專利名稱：可具不動作狀態(tài)的射頻電子標(biāo)簽及其讀取系統(tǒng)與控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及RFID電子標(biāo)簽設(shè)計及其讀取系統(tǒng)與方法，例如，一RFID芯片用于電子標(biāo)簽通訊和管理。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的RFID電子標(biāo)簽具有一些不動作的功能，當(dāng)在一范圍內(nèi)讀取大量的RFID電子標(biāo)簽時，可使用該功能。當(dāng)一特定電子標(biāo)簽已經(jīng)被讀取過后，當(dāng)該電子標(biāo)簽具有電源時，該特定電子標(biāo)簽可設(shè)為不動作的狀態(tài)，以避免該特定電子標(biāo)簽再次被讀取。傳統(tǒng)電子標(biāo)簽可提供一不動作狀態(tài)。該不動作狀態(tài)與電源相關(guān)聯(lián)，例如，需藉由一讀取器或是一電荷儲存裝置，以維持電子標(biāo)簽的電源(如，在電子標(biāo)簽的電源中并聯(lián)一大電容，當(dāng)電子標(biāo)簽暫時離開讀取器的可讀取范圍時，電子標(biāo)簽不會失去電源)。該不動作狀態(tài)可以與電子標(biāo)簽電源不相關(guān)，例如，利用電子標(biāo)簽內(nèi)部時脈，阻斷電子標(biāo)簽的輸入端或是輸出端，該內(nèi)部時脈不需要電源(例如，接收一＂CLOCK″指令，一串聯(lián)開關(guān))。當(dāng)輸入被阻斷時，該電子標(biāo)簽無法辨識讀取器傳送的指令，如美國專利US5963144，該一串聯(lián)開關(guān)可以中斷天線的連接，該串聯(lián)開關(guān)是一RC電路。當(dāng)輸出被阻斷，該電子標(biāo)簽可以繼續(xù)辨識讀取器傳送的指令，但是無法產(chǎn)生相對應(yīng)的動作，如美國專利申請公開No.2002/0097143 A1，其阻斷輸出端的輸出信號。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的提供一種可具不動作狀態(tài)的電子標(biāo)簽及其讀取系統(tǒng)與控制方法，該電子標(biāo)簽具有一不動作狀態(tài)，且該不動作狀態(tài)與電子標(biāo)簽電源無關(guān)。該不動作狀態(tài)與該電子標(biāo)簽重設(shè)相關(guān)聯(lián)。
本發(fā)明的電子標(biāo)簽具有一天線、一射頻接口和一控制邏輯，該射頻接口與該天線相連接，以及該控制邏輯相對應(yīng)一事件起始一沉睡模式，該沉睡模式具有該不動作狀態(tài)且與電源不相關(guān)，且該控制邏輯在該不動作狀態(tài)結(jié)束后，可提供一跟隨狀態(tài)，其中該跟隨狀態(tài)起始該通訊機制。電子標(biāo)簽具有不動作的一沉睡模式，該電子標(biāo)簽可以維持該沉睡模式，甚至該電子標(biāo)簽離開讀取器的讀取范圍并且再次回到讀取器的讀取范圍。該沉睡模式可避免突然進入讀取器和其它電子標(biāo)簽的通訊過程?？稍黾覴FID的使用彈性。此外，該電子標(biāo)簽的沉睡模式可在接收到讀取器的一指令后，該電子標(biāo)簽結(jié)束該沉睡模式，可提供使用的便利性。讀取器通常需要快速讀取復(fù)數(shù)個電子標(biāo)簽，該沉睡模式可以避免一個電子標(biāo)簽被多次讀取?？梢詼p少反復(fù)讀取電子標(biāo)簽，以增加讀取器系統(tǒng)的效率。
本發(fā)明的系統(tǒng)和方法可以降低電子標(biāo)簽的制造成本。
下面結(jié)合附圖以具體實例對本發(fā)明進行詳細說明。


