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      改進(jìn)電路的多用總線終端調(diào)整器的制作方法

      文檔序號(hào):6340645閱讀:372來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:改進(jìn)電路的多用總線終端調(diào)整器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種集成電路器件,確切地說(shuō),涉及一種改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器(Bus Termination Regulator),屬于計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)部件中電源調(diào)整裝置技術(shù)領(lǐng)域。
      當(dāng)前采用DDR-SDRAM的主機(jī)板或顯示卡在DDR-SDRAM總線終端匹配供電部分,廣泛采用專門為其開發(fā)的終端電壓調(diào)整器集成電路。其中根據(jù)功耗要求,不少是采用SO-8的封裝,體積小巧,精度一致性和可靠性都比較高,應(yīng)用方便,而且價(jià)格便宜,市場(chǎng)接受度比較高的代表是臺(tái)灣Richtek公司的RT9173A。美國(guó)NS公司推出的LP2995又作了進(jìn)一步改進(jìn),將RT9173A所需的由兩個(gè)精密電阻組成的參考電壓1/2分壓網(wǎng)絡(luò)集成到芯片內(nèi)部,提高了精度,使應(yīng)用更加便捷。
      但是,隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展,處理器和總線的速度快速提升,Intel即將在2003年推出的新一代主機(jī)板平臺(tái)865G系列,其采用AGTL+(AssistedGunning Transceiver Logic)總線技術(shù)的前端總線FSB也開始要求具有Source和Sink能力的總線終端匹配供電Vtt,而且865G平臺(tái)同時(shí)可以支持現(xiàn)在的Northwood內(nèi)核的P4 CPU和2003年底推出的Prescott內(nèi)核的P4 CPU。這兩種內(nèi)核CPU要求的總線終端匹配供電的邏輯電平是不同的,分別為1.45V和1.225V。這樣,雖然總線終端匹配供電要求與DDR部分沒(méi)有本質(zhì)的差異,卻使具有固定1/2分壓網(wǎng)絡(luò)參考電壓的LP2995在FSB處根本沒(méi)法使用,RT9173則要增加繁瑣的外圍電路。所以在865G平臺(tái)上,人們面臨兩種選擇選擇DDR用LP2995而FSB用RT9173,增加了器件種類及采購(gòu)和維護(hù)的成本;或者選擇DDR和FSB都使用RT9173,都要增加外圍電路。(因?yàn)榉至⑵骷碾娐贩爆?,又沒(méi)有保護(hù)功能,可靠性差,故不在討論范圍)。所以,目前的終端電壓調(diào)整器集成電路基本都屬于RT9173和LP2995兩大類型,現(xiàn)在尚沒(méi)有一種多用總線終端電壓調(diào)整器可以在幾乎不用外圍電路的情況下能夠同時(shí)適應(yīng)上述兩部分的設(shè)計(jì)要求。
      本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,根據(jù)功耗要求可以采用SO8封裝,其內(nèi)部電路包括現(xiàn)有的總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于在該總線終端電壓調(diào)整器的輸入端增設(shè)對(duì)CPU上類型選擇信號(hào)(在目前P4 CPU上管腳序號(hào)通常為AD1,管腳名為BOOTSEL)BootSelect進(jìn)行判別和將AGTL+總線信號(hào)隔離并轉(zhuǎn)換為總線終端電壓調(diào)整器本身工作電平的CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路、根據(jù)CPU類型產(chǎn)生第二參考電壓Vref-2的前端總線FSB參考電壓調(diào)整電路及選擇第相應(yīng)的參考電壓輸出的參考電壓切換控制電路,三個(gè)功能電路順序依次連接;在參考電壓切換控制電路的另一輸入端連接有產(chǎn)生第一參考電壓Vref-1的固定1/2分壓參考電壓電路。參考電壓切換控制電路將正確的參考電壓給到現(xiàn)有的總線終端電壓調(diào)整器內(nèi)核,產(chǎn)生符合應(yīng)用要求的輸出電壓。
