專利名稱：晶片散熱系統(tǒng)及其熱交換裝置結(jié)構(gòu)與制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種晶片散熱系統(tǒng)及其熱交換裝置的結(jié)構(gòu)與制造方法，特別是關(guān)于該熱交換裝置是由一種包含一金屬材料及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素的導(dǎo)熱材料所組成。
背景技術(shù)：
以半導(dǎo)體制程為主的大型積體電路的應(yīng)用近年來已普遍被社會大眾廣泛接受使用，如個(gè)人電腦、網(wǎng)路伺服器、動態(tài)隨機(jī)存取記憶體、各式驅(qū)動積體電路以及智慧型家電產(chǎn)品等等因族繁不及備載，故在此不予贅述，進(jìn)而促使了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速成長與茁壯，政府甚至推行兩兆雙星重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展計(jì)劃，其中便包含半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的培植與發(fā)展計(jì)劃，以提升國家在國際上的高科技競爭優(yōu)勢。由此所述，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要性已成為國人的高度共識，不但有助于提升國家的競爭力，更可使國人充分享受到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)用上帶來的便利性。
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，大型積體電路更朝向以小體積及高密集度的制程發(fā)展方向以期提升效能，因此各廠商均投入大量經(jīng)費(fèi)進(jìn)行以半導(dǎo)體制程的積體電路的研發(fā)與改良。而在各式積體電路中，又以中央處理單元晶片是為積體電路研發(fā)與改良的重點(diǎn)，其可應(yīng)用于個(gè)人電腦及各型伺服器等的核心系統(tǒng)，故個(gè)人電腦及各型伺服器在功能表現(xiàn)上的效能主要便由中央處理單元晶片的效能所決定。而在中央處理單元晶片隨著改良制程后可增加工作時(shí)脈以提升效能，但仍不可避免地相對也會伴隨更多廢熱的產(chǎn)生，若廢熱無法適時(shí)排除，將會降低如中央處理單元晶片的電子元件的效能，甚至造成損壞，故如何有效率地將廢熱自系統(tǒng)排放至外界乃成為一個(gè)非常重要的課題，有鑒于此，各式各樣的散熱系統(tǒng)及導(dǎo)熱材料便應(yīng)運(yùn)而生，以期望能達(dá)到提升散熱效率的目的。
請參閱圖1，為現(xiàn)有一種氣吹式晶片散熱系統(tǒng)示意圖，包含一晶片11、一基板12及一散熱裝置13。其中該晶片11更包含多個(gè)針腳111是用以將晶片11連接至基板12，而該基板12可為現(xiàn)有的主機(jī)板及顯示卡。另該散熱裝置13可包含一風(fēng)扇131并可通過散熱膏132的涂布緊密貼合于晶片11的上緣。當(dāng)晶片11運(yùn)作時(shí)產(chǎn)生的廢熱，可經(jīng)由散熱膏132傳導(dǎo)至散熱裝置13，而散熱裝置13可再經(jīng)由風(fēng)扇131制造的擾動氣流將廢熱排放至外界。
但是上述系統(tǒng)的散熱方式乃經(jīng)由風(fēng)扇131制造的擾動氣流將廢熱排放至外界，故散熱效率受限于風(fēng)扇131的大小及轉(zhuǎn)速以致于無法即時(shí)地將廢熱從散熱裝置13排放至外界，進(jìn)而導(dǎo)致晶片11無法即時(shí)地將廢熱傳導(dǎo)至散熱裝置13，使得該晶片11累積過多的廢熱使其效能變差。
請參閱圖2，為現(xiàn)有一種水冷式晶片散熱系統(tǒng)示意圖，包含一晶片21、一基板22、一散熱裝置23、一熱交換裝置24以及一泵浦裝置25。其中該晶片21更包含多個(gè)針腳211用以將晶片21連接至基板22，而該基板22可為現(xiàn)有的主機(jī)板及顯示卡。另該散熱裝置23并可通過散熱膏231的涂布緊密貼合于晶片21的上緣。又泵浦裝置25、散熱裝置23及熱交換裝置24更可通過導(dǎo)管251相互連接，其中泵浦裝置25可將水流導(dǎo)引是經(jīng)由導(dǎo)管251在散熱裝置23及熱交換裝置24間循環(huán)流動。
當(dāng)晶片21運(yùn)作時(shí)產(chǎn)生的廢熱，可經(jīng)由散熱膏231傳導(dǎo)至散熱裝置23，而散熱裝置23可再經(jīng)由水流的循環(huán)流動將廢熱帶至熱交換裝置24，而該熱交換裝置24更可包含一風(fēng)扇241并經(jīng)由風(fēng)扇241制造的擾動氣流將熱交換裝置24的廢熱排放至外界。
由于上述系統(tǒng)的散熱方式乃通過水此種高比熱材料循環(huán)流動時(shí)將廢熱傳導(dǎo)至熱交換裝置24，故散熱效率可經(jīng)由泵浦裝置25加快水的流動循環(huán)速率而有所提升。而熱交換裝置24由于不設(shè)置于基板22上，故沒有體積上的限制，亦即可以經(jīng)由增大風(fēng)扇241大小及轉(zhuǎn)速而增加散熱效率。所以經(jīng)由上述的系統(tǒng)，可以有效地提升晶片21的散熱效率。
