專利名稱：誤寫入防止電路及包含該誤寫入防止電路的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及配備了低電壓檢測(cè)電路、能夠關(guān)斷低電壓檢測(cè)電路的偏置電流的開關(guān)及在偏置電流關(guān)斷時(shí)補(bǔ)全性地進(jìn)行復(fù)位工作的電路的誤寫入防止電路。
背景技術(shù)：
EPROM、EEPROM、所謂的可分批擦除的閃存器等非易失性存儲(chǔ)器，即使在電源電壓關(guān)斷時(shí)也能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。因此，被用作微型計(jì)算機(jī)(以下稱為微機(jī)；micom)的存儲(chǔ)器的一部分，搭載重寫程序，能夠改寫程序自身，在程序評(píng)價(jià)時(shí)、能夠容易地改正程序的故障。
在非易失性存儲(chǔ)器中，在接通電源時(shí)及在電源電壓下降的狀態(tài)下，工作狀態(tài)成為不穩(wěn)定的狀態(tài)。例如在閃存器中，其原因是因?yàn)殡姾勺⑷氲礁≈脰派?，在電壓下降的狀況下，非易失性存儲(chǔ)器不能有充足的電荷注入到浮置柵中，因而就不能保證規(guī)定的數(shù)據(jù)保持特性。為了防止產(chǎn)生這樣的情況，現(xiàn)在一般方法是在非易失性存儲(chǔ)器自身上搭載低電壓檢測(cè)電路。
由于電源接通時(shí)和電源電壓VDD的下降，當(dāng)檢測(cè)出電源電壓VDD下降時(shí)，器件的結(jié)構(gòu)使得自動(dòng)地向控制部發(fā)出復(fù)位非易失性存儲(chǔ)器寫入、讀出的信號(hào)，在電源電壓VDD下降的狀況下，禁止寫入。因此，僅僅在能夠向非易失性存儲(chǔ)器寫入的情況下，可靠地進(jìn)行寫入。
近年來，如上所述，微機(jī)存儲(chǔ)器的一部分有時(shí)采用非易失性存儲(chǔ)器，這種情況下，微機(jī)與非易失性存儲(chǔ)器單片化形成在半導(dǎo)體襯底上，在單片化形成的微機(jī)及非易失性存儲(chǔ)器的電源電壓VDD上連接低電壓檢測(cè)電路，監(jiān)視低電壓狀態(tài)。
另外，在非易失性存儲(chǔ)器單體中，一般不裝備準(zhǔn)備控制等削減電功率消耗的功能。通常，在非易失性存儲(chǔ)器與單片化的微機(jī)上有準(zhǔn)備模式，隨著系統(tǒng)整體的功率接通、關(guān)斷的控制，低電壓檢測(cè)電路也接通、關(guān)斷，抑制電功率消耗。
圖3是表示現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)。1是檢測(cè)電源電壓VDD下降的低電壓檢測(cè)電路，2是電阻分割電源電壓VDD的電阻，3是電阻分割電源電壓VDD的電阻，4是基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路、產(chǎn)生作為電壓檢測(cè)電平的基準(zhǔn)值Vref，5是比較電阻2及電阻3的中點(diǎn)電壓及基準(zhǔn)電壓Vref的比較器，6是將比較器5的輸出信號(hào)反轉(zhuǎn)的倒相器，7是倒相器，8是非易失性存儲(chǔ)器，9是模式控制寄存器、控制對(duì)非易失性存儲(chǔ)器8的寫入及讀出的設(shè)定等、被低電壓檢測(cè)電路1的輸出信號(hào)復(fù)位，10是根據(jù)模式控制寄存器9的輸出信號(hào)、對(duì)非易失性存儲(chǔ)器8實(shí)行允許讀出、允許寫入、地址信號(hào)輸出、數(shù)據(jù)的輸入輸出的寫入讀出控制部，11是內(nèi)裝在芯片內(nèi)的微機(jī)，12是由外部復(fù)位信號(hào)復(fù)位的準(zhǔn)備控制寄存器，13是按照準(zhǔn)備模式的控制數(shù)據(jù)、使低電壓檢測(cè)電路1的偏置接通、關(guān)斷的晶體管，14是外裝在IC化的微機(jī)上的一般的外部復(fù)位電路，15是設(shè)置在輸入段上的施米特型緩沖器。