圖1是具有沉睡模式的電子標(biāo)簽方框圖；圖2是一高頻電子標(biāo)簽讀取器和復(fù)數(shù)個具有沉睡模式的高頻電子標(biāo)簽的方框圖；圖3是運作模示狀態(tài)圖，該電子標(biāo)簽的控制邏輯可起始一沉睡模式；圖4是另一運作模示狀態(tài)圖，該電子標(biāo)簽的控制邏輯可起始一沉睡模式；圖5是圖4的變化實施例；圖6是圖4的另一變化實施例；圖7是電子標(biāo)簽的沉睡模式電路較佳實施例。
附圖標(biāo)記說明100被動式電子標(biāo)簽；110天線；120射頻接口；130控制邏輯；140記憶單元；320、322、324通訊狀態(tài)；340、440沉睡模式；410睡眠狀態(tài)；430隔離狀態(tài)；700電路；P1、P2、P3、N4晶體管；C1電容；L1負載單元。
具體實施例方式
如圖1所示，被動式電子標(biāo)簽100可操作在一沉睡模式中。該電子標(biāo)簽100具有一天線110、一射頻接口120和一控制邏輯130。該電子標(biāo)簽還具有一記憶單元140。當(dāng)該電子標(biāo)簽100運作在一低頻頻帶，LB(例如13.56MHz)時，該電子標(biāo)簽100可與一讀取器的線圈進行感應(yīng)耦合以產(chǎn)生一電子標(biāo)簽所需的電源。或者在超高頻頻帶(ultra-high frequency，UHF)或一微波RFID系統(tǒng)時，可藉由一射頻耦合產(chǎn)生電源。該射頻接口120、該控制邏輯130和該記憶單元140可整合配置在一IC中，例如低功率互補金屬氧化半導(dǎo)體集成電路low-powerComplementary Metal-Oxide Semiconductor IC。該射頻接口120是IC的模擬部分，該控制邏輯130和該記憶單元140是IC的數(shù)字部分。該記憶單元140是一非易失可擦寫的存儲器，例如，電可清除可編程只讀存儲器ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory。該IC具有一天線調(diào)諧電容和一射頻/直流整流系統(tǒng)，用以耦接該天線110。該天線110可提供被動式電子標(biāo)簽所需的電源并且驅(qū)動電子標(biāo)簽。該天線110可依據(jù)RFID的類型選擇不同型態(tài)和尺寸的天線。該控制邏輯130具有一數(shù)字控制電路和一數(shù)據(jù)調(diào)制電路，該控制邏輯130會起始一沉睡模式，用以相對應(yīng)一事件，例如該事件是電子標(biāo)簽收到一沉睡指令或是電子標(biāo)簽收到相關(guān)指令序列中的最后的一指令。該沉睡模式具有一不動作狀態(tài)，該不動作狀態(tài)與電子標(biāo)簽的電源不相關(guān)。在此不動作狀態(tài)下，該控制邏輯130和射頻接口120仍為可運作狀態(tài)。
該控制單元130會提供一跟隨狀態(tài)，當(dāng)該不動作狀態(tài)結(jié)束后，該電子標(biāo)簽進入隨即該跟隨狀態(tài)，其中，通訊機制起始于該跟隨狀態(tài)。該跟隨狀態(tài)其系可為一通訊狀態(tài)、一隔離狀態(tài)、或是再次不動作狀態(tài)，其它更詳細說明如后。此外，該不動作狀態(tài)其系可藉由一內(nèi)部定時器使其終止(例如，IC中的一RC充電電路的自然電壓衰減)或接收一指令使其終止，例如，從一讀取器接收到一全醒指令。該控制邏輯130可確保一沉睡電子標(biāo)簽不會在一指令序列的中間或是當(dāng)一讀取器正在和其它的電子標(biāo)簽進行通訊時，恢復(fù)為通訊。該控制邏輯130可要求該電子標(biāo)簽100執(zhí)行指令序列的開始，進入一半睡眠狀態(tài)。因此，當(dāng)電子標(biāo)簽100可以繼續(xù)辨認一喚醒指令，該電子標(biāo)簽100不是處于沉睡模式，但該電子標(biāo)簽會忽略其它指令。