專利名稱：放大器調(diào)制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無線射頻系統(tǒng)，更具體的，本發(fā)明涉及無線射頻系統(tǒng)中的放大器調(diào)制。
背景無線射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)已被廣泛地用于幾乎每個(gè)行業(yè)，包括交通、制造、廢物管理、郵件跟蹤、航空行李核對系統(tǒng)和高速公路收費(fèi)管理。RFID技術(shù)的一個(gè)普通應(yīng)用是用在防止入店偷竊或非未經(jīng)授權(quán)就移除商品的電子商品監(jiān)視(EAS)系統(tǒng)中。具體地，EAS系統(tǒng)可用來檢測經(jīng)過激勵(lì)場的EAS標(biāo)記(標(biāo)簽)的存在。零售點(diǎn)、圖書館、音像店等利用RFID技術(shù)結(jié)合EAS系統(tǒng)來協(xié)助進(jìn)行資產(chǎn)管理、組織和存貨跟蹤。
典型的RFID系統(tǒng)包括RFID標(biāo)簽、RFID閱讀器和計(jì)算裝置。RFID閱讀器包括可傳送能量或信息給標(biāo)簽的發(fā)送器、從標(biāo)簽接收身份和其它信息的接收器。計(jì)算裝置處理RFID閱讀器得到的信息。通常，接收到的來自標(biāo)簽的信息對特定的應(yīng)用是明確的，但該信息也常常提供標(biāo)簽所附物品的識(shí)別標(biāo)識(shí)，它可以是制成品、車輛、動(dòng)物或個(gè)體，或幾乎其它任何有形的物品。也可提供該物品的其它數(shù)據(jù)。在制造過程中，標(biāo)簽可用于，如指示制造過程中汽車底盤的油漆顏色和其它有用的信息。
發(fā)送器輸出無線射頻(RF)信號(hào)產(chǎn)生激勵(lì)場，標(biāo)簽由此得到功率使得之能夠返回?cái)y帶信息的無線射頻信號(hào)。標(biāo)簽使用預(yù)定義的協(xié)議進(jìn)行通信，使得RFID閱讀器能并行地或基本上同時(shí)地接收來自多標(biāo)簽的信息。計(jì)算裝置作為信息管理系統(tǒng)而使用，接收來自RFID閱讀器的信息并進(jìn)行一些動(dòng)作，如更新數(shù)據(jù)庫或發(fā)出警報(bào)。另外，計(jì)算裝置也作為用于經(jīng)由發(fā)送器把數(shù)據(jù)編程進(jìn)標(biāo)簽的一種裝置。
為了傳送數(shù)據(jù)，發(fā)送器和標(biāo)簽根據(jù)各種調(diào)制技術(shù)，包括振幅調(diào)制(AM)、相位調(diào)制(PM)、頻率調(diào)制(FM)、頻移鍵控(FSK)、脈沖位置調(diào)制(PPM)、脈沖寬度調(diào)制(PDM)和連續(xù)波調(diào)制(CW)，來調(diào)制載波。具體地，發(fā)送器利用放大器，典型為A類或A/B放大器來驅(qū)動(dòng)帶有已調(diào)制輸出信號(hào)的天線。放大器需要，例如10瓦特的功率來產(chǎn)生只有一瓦特功率的無線射頻信號(hào)。換句話說，傳統(tǒng)的閱讀器消耗超過9瓦特的功率來產(chǎn)生一瓦特的輸出，導(dǎo)致只有大約10％的功效。這種放大器的散熱要求和功率消耗不太適合很多的應(yīng)用，包括那些要求低成本的手持RF閱讀器。因此，雖然傳統(tǒng)的手持閱讀器有諸如100毫瓦等更小的功率輸出，但它已經(jīng)限制了通信范圍并有著相似的功率無效性。
摘要總體而言，本發(fā)明涉及用于無線射頻識(shí)別(RFID)應(yīng)用的有效放大器。具體來說，本發(fā)明提供高效的放大器，只要很少的功率卻有顯著的調(diào)制帶寬從而得到高數(shù)據(jù)通信速率。該放大器集成E類放大器的許多元件，而克服此種放大器中典型存在的帶寬限制和其它限制。
