專利名稱：小型記憶卡的封裝方法及結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種小型記憶卡的封裝方法及結(jié)構(gòu)，尤指一種利用TSOP存儲(chǔ)器經(jīng)由非芯片級(jí)封裝制作小型記憶卡的封裝方法及結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于消費(fèi)性數(shù)字電子產(chǎn)品在市場(chǎng)上的高度普及，連帶使數(shù)字資料的儲(chǔ)存媒體市場(chǎng)成為兵家必爭(zhēng)之地，事實(shí)上，目前舉凡國(guó)際級(jí)的電子產(chǎn)品大廠均各自推出不同接口標(biāo)準(zhǔn)的記憶卡。然而，不管是何種廠牌/標(biāo)準(zhǔn)的記憶卡，其不變的開發(fā)原則仍然是輕、薄、小。雖然小型化原本即為電子類產(chǎn)品不變的研發(fā)方向，但對(duì)于記憶卡而言，目前被廣泛運(yùn)用在可攜型數(shù)字裝置上(例如數(shù)字?jǐn)z影機(jī)、相機(jī)、手機(jī)、播放器等)，該等數(shù)字裝置原本即力求小巧，其使用的記憶卡自然亦必須配合縮小其尺寸。
以目前市場(chǎng)上較普及的記憶卡而言，其尺寸大致如下

如與傳統(tǒng)的磁盤或光盤相較，前列各種記憶卡的尺寸體積已有極大幅度的縮小，但運(yùn)用在強(qiáng)調(diào)袖珍小巧的產(chǎn)品，如手機(jī)、數(shù)字播放器(mp3)等產(chǎn)品上，前述記憶卡即須進(jìn)一步縮小。
而為使記憶卡尺寸能夠進(jìn)一步縮小，即不得不考慮其制程技術(shù)，以目前既有的技術(shù)，記憶卡欲縮小至一定尺寸以下，即必須使用芯片級(jí)封裝，其令存儲(chǔ)器、控制器、驅(qū)動(dòng)電路等元件均為芯片(die)形式，再以芯片級(jí)封裝制程完成記憶卡的制作。但此種制程的缺點(diǎn)在于1.采用芯片級(jí)封裝，其制程成本高，記憶卡產(chǎn)品的成本亦相對(duì)提高。
2.因采用芯片式元件，其存儲(chǔ)器容量通常較小，不符合數(shù)字裝置對(duì)記憶卡尺寸小、容量大的要求。
由上述可知，既有記憶卡盡管在尺寸上已求小巧，但因應(yīng)市場(chǎng)需要及規(guī)格匹配等而須進(jìn)一步縮小其尺寸時(shí)，必須使用芯片級(jí)封裝，而有成本高、容量低等缺點(diǎn)，故有待進(jìn)一步檢討，并謀求可行的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可兼顧尺寸與容量，且成本低廉、穩(wěn)定性高，亦無芯片缺貨壓力的小型記憶卡封裝方法及結(jié)構(gòu)。
為達(dá)成前述目的，本發(fā)明提出了一種小型記憶卡封裝方法，其包括下列步驟提供一薄型電路板，其表/底面分別形成有多個(gè)且相應(yīng)連接的焊墊及接口接點(diǎn)；于前述薄型電路板上安裝至少一TSOP(Thin Small Out-Line Package)存儲(chǔ)器及控制器等相關(guān)電路元件；執(zhí)行封膠，是在薄型電路板表面及周邊形成一保護(hù)層，并使其外觀尺寸符合特定標(biāo)準(zhǔn)的小型記憶卡。
優(yōu)選地，該薄型電路板利用表面黏著技術(shù)(SMT)安裝TSOP存儲(chǔ)器及相關(guān)元件。
優(yōu)選地，該薄型電路板上安裝的元件除TSOP存儲(chǔ)器，另包含接口控制器及接口驅(qū)動(dòng)電路等。
優(yōu)選地，該記憶卡是一RS-MMC記憶卡。
優(yōu)選地，該薄型電路板的厚度在0.15mm以下。
