專利名稱：光刻設(shè)備和生成掩模圖案的方法以及該設(shè)備制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻設(shè)備、生成掩模圖案的方法、設(shè)備制造方法、存儲(chǔ)用于生成掩模圖案的程序的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是將希望的圖案應(yīng)用到基片的目標(biāo)部分的機(jī)器。例如，光刻設(shè)備可以在集成電路(IC)、平板顯示器以及包括精細(xì)結(jié)構(gòu)的其他器件的制造中使用。在傳統(tǒng)的光刻設(shè)備中，構(gòu)圖裝置，或者被稱為掩?；驑?biāo)線，可以用于生成與IC(或其他器件)的各個(gè)層相應(yīng)的電路圖案，并且該圖案可以被映像到具有輻射敏感性的物質(zhì)層(例如，抗蝕劑)的基片(例如，硅片或玻璃片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一個(gè)或多個(gè)芯片的部分)。代替掩模，該構(gòu)圖裝置可以包括生成電路圖案的單獨(dú)可控元件的陣列。
一般地，單獨(dú)的基片可以包括連續(xù)暴露的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括通過在目標(biāo)部分上一次曝光整個(gè)圖案而將每個(gè)目標(biāo)部分輻射的步進(jìn)機(jī)(stepper)和通過所給方向(“掃描”方向)的光束掃描圖案而將每個(gè)目標(biāo)部分輻射的掃描儀，可與該方向平行或反平行地同時(shí)掃描基片。
在投影光刻術(shù)中，可以通過將光學(xué)接近式校正(OPC)特征添加到希望的圖案而改進(jìn)在基片上打印的圖像。該OPC特征不會(huì)在被顯影的圖像本身中出現(xiàn)，而是用于影響圖案特征的形狀，以至于當(dāng)顯影時(shí)，圖案特征與希望的圖案接近。它們也可以被用于帶來彼此接近的不同間距的特征的處理窗口，以便使許多不同間距的特征能夠在單獨(dú)的曝光中被打印。公知的OPC特征的類型包括散射條、襯線、錘頭(hammerhead)等等。
二進(jìn)制掩模(例如，石英基片上的鉻圖案)只考慮二進(jìn)制OPC特征。為了防止OPC特征在顯影的圖案中出現(xiàn)，它們以亞分辨率制造。例如，在散射條中OPC特征被制造得具有比曝光輻射的波長還要短的寬度，以至于在投影圖像中的對(duì)比度比抗蝕劑的閾值還要小。雖然公知的OPC特征在臨界尺寸(CD)比將要打印的曝光波長(小于k1)小得多的使能特征中已經(jīng)很成功，但希望進(jìn)一步的提高。
因此，需要一種在光刻術(shù)中提供光學(xué)接近式校正特征的改進(jìn)方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種生成用于投影的掩模圖案的方法，包括接收表示將要打印的特征的器件圖案以及生成掩模圖案的步驟。該掩模圖案包括具有與具有第二強(qiáng)度等級(jí)的背景相對(duì)的第一強(qiáng)度等級(jí)的器件特征以及具有第三強(qiáng)度等級(jí)的至少一個(gè)校正特征。第三強(qiáng)度等級(jí)在第一和第二強(qiáng)度等級(jí)之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種設(shè)備制造方法，包括接收表示將要打印的特征的器件圖案以及生成包括具有與具有第二強(qiáng)度等級(jí)的背景相對(duì)的第一強(qiáng)度等級(jí)的器件特征和具有第三強(qiáng)度等級(jí)的至少一個(gè)校正特征的掩模圖案的步驟。第三強(qiáng)度等級(jí)在第一和第二強(qiáng)度等級(jí)之間。該方法也包括提供基片、使用照射系統(tǒng)提供一輻射束、根據(jù)掩模圖案使用單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列來空間地調(diào)制光束，以及在基片的目標(biāo)部分投影輻射的構(gòu)圖光束的步驟。
在進(jìn)一步的實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，該計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括具有記錄在其上用于控制至少一個(gè)處理器的計(jì)算機(jī)程序邏輯的計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)程序邏輯包括執(zhí)行與一個(gè)或多個(gè)上述實(shí)施例中的方法和設(shè)備相同的操作的計(jì)算機(jī)程序代碼裝置。