當(dāng)該電子標(biāo)簽進入睡眠狀態(tài)時，該電子標(biāo)簽可處于沉睡模式且保持在該沉睡狀態(tài)，直到下列兩個情況發(fā)生(1)該電子標(biāo)簽接收一特殊喚醒指令(2)內(nèi)部定時器計時完成。當(dāng)該電子標(biāo)簽從沉睡模式醒來時，該電子標(biāo)簽可以執(zhí)行讀取器傳送的其它指令。因此，該電子標(biāo)簽處于不動作狀態(tài)時，不會動作，并且該不動作狀態(tài)與電子標(biāo)簽的電源不相關(guān)；甚至電子標(biāo)簽離開讀取范圍一適當(dāng)周期時間內(nèi)，該電子標(biāo)簽仍然可以處于該不動作狀態(tài)，該電子標(biāo)簽內(nèi)部不需有一電源即可維持該不動作狀態(tài)。當(dāng)該電子標(biāo)簽100處于該不動作狀態(tài)時，該控制邏輯130仍然可辨識一指令，用以驅(qū)動該電子標(biāo)簽從沉睡模式醒過來。該電子標(biāo)簽藉由接收指令或是內(nèi)部中止機制而醒過來時，該電子標(biāo)簽可以防范進入一讀取器和其它電子標(biāo)簽的通訊過程。以確保電子標(biāo)簽100不會在一讀取器和其它電子標(biāo)簽的通訊過程醒過來，該沉睡模式可適用于被動式RFID以及管理協(xié)議以減少電子標(biāo)簽之間的干擾和增加電子標(biāo)簽讀取器的效率。
如圖2所示，為一高頻電子標(biāo)簽讀取器系統(tǒng)200和復(fù)數(shù)個具有沉睡功能的高頻被動式電子標(biāo)簽230的方框圖。該讀取器系統(tǒng)200具有一讀取器210和數(shù)個讀取器天線220。該讀取器210包括有一RF收發(fā)單元、一信號處理單元和一控制單元。此外，該系統(tǒng)200還包括有一主系統(tǒng)(圖未示)，該主系統(tǒng)與該讀取器相連接，主系統(tǒng)可以傳輸資料至電子標(biāo)簽230。該些讀取器天線會產(chǎn)生重迭區(qū)域，可使讀取器21多路讀取全部的高頻被動式電子標(biāo)簽230。一般而言，該讀取器系統(tǒng)200可提供至少一讀取器天線至一群組中的每個電子標(biāo)簽，該天線與該電子標(biāo)簽具有45度至90度的角度。系統(tǒng)200可讀取電子標(biāo)簽，例如使用一二分搜尋協(xié)議，當(dāng)該電子標(biāo)簽進入該沉睡模式時，可短暫失去讀取功效。因此，在沉睡模式的電子標(biāo)簽在不動作的情況，可短暫提供電子標(biāo)簽電源。該電子標(biāo)簽可藉由一適當(dāng)指令醒過來，且該電子標(biāo)簽處于沉睡模式時，會忽略其它指令。該沉睡模式可提供讀取器210跟電子標(biāo)簽230通訊和管理更具有彈性運用的功效。當(dāng)一電子標(biāo)簽處于該沉睡模式時，該讀取器210可持續(xù)的進行傳輸動作，但是該電子標(biāo)簽不會在一指令序列的中間醒過來，且不會突然得跳入其它電子標(biāo)簽和讀取器的通訊過程。該電子標(biāo)簽230可設(shè)計為只有在一指令序列的開始，與該讀取器210進行通訊。此外，電子標(biāo)簽還具有數(shù)個睡眠階段，詳細說明如后，該復(fù)數(shù)個睡眠階段可使電子標(biāo)簽的通訊和管理具有更多的選擇性。
圖3是一運作狀態(tài)圖300，具有一沉睡模式，該被動式電子標(biāo)簽的控制邏輯可啟始該沉睡模式。數(shù)個通訊狀態(tài)320、322、324，電子標(biāo)簽處于該通訊模式下可執(zhí)行一指令序列，通訊狀態(tài)320是初始通訊狀態(tài)。該通訊狀態(tài)接收到一指令后，可轉(zhuǎn)換至一新模式或是產(chǎn)生相對應(yīng)的動作。例如，一指令是一二分搜尋協(xié)議的部分指令，該讀取器會對讀取范圍內(nèi)的電子標(biāo)簽進行反復(fù)詢問動作，用以獲得電子標(biāo)簽內(nèi)部特定數(shù)位位置的特定數(shù)值，且電子標(biāo)簽會響應(yīng)該指令產(chǎn)生相對應(yīng)的動作。