在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明旨在提供用于產(chǎn)生調(diào)幅RF信號(hào)來與RFID標(biāo)簽進(jìn)行通信的裝置。該裝置利用包括第一晶體管的E類放大器。第二晶體管用于連接并行于第一晶體管的電流路徑?？赏ㄟ^串聯(lián)電阻或其它方式來限制該路徑中的電流。控制器有選擇地控制第一和第二晶體管以得到在高調(diào)制帶寬上的100％的幅度調(diào)制。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明旨在提供用于產(chǎn)生具有少于100％幅度調(diào)制，諸如10％幅度調(diào)制的調(diào)幅RF信號(hào)的裝置。該裝置包括E類放大器，其具有第一晶體管和通過第一電阻耦合第一晶體管到供電電壓的電感器。第二晶體管并行連接至第一電阻?？刂破黢钸B至第一和第二晶體管。通過激活和停用第二晶體管，控制器改變供電電壓，對所產(chǎn)生的RF信號(hào)進(jìn)行幅度調(diào)制。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明旨在提供無線射頻識(shí)別(RFID)閱讀器，其包括產(chǎn)生調(diào)幅信號(hào)的放大器。該放大器包括耦合第一晶體管一個(gè)電感器和通過第一電阻至電源的并聯(lián)電容。放大器中的第二晶體管用于連接并行于第一晶體管的電流路徑。第三晶體管并行連至第一電阻?？刂破饔羞x擇地控制第一、第二和第三晶體管。RFID閱讀器包括接收調(diào)幅信號(hào)和輸出RF通信的天線。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明旨在提供產(chǎn)生調(diào)幅信號(hào)的方法。在第一時(shí)間段中，E類放大器的第一晶體管在某一頻率處被調(diào)制。當(dāng)調(diào)制該第一晶體管時(shí)，并行連至第一晶體管的第二晶體管被停用。然后，在第二時(shí)間段中，第一和第二晶體管分別被同時(shí)停用和激活。
本發(fā)明提供有很多的優(yōu)點(diǎn)。不同于傳統(tǒng)的E類放大器被限制為相對狹窄的調(diào)制帶寬，在此所述的本發(fā)明的放大器能取得大大增加的數(shù)據(jù)傳送速率。具體地，傳統(tǒng)的E類放大器的大的電感阻礙流經(jīng)它的電流進(jìn)行快速的幅度調(diào)制，因此也阻礙了由傳統(tǒng)的E類放大器產(chǎn)生的RF能量的快速幅度調(diào)制。通過使用與第一晶體管并行的第二晶體管，以及有選擇地激活和停用該晶體管，本發(fā)明放大器的電流在調(diào)制中不會(huì)如傳統(tǒng)的E類放大器那樣衰退和重建，而是電流水平保持相對穩(wěn)定。另外，本發(fā)明的放大器比典型用于獲得更高帶寬的其它放大器需要更少的功率。因此，本發(fā)明減少了散熱要求，因此降低了對昂貴的散熱器和電池的需要。因此，該放大器可用于完全便攜式的手持RFID閱讀器，能符合需要更高調(diào)制頻率的RFID標(biāo)準(zhǔn)。
本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的詳情在下面隨附的圖和描述中闡明。本發(fā)明的其它特征、對象和優(yōu)點(diǎn)從描述、圖表和權(quán)利要求中將變得顯然。
附圖的簡述

圖1是一框圖，示出實(shí)例無線射頻識(shí)別(RFID)系統(tǒng)。
圖2是一框圖，示出實(shí)例RFID閱讀器。
圖3是一示意圖，示出RFID閱讀器中使用的實(shí)例放大器。
圖4是圖形，示出示例調(diào)幅信號(hào)。
圖5是一示意圖，示出RFID閱讀器中使用的另一實(shí)例放大器。
圖6是圖形，示出另一調(diào)幅信號(hào).