在本發(fā)明的更進(jìn)一步的實(shí)施例中，提供了一種光刻設(shè)備，該設(shè)備包括照射系統(tǒng)、單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列、基片臺(tái)、投影系統(tǒng)以及控制器。該照射系統(tǒng)提供一輻射束。該單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列用來空間地調(diào)制該光束。該基片臺(tái)支持基片。該投影系統(tǒng)將構(gòu)圖光束投影到基片的目標(biāo)部分。該控制器控制構(gòu)圖陣列，以至于它的元件采用表示投影圖案的狀態(tài)，該投影圖案包括器件圖案的旋繞和校正核心。
根據(jù)發(fā)明的進(jìn)一步的實(shí)施例，提供了一種投影光刻設(shè)備，該設(shè)備具有單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列、投影系統(tǒng)以及圖案校正器。該單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列可以設(shè)置成三個(gè)或多個(gè)狀態(tài)，該狀態(tài)被配置以調(diào)制光束。該投影系統(tǒng)將光束投影到基片上以便在它的上面打印通過構(gòu)圖陣列實(shí)現(xiàn)的調(diào)制而確定的圖案。該圖案校正器接收兩個(gè)等級(jí)的器件圖案并且用校正核心旋繞該器件圖案以便生成具有在器件圖案的等級(jí)之間的至少一個(gè)等級(jí)處的強(qiáng)度等級(jí)的校正特征。
下面參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例、特征和優(yōu)點(diǎn)，以及本發(fā)明不同的結(jié)構(gòu)和實(shí)施例的操作。


這里所結(jié)合的附圖形成說明書的一部分，并且與說明書一起說明本發(fā)明，還進(jìn)一步用于解釋發(fā)明的原理以及使相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明。
圖1描述了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。
圖2描述了通過根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的方法生成的掩模圖案的一部分。
圖3、4和5描述了根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例生成掩模圖案的方法。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的典型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明。附圖中，相同的參考數(shù)字可以表示相同的或功能相似的元件。
具體實(shí)施例方式
概述和術(shù)語雖然在本文中對(duì)在集成電路(IC)的制造中光刻設(shè)備的使用進(jìn)行了具體的介紹，但應(yīng)當(dāng)理解這里描述的光刻設(shè)備可以有其它的應(yīng)用，諸如集成光學(xué)系統(tǒng)的制造，指導(dǎo)和檢測用于磁域存儲(chǔ)器、平板顯示器、薄膜磁頭的圖案，等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在該可選的應(yīng)用范圍中，這里的術(shù)語“晶片”或“芯片”的任何使用可以認(rèn)為分別與更普通的術(shù)語“基片”或“目標(biāo)部分”同義。這里提到的基片可以在曝光之前或之后被處理，例如，采用跟蹤(例如，典型地將抗蝕劑層應(yīng)用到基片上并且顯影暴露的抗蝕劑的工具)或度量或檢測工具。在可應(yīng)用的地方，這里的公開內(nèi)容可以應(yīng)用于這樣的以及其它基片處理工具。此外，基片可以不止一次地被處理，例如為了創(chuàng)建多層的IC，以至于這里使用的術(shù)語基片也可以指已經(jīng)包含多個(gè)處理層的基片。
這里使用的術(shù)語“單獨(dú)可控元件的陣列”應(yīng)當(dāng)被廣泛地解釋為涉及可以用來將賦予具有構(gòu)圖橫截面的入射輻射光束的任何設(shè)備，以至于可以在基片的目標(biāo)部分上創(chuàng)建希望的圖案。術(shù)語“光閥”和“空間光調(diào)制器”(SLM)也可以在上下文中使用。下面討論了該構(gòu)圖設(shè)備的例子。
可編程反射陣列可以包括具有粘彈性控制層的矩陣可尋址表面和反射面。該設(shè)備背后的基本原理是，例如，反射面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔猓菍ぶ穮^(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。使用合適的空間濾波器，可以從反射光束中濾出非衍射光，只剩下衍射光到達(dá)基片。用這種方法，根據(jù)矩陣可尋址表面的尋址圖案該光束被圖案化。
