專利名稱：用于處理半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路和其用于制造半導(dǎo)體器件的處理。更具體地，本發(fā)明提供了用于處理集成電路制造的穩(wěn)定性的方法和系統(tǒng)。本發(fā)明已經(jīng)被應(yīng)用于集成電路制造的特定的性質(zhì)特性，這僅僅是為了示例。但是，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到本發(fā)明具有更加廣泛的可應(yīng)用性。
背景技術(shù)：
集成電路或“IC”已經(jīng)從制造在單個(gè)硅芯片上的少數(shù)的互連器件發(fā)展到數(shù)百萬個(gè)器件。當(dāng)前的IC所提供的性能和復(fù)雜度已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了當(dāng)初的想象。為了實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度和電路密度(即，能夠被安裝到給定芯片面積上的器件的數(shù)量)的提高，對(duì)于每一代IC，最小器件線寬的尺寸(也被稱為器件“幾何”)變得越來越小?，F(xiàn)在正在制造具有線寬小于四分之一微米的半導(dǎo)體器件。
不斷增大的電路密度已不僅提高了IC的復(fù)雜度和性能，而且也為客戶提供了更低成本的部件。IC制造設(shè)備常?？赡芑ㄙM(fèi)成百上千萬，甚至十幾億美元。每一套制造設(shè)備具有一定的晶片生產(chǎn)量，每片晶片上將會(huì)有一定數(shù)量的IC。因此，通過制造越來越小的個(gè)體IC器件，在每一個(gè)晶片上可以制造更多的器件，這樣就可以增加制造設(shè)備的產(chǎn)量。要使器件更小總是很有挑戰(zhàn)性的，因?yàn)槊恳环N用于IC制造的工藝都存在限制。那也就是說，一種給定的工藝通常只能加工到某一特定的線寬尺寸，于是不是工藝就是器件布局需要被改變。這樣的限制的一個(gè)示例是以經(jīng)濟(jì)和高效的方式處理用于集成電路制造的穩(wěn)定性。
近年來利用芯片代工廠服務(wù)進(jìn)行定制集成電路的制造得到了發(fā)展。無工廠化芯片公司通常設(shè)計(jì)定制的集成電路。這樣的定制集成電路需要制造通常被稱為“光罩(reticle)”的一組定制掩模。中國(guó)上海的名為中芯國(guó)際(SMIC)的芯片代工廠公司是進(jìn)行代工廠服務(wù)的芯片公司的一個(gè)示例。雖然近年來，無工廠化芯片公司和代工廠服務(wù)得到了增長(zhǎng)，但是仍然存在很多的限制。例如，在半導(dǎo)體工業(yè)中，大批量生產(chǎn)的穩(wěn)定性常常是很重要的。半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)該在月與月、周于周或者甚至是天與天之間保持其功能的基本穩(wěn)定。雖然實(shí)際上功能可能不會(huì)保持嚴(yán)格相同，但是功能應(yīng)該在統(tǒng)計(jì)意義上不發(fā)生明顯的變化。如果功能在統(tǒng)計(jì)學(xué)上是穩(wěn)定的，則制造工藝是協(xié)調(diào)的。在本說明書中，更具體地將在下文中描述這些和其他的限制。
從上面可以看出，用于加工半導(dǎo)體器件的改進(jìn)的技術(shù)是人們所希望的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及集成電路和其用于制造半導(dǎo)體器件的處理。更具體地，本發(fā)明提供了用于處理集成電路制造的穩(wěn)定性的方法和系統(tǒng)。本發(fā)明已經(jīng)被應(yīng)用于集成電路制造的特定的性質(zhì)特性，這僅僅是為了示例。但是，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到本發(fā)明具有更加廣泛的可應(yīng)用性。
在具體的實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種用于處理半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性的方法。該方法包括提供第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件；提供第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件；獲取第一批多個(gè)被測(cè)量的值，所述第一批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與所述第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性；以及獲取第二批多個(gè)被測(cè)量的值，所述第二批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與所述第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性。此外，本方法包括對(duì)所述第一批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第一統(tǒng)計(jì)分析；至少基于與所述第一統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第一統(tǒng)計(jì)分布；對(duì)所述第二批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第二統(tǒng)計(jì)分析；以及至少基于與所述第二統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第二統(tǒng)計(jì)分布。此外，本方法包括處理與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息；以及至少基于與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息確定指示量。所述指示量與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布之間的重疊面積相關(guān)聯(lián)。并且，本方法包括處理與所述指示量相關(guān)聯(lián)的信息；至少基于與所述指示量相關(guān)聯(lián)的信息確定置信度水平；處理與所述置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息；以及至少基于與所述置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息確定所述特性是否穩(wěn)定。所述置信度水平與所述指示量的二次冪以及所述指示量的一次冪相關(guān)聯(lián)。所述確定所述特性是否穩(wěn)定的步驟包括如果所述置信度水平等于或者高于95％，則確定所述特性是穩(wěn)定的；以及如果所述置信度水平低于95％，則確定所述特性是不穩(wěn)定。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了包括用于處理半導(dǎo)體器件穩(wěn)定性的指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括一個(gè)或者多個(gè)指令，用于接收第一批多個(gè)被測(cè)量的值，所述第一批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性；以及一個(gè)或者多個(gè)指令，用于接收第二批多個(gè)被測(cè)量的值，所述第二批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性。