雖然水流的流速可通過泵浦裝置加壓而提升水流循環(huán)，但是若熱交換裝置材質(zhì)的熱傳導(dǎo)不佳，無法即時(shí)地接受水流帶來的廢熱，則依然會導(dǎo)致散熱不佳的問題。日前一般適用于熱交換裝置的導(dǎo)熱材質(zhì)大多為鋁、銅、銀或其合金，雖然其具有高導(dǎo)熱系數(shù)的特性，但在晶片效能日趨大幅提升，及其廢熱產(chǎn)生速率亦相對大幅提升下，此類的導(dǎo)熱材質(zhì)已無法滿足高散熱效率的要求，故尋找一種替代性的導(dǎo)熱材料乃成為一重要的課題。
現(xiàn)有的鉆石材料因具有高硬度、高導(dǎo)熱系數(shù)、透光范圍廣以及耐腐蝕等特性，長久以來一直是工程上重要的材料的一。鉆石材料的導(dǎo)熱系數(shù)在常溫下是銅的五倍，且高溫時(shí)其紅外線輻射也加強(qiáng)，間接增加其散熱效果，因此鉆石材料在高溫時(shí)更能突顯其散熱效能。但是，天然單晶鉆石的成本仍然相當(dāng)昂貴，為了能提供產(chǎn)業(yè)上的應(yīng)用而發(fā)展出各種人造鉆石的技術(shù)以降低制造成本。因而，人造鉆石的技術(shù)在現(xiàn)有技藝中，已發(fā)展出許多不同的技術(shù)與制程，其中利用碳?xì)浠衔镏苯臃纸獾姆椒ㄗ顬槌Ｒ姡缥⒉姖{輔助化學(xué)氣相沉積法(Microwave Plasma enhance Chemical Vapor Deposition，MPCVD)、熱燈絲輔助化學(xué)氣相沉積法(Hot Filament CVD，HFCVD)，可以鍍制出多晶鉆石膜，此多晶鉆石膜仍然保有和天然單晶鉆石相同的物理特性。因此，提高了將鉆石材料廣泛應(yīng)用到各種產(chǎn)業(yè)的價(jià)值。
由此，開發(fā)一種導(dǎo)熱材料，該導(dǎo)熱材料是包含一金屬材料及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素如鉆石材料而大幅提升其導(dǎo)熱系數(shù)，以滿足現(xiàn)有普通的導(dǎo)熱材料散熱效率不佳的問題，實(shí)為積體電路應(yīng)用產(chǎn)品的使用者殷切盼望及本發(fā)明人目的所在，而本發(fā)明人基于多年從事于散熱系統(tǒng)及導(dǎo)熱材料研究開發(fā)與諸多實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)，思考了改進(jìn)的辦法，用其個(gè)人的專業(yè)知識，并且經(jīng)多方研究設(shè)計(jì)與專題探討，至此提出一種晶片散熱系統(tǒng)及其熱交換裝置的結(jié)構(gòu)與制造方法以作為上述問題一解決方式與依據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種晶片散熱系統(tǒng)及其熱交換裝置的結(jié)構(gòu)與制造方法。其中該晶片散熱系統(tǒng)包含一晶片、一散熱裝置、一熱交換裝置、一泵浦裝置及復(fù)數(shù)條導(dǎo)管；而該熱交換裝置包含多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片，該鰭片型式的散熱片可由射出成型方式及切削技術(shù)成型方式及沖壓技術(shù)成型方式及粉末噴射技術(shù)成型方式來形成多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片；該成型的多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片更可以折葉及焊接方式來形成該熱交換裝置；該熱交換裝置可利用一鉆孔機(jī)鉆孔方式于該熱交換裝置的多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片上形成多個(gè)孔洞；該熱交換裝置是由一種導(dǎo)熱材料所組成，且該導(dǎo)熱材料包含一金屬材料及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素。又該金屬材料可為銅、鋁、銀或其合金或其他高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬材料，而該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素可為鉆石。此外，該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素亦可以僅只用于包覆于金屬材料表面或直接摻雜于金屬材料中或是上述兩者同時(shí)包含。而應(yīng)用于該熱交換裝置的導(dǎo)熱材料的制造方法則可包含以化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、熔融、金屬射出成型、或其他材料制備方法。而上述的散熱裝置則因摻雜高導(dǎo)熱系數(shù)的架狀結(jié)構(gòu)的碳元素或是被其包覆，故使得該熱交換裝置的散熱效率大幅提升。