在圖3中，為了經(jīng)常監(jiān)視電源電壓VDD的下降，在準(zhǔn)備模式以外的情況下，需要使低電壓檢測(cè)電路1處于工作狀態(tài)，在低電壓檢測(cè)電路1上經(jīng)常施加偏置電壓，在工作狀態(tài)下，經(jīng)常消耗電功率。
當(dāng)電源電壓VDD下降時(shí)，在低電壓檢測(cè)電路1中，電源電壓VDD由電阻2、電阻3分壓，輸入到反轉(zhuǎn)輸入端子上。連接在電壓比較器的非反轉(zhuǎn)輸入端子上的基準(zhǔn)電壓Vref的電壓與輸入到上述反轉(zhuǎn)輸入端子上的電壓進(jìn)行比較。設(shè)由電阻2及3作成的分壓中點(diǎn)電壓為VIN，則當(dāng)VIN＞Vref時(shí)，信號(hào)B為「L」，當(dāng)VIN＜Vref時(shí)，信號(hào)B為「H」。進(jìn)而，由于信號(hào)B輸入到倒相器6上，判定結(jié)果反轉(zhuǎn)，VIN＞Vref時(shí)為「H」，VIN＜Vref時(shí)為「L」。因此，當(dāng)檢測(cè)出低電壓的情況下，作成「L」激活的復(fù)位信號(hào)。
作為低電壓檢測(cè)電路1的輸出信號(hào)的上述復(fù)位信號(hào)，施加在模式控制寄存器9上，當(dāng)檢測(cè)出低電壓的情況下，使模式控制寄存器9成為初始狀態(tài)，同時(shí)模式控制寄存器9使寫入讀出控制部10的工作模式成為初始狀態(tài)。當(dāng)電源電壓VDD從低電壓狀態(tài)恢復(fù)時(shí)，低電壓檢測(cè)電路1的輸出信號(hào)從「L」變?yōu)椤窰」，模式控制寄存器9解除寫入讀出控制部10的工作模式的初始狀態(tài)。
例如，在非易失性存儲(chǔ)器8上寫入數(shù)據(jù)中途，當(dāng)電源電壓VDD下降到比檢測(cè)電平低的情況下，低電壓檢測(cè)電路1檢測(cè)低電壓，低電壓檢測(cè)電路1向模式控制寄存器9輸出復(fù)位信號(hào)，模式控制寄存器9被初始化，同時(shí)寫入讀出控制部10的工作模式成為初始狀態(tài)，在初始狀態(tài)下寫入讀出控制部10寫入被中斷，能夠防止在低電壓時(shí)的寫入，在電壓低的狀態(tài)下，能夠防止在沒有充足的電荷注入到浮置柵的狀態(tài)下寫入到非易失性存儲(chǔ)器上。
當(dāng)電源接通，準(zhǔn)備控制寄存器12接收來自外部復(fù)位電路14的初始復(fù)位信號(hào)時(shí)，設(shè)定作為初始值的「L」電平，將上述「L」電平輸出到倒相器7，接著，上述「L」電平由倒相器7反轉(zhuǎn)成「H」電平，晶體管13接受「H」電平，晶體管13在「H」電平下成為導(dǎo)通狀態(tài)，在低電壓檢測(cè)電路1上流過偏置電流，低電壓檢測(cè)電路1成為能夠檢測(cè)低電壓的狀態(tài)。
另外，為了抑制電功率損耗，當(dāng)設(shè)定為準(zhǔn)備狀態(tài)時(shí)，由來自微機(jī)的準(zhǔn)備模式信號(hào)，準(zhǔn)備控制寄存器12被設(shè)定為「H」電平，將上述「H」電平輸出向倒相器7，接著由倒相器7將上述「H」電平反轉(zhuǎn)，成為「L」電平，晶體管13接受「L」電平，晶體管13成為關(guān)斷狀態(tài)，低電壓檢測(cè)電路1的偏置電流被切斷，能夠抑制電功率損耗。但是，在偏置電流被切斷的狀態(tài)下，低電壓檢測(cè)電路1就不能檢測(cè)低電壓。
〔專利文獻(xiàn)1〕特開平8-95865號(hào)公報(bào)〔專利文獻(xiàn)2〕特開平2002-366436號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容(發(fā)明要解決的課題)但是，低電壓檢測(cè)電路1一般能夠由準(zhǔn)備控制寄存器12程序控制。由于噪音的影響，存在電源電壓瞬間地下降到Tr驅(qū)動(dòng)電壓以下的情況，這種情況稱為瞬時(shí)停電。
在從因瞬時(shí)停電引起的Tr驅(qū)動(dòng)電壓電平以下的低電壓的恢復(fù)中，由外部復(fù)位電路的結(jié)構(gòu)，在作為一例示出的外部復(fù)位電路14中，由于電源電壓VDD的變化比包含在外部復(fù)位電路14中的電容器的時(shí)間常數(shù)快，不能放電，因此，就成為不能從外部復(fù)位電路14將伴隨瞬時(shí)停電的復(fù)位信號(hào)輸出向準(zhǔn)備控制寄存器12上的狀態(tài)。