此外，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括一個(gè)或者多個(gè)指令，用于對(duì)所述第一批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第一統(tǒng)計(jì)分析；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述第一統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第一統(tǒng)計(jì)分布；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于對(duì)所述第二批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第二統(tǒng)計(jì)分析；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述第二統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第二統(tǒng)計(jì)分布；以及一個(gè)或者多個(gè)指令，用于處理與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息。此外，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息確定指示量。所述指示量與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布之間的重疊面積相關(guān)聯(lián)。并且，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括一個(gè)或者多個(gè)指令，用于處理與所述指示量相關(guān)聯(lián)的信息；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述指示量相關(guān)聯(lián)的信息確定置信度水平；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于處理與所述置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息；以及一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息確定所述特性是否穩(wěn)定。所述置信度水平與所述指示量的二次冪以及所述指示量的一次冪相關(guān)聯(lián)。所述用于確定所述特性是否穩(wěn)定的一個(gè)或者多個(gè)指令包括一個(gè)或者多個(gè)指令，如果所述置信度水平等于或者高于95％，則所述一個(gè)或者多個(gè)指令確定所述特性是穩(wěn)定的；以及一個(gè)或者多個(gè)指令，如果所述置信度水平低于95％，則所述一個(gè)或者多個(gè)指令確定所述特性是不穩(wěn)定的。
通過本發(fā)明獲得了較傳統(tǒng)技術(shù)的很多優(yōu)點(diǎn)。例如，本技術(shù)提供一種使用依賴于傳統(tǒng)技術(shù)的工藝的簡(jiǎn)單方法。在一些實(shí)施例中，本方法確保了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。此外，本方法提供了與傳統(tǒng)工藝技術(shù)兼容而不用對(duì)傳統(tǒng)設(shè)備和工藝進(jìn)行實(shí)質(zhì)修改的工藝。依據(jù)實(shí)施例，可以獲得這些優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)。這些優(yōu)點(diǎn)或其他優(yōu)點(diǎn)將在本說明書中并且更具體地在下文中，進(jìn)行更多的描述。
參考隨后的詳細(xì)描述和附圖，本發(fā)明的各種另外的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)可以被更加充分地理解。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于處理半導(dǎo)體制造的穩(wěn)定性的簡(jiǎn)化的方法。
圖2是作為兩個(gè)統(tǒng)計(jì)參數(shù)的函數(shù)的簡(jiǎn)化的調(diào)和置信度(harmonizationconfidence)。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及集成電路和其用于制造半導(dǎo)體器件的處理。更具體地，本發(fā)明提供了用于處理集成電路制造的穩(wěn)定性的方法和系統(tǒng)。本發(fā)明已經(jīng)被應(yīng)用于集成電路制造的特定品質(zhì)的特征，這僅僅是為了示例。但是，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到本發(fā)明具有更加廣泛的可應(yīng)用性。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于處理半導(dǎo)體制造的穩(wěn)定性的簡(jiǎn)化的方法。此圖僅作為示例，在這里其不應(yīng)不適當(dāng)?shù)叵拗茩?quán)利要求的范圍。方法100包括下面的步驟1.步驟110，制造第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件；2.步驟115，制造第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件；3.步驟120，表征第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件；4.步驟125，表征第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件；5.步驟130，分析第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件的特性；
6.步驟135，分析第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件的特性；7.步驟140，比較特性；8.步驟150，確定調(diào)和置信度；9.步驟160，確定穩(wěn)定性。
上述順序的步驟提供了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的方法。還可以提供其他的可供選擇的方法，其中在不背離這里的權(quán)利要求的范圍的情況下，加入某些步驟，移除一個(gè)或多個(gè)步驟，或者一個(gè)或多個(gè)步驟按照不同的順序進(jìn)行。本發(fā)明進(jìn)一步的詳細(xì)說明在本說明書中可以找到，在下文中將作更詳細(xì)的描述。
在步驟110，第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件被制造。所述半導(dǎo)體器件可以包括各種類型的晶體管、二極管、電阻器、感應(yīng)器或者其他。此外，半導(dǎo)體器件可以包括晶體管、二極管、感應(yīng)器或者其他的起始產(chǎn)品或者中間產(chǎn)品。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管的制造開始于起始產(chǎn)品，并且包括各種處理步驟。例如，起始產(chǎn)品包括半導(dǎo)體襯底。半導(dǎo)體可以是硅、鍺、砷化鎵或者其他的材料。處理步驟可以包括沉積、退火、離子注入、刻蝕或者其他。在刻蝕處理步驟之后，所得的結(jié)構(gòu)是中間產(chǎn)品。