任何通訊狀態(tài)都可激活該沉睡模式，如接收到一沉睡指令或是在一指令序列結(jié)束后，自動進入該沉睡模式。該沉睡模式340是一不動作狀態(tài)，該不動作狀態(tài)與電子標(biāo)簽的電源不相關(guān)，且該控制邏輯會提供一跟隨狀態(tài)，當(dāng)該不動作狀態(tài)結(jié)束后，電子標(biāo)簽可進入該跟隨狀態(tài)，該跟隨狀態(tài)可為該初始通訊狀態(tài)320。該沉睡模式340可在接收一喚醒指令結(jié)束該沉睡模式或是藉由一內(nèi)部終止機制使該沉睡模式結(jié)束。該喚醒指令可設(shè)計為只能喚醒一特定電子標(biāo)簽或是設(shè)計為可喚醒全部的電子標(biāo)簽的喚醒指令。當(dāng)該沉睡模式340結(jié)束后且進入該初始通訊狀態(tài)320時，當(dāng)接收到的指令不為一指令序列的開始，該電子標(biāo)簽則處于高通訊狀態(tài)322-324，此時該電子標(biāo)簽不動作，因為該電子標(biāo)簽剛剛離開沉睡模式且會保持于該初始通訊狀態(tài)320，直到電子標(biāo)簽接收到指令集的開始指令，才會開始作動。
圖4是另一運作狀態(tài)圖400，具有一沉睡模式，該被動式電子標(biāo)簽的控制邏輯可激活該沉睡模式。當(dāng)一讀取器激活該電子標(biāo)簽時，該電子標(biāo)簽即進入該睡眠狀態(tài)410。該睡眠狀態(tài)410使得該電子標(biāo)簽進入一通訊狀態(tài)420之前，必需等到讀取器發(fā)出一識別指令，該電子標(biāo)簽才會進入該通訊狀態(tài)420，該識別指令可為一半醒指令、一全醒指令或是一指令序列的開始。因此，該通訊狀態(tài)具有數(shù)個不同的通訊狀態(tài)，如同圖3所述，且該睡眠狀態(tài)可設(shè)為初始通訊狀態(tài)。一電子標(biāo)簽可以進入一隔離模式430，該電子標(biāo)簽在讀取范圍內(nèi)為一隔離狀態(tài)，且在接收一隔離指令即進入該隔離模式，或是一指令序列的結(jié)束則自動進入該隔離模式。該電子標(biāo)簽偵測到一半醒指令、一全醒指令和一指令集的開始后，即離開該隔離模式430或是回到通訊狀態(tài)420。該睡眠狀態(tài)和隔離模式410，430都與電子標(biāo)簽的電源相關(guān)，該睡眠狀態(tài)和隔離狀態(tài)410，430在控制邏輯可視為相同狀態(tài)或是一個特定的邏輯狀態(tài)，視需求而定。該沉睡模式440如同上述，此外該沉睡模式在接收一全醒指令后，即結(jié)束該沉睡模式。該電子標(biāo)簽可以區(qū)分該全醒指令和半醒指令，并且該全醒指令可為一特定電子標(biāo)簽的全醒指令或是數(shù)個的電子標(biāo)簽的全醒指令。例如，該半醒指令可使得讀取范圍內(nèi)的電子標(biāo)簽從睡眠狀態(tài)或隔離狀態(tài)410，430恢復(fù)為通訊狀態(tài)，該全醒指令可使得讀取范圍內(nèi)的電子標(biāo)簽從睡眠狀態(tài)、隔離狀態(tài)或是沉睡狀態(tài)410、430、440恢復(fù)為通訊狀態(tài)。其它半醒或全醒指令的組合運用，都是視需求而選用。該半醒指令可使得讀取范圍內(nèi)的電子標(biāo)簽從睡眠狀態(tài)410恢復(fù)為通訊狀態(tài)，該全醒指令可使得讀取范圍內(nèi)的電子標(biāo)簽從睡眠狀態(tài)、隔離狀態(tài)或是沉睡狀態(tài)410、430、440恢復(fù)為通訊狀態(tài)。該半醒指令可使得讀取范圍內(nèi)的電子標(biāo)簽從睡眠狀態(tài)410恢復(fù)為通訊狀態(tài)，該全醒指令可使得讀取范圍內(nèi)的電子標(biāo)簽從睡眠狀態(tài)或沉睡狀態(tài)410、440恢復(fù)為通訊狀態(tài)。