      所述的CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路包括有信號(hào)判別電路和電平轉(zhuǎn)換電路,其電路可以是由兩個(gè)NPN三極管連接組成,其中第一個(gè)三極管電路的基極是輸入端,第二個(gè)三極管電路的基極直接與第一個(gè)晶體管的集電極連接,其集電極是輸出端,兩個(gè)晶體管的發(fā)射極共地。
      所述的CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路包括有信號(hào)判別電路和電平轉(zhuǎn)換電路,其電路也可以是由一個(gè)NPN晶體管電路和一個(gè)PNP晶體管電路連接組成,其中NPN晶體管電路的基極是輸入端,PNP晶體管電路的發(fā)射極連接電源,其基極通過(guò)電阻接至NPN晶體管的集電極,其集電極通過(guò)一電阻接地,其集電極是輸出端。
      所述的FSB參考電壓調(diào)整電路是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管與三個(gè)串接電阻構(gòu)成的可變分壓比的分壓電路組成,場(chǎng)效應(yīng)管的柵極是輸入端,其漏極與源極分別接在第三個(gè)電阻兩端,第一個(gè)電阻與第二個(gè)電阻之間是輸出端。
      所述的參考電壓切換控制電路可以是任何二選一切換電路,所述的參考電壓切換控制電路是利用系統(tǒng)中DDR_SDRAM供電的V_MEM電源作為兩個(gè)三態(tài)門的控制開關(guān),分別在應(yīng)用于DDR電路時(shí),輸出固定為1/2 V_MEM的第一參考電壓Vref-1;在應(yīng)用于FSB電路時(shí),則根據(jù)系統(tǒng)中是使用Northwood內(nèi)核P4 CPU還是Prescott內(nèi)核P4 CPU,分別輸出1.45V或1.225V的第二參考電壓Vref-2。
      所述的固定1/2分壓參考電壓電路是由兩個(gè)精密電阻組成的分壓網(wǎng)絡(luò)。
      所述的該總線終端電壓調(diào)整器的封裝可以為SO-8,其管腳分別是輸入電源VDDQ(IN),輸出VTT(OUT),IC內(nèi)部邏輯供電VCC_IC,接地端GND,CPU啟動(dòng)選擇端BootSelect(BTSEL),系統(tǒng)DDR供電端V_MEM,為FSB可變分壓比的參考電壓網(wǎng)絡(luò)提供基準(zhǔn)電壓的V_REF和一個(gè)供選用、非必需的使輸出更加精準(zhǔn)的反饋輸入端V_FB。
      所述的第一參考電壓Vref-1是固定1/2分壓比的參考電壓,其電壓值固定為V_MEM/2,第二參考電壓Vref-2是根據(jù)系統(tǒng)中使用Northwood內(nèi)核P4 CPU還是Prescott內(nèi)核P4 CPU,其電壓值分別為1.45V或1.225V。
      所述的該總線終端電壓調(diào)整器的具有供出(Source)和汲取(Sink)能力的輸出VTT(OUT),是根據(jù)參考電壓切換控制電路輸出的參考電壓產(chǎn)生的,分別在應(yīng)用于DDR電路時(shí),其輸出為1/2 V_MEM;在應(yīng)用于前端總線FSB電路系統(tǒng)中使用Northwood內(nèi)核P4 CPU時(shí),輸出1.45V;在應(yīng)用于前端總線FSB電路系統(tǒng)中使用Prescott內(nèi)核P4 CPU時(shí),輸出1.225V。
      本實(shí)用新型是一種電路改進(jìn)的總線終端電壓調(diào)整器,這種總線終端電壓調(diào)整器在現(xiàn)有的總線終端電壓調(diào)整器內(nèi)部增加若干電路,使用時(shí)只需在外部電路進(jìn)行簡(jiǎn)單連線,即可以符合采用JEDEC SSTL 2/3規(guī)范的DDR-SDRAM的總線終端要求,或符合采用AGTL+總線技術(shù)不同P4 CPU的前端總線(FSB)終端要求,可實(shí)現(xiàn)只用同一種總線終端電壓調(diào)整器,為Intel 865G一類的計(jì)算機(jī)平臺(tái)上DDR-SDRAM內(nèi)存和支持不同P4 CPU的FSB總線終端供電,而不需要再在外圍增加額外電路。特別適合于同時(shí)支持DDR-SDRAM內(nèi)存和支持Intel現(xiàn)有(Northwood內(nèi)核)及將來(lái)(Prescott內(nèi)核)P4 CPU的主機(jī)板選用。