綜合上述，本發(fā)明提供的一種晶片散熱系統(tǒng)及其熱交換裝置的結(jié)構(gòu)與制造方法，可以滿足當(dāng)今晶片散熱效率的要求，使得晶片運(yùn)作上的品質(zhì)大幅提升，不僅可以提升以半導(dǎo)體制程為主的積體電路產(chǎn)業(yè)的競爭力，更可讓國人在使用以積體電路為應(yīng)用的產(chǎn)品時(shí)能享有最好的品質(zhì)。
為使本發(fā)明的技術(shù)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識，以下提供具體實(shí)施例及相關(guān)圖式來詳細(xì)說明。


圖1是現(xiàn)有的一種氣吹式晶片散熱系統(tǒng)示意圖；圖2是現(xiàn)有的一種水冷式晶片散熱系統(tǒng)示意圖；圖3是依據(jù)本發(fā)明的一種水冷式晶片散熱系統(tǒng)示意圖；圖4是依據(jù)本發(fā)明的一種熱交換裝置結(jié)構(gòu)的單片狀鰭片型式的散熱片示意圖；圖5是依據(jù)本發(fā)明的一種熱交換裝置結(jié)構(gòu)的焊接成型鰭片型式的散熱片組示意圖；圖6是依據(jù)本發(fā)明的一種晶片散熱系統(tǒng)的熱交換裝置的金屬射出成型制作方法示意圖；圖7是依據(jù)本發(fā)明的另一種晶片散熱系統(tǒng)的熱交換裝置的微波電漿輔助化學(xué)氣相沉積法制作方法示意圖；以及圖8是依據(jù)本發(fā)明的再一種晶片散熱系統(tǒng)的熱交換裝置的離子束濺鍍法制作方法示意圖。
具體實(shí)施例方式
請參閱圖3，其為依據(jù)本發(fā)明的一種晶片散熱系統(tǒng)示意圖，包含一晶片21、一基板22、一散熱裝置23、一熱交換裝置31及一泵浦裝置25。其中該晶片21可為一中央處理單元晶片且更包含多個(gè)針腳211用以將該晶片21連接至基板22，而該基板22可為習(xí)知的主機(jī)板及顯示卡。另該散熱裝置23并可通過散熱膏231的涂布緊密貼合于晶片21的上緣。又泵浦裝置25、散熱裝置23及熱交換裝置31更可通過導(dǎo)管251相互連接，其中泵浦裝置25可將一具有高比熱系數(shù)的流體導(dǎo)引經(jīng)由導(dǎo)管251在散熱裝置23及熱交換裝置31間循環(huán)流動。接著該熱交換裝置31是由一種導(dǎo)熱材料所組成，且該導(dǎo)熱材料包含一金屬材料及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素，其中該金屬材料可為銅、鋁、銀或其合金或其他高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬材料，而該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素可為鉆石。此外，該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素亦可以僅只用于包覆于金屬材料表面或直接摻雜于金屬材料中或是上述兩者同時(shí)包含。
當(dāng)晶片21運(yùn)作時(shí)產(chǎn)生的廢熱，可經(jīng)由散熱膏231傳導(dǎo)至散熱裝置23，而散熱裝置23可再經(jīng)由該流體的循環(huán)流動將廢熱帶至熱交換裝置31，其中可提供水為該流體，而該熱交換裝置31更可包含一氣流產(chǎn)生裝置241并經(jīng)由該氣流產(chǎn)生裝置241制造的擾動氣流將熱交換裝置31的廢熱排放至外界。
請一并參閱圖4，其為圖3所描述的熱交換裝置31的單片狀鰭片型式的散熱片32示意圖，以精密型式鉆孔機(jī)鉆孔形成至少一孔洞321以上，該孔洞321可供導(dǎo)管251置入其間，該散熱裝置31可以焊接的方式成組，且該散熱裝置包含一金屬材料及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素，其中該金屬材料可為銅、鋁、銀或其合金或其他高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬材料，而該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素可為鉆石。請參考圖5，形成熱交換裝置31結(jié)構(gòu)，此焊接成形熱交換裝置31以供導(dǎo)管251連接至熱交換裝置31內(nèi)部，在該組立完成的散熱片上所形成的孔洞321，且該組立完成的散熱片包含一金屬材料及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素，其中該金屬材料可為銅、鋁、銀或其合金或其他高導(dǎo)熱是數(shù)的金屬材料，而該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素可為鉆石。在該組立完成的散熱片上所形成的孔洞321，可供為該流體進(jìn)出的一開口，使得該流體可在熱交換裝置31流動而將廢熱傳導(dǎo)至熱交換裝置31，并經(jīng)由氣流產(chǎn)生裝置241制造的擾動氣流將廢熱排放至外界。
