要注意程序中的某些數(shù)據(jù)應(yīng)該根據(jù)所測試的SDRAM的大小來決定，而且上面提供的方法應(yīng)該靈活應(yīng)用，比如分段測試時(shí)每一個(gè)″段″取多大，等等。下面的例子可以幫助讀者理解″段″的選取在某產(chǎn)品的一種單板上有16M SDRAM，在程序搬移后，可能在第9、10M的內(nèi)存空間中有有用的信息，我們?nèi)绻捎帽景l(fā)明的方法時(shí)先測試高8M，再分兩次(4M、4M)測試低8M，程序就有可能在調(diào)試時(shí)跑飛(出錯(cuò)、溢出)，因?yàn)樵跍y試高8M時(shí)將其中第9、10M的內(nèi)存空間中的有用信息破壞掉了。但如果采用先測試高6M，再分三次(3M、3M、4M)測試低10M的方法就將問題解決了；或者稍微調(diào)整一下，分兩次(5M、5M)也可以將問題解決。
當(dāng)然，″段″的選取順序也不一定是嚴(yán)格從高端到低端依次選取，只要最先被選擇的″段″內(nèi)沒有程序數(shù)據(jù)、并且測試能遍歷所有的SDRAM單元即可。
總之，由于測試程序在搬移到SDRAM中再運(yùn)行，速度較快。速度的加快使得對程序效率的要求降低，從而可以利用高級語言進(jìn)行程序編寫，如測試程序直接用C語言編寫，對開發(fā)人員要求較低。另外，它是在串口或網(wǎng)口初始化以后再進(jìn)行測試，很容易輸出各種調(diào)試信息，調(diào)試起來非常方便。本發(fā)明已經(jīng)成功地應(yīng)用在好幾種產(chǎn)品的單板功能測試中，經(jīng)過了較長時(shí)間和大批量單板的驗(yàn)證，效果非常好。
權(quán)利要求
1.一種動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器功能測試方法，其特征是對其分段進(jìn)行測試，其步驟如下1)將存儲(chǔ)于電可擦除存儲(chǔ)器中的程序，其中包含測試程序，搬移到動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中；2)搬移完成后，先測試所有程序都未使用到的一段動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，測試完成以后如果發(fā)現(xiàn)該段有問題，則上報(bào)出錯(cuò)信息，中斷測試；3)如果該段沒有問題，將測試程序搬移到該段已測試過的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的某個(gè)特定位置，并將已使用但待測試的一段動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的內(nèi)容搬移到該段已測試過的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中保存起來，然后調(diào)用測試程序?qū)@段待測試的存儲(chǔ)器進(jìn)行測試，測試完成以后，將測試前就已經(jīng)保存起來的內(nèi)容恢復(fù)；4)重復(fù)第3)步，對另一段已使用但待測試的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行測試，直到測完所有各段；在測試過程中如果發(fā)現(xiàn)問題，則上報(bào)出錯(cuò)信息，中斷測試。
2.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器功能測試方法，其特征是在搬移程序時(shí)，將電可擦寫存儲(chǔ)器中的所有程序隨測試程序一同搬移，搬移后所有程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的低端；分段測試時(shí)是依照從高端向低端的順序進(jìn)行測試-搬移-測試-恢復(fù)-搬移-測試-恢復(fù)，直到完成所有段的測試。
3.如權(quán)利要求1或2所述的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器功能測試方法，其特征是在每段測試時(shí)，用走步″1″算法和走步″0″算法中的一種或兩種進(jìn)行數(shù)據(jù)線、地址線測試。
4.如權(quán)利要求1或2所述的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器功能測試方法，其特征是在串口或網(wǎng)口初始化以后再進(jìn)行測試，以便于進(jìn)行程序調(diào)試和上報(bào)測試結(jié)果。
全文摘要
本發(fā)明公開一種動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的功能測試方法，其特征是對其分段進(jìn)行測試，將存儲(chǔ)于電可擦除存儲(chǔ)器中的程序(其中包含測試程序)搬移到動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中，然后對存儲(chǔ)器分段進(jìn)行測試－搬移－測試－恢復(fù)－搬移－測試－恢復(fù)，直到完成所有段的測試，在測試過程中如果發(fā)現(xiàn)問題，則上報(bào)出錯(cuò)信息，中斷測試。由于在測試每一段已使用的內(nèi)存以前都對其中的內(nèi)容進(jìn)行了保存，在測試完成以后，又進(jìn)行了恢復(fù)，所以程序一直可以正常運(yùn)行。本發(fā)明利用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器運(yùn)行速度快的優(yōu)點(diǎn)，大大提高了測試速度，從而對測試程序代碼的效率要求就降低了，這樣也就不必再采用匯編語言，用普通的高級語言也就可以了，大大方便了編程調(diào)試。
文檔編號G06F11/22GK1417682SQ01140560
公開日2003年5月14日 申請日期2001年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月6日
發(fā)明者胡勇, 朱星海 申請人:華為技術(shù)有限公司