      本實(shí)用新型只需在集成電路硅片設(shè)計(jì)時(shí)增加幾個(gè)電阻器件和MOSFET,基本可以不增加集成電路的制造成本,卻可以極大地簡(jiǎn)化外圍電路,使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員省去了原來(lái)在外圍需要增加的額外器件和電路,節(jié)省PCB空間,降低了總成本。而且,本實(shí)用新型的總線終端電壓調(diào)整器產(chǎn)品的相關(guān)品質(zhì)不會(huì)受外圍器件影響,精度一致性和可靠性都得到提高;對(duì)生產(chǎn)廠家和用戶而言,只要一種料件可以滿足兩方面應(yīng)用,減少了最終產(chǎn)品的料件種類,可以在計(jì)劃、采購(gòu)、倉(cāng)儲(chǔ)、設(shè)計(jì)、制造和維修等諸多環(huán)節(jié)節(jié)約費(fèi)用,降低風(fēng)險(xiǎn)。
      圖2是本實(shí)用新型總線終端電壓調(diào)整器的電原理圖。
      圖3是本實(shí)用新型中固定1/2分壓參考電壓網(wǎng)絡(luò)實(shí)施例原理圖。
      圖4是本實(shí)用新型中CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路的一實(shí)施例原理圖。
      圖5是本實(shí)用新型中CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路的另一實(shí)施例原理圖。
      圖6是本實(shí)用新型中FSB參考電壓調(diào)整電路實(shí)施例原理圖。
      圖7是本實(shí)用新型中參考電壓切換控制電路實(shí)施例原理圖。
      圖8是本實(shí)用新型產(chǎn)生Vtt_MEM的應(yīng)用電路實(shí)施例原理圖。
      圖9是本實(shí)用新型產(chǎn)生Vtt_FSB的應(yīng)用電路實(shí)施例原理圖。
      因?yàn)镈DR-SDRAM內(nèi)存和FSB總線終端匹配所要求電源的供出(source)及汲取(sink)電流的能力接近,芯片自身耗散的功率基本相同,所以本實(shí)用新型多用總線終端電壓調(diào)整器仍然可以采用原來(lái)的SO-8封裝,但是由于增加了新的功能,因此需要對(duì)原來(lái)的管腳需要重新定義編排,其管腳分別是輸入電源VDDQ(IN),輸出VTT(OUT),IC內(nèi)部邏輯供電VCC_IC,接地端GND,CPU啟動(dòng)選擇端BootSelect(BTSEL),系統(tǒng)DDR供電端V_MEM,為FSB可變分壓比的參考電壓網(wǎng)絡(luò)提供基準(zhǔn)電壓的V_REF和一個(gè)供選用的使輸出更加精準(zhǔn)的反饋輸入端V_FB(由于V_FB是非必需的,在本實(shí)用新型的原理圖-圖2中未示);使之更加符合實(shí)際應(yīng)用需求。
      下面對(duì)本實(shí)用新型多用總線終端電壓調(diào)整器增設(shè)的各個(gè)電路作具體說(shuō)明參見圖3,首先,針對(duì)DDR部分應(yīng)用,本實(shí)用新型增加固定1/2分壓參考電壓網(wǎng)絡(luò)5。因?yàn)镈DR部分要求總線終端電壓VTT(OUT)需要保持DDR供電電壓V_MEM的1/2,且跟隨V_MEM的變化而變化,所以參考電壓不宜采用固定1.25V,本實(shí)用新型將由兩個(gè)精密電阻R1和R2組成的分壓網(wǎng)絡(luò)集成到芯片中,為芯片內(nèi)輸出驅(qū)動(dòng)電路提供固定1/2分壓比的第一參考電壓Vref-1。這樣可以滿足供電要求,簡(jiǎn)化外部電路,而且使輸出精度不受外部器件影響(對(duì)于LP2995這類已經(jīng)有固定1/2分壓參考電壓網(wǎng)絡(luò)的多用總線終端電壓調(diào)整器,不需再增加固定1/2分壓參考電壓網(wǎng)絡(luò))。
      其次,針對(duì)FSB部分應(yīng)用,本實(shí)用新型增加了CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路2、FSB參考電壓調(diào)整電路3及參考電壓切換控制電路4,三個(gè)功能電路2、3、4順序依次連接。以下分別對(duì)其作介紹。
      參見圖4,CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路2的作用是在使用Northwood內(nèi)核P4CPU時(shí)輸出參考電壓保持1.45V,使用Prescott內(nèi)核P4 CPU時(shí)輸出參考電壓保持1.225V。該CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路2由類型信號(hào)判別和電平轉(zhuǎn)換兩部分電路組成。其中CPU類型信號(hào)判別電路主要利用CPU上序號(hào)為AD1的BootSelect管腳,Northwood內(nèi)核P4 CPU的這個(gè)管腳電平為低(Low),Prescott內(nèi)核P4 CPU的這個(gè)管腳電平為高(Hi)。