圖7是一示意圖，示出依照本發(fā)明的示例放大器。
詳述圖1是一框圖，示出實(shí)例無線射頻識(shí)別(RFID)系統(tǒng)2。RFID系統(tǒng)2包括通過無線射頻信號(hào)16與標(biāo)簽14交互動(dòng)作的RFID站(“station”)4。具體地，站4包括RFID閱讀器(“reader”)12，通過天線15產(chǎn)生和接收RF通信16向標(biāo)簽14提供能量以及從標(biāo)簽14接收信息。閱讀器12和標(biāo)簽14使用根據(jù)定義的諸如ISO/IEC14443和ISO/IEC15693標(biāo)準(zhǔn)等協(xié)議調(diào)幅的RF通信16進(jìn)行通信。
站4提供工作站或其它計(jì)算環(huán)境來處理從標(biāo)簽14接收的信息，提供標(biāo)簽編程信息給閱讀器12。站4包括，例如，通過通信鏈路13與閱讀器12通信的處理器8。如圖所示，閱讀器12可內(nèi)置、外置于站4，甚至可以是手持的便攜式閱讀器。因此，鏈路13可以是RS-232串行通信鏈路、無線鏈路或其它合適的連接，來與閱讀器12交流信息。
處理器8維護(hù)表示各種物品、標(biāo)簽及相關(guān)信息的匯編數(shù)據(jù)11。通過輸入裝置10和顯示器6，操作者與站4互動(dòng)。處理器8接收操作者的輸入，并響應(yīng)而更新數(shù)據(jù)11。操作者可提供，例如身份標(biāo)識(shí)或其它描述標(biāo)簽14所附的物品的信息。數(shù)據(jù)11可包含，例如存儲(chǔ)物品條形碼信息的條形碼數(shù)據(jù)庫。處理器8通過鏈路13傳送信息給閱讀器12，閱讀器12輸出適當(dāng)?shù)腞F信號(hào)16對標(biāo)簽14編程。處理器8可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)11在任何合適的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上，如隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(RAM)、非易失存儲(chǔ)器、磁介質(zhì)等等。
如下面的詳述，閱讀器12包括了需要很小功率而得到顯著數(shù)據(jù)速率的高效放大器。具體地，放大器結(jié)合了E類放大器的許多元件，而克服此種放大器存在的調(diào)制帶寬的限制。因此，RFID閱讀器12能符合需要更寬調(diào)制帶寬的RFID標(biāo)準(zhǔn)。放大器的效率和降低的功率要求使閱讀器12能降低其大小和重量。因此，閱讀器12可容易地集成到桌面工作站或諸如個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)等的便攜式手持計(jì)算裝置中。
圖2是一框圖，示出閱讀器12的實(shí)施實(shí)例。通信接口22通過鏈路13接收站4的編程信息，并將這些信息送到控制器24。在傳送過程中，控制器24通過控制線25命令放大器28高效地產(chǎn)生符合諸如100％的幅度調(diào)制等調(diào)制模式的調(diào)幅信號(hào)27。放大器28結(jié)合了E類放大器的許多元件，而克服此種放大器中存在的調(diào)制帶寬的限制。
耦合器30接收信號(hào)27并將它提供給天線15用作RF通信息的發(fā)送。耦合器30也提供帶有以通過天線15接收的進(jìn)入的RF信息所代表的信號(hào)29的接收器32。接收器32通常通過調(diào)制信號(hào)29從其中抽取出數(shù)字信息，并將該信息送至控制器24用于通過通信接口22與站4的通信。
圖3是一示意圖，示出高效產(chǎn)生100％調(diào)幅信號(hào)用于天線15發(fā)送(圖2)的實(shí)例放大器28。放大器28包括圖3中由點(diǎn)線框出的組合為典型E類放大器的許多元件。具體地，電感器40用作放大器28的電流源，并耦連到供電電壓34。放大器晶體管50連接電感器40至地，并且可以是金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOSFET)晶體管，其漏極連至電感器40和而源極接地。