該半醒指令可使得讀取范圍內(nèi)的電子標(biāo)簽從睡眠狀態(tài)或隔離狀態(tài)410，430恢復(fù)為通訊狀態(tài)，該全醒指令可使得讀取范圍內(nèi)的電子標(biāo)簽從睡眠狀態(tài)、沉睡狀態(tài)410、440恢復(fù)為通訊狀態(tài)。另一實施例，該隔離狀態(tài)不會受該全醒指令和半醒指令影響，或是另有其它指令可結(jié)束該隔離狀態(tài)，或是沒有其它指令可結(jié)束該隔離狀態(tài)(例如，該隔離狀態(tài)只有當(dāng)電子標(biāo)簽離開讀取范圍內(nèi)，才會結(jié)束)。
圖5是圖4的運作狀態(tài)圖的變化實施例。該此變化實施例，該跟隨狀態(tài)可為一隔離狀態(tài)，例如當(dāng)該不動作狀態(tài)的終止后，該沉睡狀態(tài)則轉(zhuǎn)變?yōu)樵摳綦x狀態(tài)。圖5是圖4的運作狀態(tài)圖的另一變化實施例。該跟隨狀態(tài)可為再次不動作狀態(tài)，例如當(dāng)該不動作狀態(tài)的終止后，再次進入該沉睡狀態(tài)。
圖7是被動式電子標(biāo)簽沉睡狀態(tài)的驅(qū)動電路700的電路圖。該電路700具有電源線(VR)、接地線(GND)、輸出端(OUT)、一電容C1、一負載單元L1，以及四個晶體管N1、P1、P2、P3。該電子標(biāo)簽處于一般模式時，晶體管P1、P3關(guān)閉，且兩者之間的連結(jié)點是高電位，因此該輸出端是低電位。該電子標(biāo)簽處于沉睡模式時，晶體管P1開啟，使得連結(jié)點為低電位且該輸出端是高電位。經(jīng)過一段時間后，電容C1對負載單元L1放電，最后該輸出端再次回到低電位。欲結(jié)束該沉睡模式時，開啟P3，將電路重設(shè)為初始狀態(tài)。該負載單元L1可避免過早觸發(fā)電路700的危險，例如當(dāng)P1的漏電流大于P3的漏電流。此外，C1和L1可依據(jù)減少該電路700離開該沉睡狀態(tài)的機會選擇的。P1是接地，比較傳統(tǒng)CMOS邏輯，P信道接電源線且N信道接地時，一旦進入該沉睡模式，電壓加于電容C1兩端。如果電壓隨后消失且VR下降至0電壓，該電容兩端的電壓低于該地電壓，因此N信道的汲極會對電容C1正向放電。因此當(dāng)電壓回復(fù)時，電路就會不處于該沉睡模式。因此將晶體管P1接地，以防止為了避免這個情況發(fā)生。
權(quán)利要求
1.一種可具不動作狀態(tài)的射頻電子標(biāo)簽(Radio Frequency Identificationtag)，包括一天線；一射頻接口，耦接天線；以及一控制邏輯電路，通過激活一沉睡模式，來響應(yīng)一事件，該沉睡模式具有一不動作狀態(tài)，且該控制邏輯在該不動作狀態(tài)結(jié)束后，可提供一跟隨狀態(tài)，其中該跟隨狀態(tài)啟動通訊機制。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，跟隨狀態(tài)包含一初始通訊狀態(tài)到數(shù)個通訊狀態(tài)，其中數(shù)個通訊狀態(tài)在該初始通訊狀態(tài)接收到一指令序列時，開始執(zhí)行該指令序列。
3.如權(quán)利要求2所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該指令集包括至少有二分搜尋協(xié)議。
4.如權(quán)利要求2所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該沉睡模式可在接收到一沉睡指令后激活。
