專利名稱：通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省sdram的自刷新消耗電量的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于節(jié)能技術(shù)，尤其是一種通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)的自刷新消耗電量的方法。它通過減少使用SDRAM的裝置(device)從活動(dòng)模式轉(zhuǎn)換為睡眠模式時(shí)為了維持保存在SDRAM的數(shù)據(jù)而實(shí)施的自刷新動(dòng)作，從而節(jié)省自刷新動(dòng)作所消耗的電量，延長(zhǎng)使用SDRAM的裝置(device)的使用時(shí)間。
背景技術(shù)：
一般來說，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM(synchronous Dynamic RandomAccess Memory))是直接接收中央處理器(CPU)所使用的主時(shí)鐘而運(yùn)行的記憶裝置，提供64比特的數(shù)據(jù)總線，而且因各個(gè)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM(RandomAccess Memory))都同步運(yùn)行，所以運(yùn)行速度比以往的RAM更快。SDRAM泛指時(shí)鐘速度與微處理器同步的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM(dynamic RAM))的各種的形式，而時(shí)鐘速度的同步有助于增加在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)執(zhí)行的程序命令的個(gè)數(shù)。
堆(heap)是重復(fù)把記憶場(chǎng)所中的一部分分配到程序并回收的作用的區(qū)域，而且與嚴(yán)格的按后入先出(LIFO)方式運(yùn)營(yíng)的堆棧相比，堆的不同點(diǎn)是程序所要求的塊的大小或要求/次數(shù)順序都沒有一定的規(guī)則。堆棧主要用于短暫記憶一些內(nèi)容并迅速再利用的情況?，F(xiàn)有的使用SDRAM(synchronous dynamic RAM)的無線終端中裝置(device)在從活動(dòng)模式轉(zhuǎn)換為睡眠模式時(shí)，對(duì)SDRAM的整體容量進(jìn)行自刷新動(dòng)作。
作為另一種方法，冬眠模式(Hibernation)是裝置(device)向睡眠模式轉(zhuǎn)換時(shí)，追加設(shè)置與SDRAM相通容量的非揮發(fā)性(non volatile)存儲(chǔ)器，從而在進(jìn)入睡眠模式時(shí)把原先保存在SDRAM的全部數(shù)據(jù)備份在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器后中斷對(duì)SDRAM的電源供應(yīng)。
在現(xiàn)有技術(shù)中，在處于睡眠模式時(shí)，需對(duì)整個(gè)的SDRAM進(jìn)行自刷新動(dòng)作，造成了不必要的電池消耗；而把睡眠模式時(shí)的所有的數(shù)據(jù)保存在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器里的冬眠模式(Hibernation)，還需要具備與SDRAM同樣容量的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM(synchronous Dynamic Random Access Memory))的自刷新消耗電量的方法。其特征在于具體步驟為在使用SDRAM的裝置(device)從活動(dòng)模式進(jìn)入睡眠模式時(shí)，判斷SDRAM的4個(gè)庫中是否存在超過2個(gè)庫的數(shù)據(jù)，如果沒有超過2個(gè)庫的數(shù)據(jù)時(shí)，只把堆棧部分備份到非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中并對(duì)SDRAM中保存有數(shù)據(jù)的2個(gè)庫進(jìn)行自刷新的步驟；如果有超過2個(gè)庫的數(shù)據(jù)時(shí)，只把超過2個(gè)庫的數(shù)據(jù)備份到非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中并對(duì)SDRAM的2個(gè)庫進(jìn)行自刷新動(dòng)作的步驟，如果裝置從睡眠模式轉(zhuǎn)換為活動(dòng)模式，則把復(fù)制到上述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)從新復(fù)制到原來位置的步驟。
本發(fā)明的有益效果是在使用SDRAM的裝置從活動(dòng)模式轉(zhuǎn)換為睡眠模式時(shí)，將存儲(chǔ)在SDRAM和一直使用的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的庫3、4的堆棧和堆的數(shù)據(jù)暫時(shí)備份起來，從而將現(xiàn)有的對(duì)1-4庫的整個(gè)實(shí)施的自刷新動(dòng)作減少為只對(duì)1、2庫進(jìn)行，因此節(jié)省所消耗的電流量，延長(zhǎng)使用SDRAM的便攜式裝置的使用時(shí)間。