由上述的實(shí)施例可知，該熱交換裝置31是依據(jù)本發(fā)明的一種導(dǎo)熱材料所組成，由于其高導(dǎo)熱系數(shù)故可迅速地使該熱交換裝置31能接收該水流帶來的廢熱，而該流體更可經(jīng)由該泵浦裝置25加壓迅速地在散熱裝置23及熱交換裝置31間循環(huán)流動，由此可迅速地將散熱裝置23的廢熱帶至熱交換裝置31，而該熱交換裝置31更可通過提升氣流產(chǎn)生裝置241的效率，該氣流產(chǎn)生裝置可為一風(fēng)扇，而加速將熱交換裝置31的廢熱排放至外界，以提升整個(gè)系統(tǒng)的散熱效率。所以經(jīng)由上述的系統(tǒng)，可以有效地提升晶片21的散熱效率。
請參閱圖6，其是依據(jù)本發(fā)明的一種晶片散熱系統(tǒng)的熱交換裝置的制作方法示意圖，該方法包含現(xiàn)有的普通金屬射出成型技術(shù)，其中是有一模料供給器件41、一模料注射器件42及一模具組43。當(dāng)欲進(jìn)行金屬射出成型，遂將置放于模料供給器件41的模料經(jīng)由模料注射器件42注射進(jìn)入由模具組43形成的模腔44成型。而該模料可為一金屬或包含一金屬及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素的熔融材料，其中該金屬材料可為銅、鋁、銀或其合金或其他高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬材料，由于該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素的熔點(diǎn)高于前述任一金屬的熔點(diǎn)，故可結(jié)合該金屬以及架狀結(jié)構(gòu)的碳元素以形成一種模料。又該金屬射出成型品的結(jié)構(gòu)即為模腔44的形狀，在此實(shí)施例中，該模腔44的形狀可為如第四圖單片狀鰭片型式的散熱片所示結(jié)構(gòu)32，再以精密型式鉆孔機(jī)鉆孔形成一個(gè)以上的孔洞321，再以焊接的方式即得如第五圖組立完成的焊接成形鰭片型式的散熱片組，也即是圖3所示的熱交換裝置31。
請參閱圖7，其是依據(jù)本發(fā)明的另一種晶片散熱系統(tǒng)的熱交換裝置的制作方法示意圖，該方法包含現(xiàn)有的微波電漿輔助化學(xué)氣相沉積法，是用于將價(jià)狀結(jié)構(gòu)的碳元素形成于一金屬表面，特別是如圖3的熱交換裝置31的表面，其反應(yīng)程序乃先將欲反應(yīng)的混合氣體由氣體輸入口51輸入至氣體反應(yīng)室52。同時(shí)，微波產(chǎn)生系統(tǒng)53產(chǎn)生微波使混合氣體產(chǎn)生活性的反應(yīng)性離子進(jìn)行反應(yīng)，并逐漸吸附于支撐架54上的金屬材料55的表面以形成一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素膜，該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素可為鉆石。該金屬材質(zhì)55可以是經(jīng)由第六圖所述方法成型的一熱交換裝置，該熱交換裝置可為銅、鋁、銀或其合金或其他高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬材料所組成，而剩余氣體則經(jīng)由廢氣排出口56排放，以此反應(yīng)程序進(jìn)而獲得表面覆蓋鉆石的導(dǎo)熱材料。在此實(shí)施例中該金屬材質(zhì)結(jié)構(gòu)55為待沉積一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素膜后接合成如第三圖所示的熱交換裝置31。
請參閱圖9，其是依據(jù)本發(fā)明的再一種晶片散熱系統(tǒng)的散熱裝置的制作方法示意圖，該方法包含現(xiàn)有的離子束濺鍍法，而離子束濺鍍法乃一種物理氣相沉積方法是用于將價(jià)狀結(jié)構(gòu)的碳元素形成于一金屬表面，特別是如圖3的熱交換裝置31的表面，其制備程序是先以價(jià)狀結(jié)構(gòu)的碳元素材料壓制一靶材61，其置放角度與第一離子槍62的離子束出射方向夾角約四十五度左右，使由第一離子槍62擊射而飛濺的架狀結(jié)構(gòu)的碳元素微粒飛行至第二離子槍63前方，再經(jīng)由第二離子槍63給予架狀結(jié)構(gòu)的碳元素微粒足夠的動能以濺鍍至金屬材質(zhì)64表面上形成均勻的架狀結(jié)構(gòu)的碳元素膜，該金屬材質(zhì)64可以是經(jīng)第六圖所述方法成型的一散熱裝置，該散熱裝置可為銅、鋁、銀或其合金或其他高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬材料所組成，而剩余的架狀結(jié)構(gòu)的碳元素微粒則經(jīng)由廢氣排出口65排放的。在此實(shí)施例中該金屬材質(zhì)結(jié)構(gòu)64為待沉積一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素膜后接合成如圖3所示的熱交換裝置31。