作為選擇，可以理解的是，過濾器可以過濾出衍射光，而留下非衍射光到達(dá)基片。衍射光學(xué)微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)設(shè)備的陣列也可以用在相應(yīng)的方法中。每個(gè)衍射光學(xué)MEMS設(shè)備可以包括可以相對(duì)于彼此變形的多個(gè)反射帶以便形成將入射光反射為衍射光的光柵。
進(jìn)一步可選的實(shí)施例可以包括應(yīng)用微小反射的矩陣排列的可編程反射鏡陣列，通過應(yīng)用適當(dāng)?shù)木植炕妶龌蛘咄ㄟ^應(yīng)用壓電傳動(dòng)裝置，每個(gè)陣列可以是關(guān)于軸分別傾斜的。再一次，反射面是矩陣可尋址的，以至于被尋址的反射鏡將不同方向中的入射輻射光束反射到未尋址的反射鏡；用這種方法，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的尋址圖案將反射的光束圖案化?？梢允褂眠m當(dāng)?shù)碾娮友b置執(zhí)行需要的矩陣尋址。
在所有上述的情況中，單獨(dú)可控元件的陣列可以包括一個(gè)或多個(gè)可編程反射鏡陣列。這里涉及的反射鏡陣列的更多的信息可以從，例如，美國專利5,296,891和5,523,193，以及PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096中獲得，它們的整體在這里被結(jié)合用于參考。
也可以使用可編程LCD陣列。在美國專利5,229,872中給出了該結(jié)構(gòu)的例子，它的全部內(nèi)容在這里被結(jié)合用于參考。
應(yīng)當(dāng)理解的是，使用了特征的預(yù)偏置、光學(xué)接近式校正特征、相位變化技術(shù)以及多次曝光技術(shù)的地方，例如，在單獨(dú)可控元件的陣列上“被顯示”的圖案可以與最后傳送到基片的層或基片上的層的圖案本質(zhì)上不同。同樣，基片上最后生成的圖案可以與任何瞬時(shí)在單獨(dú)可控元件的陣列上形成的圖案不相應(yīng)。這可能是以下情況，在一個(gè)排列中在基片的每個(gè)部分上形成的最終圖案在其間單獨(dú)可控元件陣列上的圖案和/或基片的相關(guān)位置被改變的所給時(shí)間周期內(nèi)或所給曝光次數(shù)內(nèi)被創(chuàng)建。
雖然在本文中對(duì)IC的制造中光刻設(shè)備的使用可以進(jìn)行具體的引用，應(yīng)當(dāng)理解的是，這里描述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，諸如，例如，DNA芯片、MEMS、MOEMS、集成光學(xué)系統(tǒng)的制造，用于磁域存儲(chǔ)器、平板顯示器、薄膜磁頭的圖案的指導(dǎo)和檢測，等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，在該可選應(yīng)用的上下文中，這里的術(shù)語“晶片”或“芯片”的任何使用可以認(rèn)為分別與更普通的術(shù)語“基片”或“目標(biāo)部分”同義。這里提到的基片可以在曝光之前或之后被處理，例如，采用跟蹤(典型地將抗蝕劑層應(yīng)用到基片上并且顯影暴露的抗蝕劑的工具)或度量或檢測工具。在可應(yīng)用的地方，這里的公開內(nèi)容可以應(yīng)用到這樣的以及其它基片處理工具。此外，基片可以不止一次地被處理，例如為了創(chuàng)建多層IC，使得這里使用的術(shù)語基片也可以涉及已經(jīng)包含多個(gè)處理層的基片。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包括電磁輻射的所有類型，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有365、248、193、157或126納米的波長)和遠(yuǎn)紫外線(EUV)輻射(例如，具有5-20納米范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)當(dāng)被廣泛地理解為包含投影系統(tǒng)的各種類型，包括折射光學(xué)系統(tǒng)、反射光學(xué)系統(tǒng)以及反折射光學(xué)系統(tǒng)，視情況而定，例如，對(duì)于被使用的曝光輻射，或者對(duì)于其它因素諸如浸液的使用或真空的使用。這里的術(shù)語“透鏡”的任何使用可以被理解為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