但是因?yàn)镕SB上是AGTL+信號(hào)(電平只有1.5V左右),要與CMOS(或Bi-CMOS)工藝的總線終端電壓調(diào)整器內(nèi)核連接,必需進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。圖4、圖5分別介紹了兩個(gè)可以具體采用的電路實(shí)施例的電原理圖。圖4中是由兩個(gè)NPN三極管Q3、Q4電路連接組成,其中第一個(gè)三極管電路的基極是輸入端,第二個(gè)三極管電路的基極直接與第一個(gè)晶體管的集電極連接,其集電極是輸出端,兩個(gè)晶體管的發(fā)射極共地。即利用Q3、Q4晶體管電路將AGTL+信號(hào)隔離并轉(zhuǎn)換為Vcc_Drive電平信號(hào),即原總線終端電壓調(diào)整器內(nèi)核驅(qū)動(dòng)MOS管所需的電壓。該CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路2可以有多種實(shí)現(xiàn)方法,圖5是其另一實(shí)施例。圖5是由一個(gè)NPN晶體管Q5和一個(gè)PNP晶體管Q6連接組成,其中NPN晶體管Q5電路的基極是輸入端,PNP晶體管Q6電路的發(fā)射極連接電源,其基極通過(guò)電阻R11接至NPN晶體管Q5的集電極,其集電極通過(guò)一電阻R12接地,其集電極是輸出端。
      然后,增加FSB參考電壓調(diào)整電路3。利用CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路2產(chǎn)生的符合IC內(nèi)部邏輯電平要求的CPU類型判別信號(hào),便可調(diào)整后端分壓網(wǎng)絡(luò)改變分壓比的產(chǎn)生第二參考電壓Vref-2。FSB參考電壓調(diào)整電路3是利用一個(gè)可變分壓比的參考電壓分壓網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)的,參見圖6。該電路選用主板上V3.3STB為基準(zhǔn)電壓V_REF,因?yàn)橹靼迳系腣3.3STB都是經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓電路轉(zhuǎn)化而來(lái),是基本不會(huì)隨電源變化的,相當(dāng)準(zhǔn)確。當(dāng)主板上安裝Prescott CPU時(shí),CONTROL信號(hào)為高(Hi),場(chǎng)效應(yīng)管Q8導(dǎo)通,則電阻R22不再參與分壓,調(diào)試時(shí)可以通過(guò)調(diào)節(jié)R20和R21的值,將Vref-2準(zhǔn)確調(diào)整為1.225V;當(dāng)主板上安裝Northwood CPU時(shí),CONTROL信號(hào)為低(Low),場(chǎng)效應(yīng)管Q8截止,則R22和R21串聯(lián)與R20分壓,調(diào)試時(shí)可以通過(guò)調(diào)節(jié)R22的值,將Vref-2準(zhǔn)確調(diào)整為1.45V。這樣使得使用Northwood內(nèi)核P4 CPU時(shí),輸出Vref-2保持1.45V,使用Prescott內(nèi)核P4 CPU時(shí)輸出Vref-2保持1.225V。
      最后,增加參考電壓切換控制電路4。該電路實(shí)際上可用任何二選一的切換電路實(shí)現(xiàn)。只需使用一個(gè)簡(jiǎn)單的電子開關(guān),在固定1/2 V_MEM的第一參考電壓Vref-1和1.45V或1.225V的第二參考電壓Vref-2之間進(jìn)行切換控制,用二選一的結(jié)果輸出給總線終端電壓調(diào)整器控制輸出驅(qū)動(dòng)電路,這個(gè)控制輸出驅(qū)動(dòng)電路作用如同一個(gè)運(yùn)算放大器,推動(dòng)后級(jí)的MOSFET,產(chǎn)生具有source及sink電流的能力的電平為1/2V_MEM或1.45V或1.225V的VTT輸出。圖7是其的一種實(shí)施例,這里利用系統(tǒng)中DDR_SDRAM供電的V_MEM作為兩個(gè)三態(tài)門的控制開關(guān),在應(yīng)用于DDR電路時(shí),V_MEM是接在DDR供電電源的,則第一參考電壓Vref-1導(dǎo)通,第二參考電壓Vref-2截止;用在FSB電路時(shí),V_MEM外部未連接,所以通過(guò)IC內(nèi)部的分壓電阻接GND,則第二參考電壓Vref-2導(dǎo)通,第一參考電壓Vref-1截止。