雖然本發(fā)明已參照當(dāng)前的具體實(shí)施例來描述，但是本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實(shí)施例僅是用來說明本發(fā)明，在沒有脫離本發(fā)明精神的情況下還可作出各種等效的變化或替換，因此，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)對上述實(shí)施例的變化、變型都將落在本申請的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于包括一散熱裝置，用以接收該晶片的一廢熱；一熱交換裝置，用以排放該廢熱，該散熱裝置是由一導(dǎo)熱材料所組成，且該導(dǎo)熱材料是包含一金屬及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素；至少兩導(dǎo)管，用以連接該散熱裝置及該熱交換裝置的至少兩連接端；以及一泵浦裝置，用以將一流體經(jīng)由該導(dǎo)管于該散熱裝置及該熱交換裝置內(nèi)循環(huán)流動。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該晶片是一中央處理單元晶片。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素是鉆石。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該金屬是銅材質(zhì)。
5.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該金屬是銀材質(zhì)。
6.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該金屬是鋁材質(zhì)。
7.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該金屬是一具高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬合金材質(zhì)。
8.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該導(dǎo)熱材料是一化學(xué)氣相沉積而形成。
9.如權(quán)利要求所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該導(dǎo)熱材料是一物理氣相沉積而形成。
10.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該導(dǎo)熱材料是為一熔融方式而形成。
11.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該熱交換裝置包含多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片。
12.如權(quán)利要求11所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該單片狀鰭片型式的散熱片是由一射出成型方式來形成。
13.如權(quán)利要求11所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該單片狀鰭片型式的散熱片是由一切削技術(shù)成型方式來形成。
14.如權(quán)利要求11所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該單片狀鰭片型式的散熱片是由一沖壓技術(shù)方式來形成。
15.如權(quán)利要求11所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該單片狀鰭片型式的散熱片是由一粉末噴射技術(shù)成型方式來形成。
16.如權(quán)利要求11所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片是由一折葉方式來形成該熱交換裝置。
17.如權(quán)利要求11所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片是由一焊接方式來形成該熱交換裝置。
18.如權(quán)利要求11所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片具有以一鉆孔方式形成多個(gè)孔洞。
19.如權(quán)利要求11所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該單片狀鰭片型式的散熱片是由該導(dǎo)熱材料所組成。
20.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該熱交換裝置還包含一氣流產(chǎn)生裝置。
21.如權(quán)利要求20所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該氣流產(chǎn)生裝置是一風(fēng)扇。
22.如權(quán)利要求1所述的晶片散熱系統(tǒng)，其特征在于該流體是水。
23.一種熱交換裝置制造方法，其特征在于包含利用一制程方式產(chǎn)生具有一金屬及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素的一導(dǎo)熱材料；利用一成型方式將該導(dǎo)熱材料形成多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片；利用一鉆孔方式于該單片狀鰭片型式的散熱片上形成多個(gè)孔洞；以及利用一接合方式將該多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片接合成為該熱交換裝置。