控制器24連至放大器晶體管50的柵極，其用作響應(yīng)控制信號(hào)的開關(guān)。具體地，對放大器晶體管50的柵極施用正偏壓使大電流從供電電壓34經(jīng)過電感器40流向地。并聯(lián)電容52在從開到關(guān)的切換過程中保持放大器晶體管50漏極上的電壓，從而避免開關(guān)損失。電阻53表示放大器28，即天線15(圖2)的負(fù)載。設(shè)計(jì)電容器42、電感器48和電阻53使得放大器晶體管50的漏極電壓在從關(guān)切換到開之前回退到0，同樣避免了開關(guān)損失。
除了這些元件，放大器28包括耦合到電阻41而且并行連接至放大器晶體管50和并聯(lián)電容52的的偏置晶體管39。如下面的詳述，在放大器的晶體管50開通的時(shí)候，偏置晶體管39為來自電感器40的供電電流提供第二路徑。具體地，偏置晶體管39漏極經(jīng)由電阻41耦合至電感器40。偏置晶體管39的源極直接接地。
控制器24有選擇地激活晶體管39和50使放大器28產(chǎn)生輸出信號(hào)，其中該信號(hào)的包絡(luò)被100％地幅度調(diào)制。具體地，控制器24在保持開通偏置晶體管39時(shí)，在諸如13.56MHZ的高頻率切換放大器的晶體管50。切換放大器的晶體管50使能量被存儲(chǔ)在電感器40內(nèi)，并使電流周期性地通過放大器的晶體管50流動(dòng)。結(jié)果是，放大器28產(chǎn)生有100％幅度包絡(luò)的輸出信號(hào)。
在切換放大器晶體管50一段時(shí)間后，控制器24于是在第二個(gè)時(shí)間段停用放大器晶體管50，并同時(shí)激活偏置晶體管39。在這過程中，電流經(jīng)由電阻41和偏置晶體管39從電感器40流向地，將輸出信號(hào)的包絡(luò)基本降到0％。在這種方式下，控制器24維持經(jīng)過電感器40的電流，并防止電感器40內(nèi)存儲(chǔ)的能量衰減。
當(dāng)在隨后的調(diào)制周期中控制器24啟動(dòng)了晶體管50的切換，經(jīng)過電感器40的電流不需要再次對電感器40賦能，因?yàn)殡姼衅?0中存儲(chǔ)的能量被維持著，因而使得從0％幅度上升到100％幅度需要更短的時(shí)間。因此，放大器28能達(dá)到增加的數(shù)據(jù)傳遞速度。在一個(gè)實(shí)施例中，供電電壓34為5伏特，電阻53和41的電阻分別為12和24歐姆。電容器52、54分別有150和50皮法的電容，而電感器40和48分別有25和3微亨的電感。另外，偏置晶體管39和幅度晶體管50可以是金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET’s)。
圖4是一圖形，示出由放大器28產(chǎn)生的輸出信號(hào)72，具有100％幅度調(diào)制的包絡(luò)。具體地，輸出信號(hào)72表示電阻53(圖3)兩端的電壓。在第一時(shí)間T1中，信號(hào)72的包絡(luò)在最大電壓(VMAX)和最小電壓(VMIN)間轉(zhuǎn)換。在第二時(shí)間T2中，輸出信號(hào)72有大約0伏特的電壓。
圖4中所示的模擬假定放大器晶體管50、偏置晶體管39和供電電壓34初始時(shí)為關(guān)的狀態(tài)。在0.1μs(微秒)時(shí)，控制器24在諸如13.56MHZ的一個(gè)高頻上，通過開關(guān)放大器晶體管50開始幅度調(diào)制輸出信號(hào)72的第一周期，例如占50％的工作周期。另外，控制器24維持偏置晶體管39在關(guān)狀態(tài)。在大約4.2μs時(shí)，在開關(guān)放大器晶體管50一段時(shí)間T1后，控制器24激活偏置晶體管39并同時(shí)停用放大器晶體管50。在這期間，經(jīng)由電阻41和晶體管39通過電感器40的電流流向地面，使輸出信號(hào)72的幅度基本上為0伏特。
在大約6.2μs時(shí)，在延遲T2時(shí)間后，控制器24開始幅度調(diào)制的第二周期76。具體地，控制器24停用偏置晶體管39并開始開關(guān)放大器晶體管50。在這種方式下，流經(jīng)電感器40的電流在所有時(shí)刻都被維持著，防止了傳統(tǒng)E類放大器經(jīng)常出現(xiàn)的電流衰減。