當(dāng)電壓下降到比Tr驅(qū)動(dòng)電壓更低后，在Tr驅(qū)動(dòng)電壓恢復(fù)時(shí)，準(zhǔn)備控制寄存器12的設(shè)定成為不定值，不能夠必定使晶體管13導(dǎo)通，有時(shí)在低電壓檢測(cè)電路1上不供給偏置電流，在這種情況下，低電壓檢測(cè)電路1保持關(guān)斷的狀態(tài)，不能夠檢測(cè)低電壓狀態(tài)、自動(dòng)地產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。
在不產(chǎn)生上述復(fù)位信號(hào)的情況下，模式控制寄存器9，由于電壓下降到Tr驅(qū)動(dòng)電壓以下，在Tr驅(qū)動(dòng)電壓恢復(fù)時(shí)，晶體管的狀態(tài)不確定，模式控制寄存器9的設(shè)定成為不定值，不能確定決定寫入讀出控制部10的模式的模式信號(hào)成為怎樣的值。例如，在瞬時(shí)停電前雖然是讀出模式，但在從瞬時(shí)停電恢復(fù)后，有時(shí)卻突然成為寫入模式。
如上所述，在瞬時(shí)停電的情況下，外部復(fù)位信號(hào)及低電壓檢測(cè)電路的輸出信號(hào)不輸出的情況下，模式控制寄存器9不復(fù)位，瞬時(shí)停電恢復(fù)后，可能產(chǎn)生誤工作，一旦模式控制寄存器9產(chǎn)生誤工作，就存在引起在非易失性存儲(chǔ)器8上誤寫入的問題。
(解決課題的手段)為解決上述問題，本發(fā)明采用的誤寫入防止電路，其特征在于是在進(jìn)行檢測(cè)電源電壓下降的檢測(cè)工作的同時(shí)，配備能夠根據(jù)來自控制端子的控制信號(hào)、轉(zhuǎn)換是否進(jìn)行該檢測(cè)工作的檢測(cè)電路，根據(jù)該檢測(cè)電路的輸出信號(hào)，禁止存儲(chǔ)器中的寫入工作的誤寫入防止電路。根據(jù)上述控制信號(hào)，禁止向上述存儲(chǔ)器寫入。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的方框圖。
圖2是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的方框圖。
圖3是表示現(xiàn)有例的方框圖。
圖4是說明圖1的實(shí)施方式的時(shí)間圖。
圖5是說明圖1的實(shí)施方式的時(shí)間圖。
圖6是說明圖2的實(shí)施方式工作的時(shí)間圖。
符號(hào)說明
1-低電壓檢測(cè)電路；2、3-電阻；4-基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路；5-比較器；6-倒相器；7-倒相器；8-非易失性存儲(chǔ)器；9-模式控制寄存器；10-寫入讀出控制部；11-微機(jī)；12-準(zhǔn)備控制寄存器；13-晶體管；14-外部復(fù)位電路；15-緩沖器；16-倒相器；17“與”門電路；18-低Vt倒相器；19-高Vt倒相器；具體實(shí)施方式
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的方框圖，16是設(shè)置在信號(hào)E線上的倒相器，信號(hào)E是來自準(zhǔn)備控制寄存器12的輸出信號(hào)，17是取信號(hào)C與信號(hào)F的邏輯積的“與”門電路。此外，對(duì)與現(xiàn)有電路相同的電路，注以相同的符號(hào)，省略其說明。
本實(shí)施方式的特征在于在瞬時(shí)停電狀態(tài)中，即使在外部復(fù)位電路14及低電壓檢測(cè)電路1不工作的情況下，用使來自倒相器16的輸出信號(hào)F成為激活的(「L」電平)方法，自動(dòng)地使模式控制寄存器9能夠復(fù)位。