照射系統(tǒng)也可以包含各種類型的光學(xué)部件，包括用于指向、成形或控制輻射光束的折射、反射以及反折射光學(xué)部件，并且該部件也可以被如下結(jié)合地或單獨(dú)地作為“透鏡”而被涉及。
光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(例如，兩級(jí))或多個(gè)基片臺(tái)(和/或兩個(gè)或多個(gè)掩模臺(tái))的類型。在該“多級(jí)”設(shè)備中，附加的臺(tái)可以并行使用，或者當(dāng)一個(gè)或多個(gè)表被用于曝光時(shí)，可以在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟。
光刻設(shè)備也可以是這種類型，其中的基片在具有相對(duì)較高折射率的液體(例如，水)中浸漬，以至于填充投影系統(tǒng)的最終元件與基片之間的空間。浸漬液體也可以被應(yīng)用在光刻設(shè)備的其它空間，例如，在掩模和投影系統(tǒng)的第一元件之間。用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑的浸漬技術(shù)在本領(lǐng)域中是公知的。
此外，設(shè)備可以配備有液體處理單元以便允許液體和基片的輻射部分之間相互作用(例如，用于選擇性地將化學(xué)制品附加到基片或者選擇性地改變基片的表面結(jié)構(gòu))。
光刻投影設(shè)備圖1示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例光刻投影設(shè)備100。設(shè)備100包括至少一個(gè)輻射系統(tǒng)102、單獨(dú)可控元件的陣列104、目標(biāo)臺(tái)106(例如，基片臺(tái))以及投影系統(tǒng)(“透鏡”)108。
輻射系統(tǒng)102可以用于提供輻射的光束110(例如，UV輻射)，在該特殊的例子中它也包括輻射源112。
單獨(dú)可控元件的陣列104(例如，可編程反射鏡陣列)可以被用于將圖案應(yīng)用到光束110。通常，該單獨(dú)可控元件陣列104的位置可以相對(duì)于投影系統(tǒng)108固定。然而，在可選的排列中，單獨(dú)可控元件的陣列104可以連接到定位裝置(未示出)，用于相對(duì)于投影系統(tǒng)108準(zhǔn)確地定位該陣列。如這里所描述的，單獨(dú)可控元件104是反射類型(例如，具有單獨(dú)可控元件的反射陣列)。
可以提供具有用于支持基片114(例如，涂于硅片或玻璃基片上的抗蝕劑)的基片支架(沒有具體地示出)的目標(biāo)臺(tái)106并且目標(biāo)臺(tái)106可以連接到定位設(shè)備116用于相對(duì)于投影系統(tǒng)108準(zhǔn)確地定位基片114。
投影系統(tǒng)108(例如，石英和/或CaF2透鏡系統(tǒng)或包括用這些材料制造的透鏡元件的反折射系統(tǒng)，或反射鏡系統(tǒng))可以用于將從光束分離器118接收的圖案化的光束投影到基片114的目標(biāo)部分120(例如，一個(gè)或多個(gè)芯片)。投影系統(tǒng)108可以將單獨(dú)可控元件陣列104的圖像投影到基片114上?？蛇x擇地，投影系統(tǒng)108可以投影二次光源的圖像，對(duì)于該二次光源單獨(dú)可控元件陣列104的元件用作快門。投影系統(tǒng)108也可以包括微透鏡陣列(MLA)以便形成二次光源并且將微光斑投影到基片114上。
源112(例如，準(zhǔn)分子激光器)可以產(chǎn)生輻射光束122。例如，光束122直接或穿過調(diào)節(jié)設(shè)備126比如光束擴(kuò)展器126之后進(jìn)入照射系統(tǒng)(照射器)124。照射器124可以包括用于設(shè)置光束122中強(qiáng)度分布的外放射和/或內(nèi)放射范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))的調(diào)整設(shè)備128。另外，照射器124可以一般地包括各種其他部件，諸如積分器130和聚光器132。這樣，在單獨(dú)可控元件陣列104上碰撞的光束110在它的橫截面上具有希望的均勻性和強(qiáng)度分布。
值得注意的是，關(guān)于圖1，源112可以在光刻投影設(shè)備100的外殼內(nèi)(例如，當(dāng)源112是汞燈時(shí)通常就是這樣)。在可選的實(shí)施例中，源112也可以遠(yuǎn)離光刻投影設(shè)備100。在這種情況下，輻射光束122將被引入到設(shè)備100(例如，借助于適當(dāng)?shù)囊蚍瓷溏R)。當(dāng)源112是準(zhǔn)分子激光器時(shí)，后面的方案經(jīng)常是這種情況?？梢岳斫獾氖?，這些方案都在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