結(jié)果是，輸出信號(hào)72的包絡(luò)在第二周期76中比第一周期74更快地到達(dá)100％幅度，并在以后的周期持續(xù)。因此，放大器28能夠得到比傳統(tǒng)的E類放大器更高的數(shù)據(jù)速度。另外，幅度調(diào)制過程中更短的上升時(shí)間在與多標(biāo)簽同時(shí)通信時(shí)，特別是避免來自各種標(biāo)簽信息間的沖突時(shí)，是有利的。而偏置經(jīng)過電感器40的電流的另一優(yōu)點(diǎn)是輸出信號(hào)中的振鈴衰減，由于RLC元件該振鈴存在于E類放大器中。
圖5是示意圖，示出閱讀器12中使用的另一實(shí)例放大器80。具體地，放大器80產(chǎn)生帶有諸如10％等少于100％幅度調(diào)制的輸出信號(hào)。類似于如上所述的放大器28，放大器80包括由點(diǎn)線75框出的組合為典型E類放大器的許多元件62、64、66、68、70。
除了這些元件，放大器80包括并行連接至電阻58的調(diào)制晶體管60，該電阻連接電感器62至供電電壓54。具體地，調(diào)制晶體管60可以是使源極和漏極連接于電阻58兩端的MOSFET晶體管。通過激活和停用調(diào)制晶體管60，控制器24改變電感器62接收的供電電壓，對由放大器80產(chǎn)生的輸出信號(hào)進(jìn)行幅度調(diào)制。
圖6是一圖形，示出放大器80產(chǎn)生的輸出信號(hào)包絡(luò)的一部分，圖中包絡(luò)得到10％的幅度調(diào)制。具體地，信號(hào)82的包絡(luò)在第一最大電壓(VMAX1)和第二最大電壓(VMAX2)的峰值電壓幅度之間進(jìn)行調(diào)制。例如，VMAX2可以大約為VMAX1的90％。
圖6所示的模擬假定在0.0μs(未示出)時(shí)，控制器24通過在諸如在13.56MHZ的某一高頻開關(guān)放大器晶體管64開始第一調(diào)制周期，占50％的工作周期。另外，控制器停用調(diào)制晶體管60，使電流流經(jīng)電阻58，并使供電電壓54在其兩端下降。因此，在3.8μs時(shí)，信號(hào)82的包絡(luò)有VMAX2的峰點(diǎn)電壓。
在大約4.8μs時(shí)，在開關(guān)放大器晶體管64一段時(shí)間后，控制器24激活調(diào)制晶體管60，使電流旁路通過電阻58，增加從VMAX1到VMAX2的信號(hào)82的包絡(luò)。在這種方式下，控制器24幅度調(diào)制輸出信號(hào)82。在一個(gè)實(shí)施例中，通過選擇電阻大小為2歐姆的供電電阻58得到10％幅度調(diào)制。但是，可選擇放大器28的各種元件以得到其它想要的調(diào)制模式。
圖7是支持多調(diào)制模式的示例放大器90的示意圖。該具體的實(shí)施例結(jié)合圖3和圖5所示的放大器元件來支持100％和10％的調(diào)制。類似的元件給以類似的標(biāo)號(hào)。
放大器90包括第一晶體管64；經(jīng)由第一電阻58耦合第一晶體管到供電電壓54的電感器62；并行連至第一晶體管的并聯(lián)電容68；由第二電阻41連至電感器的第二晶體管39，其中第二晶體管控制到第一晶體管和該電容的并行電流路徑；并行連至第一電阻的第三晶體管60；以及耦合至第一、第二和第三晶體管的控制器24。
已經(jīng)描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例，包括用于產(chǎn)生調(diào)幅RF信號(hào)以與RFID標(biāo)簽進(jìn)行通信的實(shí)施例。該裝置利用傳統(tǒng)E類放大器的許多元件。明顯地，通過將上述實(shí)施例加入到單個(gè)RFID閱讀器中可獲得許多好處。如圖7所示，例如，閱讀器通過加入上述的實(shí)施例可容易地支持多調(diào)制模式，如100％和10％的幅度調(diào)制。因此，閱讀器能夠很容易地選擇使用本實(shí)施例來支持各種標(biāo)簽類型。另外，閱讀器在用調(diào)制晶體管得到幅度調(diào)制時(shí)也可使用偏置晶體管。這有利于在少于100％幅度調(diào)制的調(diào)制模式中減少上升時(shí)間。這些和其它的實(shí)施例都在下面權(quán)利要求的范疇中。
權(quán)利要求