前述封裝方法在于利用以特定封裝技術(shù)制作的存儲(chǔ)器成品具有輕薄小的特性，可配合薄型電路板及接著(mount)技術(shù)直接封裝成小型記憶卡，更具體而言，所謂特定封裝技術(shù)的存儲(chǔ)器是指TSOP(Thin Small Out-Line Package)制程構(gòu)成的存儲(chǔ)器，其長(zhǎng)寬厚度分別只有20mm、12mm、1.2mm，其容量亦可達(dá)1GB以上，以該等尺寸至少可用于配合前述方法封裝成長(zhǎng)寬厚度分別為24mm、18mm、1.4mm的RS-MMC記憶卡；在此狀況下，類似RS-MMC此種尺寸的記憶卡可直接使用該等TSOP存儲(chǔ)器直接封裝構(gòu)成，如此一來，不需要經(jīng)過芯片級(jí)封裝制程，可簡(jiǎn)化制程、降低成本，同時(shí)亦可避免承擔(dān)芯片缺貨壓力；另由于TSOP存儲(chǔ)器本身已經(jīng)過檢驗(yàn)測(cè)試，用于封裝成記憶卡，可獲致較佳的產(chǎn)品穩(wěn)定性。
本發(fā)明還提出了一種小型記憶卡的封裝結(jié)構(gòu)，包括一薄型電路板，其表/底面分別形成有多個(gè)且相應(yīng)連接的焊墊及接口接點(diǎn)；至少一TSOP(Thin Small Out-Line Package)存儲(chǔ)器，設(shè)于前述薄型電路板上；至少一控制器，設(shè)于薄型電路板上，并與TSOP存儲(chǔ)器連接；執(zhí)行封膠，是在薄型電路板表面及周邊形成一保護(hù)層，并使其外觀尺寸符合特定標(biāo)準(zhǔn)的小型記憶卡。


圖1是RS-MMC記憶卡的外觀圖。
圖2是本發(fā)明的薄型電路板平面圖。
圖3是本發(fā)明在薄型電路板上安裝TSOP存儲(chǔ)器等元件的示意圖。
圖4是本發(fā)明封裝完成的剖視圖。
附圖標(biāo)記說明10、薄型電路板11、接口接點(diǎn)
12、焊墊 20、TSOP存儲(chǔ)器21、斜切面30、保護(hù)層40、記憶卡具體實(shí)施方式
于本實(shí)施例中，將揭示利用TSOP存儲(chǔ)器經(jīng)過封裝以構(gòu)成RS-MMC記憶卡的技術(shù)，惟并非局限本發(fā)明只能運(yùn)用于RS-MMC記憶卡的封裝制程，合先陳明。
如圖1所示，揭示有一RS-MMC記憶卡40的外觀圖，依三星(SAMSUNG)公司訂定的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，其尺寸為24mm*18mm*1.4mm。故本發(fā)明的此一實(shí)施例即在揭示利用TSOP存儲(chǔ)器封裝成符合前述標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的記憶卡。
而本發(fā)明封裝一記憶卡的步驟是，如下列如圖2所示，首先提供一薄型電路板10，在其相對(duì)的第一/第二表面上分別形成多個(gè)接口接點(diǎn)11及焊墊12，于本實(shí)施例中，該薄型電路板10厚度是在0.15mm以下，其表面所設(shè)接口接點(diǎn)11計(jì)有七個(gè)，符合RS-MMC接口標(biāo)準(zhǔn)；又其底面所設(shè)焊墊12另以線路(圖中未示)連接，且連接至對(duì)應(yīng)的接口接點(diǎn)11，該等焊墊12是供安裝存儲(chǔ)器及相關(guān)的控制器、驅(qū)動(dòng)電路。
又請(qǐng)參閱圖3所示，前述薄型電路板10在其第二表面上設(shè)有至少一TSOP存儲(chǔ)器20及一接口控制器、一接口驅(qū)動(dòng)電路(圖中未示)，該等元件是以表面黏著技術(shù)(SMT)安裝至薄型電路板10第二表面上的各個(gè)焊墊12上。