圖1是物理上分為4個(gè)庫的SDRAM的示意圖。
圖2是裝置處在活動(dòng)模式時(shí)SDRAM上加載軟件的例子。
圖3是裝置在使用SDRAM的睡眠模式時(shí)加載軟件的例子。
圖4是本發(fā)明通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省SDRAM的自刷新消耗電量的方法運(yùn)行順序圖。
***附圖主要部分的符號(hào)說明***10、20、30SDRAM 22、32堆棧 24、34堆
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省SDRAM的自刷新消耗電量的方法。
下面結(jié)合附圖對(duì)發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，圖1是物理上分為4個(gè)庫的SDRAM的示意圖，圖2是裝置處在活動(dòng)模式時(shí)SDRAM上加載軟件的例子，圖3是裝置在使用SDRAM的睡眠模式時(shí)加載軟件的例子，而圖4是本發(fā)明通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省SDRAM的自刷新消耗電量的方法運(yùn)行順序圖。
本發(fā)明的依據(jù)在于使用SDRAM的裝置(device)在進(jìn)入睡眠狀態(tài)時(shí)，大部分的應(yīng)用程序都已結(jié)束，所以基本上沒有超過SDRAM的兩個(gè)庫以上的數(shù)據(jù)的情況；還有，使用SDRAM的裝置(device)常備有非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，而且其容量一般足夠保存超過SDRAM的兩個(gè)庫部分的數(shù)據(jù)。
圖1是物理上分為4個(gè)庫的SDRAM的示意圖，SDRAM的自刷新動(dòng)作可以通過EMRS(Extended mode register set)設(shè)置，而且可選擇設(shè)定為只對(duì)庫1或庫1、2或整個(gè)1-4庫進(jìn)行自刷新動(dòng)作。通常來說，SDRAM都設(shè)定為對(duì)整個(gè)1-4庫進(jìn)行自刷新動(dòng)作。
圖2是裝置處在活動(dòng)模式時(shí)SDRAM上加載軟件的例子。當(dāng)裝置(device)以活動(dòng)模式運(yùn)行時(shí)，根據(jù)使用者運(yùn)行的應(yīng)用程序，SDRAM 20的堆24和堆棧22的使用量會(huì)增加，從而顯示為幾乎占有庫3和庫4所對(duì)應(yīng)的全部。除了RO、RW、ZI之外，其它的由堆棧22和堆24所共同使用，其中，堆24隨著數(shù)據(jù)的增加，從ZI的上一個(gè)地址開始向上位地址遞增；而堆棧隨著數(shù)據(jù)的增加，則從最上位地址向下位地址遞增。作為庫1、2的RO、RW、ZI，即使處在睡眠模式時(shí)也需進(jìn)行自刷新動(dòng)作來維持?jǐn)?shù)據(jù)，而如圖2所示，除堆棧22和堆24之外的部分是可遺棄的。
圖3是裝置在使用SDRAM30的睡眠模式時(shí)加載軟件的例子。當(dāng)裝置進(jìn)入睡眠模式前，大部分的應(yīng)用程序都會(huì)結(jié)束，而只保留管理裝置(device)的最少量的應(yīng)用程序，所以SDRAM 30的堆34和堆棧32的使用量明顯減少，顯示為只使用庫3的少數(shù)部分或者庫4的一部分堆棧32。與圖2的活動(dòng)模式不同，與活動(dòng)模式時(shí)相比，裝置處于睡眠模式時(shí)保存在SDRAM 30的庫3、4的數(shù)據(jù)幾乎不存在。
本發(fā)明利用了當(dāng)使用電池啟動(dòng)的SDRAM裝置進(jìn)入睡眠模式時(shí)，一般使用不了SDRAM的1/2以上數(shù)據(jù)的特點(diǎn)，而且如果超過1/2時(shí)，只對(duì)超過的部分在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中做備份后，對(duì)作為SDRAM的RO、RW、ZI的1、2庫進(jìn)行自刷新動(dòng)作，從而節(jié)省電流消耗。
圖4是本發(fā)明通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省SDRAM的自刷新消耗電量的方法運(yùn)行順序圖。首先，如圖4的EMRS表中的說明，把A0、A1、A2設(shè)定為1、0、040，從而只對(duì)SDRAM的庫1和庫2進(jìn)行自刷新動(dòng)作(ST50)。
使用SDRAM的裝置以活動(dòng)模式運(yùn)行完畢之后轉(zhuǎn)換為睡眠模式時(shí)，判斷SDRAM里保存的數(shù)據(jù)中是否存在占用超過兩個(gè)庫的數(shù)據(jù)以上的堆34。即，判斷是否占用了庫3、4(ST52、ST54)。如果堆34使用SDRAM的兩個(gè)庫以上的保存的數(shù)據(jù)時(shí)，將SDRAM的堆34所占用的數(shù)據(jù)復(fù)制到非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中(ST58)。另外，堆34使用的數(shù)據(jù)不超過SDRAM的兩個(gè)庫以上時(shí)，將把使用中的堆棧數(shù)據(jù)復(fù)制到非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中(ST60)。即，把保存在SDRAM的庫3、4中的數(shù)據(jù)復(fù)制保存在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中。SDRAM處在睡眠模式時(shí)，只對(duì)庫1和庫2進(jìn)行自刷新動(dòng)作來維持?jǐn)?shù)據(jù)(ST62)。