      應(yīng)用本實(shí)用新型的總線終端電壓調(diào)整器在實(shí)際應(yīng)用于主機(jī)板設(shè)計(jì)的DDR部分和FSB部分時(shí),外圍電路除了必要的電源濾波電容外,只要連通相應(yīng)信號(hào),不再需要外圍器件,非常簡(jiǎn)捷。
      圖8所示的是本實(shí)用新型用于DDR部分,產(chǎn)生DDR終端供電的VTT(即Vtt_MEM)的應(yīng)用電路實(shí)施例。輸入電源VDDQ(IN)和作為內(nèi)部選擇參考電壓Vref-1的控制開關(guān)V_MEM,一起接到系統(tǒng)中DDR供電電源VDD_MEM;IC內(nèi)部邏輯供電VCC_IC接到系統(tǒng)中3.3V電源Vcc3;接地端GND連接系統(tǒng)的接地端;輸出VTT(OUT)連接DDR終端供電Vtt_MEM,并加上必要的濾波電容;CPU啟動(dòng)選擇端BTSEL以及為FSB可變分壓比的參考電壓網(wǎng)絡(luò)提供基準(zhǔn)電壓的V_REF兩個(gè)管腳不用連接。如果還有反饋輸入端V_FB,只要把它與VTT(OUT)連接即可。
      圖9所示是本實(shí)用新型用于前端總線FSB部分,產(chǎn)生FSB終端供電的VTT(即Vtt_FSB)的應(yīng)用電路實(shí)施例。輸入電源VDDQ(IN)和作為IC內(nèi)部邏輯供電的VCC_IC一起接到系統(tǒng)中3.3V電源Vcc3;CPU啟動(dòng)選擇端BTSEL連接CPU上AD1引腳發(fā)來(lái)的BOOTSELECT;為FSB可變分壓比的參考電壓網(wǎng)絡(luò)提供基準(zhǔn)電壓的V_REF連接到系統(tǒng)中經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓電路轉(zhuǎn)化來(lái)的電源V3.3STB;接地端GND連接系統(tǒng)的接地端,輸出VTT(OUT)連接FSB終端供電Vtt_FSB,并加上必要的濾波電容,內(nèi)部選擇參考電壓Vref-1的控制開關(guān)V_MEM管腳懸空,不用連接。如果還有反饋輸入端V_FB,只要把它與VTT(OUT)連接即可。
      本實(shí)用新型僅對(duì)總線終端調(diào)整器的改進(jìn)電路作方法性、原理性的闡述,對(duì)依據(jù)此思路的具體電路設(shè)計(jì)方法未作任何限定,對(duì)本實(shí)用新型電路設(shè)計(jì)的任何部分或電路的集成、拆解、組合、細(xì)化、模仿,都應(yīng)當(dāng)包括在保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其內(nèi)部電路包括現(xiàn)有的總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于在該總線終端電壓調(diào)整器的輸入端增設(shè)對(duì)CPU上類型選擇信號(hào)進(jìn)行判別和將AGTL+總線信號(hào)隔離并轉(zhuǎn)換為總線終端電壓調(diào)整器本身工作電平的CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路、根據(jù)CPU類型產(chǎn)生第二參考電壓Vref-2的前端總線FSB參考電壓調(diào)整電路及選擇相應(yīng)的參考電壓輸出的參考電壓切換控制電路,三個(gè)功能電路順序依次連接;在參考電壓切換控制電路的另一輸入端連接有產(chǎn)生第一參考電壓Vref-1的固定1/2分壓參考電壓電路。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于所述的CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路包括有信號(hào)判別電路和電平轉(zhuǎn)換電路,其電路可以是由兩個(gè)NPN三極管連接組成,其中第一個(gè)三極管電路的基極是輸入端,第二個(gè)三極管電路的基極直接與第一個(gè)晶體管的集電極連接,其集電極是輸出端,兩個(gè)晶體管的發(fā)射極共地。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于所述的CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路包括有信號(hào)判別電路和電平轉(zhuǎn)換電路,其電路也可以是由一個(gè)NPN晶體管電路和一個(gè)PNP晶體管電路連接組成,其中NPN晶體管電路的基極是輸入端,PNP晶體管電路的發(fā)射極連接電源,其基極通過(guò)電阻接至NPN晶體管的集電極,其集電極通過(guò)一電阻接地,其集電極是輸出端。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于所述的FSB參考電壓調(diào)整電路是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管與三個(gè)串接電阻構(gòu)成的可變分壓比的分壓電路組成,場(chǎng)效應(yīng)管的柵極是輸入端,其漏極與源極分別接在第三個(gè)電阻兩端,第一個(gè)電阻與第二個(gè)電阻之間是輸出端。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于所述的參考電壓切換控制電路可以是任何二選一切換電路,