在使用光束分離器118引向光束110之后，該光束110隨后和單獨(dú)可控元件的陣列104相交。通過單獨(dú)可控元件的陣列104的反射，光束110穿過投影系統(tǒng)108，該系統(tǒng)將光束110聚焦在基片114的目標(biāo)部分120上。
借助于定位設(shè)備116(以及底板136上通過光束分離器140接收的干涉測量光束138的可選干涉測量設(shè)備134)，基片臺(tái)106可以被準(zhǔn)確地移動(dòng)，以至于將不同的目標(biāo)部分120定位于光束110的路徑中。例如，在掃描的過程中，在應(yīng)用的地方，用于單獨(dú)可控元件陣列104的定位設(shè)備可以被用來準(zhǔn)確地校正單獨(dú)可控元件陣列104相對(duì)于光束110的路徑的位置。通常，借助于長沖程模塊(粗定位)和短沖程模塊(細(xì)定位)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)臺(tái)106的移動(dòng)，這沒有在圖1中明確地描繪。相似的系統(tǒng)也可以用于定位單獨(dú)可控元件的陣列104?？梢岳斫獾氖?，光束110可以選擇地/附加地成為可移動(dòng)的，而目標(biāo)臺(tái)106和/或單獨(dú)可控元件的陣列104可以具有固定的位置以便提供所需的相關(guān)移動(dòng)。
在實(shí)施例的可選結(jié)構(gòu)中，基片臺(tái)106可以被固定，以便基片114在基片臺(tái)106上變得可移動(dòng)。這通過以下方法來執(zhí)行，在平面最高的表面上提供具有多個(gè)開口的基片臺(tái)106，氣體通過該開口被輸入以便提供能夠支持基片114的氣墊。這通常被稱為空氣軸承裝置(air bearing arrangement)。使用一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器(未示出)，基片114在基片臺(tái)106上被移動(dòng)，該致動(dòng)器能夠準(zhǔn)確地定位與光束110的路徑有關(guān)的基片114。可選擇地，基片114可以通過選擇性地開始和停止氣體通過該開口來在基片臺(tái)106上移動(dòng)。
雖然這里描述了根據(jù)本發(fā)明的用于曝光基片上的抗蝕劑的光刻設(shè)備100，可以理解的是，本發(fā)明并不限制為這種使用并且設(shè)備100可以用于投影在無刻蝕劑的光刻中使用的構(gòu)圖光束110。
所描繪的設(shè)備100可以用在四種優(yōu)選的模式中1.步進(jìn)模式單獨(dú)可控元件陣列104上的整個(gè)圖案一次性地(即，單一的“閃光”)被投影到目標(biāo)部分120。然后，對(duì)于由構(gòu)圖光束110輻射的不同目標(biāo)部分120，基片臺(tái)106在x和/或y方向上被移動(dòng)到不同的位置。
2.掃描模式除了在單一的“閃光”中給定的目標(biāo)部分120沒有被曝光之外，本質(zhì)上與步進(jìn)模式相同。代替地，單獨(dú)可控元件的陣列104在所給的具有速度v的方向(所謂的“掃描方向”，例如，y方向)上是可移動(dòng)的，以至于產(chǎn)生構(gòu)圖光束110以在單獨(dú)可控元件陣列104上進(jìn)行掃描。同時(shí)，基片臺(tái)106在相同或相反的方向上以速度V＝Mv同時(shí)移動(dòng)，其中M是投影系統(tǒng)108的放大倍數(shù)。用這種方法，可以曝光相對(duì)較大的目標(biāo)部分120，而不會(huì)損害分辨率。
3.脈沖模式單獨(dú)可控元件陣列104實(shí)質(zhì)上保持固定，而使用脈沖發(fā)射系統(tǒng)102將整個(gè)圖案投影到基片114的目標(biāo)部分120。基片臺(tái)106以基本上恒定的速度被移動(dòng)，以使得構(gòu)圖光束110按線掃描過基片106。根據(jù)輻射系統(tǒng)102的脈沖與被定時(shí)的脈沖之間的要求更新單獨(dú)可控元件陣列104上的圖案，以至于在基片114上所要求的位置曝光連續(xù)的目標(biāo)部分120。因此，構(gòu)圖光束110可以掃描過基片114以便曝光基片114的的一條的完整的圖案。該過程被重復(fù)直到整個(gè)基片114已經(jīng)逐行被曝光。
4.連續(xù)掃描模式除了使用基本恒定的輻射系統(tǒng)102以及當(dāng)構(gòu)圖光束110掃描過基片114并且曝光它時(shí)單獨(dú)可控元件陣列104上的圖案被更新之外，基本上與脈沖模式相同。
也可以應(yīng)用上述使用的模式或使用的完全不同的模式的組合和/或變化。