1.一種裝置，其特征在于，包括帶有第一晶體管(50)的E類放大器(55)；控制并行于第一晶體管的電流路徑的第二晶體管(39)；以及控制第一和第二晶體管的控制器(24)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，第一和第二晶體管包括金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET’s)，并且其中，第二晶體管有接地的源極和由電阻連接至第一晶體管漏極的漏極。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該裝置產(chǎn)生響應(yīng)該控制器的幅度調(diào)制信號(hào)，通過在第一時(shí)間段，在某一頻率上開關(guān)第一晶體管并同時(shí)停用第二晶體管；以及在第二時(shí)間段，停用第一晶體管并同時(shí)激活第二晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，該頻率至少是13.56MHZ。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，E類放大器包括向第一晶體管供應(yīng)電流的電感器(40)和并行于第一晶體管連接的并聯(lián)電容(52)。
6.放大器(90)包括第一晶體管(64)；經(jīng)由第一電阻耦合第一晶體管至供電電壓(54)的電感器(62)；與第一晶體管并行連接的并聯(lián)電容(68)；由第二電阻(41)連接至電感器的第二晶體管(39)，其中，第二晶體管控制并行于第一晶體管和電容的一條電流路徑；并行連至第一電阻的第三晶體管(60)；以及耦連至第一、第二和第三晶體管的控制器(24)。
7.如權(quán)利要求6所述的放大器，其特征在于，控制器有選擇地激活第一和第二晶體管。
8.如權(quán)利要求6所述的放大器，其特征在于，控制器以某一頻率激活和停用第一晶體管，以及激活和停用第二晶體管。
9.如權(quán)利要求8所述的放大器，其特征在于，所述頻率至少是13.56MHZ。
10.如權(quán)利要求6所述的放大器，其特征在于，控制器以某一頻率激活和停用第一晶體管，以及激活和停用第三晶體管。
11.如權(quán)利要求10所述的放大器，其特征在于，所述頻率至少是13.56MHZ。
12.一種裝置，其特征在于，它包括帶有第一晶體管(64)和經(jīng)由第一電阻(58)耦合第一晶體管至供電電壓(54)的電感器(62)的E類放大器(75)；并行連至第一電阻的第二晶體管(39)；以及耦合至第一和第二晶體管的控制器(24)。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述控制器以某一頻率激活和停用第一晶體管，以及激活和停用第二晶體管。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述頻率至少是13.56MHZ。
15.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，該放大器進(jìn)一步包括并行連至第一晶體管的并聯(lián)電容(68)；以及控制并行于第一晶體管和電容的電流路徑的第三晶體管。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述控制器有選擇地激活第一和第三晶體管。
17.一種射頻(RF)閱讀器(12)，其特征在于包括輸出經(jīng)幅度調(diào)制信號(hào)的放大器(28)，其中放大器包括(i)帶有耦合第一晶體管(50)和并聯(lián)電容(52)至供電電源(34)的電感器(40)的E類放大器(55)，以及(ii)控制并行于E類放大器第一晶體管的電流路徑的第二晶體管(39)；控制第一和第二晶體管的控制器(24)；以及接收調(diào)幅信號(hào)并輸出RF通信的天線(15)。
18.如權(quán)利要求17所述的RF閱讀器，其特征在于，該RF閱讀器進(jìn)一步包括，耦合至天線的接收器(32)以接收來自RFID標(biāo)簽的RF通信。
19.如權(quán)利要求17所述的RF閱讀器，其特征在于所述控制器在第一時(shí)間段，以某一頻率開關(guān)第一晶體管并同時(shí)停用第二晶體管；以及在第二時(shí)間段，停用第一晶體管并同時(shí)激活第二晶體管。
20.如權(quán)利要求19所述的RF閱讀器，其特征在于，所述頻率至少是13.56MHZ。
21.如權(quán)利要求17所述的RF閱讀器，其特征在于，該RF閱讀器進(jìn)一步包括，并行連至限定到電感器電流的電阻的第三晶體管。