5.如權(quán)利要求4所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該不動作狀態(tài)通過接收一喚醒指令或是內(nèi)部中止機制而結(jié)束該不動作狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求5所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該控制邏輯提供一睡眠狀態(tài)和一隔離狀態(tài)，電子標(biāo)簽的電源供應(yīng)會起動該睡眠狀態(tài)，該隔離狀態(tài)起始于接收到一隔離指令，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都與電子標(biāo)簽的電源相關(guān)，其中，在接收到一全醒指令后，該睡眠狀態(tài)、該隔離狀態(tài)和該不動作狀態(tài)都會結(jié)束，但接收到一半醒指令時，該不動作狀態(tài)不會結(jié)束。
7.如權(quán)利要求5所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該控制邏輯還提供一睡眠狀態(tài)和一隔離狀態(tài)，該睡眠狀態(tài)起始于電子標(biāo)簽的電源供應(yīng)，該隔離狀態(tài)起始于接收到一隔離指令，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都與電子標(biāo)簽的電源相關(guān)，其中，在接收到一全醒指令后，該睡眠狀態(tài)、該不動作狀態(tài)都會結(jié)束但該隔離狀態(tài)不會結(jié)束，接收到一半醒指令時，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都會結(jié)束，但該不動作狀態(tài)不會結(jié)束。
8.如權(quán)利要求5所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該控制邏輯還可提供一睡眠狀態(tài)和一隔離狀態(tài)，該睡眠狀態(tài)起始于電子標(biāo)簽的電源供應(yīng)，該隔離狀態(tài)起始于接收到一隔離指令，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都與電子標(biāo)簽的電源相關(guān)，其中，在接收到一全醒指令后，該睡眠狀態(tài)、該不動作狀態(tài)都會結(jié)束但該隔離狀態(tài)不會結(jié)束，接收到一半醒指令時，該睡眠狀態(tài)會結(jié)束，但該不動作狀態(tài)和該隔離狀態(tài)不會結(jié)束。
9.如權(quán)利要求5所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該控制邏輯還提供一睡眠狀態(tài)和一隔離狀態(tài)，該睡眠狀態(tài)起始于電子標(biāo)簽的電源供應(yīng)，該隔離狀態(tài)起始于接收到一隔離指令，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都與電子標(biāo)簽的電源相關(guān)，其中，在接收到一全醒指令后，該睡眠狀態(tài)、該不動作狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都會結(jié)束，接收到一半醒指令時，該睡眠狀態(tài)結(jié)束，但該不動作狀態(tài)和該隔離狀態(tài)不會結(jié)束。
10.如權(quán)利要求5所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該射頻接口具有一CMOS模擬IC，該控制邏輯具有一CMOS數(shù)字IC，且該不動作狀態(tài)的內(nèi)部終止機制具有一CMOS IC內(nèi)的RC充放電電路。