如上所述，通過增加附加的小特征，即通常所說的靠近或接近器件特征的光學(xué)接近式校正或OPC特征，基片114上的打印圖像可以被改善。已經(jīng)描述了OPC特征的各種不同的形式。例如，OPC特征包括，但不限制為，散射條、梯形條、錘頭、襯線等等，用于在不同的環(huán)境中使用。例如，散射條可以被使用以便使隔離或半隔離線的空間頻率與同一圖案中的那些密集線的特征更接近，使得同一圖案中彼此接近的不同間距的處理窗口。
應(yīng)當(dāng)注意的是，除非上下文中另外指出，術(shù)語“OPC特征”通常用于包含不專用于校正近似效應(yīng)的校正特征，術(shù)語“光學(xué)接近式校正，”“OPC特征，”以及“校正特征”應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為同義并且用于包含修改顯影的圖像但在顯影圖像中不是自身可辨別的所有特征。
通常要求OPC特征本身不在抗蝕劑中打印。這通過使OPC特征顯著小于臨界尺寸(CD)來實(shí)現(xiàn)。因此，由于圍繞OPC特征的衍射，空間圖像的對(duì)比度被降低。然后選擇曝光劑量和抗蝕劑閾值以使得所希望的打印特征(即，器件特征以及任何其他特征，例如用于在顯影的抗蝕劑中出現(xiàn)的標(biāo)記或目標(biāo))暴露抗蝕劑，但是OPC特征不是這樣。然而應(yīng)當(dāng)注意的是，在一些情況下OPC特征實(shí)際上可以超過抗蝕劑閾值但是產(chǎn)生在抗蝕劑的顯影中被洗掉的特征。
在可以是例如掩模、可編程構(gòu)圖設(shè)備等的強(qiáng)度-對(duì)比設(shè)備104中，該特征(打印特征和OPC特征)通過(例如，明亮背景上的黑暗特征)具有與背景不同的強(qiáng)度等級(jí)來定義，并且該設(shè)備的圖像被投影到基片114上。在一個(gè)例子中，對(duì)于最大對(duì)比度黑暗特征是完全黑暗的，例如，石英掩模上的傳統(tǒng)的鉻通常就是這樣。
包括打印特征和校正特征的典型對(duì)比設(shè)備圖2根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例描繪了由一種方法生成的一部分掩模圖案。在該實(shí)施例中，將校正特征設(shè)置為中間強(qiáng)度等級(jí)，該等級(jí)是在打印特征的強(qiáng)度等級(jí)與背景的強(qiáng)度等級(jí)之間。相對(duì)于光亮背景或區(qū)域設(shè)置一黑暗L型打印特征1。在一個(gè)例子中，打印特征1是完全黑暗的，根據(jù)對(duì)比設(shè)備是否是透射的、反射的或自發(fā)射的而具有大約等于零的透射率、反射率或發(fā)射率，或盡可能的暗。同時(shí)，光亮背景是盡可能的亮，具有盡可能高的透射率，反射率或發(fā)射率。結(jié)合光亮背景上的黑暗特征，使用一正性調(diào)整抗蝕劑(positive tone resist)，該正性調(diào)整抗蝕劑是在已經(jīng)曝光的顯影中總是被洗掉的抗蝕劑。如果使用負(fù)性調(diào)整抗蝕劑則強(qiáng)度等級(jí)被顛倒，這是僅僅曝光的地方被顯影后抗蝕劑保留的地方。因此，通常，打印特征1可以被描述為由與第二強(qiáng)度等級(jí)的背景相對(duì)的第一強(qiáng)度等級(jí)的區(qū)域定義。
在該實(shí)施例中，圍繞打印特征1提供各種類型的校正特征，包括散射條2-5，錘頭6和7以及襯線8。由第三或中間強(qiáng)度等級(jí)的區(qū)域定義校正特征2-8，該第三或中間強(qiáng)度等級(jí)是在第一和第二強(qiáng)度等級(jí)之間的強(qiáng)度等級(jí)。在一個(gè)例子中，第一強(qiáng)度等級(jí)基本上為零，第二強(qiáng)度等級(jí)為Imax(例如，對(duì)于特殊應(yīng)用的最大強(qiáng)度等級(jí))而第三強(qiáng)度等級(jí)大約為0.5*Imax。在各種例子中，第三強(qiáng)度等級(jí)可以被設(shè)置為第一和第二強(qiáng)度等級(jí)之間任何希望的或常規(guī)的等級(jí)，而不同的校正特征可以有不同的強(qiáng)度等級(jí)。
在一個(gè)例子中，一些校正特征可以具有與打印特征1相同的強(qiáng)度等級(jí)。
校正特征也可以具有與打印特征1同相或者與打印特征1異相。校正特征的異相可以被描述為負(fù)灰色。調(diào)整校正特征的相位的選項(xiàng)在提供校正特征中提供了附加的靈活性。
通過用一個(gè)或多個(gè)中間強(qiáng)度等級(jí)來定義校正特征，在校正特征的尺寸上的限制被減小或消除。如果中間強(qiáng)度等級(jí)比抗蝕劑閾值低，也就是說，在所給的曝光中不足以顯影抗蝕劑，則校正特征可以被設(shè)置得與打印特征1一樣大。即使中間強(qiáng)度等級(jí)大于抗蝕劑閾值，如果以與打印特征相同的強(qiáng)度等級(jí)定義它，則校正特征可以被設(shè)置得比它大，并且在顯影的圖像中仍然不可辨別。