產(chǎn)生瞬時(shí)停電、電源電壓VDD如圖4(VDD)那樣變化的情況下，由于一端下降到Tr驅(qū)動(dòng)電壓以下，從瞬時(shí)停電恢復(fù)時(shí)，來自準(zhǔn)備控制寄存器12的輸出信號(hào)E究竟以怎樣的值恢復(fù)還是不明確的狀況，如圖4(E)所示，最初上升、而在中途下降。
這時(shí)，比包含在外部復(fù)位電路14中的電容器的時(shí)間常數(shù)更快的放電來不及，不產(chǎn)生復(fù)位工作，來自外部復(fù)位電路14的信號(hào)A有時(shí)如圖4(A)那樣與電源電壓VDD同樣地變化。
由于偏置電流被切斷、低電壓檢測(cè)電路1不工作，如圖4(C)所示，信號(hào)C與電源電壓VDD同樣地變化，另外，判定構(gòu)成倒相器7及倒相器16的晶體管的「1」和「0」的閾電平，如圖4(E)的虛線所示，與電源電壓VDD成比例地、隨著電源電壓VDD的變化而變化。
另一方面，信號(hào)F與電源電壓同樣地上升下去，當(dāng)信號(hào)E的電壓電平達(dá)到Tr驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)、成為「L」電平，然后，信號(hào)E的電壓電平下降，當(dāng)?shù)陀陂撾娖綍r(shí)，反轉(zhuǎn)成為「H」電平，解除模式控制寄存器9的復(fù)位狀態(tài)。這時(shí)的信號(hào)F的變化示于圖4(F)。信號(hào)F在一定的區(qū)間上成為「L」電平。
信號(hào)G是模式控制寄存器9的復(fù)位信號(hào)，在信號(hào)F是「L」電平期間與信號(hào)F同樣地變化，如圖4(G)所示，使模式控制寄存器9初始化。模式控制寄存器9將寫入讀出控制部10設(shè)定為初始狀態(tài)，設(shè)定在初始狀態(tài)的寫入讀出控制部10不會(huì)引起在非易失性存儲(chǔ)器8上誤寫入。
因此，即使在產(chǎn)生瞬時(shí)停電、沒有來自外部復(fù)位電路14的復(fù)位信號(hào)的情況下，由于作為倒相器16的輸出的信號(hào)F成為「L」電平，自動(dòng)地向模式控制寄存器9輸出復(fù)位信號(hào)，能夠避免引起在非易失性存儲(chǔ)器8上誤寫入的情況。
在圖5中，來自準(zhǔn)備控制寄存器12的信號(hào)E，如圖5(E)所示，與圖4的情況不同在中途不下降、與電源電壓VDD同樣地成為「H」電平的情況下，圖5(VDD)表示電源電壓VDD的變化，圖5(A)表示信號(hào)A的變化，圖5(E)表示信號(hào)E的變化，圖5(C)表示信號(hào)C的變化，圖5(F)表示信號(hào)F的變化，圖5(G)表示信號(hào)G的變化。
當(dāng)信號(hào)E的電壓電平達(dá)到Tr驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，信號(hào)F成為「L」電平，原樣地保持「L」電平，作為模式控制寄存器9的復(fù)位信號(hào)的信號(hào)G，與信號(hào)F同樣地變化，同樣地保持「L」電平。
因此，非易失性存儲(chǔ)器8繼續(xù)復(fù)位的狀態(tài)，不能進(jìn)行寫入及讀出等一切工作。但是，在復(fù)位信號(hào)不能正常到來的狀況下，作為模式控制寄存器9的輸出的模式信號(hào)值是不確定的狀況，用維持復(fù)位狀態(tài)的方法，能夠避免對(duì)非易失性存儲(chǔ)器8的致命性的誤寫入。
因此，由于搭載進(jìn)行準(zhǔn)備控制的晶體管13，能夠削減電功率消耗，此外，在產(chǎn)生瞬時(shí)停電、電源電壓VDD下降到Tr驅(qū)動(dòng)電壓以下，來自外部復(fù)位電路14的復(fù)位信號(hào)A沒有到來的情況中，來自準(zhǔn)備控制寄存器12的輸出信號(hào)E即使是最初上升中途下降、或者與電源電壓VDD同樣地上升的情況下，對(duì)模式控制寄存器9是輸出復(fù)位信號(hào)或者保持復(fù)位信號(hào)，能夠可靠地禁止誤寫入。
圖2是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的方框圖，在本實(shí)施發(fā)生中，與圖1不同之點(diǎn)在于將倒相器16變更為低Vt倒相器18，進(jìn)而將倒相器7變更為高Vt倒相器19。低Vt及高Vt意味著低閾值、高閾值。