在步驟115，第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件被制造。通過設(shè)計(jì)，第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件具有至少一個(gè)與第一批的多個(gè)半導(dǎo)體器件相同的特性。在一個(gè)實(shí)施例中，該特性是在線工藝參數(shù)。例如，所述特性是多晶硅層的寬度、沉積厚度或者金屬關(guān)鍵尺寸。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述特性是器件或者晶片的驗(yàn)收參數(shù)(acceptance parameter)。例如，所述特性是方塊電阻或者擊穿電壓。在另一個(gè)實(shí)施例中，第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件具有與第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件相同的結(jié)構(gòu)和功能規(guī)范。例如，通過設(shè)計(jì)，利用與用于第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件的相同的起始結(jié)構(gòu)和制造工藝來制造第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件。
此外，在第一時(shí)間周期中制造第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件，在第二時(shí)間周期中制造第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件。例如，第一時(shí)間周期與第二時(shí)間周期重疊。在另一個(gè)示例中，第一時(shí)間周期不與第二時(shí)間周期重疊。
此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在同一制造設(shè)備中制造第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件和第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件。例如，第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件和第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件由同一套制造裝置制造。該套制造裝置可以包括例如沉積室、離子注入機(jī)、退火室、刻蝕室或者其他。
在步驟120，第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件被表征。在一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)量第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部的特定的結(jié)構(gòu)和功能參數(shù)。例如，結(jié)構(gòu)參數(shù)是諸如多晶硅層的寬度之類的被沉積層的尺寸、沉積厚度或者金屬關(guān)鍵尺寸。在另一個(gè)示例中，結(jié)構(gòu)參數(shù)是摻雜分布圖(profile)、遷移率分布圖、應(yīng)力分布圖或其他。在另一個(gè)實(shí)施例中，功能參數(shù)是方塊電阻、導(dǎo)通電壓、擊穿電壓、漏電流或其他。在另一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)量了第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部的不止一個(gè)的結(jié)構(gòu)和功能參數(shù)。在另一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部，測(cè)量了包括一個(gè)或者多個(gè)結(jié)構(gòu)和功能參數(shù)的與第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)的一個(gè)或者多個(gè)參數(shù)，或者測(cè)量了除一個(gè)或者多個(gè)結(jié)構(gòu)和功能之外的與第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)的其他一個(gè)或者多個(gè)參數(shù)。此外，如上面所討論的，第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部被表征。例如，隨機(jī)地或者基于一個(gè)第一預(yù)定條件，從第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件中選擇被表征的半導(dǎo)體器件。
在步驟125，第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件被表征。對(duì)于第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部，同樣測(cè)量對(duì)于第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件所確定的一個(gè)或者多個(gè)參數(shù)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，隨機(jī)地或者基于一個(gè)第二預(yù)定條件，從第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件中選擇被表征的半導(dǎo)體器件。例如，第二預(yù)定條件可以與第一預(yù)定條件相同或者不同。
在步驟130，第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件的特性被分析。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部所測(cè)量的一個(gè)或者多個(gè)參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理。例如，所測(cè)量的值利用對(duì)稱的鐘形正態(tài)分布N(μ1，σ12)進(jìn)行建模。μ1是第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部的均值參數(shù)，σ1是第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部的標(biāo)準(zhǔn)差參數(shù)。在另一個(gè)實(shí)施例中，利用正態(tài)分布以外的其他統(tǒng)計(jì)模型分析所測(cè)量的值。