22.如權(quán)利要求21所述的RF閱讀器，其特征在于，控制器以某一頻率激活和停用第一晶體管，以及激活和停用第三晶體管。
23.如權(quán)利要求17所述的RF閱讀器，其特征在于，該RF閱讀器進(jìn)一步包括用于和計(jì)算裝置通信的通信接口。
24.一種系統(tǒng)，其特征在于包括包括天線(15)和放大器(28)的無線射頻(RF)閱讀器(12)，其中，天線接收來自放大器的調(diào)幅信號(hào)并輸出RF信息，以及其中，該放大器包括耦合至供電電源(34)的第一晶體管(50)和控制并行于第一晶體管的電流通路的第二晶體管(39)。通過RF閱讀器接收來自RFID標(biāo)簽數(shù)據(jù)的處理器(8)；以及耦合至處理器用來向用戶顯示數(shù)據(jù)的顯示器(6)。
25.如權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)進(jìn)一步包括，接收用戶輸入的輸入裝置。
26.如權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其特征在于，RF閱讀器、處理器和顯示器被集成為一便攜式裝置。
27.如權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其特征在于，RF閱讀器進(jìn)一步包括控制第一和第二晶體管的控制器(24)。
28.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其特征在于，控制器在第一時(shí)間段，以某一頻率開關(guān)第一晶體管并同時(shí)停用第二晶體管；以及在第二時(shí)間段，停用第一晶體管并同時(shí)激活第二晶體管。
29.如權(quán)利要求28所述的系統(tǒng)，其特征在于，該控制器以至少為13.56MHZ的頻率開關(guān)第一晶體管。
30.如權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其特征在于，RF閱讀器進(jìn)一步包括并行連至第一電阻并由控制器控制的第三晶體管(60)。
31.如權(quán)利要求30所述的RF閱讀器，其特征在于，控制器以某一頻率激活和停用第一晶體管，以及激活和停用第三晶體管。
32.一種產(chǎn)生調(diào)幅信號(hào)的方法，其特征在于，該方法包括用E類放大器產(chǎn)生幅度調(diào)制信號(hào)；以及在產(chǎn)生該信號(hào)時(shí)完全維持E類放大器的工作偏置。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，維持工作偏置包括維持基本恒定的電流經(jīng)過E類放大器。
34.如權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生幅度調(diào)制信號(hào)包括在第一時(shí)間段，以某一頻率開關(guān)E類放大器的第一晶體管；以及在開關(guān)第一晶體管時(shí)，停用并行連至第一晶體管的第二晶體管。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其特征在于，維持工作偏置包括在第二時(shí)間段停用第一晶體管，激活第二晶體管。
36.如權(quán)利要求34所述的方法，其特征在于，所述頻率至少是13.56MHZ。
全文摘要
總體而言，本發(fā)明旨在提供高效的放大器用于無線射頻識(shí)別(RFID)的應(yīng)用。具體來說，本發(fā)明提供高效放大器，其需要很小的功率而具有顯著的調(diào)制帶寬達(dá)到高數(shù)據(jù)通信速率。該放大器利用E類放大器很多元件，包括第一晶體管、連接第一晶體管至電源的電感器，以及并行連接至電源晶體管的并聯(lián)電容。第二晶體管并行連接至第一晶體管?？刂破饔羞x擇地控制第一和第二晶體管以得到在高調(diào)制帶寬上的幅度調(diào)制。
文檔編號(hào)G06K19/07GK1568478SQ02820318
公開日2005年1月19日 申請日期2002年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月15日
發(fā)明者R·D·吉斯米 申請人:3M創(chuàng)新有限公司