11.如權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該不動作狀態(tài)在內(nèi)部終止后，該跟隨狀態(tài)具有一隔離狀態(tài)，且該沉睡狀態(tài)和該隔離狀態(tài)在接收一全醒指令后結(jié)束。
12.如權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該不動作狀態(tài)在內(nèi)部終止后，該跟隨狀態(tài)具有一再次不動作狀態(tài)，且該沉睡狀態(tài)在接收一全醒指令后結(jié)束。
13.如權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，其中，該天線具有一近場耦合組件，設(shè)置于一高頻頻帶。
14.如權(quán)利要求1所述的射頻電子標(biāo)簽，還包括有一非易失性存儲器。
15.一電子標(biāo)簽的控制方法，包括下列步驟被動式電子標(biāo)簽接收一電源；該被動式電子標(biāo)簽接收一指令序列的指令；以及該被動式電子標(biāo)簽進入一沉睡模式，該沉睡模式具有一指令序列的重設(shè)和一不動作狀態(tài)，且該不動作狀態(tài)與電子標(biāo)簽的電源不相關(guān)。
16.如權(quán)利要求15所述的控制方法，其中，該控制方法還包括接收一沉睡指令的步驟。
17.如權(quán)利要求15所述的控制方法，其中，該控制方法還包括離開該沉睡模式的步驟，當(dāng)接收一喚醒指令和該不動作狀態(tài)的內(nèi)部終止后，離開該沉睡模式。
18.如權(quán)利要求17所述的控制方法，且該不動作狀態(tài)的內(nèi)部中止機制具有一CMOS IC內(nèi)的RC充放電電路。
19.一種電子標(biāo)簽的讀取系統(tǒng)，包括一被動式電子標(biāo)簽的讀取器，該讀取器可傳送數(shù)個指令，該數(shù)個指令具有至少一指令序列，可辨識一物品上的電子標(biāo)簽；以及數(shù)個被動式電子標(biāo)簽，每一個電子標(biāo)簽裝設(shè)于一物品上，且每一個電子標(biāo)簽具有一射頻子系統(tǒng)和一控制邏輯，該控制邏輯與該射頻子系統(tǒng)相耦接，其中，該控制邏輯可以重設(shè)該電子標(biāo)簽的通訊狀態(tài)，且在至少一事件，起始相對應(yīng)的一不動作狀態(tài)，該不動作狀態(tài)與該電子標(biāo)簽的一電源不相關(guān)，且當(dāng)電子標(biāo)簽在該不動作狀態(tài)下，該控制邏輯會判別一喚醒指令但是會忽略其它指令，該不動作狀態(tài)可藉由該喚醒指令而結(jié)束。
20.如權(quán)利要求19所述的讀取系統(tǒng)，其中，控制邏輯提供一睡眠狀態(tài)和一隔離狀態(tài)，該睡眠狀態(tài)起始于該電子標(biāo)簽的一電源供應(yīng)，該隔離狀態(tài)起始于接收到一隔離指令，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都與該電源相關(guān)，其中，在接收到一全醒指令后，該睡眠狀態(tài)、該隔離狀態(tài)和該不動作狀態(tài)會結(jié)束，但接收到一半醒指令時，該不動作狀態(tài)不會結(jié)束。
21.如權(quán)利要求19所述的讀取系統(tǒng)，其中，控制邏輯還提供一睡眠狀態(tài)和一隔離狀態(tài)，該睡眠狀態(tài)起始于該電源供應(yīng)，該隔離狀態(tài)起始于接收到一隔離指令，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都與該電源相關(guān)，其中，在接收到一全醒指令后，該睡眠狀態(tài)、該不動作狀態(tài)都會結(jié)束但該隔離狀態(tài)不會結(jié)束，接收到一半醒指令時，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)會結(jié)束，但該不動作狀態(tài)不會結(jié)束。