由于至少的一些原因上述的這些方案是可取的。第一，校正特征尺寸上的限制的減輕或消除可以在校正特征的設(shè)計(jì)中允許有更大的靈活性，這可以允許更好的最終結(jié)果。第二，該更大的校正特征可能在掩模中更容易制造并且可能物理上更加堅(jiān)固。第三，它可以使校正特征被定義在具有與臨界尺寸可比較的分辨率的可編程構(gòu)圖裝置中，以前不可能有這種分辨率。
根據(jù)所使用的對(duì)比設(shè)備，有多種用中間等級(jí)定義校正特征的方法。
在一個(gè)例子中，可編程構(gòu)圖設(shè)備本身能夠產(chǎn)生多個(gè)或連續(xù)的強(qiáng)度等級(jí)。例如，衍射光學(xué)MEMS設(shè)備(有時(shí)稱為光柵光閥)的陣列可以根據(jù)可移動(dòng)的帶的位置定義多個(gè)不同的強(qiáng)度等級(jí)。在固定和可移動(dòng)帶之間的空間確定直接變?yōu)榱愕娜肷涔馀c更高次衍射光束的比例。
在一個(gè)例子中，可編程構(gòu)圖設(shè)備可以被使用在一種設(shè)備的開關(guān)速度比曝光時(shí)間和/或掃描速度更快的模式中。在該例子中，在曝光中所給元件為“開”的持續(xù)時(shí)間或它的占空比確定凈強(qiáng)度等級(jí)。
在一個(gè)例子中，掩模的吸收體厚度或在反射掩模中的多層厚度可以被改變以便定義不同的強(qiáng)度等級(jí)。
用于確定校正特征參數(shù)的典型處理圖3、4和5根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例描繪了生成掩模圖案的方法?？梢杂密浖?、硬件、固件等以及它們的組合來執(zhí)行這些方法。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，用于確定應(yīng)用到所給器件圖案的合適的校正特征的自動(dòng)過程。希望的器件圖案輸入s1到一輸入設(shè)備(未示出)，該器件圖案也可以包括非功能打印特征。例如，輸入設(shè)備可以是，但不限制為，網(wǎng)絡(luò)接口或用于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的閱讀器。從存儲(chǔ)設(shè)備s2提供校正核心，該校正核心被確定用于為所給的光刻設(shè)備和/或照射條件生成合適的空間頻率，該存儲(chǔ)設(shè)備s2可以存儲(chǔ)用于不同設(shè)備和/或條件的多個(gè)不同核心，或者根據(jù)與設(shè)備和/或照射條件相關(guān)的輸入?yún)?shù)由用于確定適當(dāng)校正核心的算法生成該核心。然后在乘法器s3中用器件圖案環(huán)繞該核心以便生成在exposure(s)s4期間被使用的投影圖案。在一個(gè)例子中，該投影圖案中的校正特征可以具有根據(jù)正弦曲線或其他平滑曲線改變的強(qiáng)度等級(jí)，這些曲線可以在分辨率的界限內(nèi)以及所使用的構(gòu)圖設(shè)備的可獲得的強(qiáng)度等級(jí)的數(shù)量中被大約盡可能地接近。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，用于確定應(yīng)用到所給器件圖案的合適的校正特征的自動(dòng)過程。在圖4中，在s2a和s2b中提供或生成第一和第二一維核心并且在乘法器s3a和s3b中用器件圖案順序地旋繞該核心。在一個(gè)例子中，一維核心是直角的，例如，一個(gè)在X方向上生成圍繞在Y方向上延伸的線的特征，而另一個(gè)在Y方向上生成圍繞在X方向上延伸的線的特征。在一個(gè)例子中，如果圖案只包含在一個(gè)方向上延伸的線，則有可能只使用單獨(dú)的一維核心。
在一個(gè)例子中，該校正特征可以插入到基于規(guī)則或基于模型的過程中。在基于規(guī)則的過程中，至少一個(gè)預(yù)定規(guī)則被用于確定校正特征的插入。例如，規(guī)則可以采用這個(gè)形式如果線被隔離，則在強(qiáng)度I以及具有與線的距離為D的寬度W的每邊上插入校正特征?；谀Ｐ偷姆椒ㄊ褂靡粋€(gè)或多個(gè)公式來確定在所給的位置處插入的校正特征的強(qiáng)度(和/或相位)作為打印特征的近似性的函數(shù)。
圖5示出了描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種方法的流程圖。在該實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明由中間強(qiáng)度等級(jí)校正特征的可能性提供的附加的自由度允許采用迭代方法來生成校正特征。在步驟s11中，根據(jù)基于規(guī)則的或預(yù)定的過程，一輸入器件圖案應(yīng)用OPC特征。這些可能是灰度級(jí)，即，具有中間強(qiáng)度等級(jí)，或作為初始近似值的二進(jìn)制。在步驟s12中，使用投影圖案執(zhí)行曝光的模擬。在步驟s13中，將該模擬圖像與希望的圖像進(jìn)行比較。在步驟s14中，確定是否滿意該結(jié)果。如果滿意，則在步驟s16中執(zhí)行exposure(s)。如果不滿意所模擬的曝光，則在步驟s15中調(diào)整OPC特征并且該處理返回到步驟s12以便重復(fù)模擬、比較以及重復(fù)確定步驟。