在步驟135，第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件的特性被分析。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部所測(cè)量的一個(gè)或者多個(gè)參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)處理。例如，所測(cè)量的值利用對(duì)稱的鐘形正態(tài)分布N(μ2，σ22)進(jìn)行建模。μ2是第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部的均值參數(shù)，σ2是第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件中的一些或者全部的標(biāo)準(zhǔn)差參數(shù)。在另一個(gè)實(shí)施例中，利用正態(tài)分布以外的其他統(tǒng)計(jì)模型分析所測(cè)量的值。該統(tǒng)計(jì)模型與第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件所使用的相同，而對(duì)統(tǒng)計(jì)參數(shù)使用相同的或者不同的值。
在步驟140，比較第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件和第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件的特性。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件所測(cè)量的值用N(μ1，σ12)進(jìn)行建模，對(duì)第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件所測(cè)量的值用N(μ2，σ22)進(jìn)行建模。通過數(shù)學(xué)變換，用于第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件的正態(tài)分布被轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)分布N(0，1)。標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)分布的均值為0，標(biāo)準(zhǔn)差參數(shù)為1。同樣的數(shù)學(xué)變換將第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件的正態(tài)分布轉(zhuǎn)換為另一個(gè)正態(tài)分布N(μ3，σ32)，其中μ3=1σ1(μ2-μ1)]]>式1σ3=σ2σ1]]>式2根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件和第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件的特性之間的比較通過標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)分布N(0，1)和N(μ3，σ32)在置信區(qū)間(interested interval)CD之間的重疊面積來度量。具體的，重疊面積由下面的二元函數(shù)來確定A(μ3,σ3)=(12∫CD)[e-y22+1σ3e-(y-μ3)22σ32]dy/∫-33e-y22dy]]>式3其中C＝max(-3，μ3-3σ3) 式4并且D＝max(3，μ3+3σ3) 式5在步驟150，調(diào)和置信度被確定。例如，調(diào)和置信度被定義如下
HCl＝(-0.56A2+1.56A)×100％ 式6其中HCl是其范圍可以從0％至100％的調(diào)和置信度。由式6所計(jì)算出的HCl為百分?jǐn)?shù)。例如，如果A為0.8，則HCl將等于88.96％。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，HCl與從第一時(shí)間周期和第二時(shí)間周期的產(chǎn)品特性的穩(wěn)定性程度相關(guān)聯(lián)。如式6所示，調(diào)和置信度是μ3和σ3的二元函數(shù)。圖2是作為μ3和σ3的函數(shù)的簡(jiǎn)化的調(diào)和置信度。此圖僅作為示例，在這里其不應(yīng)不適當(dāng)?shù)叵拗茩?quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以發(fā)現(xiàn)很多變化、修改和替代。如圖2所示，在行中μ3從0變化至6，并且在列中σ3從0.1變化至6。調(diào)和置信度對(duì)于μ3相對(duì)于0對(duì)稱，因此該表也覆蓋了范圍從0至-6的μ3值。步驟150可以通過使用圖2中的表來實(shí)施。
在步驟160，基于調(diào)和置信度確定產(chǎn)品特性的穩(wěn)定性。例如，如果調(diào)和置信度大于或者等于95％，則產(chǎn)品特性被認(rèn)為是穩(wěn)定的。在另一個(gè)示例中，如果調(diào)和置信度大于或者等于99％，則產(chǎn)品特性被認(rèn)為是高度穩(wěn)定的。在一個(gè)實(shí)施例中，如果認(rèn)為產(chǎn)品特性不穩(wěn)定，則產(chǎn)品性能可能在不同時(shí)間與時(shí)間之間發(fā)生明顯的波動(dòng)。這樣的波動(dòng)可以對(duì)系統(tǒng)集成產(chǎn)生不利的影響，并且限制了這樣的產(chǎn)品在具有窄的公差的關(guān)鍵應(yīng)用中的使用。在另一個(gè)實(shí)施例中，如果產(chǎn)品特性被認(rèn)為是高度穩(wěn)定的，則產(chǎn)品性能在不同的時(shí)間與時(shí)間之間保持基本相同。這樣的產(chǎn)品可以優(yōu)選地用于關(guān)鍵應(yīng)用。
如上面所討論并在此被進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)的，圖1僅僅是示例，在這里其不應(yīng)不適當(dāng)?shù)叵拗茩?quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以發(fā)現(xiàn)很多變化、修改和替代。在一個(gè)實(shí)施例中，由方法100所測(cè)量和分析的產(chǎn)品參數(shù)可以是任何的性質(zhì)特性。例如，產(chǎn)品參數(shù)是物理特性，例如長(zhǎng)度、重量、壓力、電壓、電流或者粘度。在另一個(gè)示例中，產(chǎn)品參數(shù)是感覺特性，例如味道、顏色或者使用的容易程度。在另一個(gè)示例中，產(chǎn)品參數(shù)是具有時(shí)間依賴性的特性，例如可靠性或者持久性。在另一個(gè)實(shí)施例中，方法100被應(yīng)用于任何產(chǎn)品，而不限于半導(dǎo)體器件。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可以通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行方法100的一些或者全部步驟。例如，計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括用于處理半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性的指令。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括用于接收第一批多個(gè)被測(cè)量的值的一個(gè)或者多個(gè)指令，所述第一批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)的某種特性；以及用于接收第二批多個(gè)被測(cè)量的值的一個(gè)或者多個(gè)指令，所述第二批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)的所述的特性。