由于低Vt倒相器18是低閾值，與具有標(biāo)準(zhǔn)閾值的倒相器相比，在輸入電壓低的狀態(tài)下，成為「L」電平。因此，作為倒相器18的輸出信號(hào)的信號(hào)H，與具有標(biāo)準(zhǔn)閾值的倒相器相比，容易成為「L」電平，成為容易將復(fù)位信號(hào)輸出到模式控制寄存器9上的結(jié)構(gòu)。
另外，由于高Vt倒相器19是高閾值，與具有標(biāo)準(zhǔn)閾值的倒相器相比，當(dāng)輸入電壓不增高時(shí)，不能成為「L」電平。因此，信號(hào)I成為容易輸出「H」電平的結(jié)構(gòu)。信號(hào)I是「H」時(shí)，晶體管13導(dǎo)通、偏置電流流通，與具有標(biāo)準(zhǔn)閾值的倒相器相比，低電壓檢測(cè)電路1容易成為能夠檢測(cè)低電壓的狀態(tài)。
在圖2的實(shí)施方式中，當(dāng)電源電壓VDD因瞬時(shí)停電產(chǎn)生如圖6(VDD)那樣變化的情況下，作為來自準(zhǔn)備控制寄存器12的輸出的信號(hào)E是不穩(wěn)定的狀況，如圖6(E)那樣變化。圖6(VDD)表示電源電壓VDD的變化，圖6(A)表示信號(hào)A的變化，圖6(E)表示信號(hào)E的變化，圖6(H)表示信號(hào)H的變化，圖6(I)表示信號(hào)I的變化，圖6(J)表示信號(hào)J的變化，圖6(K)表示信號(hào)K的變化。
另外，在圖6(E)中用虛線表示低Vt及高Vt的閾值線，低Vt及高Vt閾值線與電源電壓VDD成比例地變化。
當(dāng)信號(hào)E的電壓電平達(dá)到Tr驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，信號(hào)H成為「L」電平，然后，當(dāng)信號(hào)E成為低閾值電平以下時(shí)，反轉(zhuǎn)成為「H」電平，解除復(fù)位狀態(tài)。
另一方面，當(dāng)信號(hào)E從中途下降、成為高Vt閾值線以下時(shí)，信號(hào)I成為「H」電平，晶體管13導(dǎo)通、偏置電流流通，低電壓檢測(cè)電路1能夠檢測(cè)低電壓。
最初，信號(hào)J與電源電壓同樣上升，但是當(dāng)信號(hào)I成為「H」電平時(shí)，低電壓檢測(cè)電路I工作，一端下降到「L」電平，輸出復(fù)位信號(hào)，接著、當(dāng)電源電壓VDD上升超過檢測(cè)電平時(shí)，這時(shí)成為「H」電平，對(duì)模式控制寄存器9解除復(fù)位信號(hào)狀態(tài)。
另外，在圖6中，由于使用低、高閾值，在信號(hào)H和信號(hào)J、產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)重復(fù)的區(qū)間「t」。信號(hào)K是信號(hào)H和信號(hào)I的邏輯積，存在重復(fù)復(fù)位區(qū)間一方，能夠進(jìn)行更穩(wěn)定的工作。
(發(fā)明的效果)如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠切斷準(zhǔn)備電流，與低電壓檢測(cè)電路1的偏置電流的導(dǎo)通、關(guān)斷無關(guān)，以可靠地產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)的方法，防止誤寫入，飛躍性地提高對(duì)噪音的可靠性。
權(quán)利要求