經(jīng)完成前述元件安裝步驟后，隨即進(jìn)行封膠，而在薄型電路板10的第二表面及其周邊位置形成一保護(hù)層30(如圖4所示)，該保護(hù)層30的構(gòu)成則須考慮RS-MMC記憶卡的外觀形狀，以符合該RS-MMC記憶卡的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。而經(jīng)封膠后隨即完成一RS-MMC記憶卡，其外觀上如圖1所示。
由于本發(fā)明封裝制程最后須經(jīng)過封膠以構(gòu)成保護(hù)層，為提高TSOP存儲(chǔ)器20的應(yīng)力及與封膠之間的接著強(qiáng)度，可在不影響TSOP存儲(chǔ)器20內(nèi)部布局與接線的前提下，在TSOP存儲(chǔ)器20兩側(cè)端上分別形成一斜切面21，通過該斜切面21的形成，可提高TSOP存儲(chǔ)器20兩側(cè)端的應(yīng)力及其外表與封膠的接著面積，由此，可有效提高TSOP存儲(chǔ)器20與保護(hù)層30的接著強(qiáng)度，從而確保記憶卡產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
由上述可知，本實(shí)施例是在一薄型電路板上安裝一TSOP存儲(chǔ)器及相關(guān)控制/驅(qū)動(dòng)元件，接著進(jìn)行封膠后即構(gòu)成RS-MMC記憶卡。就尺寸的匹配性而言，TSOP存儲(chǔ)器尺寸為20*12*1.2(mm)，而RS-MMC記憶卡的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為24*18*1.4(mm)，由于尺寸相近，故本發(fā)明利用特殊的制程技術(shù)，得以直接利用TSOP存儲(chǔ)器封裝成RS-MMC記憶卡，具體而言，在前述的實(shí)施例中，供安裝TSOP存儲(chǔ)器及相關(guān)驅(qū)動(dòng)/控制元件的薄型電路板厚度為0.15mm，加上TSOP存儲(chǔ)器厚度1.2mm，則保護(hù)層的封膠厚度約為1.85mm，即可使其總厚度符合RS-MMC記憶卡的厚度要求，至于長(zhǎng)寬部分亦以相同原則由封膠加以補(bǔ)償。
由上述可知，本發(fā)明主要在利用既有TSOP存儲(chǔ)器配合薄型電路板及表面黏著技術(shù)可以直接封裝成如RS-MMC的小型記憶卡，由于TSOP元件制程構(gòu)成的存儲(chǔ)器，最大的特色在其封裝厚度只有SOJ的三分之一(1.2mm)，且其尺寸相近于RS-MMC記憶卡；因而本發(fā)明利用薄型電路板配合表面黏著技術(shù)，以直接利用TSOP存儲(chǔ)器封裝制成RS-MMC記憶卡，如此一來至少可獲致下列優(yōu)點(diǎn)1.簡(jiǎn)化制程、降低成本由于不需要經(jīng)過芯片級(jí)封裝制程，就制程技術(shù)性而言較為單純，其成本亦相對(duì)較低。
2.無須承擔(dān)芯片缺貨壓力，由于是直接以TSOP存儲(chǔ)器成品進(jìn)行封裝，而非采用芯片元件進(jìn)行芯片級(jí)封裝，另TSOP存儲(chǔ)器現(xiàn)品市場(chǎng)供應(yīng)充裕，故完全不受芯片缺貨壓力所影響。
3.產(chǎn)品穩(wěn)定性高由于TSOP存儲(chǔ)器成品出廠前已經(jīng)過檢驗(yàn)測(cè)試，其用于封裝成記憶卡，自可獲致較佳的產(chǎn)品穩(wěn)定性。
4.滿足尺寸小、容量高的要求利用本發(fā)明可用于制作RS-MMC或類似尺寸的記憶卡，且由于TSOP存儲(chǔ)器容量已達(dá)1GB以上，故可滿足小尺寸、高容量的需求。