此外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括用于對(duì)第一批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第一統(tǒng)計(jì)分析的一個(gè)或者多個(gè)指令；用于至少基于與第一統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第一統(tǒng)計(jì)分布的一個(gè)或者多個(gè)指令；用于對(duì)第二批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第二統(tǒng)計(jì)分析的一個(gè)或者多個(gè)指令；用于至少基于與第二統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第二統(tǒng)計(jì)分布的一個(gè)或者多個(gè)指令；以及用于處理與第一統(tǒng)計(jì)分布和第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息的一個(gè)或者多個(gè)指令。此外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括用于至少基于與第一統(tǒng)計(jì)分布和第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息確定指示量的一個(gè)或者多個(gè)指令。指示量與第一統(tǒng)計(jì)分布和第二統(tǒng)計(jì)分布之間的重疊面積相關(guān)聯(lián)。此外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括用于處理與指示量相關(guān)聯(lián)的信息的一個(gè)或者多個(gè)指令；用于至少基于與指示量相關(guān)聯(lián)的信息確定置信度水平的一個(gè)或者多個(gè)指令；用于處理與置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息的一個(gè)或者多個(gè)指令；以及用于至少基于與置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息確定特性是否穩(wěn)定的一個(gè)或者多個(gè)指令。置信度水平與指示量的二次冪以及指示量的一次冪相關(guān)聯(lián)。用于確定特性是否穩(wěn)定的一個(gè)或者多個(gè)指令包括這樣的一個(gè)或者多個(gè)指令，即如果置信度水平等于或者高于95％，則所述指令確定特性是穩(wěn)定的；以及這樣的一個(gè)或者多個(gè)指令，即如果置信度水平低于95％，則所述指令確定特性是不穩(wěn)定的。
例如，置信度水平等于與乘以了-0.56的指示量二次冪和乘以了1.56的指示量一次冪的加和相關(guān)聯(lián)的百分?jǐn)?shù)。用于確定特性是否穩(wěn)定的一個(gè)或者多個(gè)指令還包括這樣的一個(gè)或者多個(gè)指令，即如果置信度水平等于或者高于99％，則所述指令確定特性是高度穩(wěn)定的。在另一個(gè)示例中，指示量?jī)H僅依賴于第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)和第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)。用于確定置信度水平的一個(gè)或者多個(gè)指令包括用于從表中獲得置信度水平的一個(gè)或者多個(gè)指令。該表提供了作為第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)和第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)的函數(shù)的置信度水平。在另一個(gè)示例中，第一統(tǒng)計(jì)分布是與第一均值和第一標(biāo)準(zhǔn)差相關(guān)聯(lián)的第一正態(tài)分布，第二統(tǒng)計(jì)分布是與第二均值和第二標(biāo)準(zhǔn)差相關(guān)聯(lián)的第二正態(tài)分布。指示量?jī)H僅依賴于第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)和第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)。第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)與第一均值和第二均值之間的差成比例，第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)與第一標(biāo)準(zhǔn)差與第二標(biāo)準(zhǔn)差之間的比值相關(guān)聯(lián)。在另一個(gè)示例中，第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件與第一時(shí)間周期相關(guān)聯(lián)，第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件與第二時(shí)間周期相關(guān)聯(lián)。第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件和第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件與相同的制造設(shè)備相關(guān)聯(lián)。
還應(yīng)當(dāng)理解，這里所描述的示例和實(shí)施例只是為了說明的目的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)上述實(shí)施例想到本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化，并且這些修改和變化都在本申請(qǐng)的精神和范圍內(nèi)，并且也在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于處理半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性的方法，所述方法包括提供第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件；提供第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件；獲取第一批多個(gè)被測(cè)量的值，所述第一批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與所述第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性；獲取第二批多個(gè)被測(cè)量的值，所述第二批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與所述第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性；對(duì)所述第一批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第一統(tǒng)計(jì)分析；至少基于與所述第一統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