24.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還包含提供鉆石作為該架狀結(jié)構(gòu)的碳元素。
25.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還包含提供銅材質(zhì)作為該金屬材料。
26.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還包含提供銀材質(zhì)作為該金屬材料。
27.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還包含提供鋁材質(zhì)作為該金屬材料。
28.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還包含提供一具高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬合金材質(zhì)作為該金屬材料。
29.如權(quán)利要求所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于更包含利用一化學(xué)氣相沈積作為形成該導(dǎo)熱材料的該制程方式。
30.如權(quán)利要求所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于更包含利用一物理氣相沈積作為形成該導(dǎo)熱材料的該制程方式。
31.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還包含利用一熔融方式作為形成該導(dǎo)熱材料的該制程方式。
32.如權(quán)利要求12所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還包含提供一射出成型作為形成該多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片的該成型方式。
33.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還包含提供一切削技術(shù)成型作為形成該多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片的該成型方式。
34.如權(quán)利要求所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于更包含提供一沖壓技術(shù)成型作為形成該多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片的該成型方式。
35.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還包含提供一粉末噴射技術(shù)成型作為形成該多個(gè)單片狀鰭片型式的散熱片的該成型方式。
36.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還提供一鉆孔機(jī)作為形成該多個(gè)孔洞的鉆孔方式。
37.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還提供一焊接方式作為該接合方式。
38.如權(quán)利要求23所述的熱交換裝置制造方法，其特征在于還提供一折葉方式作為該接合方式。
全文摘要
本發(fā)明是揭露一種晶片散熱系統(tǒng)及其熱交換裝置結(jié)構(gòu)與制造方法，該晶片散熱系統(tǒng)是用于一晶片散熱，且包含一散熱裝置、一熱交換裝置、一泵浦裝置以及至少兩導(dǎo)管。此散熱裝置是用以接收該晶片的一廢熱，而熱交換裝置是用以排放該廢熱，且熱交換裝置是由一導(dǎo)熱材料所組成，而導(dǎo)熱材料是包含一金屬材料及一架狀結(jié)構(gòu)的碳元素。同時(shí)，導(dǎo)管是用以連接散熱裝置及熱交換裝置的至少兩連接端，而泵浦裝置是用以將一流體經(jīng)由導(dǎo)管于散熱裝置及熱交換裝置內(nèi)循環(huán)流動。其中，架狀結(jié)構(gòu)的碳元素具高導(dǎo)熱系數(shù)的特性以提高導(dǎo)熱材料的導(dǎo)熱效果，且導(dǎo)熱材料制造方法則可以化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、熔融、或其他材料制備方法來完成，且其架狀結(jié)構(gòu)的碳元素可以是包覆于該金屬材料表面或直接摻雜于該金屬材料之中。
文檔編號G06F1/20GK1845314SQ20051006516
公開日2006年10月11日 申請日期2005年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月8日
發(fā)明者黃明漢, 鄭裕強(qiáng), 陳兆逸, 郭欣隴, 李秉蔚, 蕭惟中, 李秉峰 申請人:神基科技股份有限公司