1.一種誤寫入防止電路，其特征在于是在進(jìn)行檢測(cè)電源電壓下降的檢測(cè)工作的同時(shí)，配備能夠根據(jù)來自控制端子的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換是否進(jìn)行該檢測(cè)工作的檢測(cè)電路，根據(jù)該檢測(cè)電路的輸出信號(hào)，禁止在存儲(chǔ)器中的寫入工作的誤寫入防止電路，根據(jù)上述控制信號(hào)，禁止向上述存儲(chǔ)器寫入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的誤寫入防止電路，其特征在于配備寄存上述控制信號(hào)的寄存器；當(dāng)上述電源電壓下降，上述寄存器處于第1狀態(tài)時(shí)，進(jìn)行上述檢測(cè)電路的檢測(cè)工作，在上述寄存器處于第2狀態(tài)時(shí)，由上述寄存器的輸出信號(hào)禁止向上述存儲(chǔ)器寫入。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的誤寫入防止電路，其特征在于配備連接在上述寄存器與上述檢測(cè)電路之間的第1晶體管和施加上述寄存器的輸出信號(hào)的第2晶體管；使決定上述第1晶體管與上述第2晶體管中的導(dǎo)通或者關(guān)斷的閾值電平相互不同。
4.一種誤寫入防止電路，在禁止向存儲(chǔ)器寫入工作的誤寫入防止電路中，其特征在于配備由外部復(fù)位信號(hào)復(fù)位，保持?jǐn)?shù)據(jù)的寄存器；根據(jù)來自上述寄存器的輸出信號(hào)，使檢測(cè)工作導(dǎo)通或者關(guān)斷，檢測(cè)電源電壓的下降，輸出第1復(fù)位信號(hào)的檢測(cè)電路；由上述第1復(fù)位信號(hào)及第2復(fù)位信號(hào)復(fù)位，根據(jù)該復(fù)位禁止向上述存儲(chǔ)器寫入的寫入禁止電路；以及在上述檢測(cè)電路關(guān)斷的情況下，將來自上述寄存器的輸出信號(hào)作為上述第2復(fù)位信號(hào)輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的誤寫入防止電路，其特征在于配備連接在上述寄存器與上述檢測(cè)電路之間的第1晶體管和施加上述寄存器的輸出信號(hào)的第2晶體管；使決定上述第1晶體管和第2晶體管中的導(dǎo)通或者關(guān)斷的閾值電平相互不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的誤寫入防止電路，其特征在于上述存儲(chǔ)器是在進(jìn)行寫入時(shí)需要一定以上電壓的非易失性存儲(chǔ)器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的誤寫入防止電路，其特征在于上述存儲(chǔ)器是在進(jìn)行寫入時(shí)需要一定以上電壓的非易失性存儲(chǔ)器。
8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包含權(quán)利要求1所述的誤寫入防止電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種誤寫入防止電路及包含該誤寫入防止電路的半導(dǎo)體器件。該誤寫入防止電路能夠防止在瞬時(shí)停電恢復(fù)后、因誤工作引起的對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的誤寫入。在包含非易失性存儲(chǔ)器(8)的微機(jī)(11)中，為了抑制微機(jī)(11)在待機(jī)中的多余的電流消耗，配備準(zhǔn)備模式，準(zhǔn)備模式中，具有能夠切斷低電壓檢測(cè)電路(1)的偏置電流的晶體管(13)，該晶體管(13)在因噪音的影響等瞬時(shí)停電恢復(fù)時(shí)，不成為導(dǎo)通狀態(tài)，在低電壓檢測(cè)電路(1)不工作的情況下，用使從補(bǔ)足性地工作的倒相器(16)輸出的信號(hào)(F)成為激活(「L」電平)的方法，可靠地實(shí)行模式控制部(9)的復(fù)位工作，防止因誤工作引起的對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的誤寫入。
文檔編號(hào)G06F15/76GK1534481SQ20041000808
公開日2004年10月6日 申請(qǐng)日期2004年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月26日
發(fā)明者保高和夫 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社