第一統(tǒng)計(jì)分布；對(duì)所述第二批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第二統(tǒng)計(jì)分析；至少基于與所述第二統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第二統(tǒng)計(jì)分布；處理與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息；至少基于與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息確定一個(gè)指示量，所述指示量與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布之間的重疊面積相關(guān)聯(lián)；處理與所述指示量相關(guān)聯(lián)的信息；至少基于與所述指示量相關(guān)聯(lián)的信息確定一個(gè)置信度水平；處理與所述置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息；至少基于與所述置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息確定所述特性是否穩(wěn)定；其中，所述置信度水平與所述指示量的二次冪以及所述指示量的一次冪相關(guān)聯(lián)；其中，所述確定所述特性是否穩(wěn)定的步驟包括如果所述置信度水平等于或者高于95％，則確定所述特性是穩(wěn)定的；如果所述置信度水平低于95％，則確定所述特性是不穩(wěn)定。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述置信度水平等于一個(gè)百分?jǐn)?shù)，所述百分?jǐn)?shù)與乘以了-0.56的所述指示量二次冪和乘以了1.56的所述指示量一次冪的加和相關(guān)聯(lián)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述確定所述特性是否穩(wěn)定的步驟進(jìn)一步包括如果所述置信度水平等于或者高于99％，則確定所述特性是高度穩(wěn)定的。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述指示量?jī)H僅依賴于一個(gè)第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)和一個(gè)第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述確定所述置信度水平的步驟包括從一個(gè)表中獲取所述置信度水平；其中所述表提供了作為所述第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)和所述第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)的函數(shù)的所述置信度水平。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一統(tǒng)計(jì)分布是與一個(gè)第一均值和一個(gè)第一標(biāo)準(zhǔn)差相關(guān)聯(lián)的第一正態(tài)分布，所述第二統(tǒng)計(jì)分布是與一個(gè)第二均值和一個(gè)第二標(biāo)準(zhǔn)差相關(guān)聯(lián)的第二正態(tài)分布。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述確定第一統(tǒng)計(jì)分布的步驟包括至少基于與所述第一統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定所述第一均值和所述第一標(biāo)準(zhǔn)差，并且所述確定第二統(tǒng)計(jì)分布的步驟包括至少基于與所述第二統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定所述第二均值和所述第二標(biāo)準(zhǔn)差。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述指示量?jī)H僅依賴于一個(gè)第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)和一個(gè)第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)，所述第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)與所述第一均值和所述第二均值之間的差成比例，所述第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)與所述第一標(biāo)準(zhǔn)差和所述第二標(biāo)準(zhǔn)差之間的比值相關(guān)聯(lián)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件與一個(gè)第一時(shí)間周期相關(guān)聯(lián)，所述第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件與一個(gè)第二時(shí)間周期相關(guān)聯(lián)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件和所述第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件與一個(gè)相同的制造設(shè)備相關(guān)聯(lián)。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述特性或者是結(jié)構(gòu)參數(shù)，或者是功能參數(shù)。
12.一種包括用于處理半導(dǎo)體器件穩(wěn)定性的指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括一個(gè)或者多個(gè)指令，用于接收第一批多個(gè)被測(cè)量的值，所述第一批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于接收第二批多個(gè)被測(cè)量的值，所述第二批多個(gè)被測(cè)量的值對(duì)應(yīng)于與第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于對(duì)所述第一批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第一統(tǒng)計(jì)分析；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述第一統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第一統(tǒng)計(jì)分布；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于對(duì)所述第二批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第二統(tǒng)計(jì)分析；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述第二統(tǒng)計(jì)分析相關(guān)聯(lián)的信息確定第二統(tǒng)計(jì)分布；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