22.如權(quán)利要求19所述的讀取系統(tǒng)，該控制邏輯還可提供一睡眠狀態(tài)和一隔離狀態(tài)，該睡眠狀態(tài)起始于該電源供應(yīng)，該隔離狀態(tài)起始于接收到一隔離指令，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都與該電源相關(guān)，其中，在接收到一全醒指令后，該睡眠狀態(tài)、該不動作狀態(tài)都會結(jié)束但該隔離狀態(tài)不會結(jié)束，接收到一半醒指令時，該睡眠狀態(tài)會結(jié)束，但該不動作狀態(tài)和該隔離狀態(tài)不會結(jié)束。
23.如權(quán)利要求19所述的讀取系統(tǒng)，該控制邏輯還可提供一睡眠狀態(tài)和一隔離狀態(tài)，該睡眠狀態(tài)起始于該電源供應(yīng)，該隔離狀態(tài)起始于接收到一隔離指令，該睡眠狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都與該電源相關(guān)，其中，在接收到一全醒指令后，該睡眠狀態(tài)、該不動作狀態(tài)和該隔離狀態(tài)都會結(jié)束，接收到一半醒指令時，該睡眠狀態(tài)會結(jié)束，但該不動作狀態(tài)和該隔離狀態(tài)不會結(jié)束。
24.如權(quán)利要求19所述的讀取系統(tǒng)，其中，該不動作狀態(tài)利用一內(nèi)部終止而結(jié)束。
25.如權(quán)利要求24所述的讀取系統(tǒng)，其中，每一電子標(biāo)簽具有一天線和一芯片(IC)，該芯片具有該射頻子系統(tǒng)和該控制邏輯，且該內(nèi)部終止機制具有該芯片內(nèi)的RC充放電電路。
26.如權(quán)利要求25所述的讀取系統(tǒng)，其中，該天線具有一近場耦合組件，設(shè)置于一高頻頻帶且該芯片更具有非易失性存儲器。
27.一種被動式電子標(biāo)簽，包括一接收單元，接收一指令集的指令和一電源；以及一控制單元，可起始一沉睡模式，該沉睡模式具有一指令序列的重設(shè)和一不動作狀態(tài)，該不動作狀態(tài)與該電源無關(guān)。
28.如權(quán)利要求27的被動式電子標(biāo)簽，其中，該控制單元還具有一防護單元，可防止過早觸發(fā)該沉睡模式；以及一儲能單元，在電源消失后，維持該沉睡模式。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可具不動作狀態(tài)的射頻電子標(biāo)簽及其讀取系統(tǒng)與控制方法，該不動作狀態(tài)與電子標(biāo)簽電源不相關(guān)，該不動作狀態(tài)與該電子標(biāo)簽重設(shè)相關(guān)聯(lián)，一般而言，在一實施例中，該電子標(biāo)簽具有一天線、一射頻接口和一控制邏輯，該射頻接口與該天線相連接，以及該控制邏輯相對應(yīng)一事件起始一沉睡模式，該沉睡模式具有該不動作狀態(tài)且與電源不相關(guān)，且該控制邏輯在該不動作狀態(tài)結(jié)束后，可提供一跟隨狀態(tài)，其中該跟隨狀態(tài)起始該通訊機制。
文檔編號G06K7/00GK1677427SQ20041003073
公開日2005年10月5日 申請日期2004年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月1日
發(fā)明者布魯斯·羅圣尼 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院, 貝勒無線辨識有限公司