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于所述的參考電壓切換控制電路是利用系統(tǒng)中DDR_SDRAM供電的V_MEM電源作為兩個(gè)三態(tài)門的控制開關(guān),分別在應(yīng)用于DDR電路時(shí),輸出固定為1/2V_MEM的第一參考電壓Vref-1;在應(yīng)用于前端總線FSB電路時(shí),則根據(jù)系統(tǒng)中是使用Northwood內(nèi)核P4 CPU還是Prescott內(nèi)核P4 CPU,分別輸出1.45V或1.225V的第二參考電壓Vref-2。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于所述的固定1/2分壓參考電壓電路是由兩個(gè)精密電阻組成的分壓網(wǎng)絡(luò)。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于所述的該總線終端電壓調(diào)整器的封裝可以為SO-8,其管腳分別是輸入電源VDDQ(IN),輸出VTT(OUT),IC內(nèi)部邏輯供電VCC_IC,接地端GND,CPU啟動(dòng)選擇端BOOTSELECT(BTSEL),系統(tǒng)DDR供電端V_MEM,為FSB可變分壓比的參考電壓網(wǎng)絡(luò)提供基準(zhǔn)電壓的V_REF和一個(gè)供選用、非必需的使輸出更加精準(zhǔn)的反饋輸入端V_FB。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于所述的第一參考電壓Vref-1是固定1/2分壓比的參考電壓,其電壓值固定為V_MEM/2;第二參考電壓Vref-2是根據(jù)系統(tǒng)中使用Northwood內(nèi)核P4 CPU還是Prescott內(nèi)核P4 CPU,其電壓值分別為1.45V或1.225V。
      10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其特征在于所述的該總線終端電壓調(diào)整器的具有供出(Source)和汲取(Sink)能力的輸出VTT(OUT),是根據(jù)參考電壓切換控制電路輸出的參考電壓產(chǎn)生的,分別在應(yīng)用于DDR電路時(shí),其輸出為1/2V_MEM;在應(yīng)用于前端總線FSB電路系統(tǒng)中使用Northwood內(nèi)核P4 CPU時(shí),輸出1.45V;在應(yīng)用于前端總線FSB電路系統(tǒng)中使用Prescott內(nèi)核P4 CPU時(shí),輸出1.225V。
      專利摘要一種改進(jìn)電路的多用總線終端電壓調(diào)整器,其內(nèi)部電路包括現(xiàn)有的總線終端電壓調(diào)整器,以及在其輸入端增設(shè)的對(duì)CPU上類型選擇信號(hào)(BOOTSEL)進(jìn)行判別和將AGTL+總線信號(hào)隔離并轉(zhuǎn)換為總線終端電壓調(diào)整器本身工作電平的CPU類型判別和電平轉(zhuǎn)換電路,根據(jù)CPU類型產(chǎn)生第二參考電壓Vref-2的前端總線FSB參考電壓調(diào)整電路,以及選擇相應(yīng)的參考電壓輸出的參考電壓切換控制電路,三個(gè)功能電路順序依次連接;在參考電壓切換控制電路的另一輸入端連接有產(chǎn)生第一參考電壓Vref-1的固定1/2分壓參考電壓電路。該集成電路可以符合采用JEDEC SSTL 2/3規(guī)范的DDR-SDRAM或采用AGTL+總線技術(shù)的FSB終端匹配要求,同時(shí)用于DDR-SDRAM內(nèi)存和支持不同P4 CPU的FSB總線終端供電,而不需要再在外圍增加額外電路。
      文檔編號(hào)G06F1/26GK2604725SQ0323613
      公開日2004年2月25日 申請(qǐng)日期2003年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月17日
      發(fā)明者陳恒 申請(qǐng)人:聯(lián)想(北京)有限公司
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