于處理與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息確定指示量，所述指示量與所述第一統(tǒng)計(jì)分布和所述第二統(tǒng)計(jì)分布之間的重疊面積相關(guān)聯(lián)；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于處理與所述指示量相關(guān)聯(lián)的信息；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述指示量相關(guān)聯(lián)的信息確定置信度水平；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于處理與所述置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息；一個(gè)或者多個(gè)指令，用于至少基于與所述置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息確定所述特性是否穩(wěn)定；其中，所述置信度水平與所述指示量的二次冪以及所述指示量的一次冪相關(guān)聯(lián)；其中，所述用于確定所述特性是否穩(wěn)定的一個(gè)或者多個(gè)指令包括一個(gè)或者多個(gè)指令，如果所述置信度水平等于或者高于95％，則所述一個(gè)或者多個(gè)指令確定所述特性是穩(wěn)定的；一個(gè)或者多個(gè)指令，如果所述置信度水平低于95％，則所述一個(gè)或者多個(gè)指令確定所述特性是不穩(wěn)定的
13.如權(quán)利要求12所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述置信度水平等于一個(gè)百分?jǐn)?shù)，所述百分?jǐn)?shù)與乘以了-0.56的所述指示量二次冪和乘以了1.56的所述指示量一次冪的加和相關(guān)聯(lián)。
14.如權(quán)利要求13所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述用于確定所述特性是否穩(wěn)定的一個(gè)或者多個(gè)指令還包括這樣的一個(gè)或者多個(gè)指令，如果所述置信度水平等于或者高于99％，則確定所述特性是高度穩(wěn)定的。
15.如權(quán)利要求12所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述指示量?jī)H僅依賴于一個(gè)第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)和一個(gè)第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)。
16.如權(quán)利要求15所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述用于確定置信度水平的一個(gè)或者多個(gè)指令包括用于從一個(gè)表中獲取所述置信度水平的一個(gè)或者多個(gè)指令；其中所述表提供作為所述第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)和所述第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)的函數(shù)的所述置信度水平。
17.如權(quán)利要求12所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述第一統(tǒng)計(jì)分布是與第一均值和第一標(biāo)準(zhǔn)差相關(guān)聯(lián)的第一正態(tài)分布，第二統(tǒng)計(jì)分布是與第二均值和第二標(biāo)準(zhǔn)差相關(guān)聯(lián)的第二正態(tài)分布。
18.如權(quán)利要求17所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述指示量?jī)H僅依賴于一個(gè)第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)和一個(gè)第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)，所述第一統(tǒng)計(jì)參數(shù)與所述第一均值和所述第二均值之間的差成比例，所述第二統(tǒng)計(jì)參數(shù)與所述第一標(biāo)準(zhǔn)差和所述第二標(biāo)準(zhǔn)差之間的比值相關(guān)聯(lián)。
19.如權(quán)利要求12所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件與一個(gè)第一時(shí)間周期相關(guān)聯(lián)，所述第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件與一個(gè)第二時(shí)間周期相關(guān)聯(lián)。
20.如權(quán)利要求19所述的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件和所述第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件與一個(gè)相同的制造設(shè)備相關(guān)聯(lián)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于處理半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性的方法和系統(tǒng)。該方法包括提供第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件；提供第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件；獲取第一批多個(gè)被測(cè)量的值，其對(duì)應(yīng)于與第一批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性；以及獲取第二批多個(gè)被測(cè)量的值，其對(duì)應(yīng)于與第二批多個(gè)半導(dǎo)體器件相關(guān)聯(lián)的特性。此外，本方法包括對(duì)第一批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第一統(tǒng)計(jì)分析；確定第一統(tǒng)計(jì)分布；對(duì)第二批多個(gè)被測(cè)量的值執(zhí)行第二統(tǒng)計(jì)分析；以及確定第二統(tǒng)計(jì)分布。此外，本方法包括處理與第一和第二統(tǒng)計(jì)分布相關(guān)聯(lián)的信息；以及確定指示量。并且，本方法包括處理與指示量相關(guān)聯(lián)的信息；確定置信度水平；處理與置信度水平相關(guān)聯(lián)的信息；以及確定所述特性是否穩(wěn)定。
文檔編號(hào)G06Q90/00GK1716520SQ20041002541
公開日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2004年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月14日
發(fā)明者王邕保, 倪景華 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司