權(quán)利要求
1.一種小型記憶卡的封裝方法，包括下列步驟提供一薄型電路板，其表/底面分別形成有多個(gè)且相應(yīng)連接的焊墊及接口接點(diǎn)；于前述薄型電路板上安裝至少一TSOP存儲(chǔ)器及控制器等相關(guān)電路元件；執(zhí)行封膠，是在薄型電路板表面及周邊形成一保護(hù)層，并使其外觀尺寸符合特定標(biāo)準(zhǔn)的小型記憶卡。
2.如權(quán)利要求1所述小型記憶卡的封裝方法，其特征是，該薄型電路板利用表面黏著技術(shù)安裝TSOP存儲(chǔ)器及相關(guān)元件。
3.如權(quán)利要求1所述小型記憶卡的封裝方法，其特征是，該薄型電路板上安裝的元件除TSOP存儲(chǔ)器，另包含接口控制器及接口驅(qū)動(dòng)電路等。
4.如權(quán)利要求1至3中任一所述小型記憶卡的封裝方法，其特征是，該記憶卡是一RS-MMC記憶卡。
5.如權(quán)利要求4所述小型記憶卡的封裝方法，其特征是，該薄型電路板的厚度在0.15mm以下。
6.一種小型記憶卡的封裝結(jié)構(gòu)，包括一薄型電路板，其表/底面分別形成有多個(gè)且相應(yīng)連接的焊墊及接口接點(diǎn)；至少一TSOP存儲(chǔ)器，設(shè)于前述薄型電路板上；至少一控制器，設(shè)于薄型電路板上，并與TSOP存儲(chǔ)器連接；執(zhí)行封膠，是在薄型電路板表面及周邊形成一保護(hù)層，并使其外觀尺寸符合特定標(biāo)準(zhǔn)的小型記憶卡。
7.如權(quán)利要求6所述小型記憶卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，該薄型電路板上是設(shè)有表面黏著技術(shù)用的焊墊。
8.如權(quán)利要求6所述小型記憶卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，該薄型電路板上安裝的元件包含TSOP存儲(chǔ)器、接口控制器及接口驅(qū)動(dòng)電路等。
9.如權(quán)利要求6至8中任一所述小型記憶卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，該記憶卡是一RS-MMC記憶卡。
10.如權(quán)利要求9所述小型記憶卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，該薄型電路板的厚度在0.15mm以下。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種小型記憶卡的封裝方法及結(jié)構(gòu)，是于一薄型電路板的表/底面分別形成相互連接的焊墊及接口接點(diǎn)，利用表面黏著技術(shù)(SMT)將一TSOP存儲(chǔ)器及控制器等相關(guān)電路元件安裝于薄型電路板表面的焊墊上，再經(jīng)封膠步驟，在薄型電路板表面及周邊形成一保護(hù)層，并使其外觀尺寸符合特定標(biāo)準(zhǔn)的小型記憶卡；利用前述技術(shù)無須芯片級(jí)封裝制程，可大幅降低成本、提高產(chǎn)品穩(wěn)定性，且可避免承擔(dān)芯片缺貨壓力。
文檔編號(hào)G06K19/077GK1936935SQ20051010538
公開日2007年3月28日 申請(qǐng)日期2005年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月23日
發(fā)明者莊品洋, 劉明輝, 黃文能 申請(qǐng)人:威剛科技股份有限公司, 八達(dá)創(chuàng)新科技股份有限公司