裝置(device)在維持一段時(shí)間的睡眠模式并再次轉(zhuǎn)換為活動(dòng)模式時(shí)，把步驟(ST58～60)中備份在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)，重新復(fù)制到SDRAM，從而以活動(dòng)模式運(yùn)行(ST64～ST68)。
另外，從活動(dòng)模式轉(zhuǎn)換為睡眠模式時(shí)，如果根本沒有超過兩個(gè)庫的數(shù)據(jù)，所以不必要做備份時(shí)，就直接以活動(dòng)模式運(yùn)行(ST64、ST66)。
綜上所述，本發(fā)明是涉及一種使用電池的裝置(device)節(jié)省為了維持SDRAM的數(shù)據(jù)而進(jìn)行的自刷新動(dòng)作所消耗的電流量的方法?？紤]到SDRAM的特性，比起對(duì)SDRAM的1-4的整個(gè)庫進(jìn)行自刷新動(dòng)作，節(jié)省1/2的電流消耗量，而且現(xiàn)有的冬眠模式中需要的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的量也會(huì)減少，還可以最大限度地減少對(duì)SDRAM的整個(gè)的數(shù)據(jù)做備份所用的時(shí)間。
表1所示為可設(shè)定SDRAM的自刷新的EMRS(Extended mode register set)表的例子，在此，如果把A0、A1、A2設(shè)定為1、0、040時(shí)，裝置在睡眠模式時(shí)只對(duì)庫1，2進(jìn)行自刷新動(dòng)作。如果把A0、A1、A2，設(shè)定為0、1、0時(shí)，只對(duì)庫1進(jìn)行自刷新動(dòng)作；而如果把A0、A1、A2設(shè)定為0、0、0時(shí)，對(duì)整個(gè)1-4庫進(jìn)行自刷新動(dòng)作。
表1寄存器程序的擴(kuò)展模式寄存器設(shè)置

部分陣列自刷新(PASR)&溫度補(bǔ)償自刷新(TCSR)的擴(kuò)展模式寄存器設(shè)置

權(quán)利要求
1.一種通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省SDRAM的自刷新消耗電量的方法，其特征在于包括設(shè)定裝置處在睡眠模式時(shí)，只對(duì)SDRAM的庫1、2進(jìn)行自刷新動(dòng)作的步驟；裝置從活動(dòng)模式的運(yùn)行狀態(tài)轉(zhuǎn)換為睡眠模式的步驟；如果在裝置所使用的上述SDRAM中有超過兩個(gè)庫以上的數(shù)據(jù)時(shí)，把上述數(shù)據(jù)復(fù)制到非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的步驟；如果裝置維持睡眠模式，則對(duì)上述SDRAM的庫1、2進(jìn)行自刷新動(dòng)作的步驟；如果裝置從睡眠模式轉(zhuǎn)換為活動(dòng)模式，則把復(fù)制到上述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)從新復(fù)制到原來位置的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省SDRAM的自刷新消耗電量的方法，其特征在于如果在上述SDRAM中存在超過兩個(gè)庫以上的數(shù)據(jù)時(shí)，把上述數(shù)據(jù)復(fù)制到非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的過程包括把占用上述SDRAM的庫3、4的堆棧的數(shù)據(jù)和堆的數(shù)據(jù)復(fù)制保存在非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了屬于節(jié)能技術(shù)的一種通過數(shù)據(jù)備份節(jié)省SDRAM的自刷新消耗電量的方法。本發(fā)明在使用SDRAM的裝置從活動(dòng)模式轉(zhuǎn)換為睡眠模式時(shí)，將存儲(chǔ)在SDRAM和一直使用的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的庫3、4的堆棧和堆區(qū)域的數(shù)據(jù)暫時(shí)備份起來，從而將現(xiàn)有的對(duì)1－4庫的整個(gè)區(qū)域?qū)嵤┳运⑿聞?dòng)作減少為只對(duì)1、2庫進(jìn)行，因此節(jié)省所消耗的電流量，延長(zhǎng)使用SDRAM的便攜式設(shè)備的使用時(shí)間。從而節(jié)省自刷新動(dòng)作所消耗的電量，延長(zhǎng)使用SDRAM的裝置的使用時(shí)間。
文檔編號(hào)G06F1/32GK1710519SQ200510059639
公開日2005年12月21日 申請(qǐng)日期2005年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月18日
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