在一個(gè)例子中，重復(fù)循環(huán)直到獲得希望的圖像質(zhì)量或者達(dá)到預(yù)定的循環(huán)次數(shù)。
在不同的例子中，OPC特征的調(diào)整步驟s15可以是基于規(guī)則的、預(yù)定的或基于模擬的結(jié)果。
在一個(gè)例子中，模擬和比較結(jié)果被用于計(jì)算校正核心，該核心被應(yīng)用到由先前的迭代產(chǎn)生的圖案。
在一個(gè)例子中，步驟s11的OPC特征的初始應(yīng)用可以被省略并且從模擬曝光開始該循環(huán)。
在一個(gè)例子中，實(shí)際曝光的結(jié)果可以用于代替模擬曝光。
用于確定掩模圖像是否適合使用的基本標(biāo)準(zhǔn)是它的模擬圖像盡可能地與希望打印的圖案接近，即，與希望的圖案的偏差最小?？梢杂萌魏纬Ｒ?guī)或合適的方法來測量該偏差，例如通過計(jì)算希望的圖案和投影圖像的強(qiáng)度的平方差的所有像素的總和。
典型的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)本發(fā)明的用于生成投影圖案的過程，是否迭代的單一步驟，可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員采用任何合適的編程語言所寫的計(jì)算機(jī)程序?qū)崿F(xiàn)并且可以在任何合適的計(jì)算機(jī)上執(zhí)行，該計(jì)算機(jī)可以是獨(dú)立的設(shè)備或光刻設(shè)備的控制系統(tǒng)的一部分。該程序可以存儲(chǔ)在合適的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上并且通過合適的通信網(wǎng)絡(luò)傳送。
圖6說明了一個(gè)示例計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600，在其中本發(fā)明可以作為計(jì)算機(jī)可讀代碼來實(shí)施。根據(jù)該示例計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600描述本發(fā)明的各種實(shí)施例。閱讀了該說明之后，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白如何使用其他計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和/或計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)來實(shí)施本發(fā)明。
該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600包括一個(gè)或多個(gè)處理器，比如處理器604。處理器604可以是專用或通用數(shù)字信號(hào)處理器。處理器604連接到通信基本結(jié)構(gòu)606(例如，總線或網(wǎng)絡(luò))。根據(jù)該典型的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)描述各種軟件執(zhí)行。閱讀了該說明之后，如何使用其他的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和/或計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)來實(shí)施本發(fā)明對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將變得顯而易見。
該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600還包括主存儲(chǔ)器608，優(yōu)選為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)，并且也可以包括輔助存儲(chǔ)器610。該輔助存儲(chǔ)器610可以包括，例如，硬盤驅(qū)動(dòng)器612和/或代表軟盤驅(qū)動(dòng)器、磁帶驅(qū)動(dòng)器、光盤驅(qū)動(dòng)器等等的可移動(dòng)存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器614?？梢苿?dòng)存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器614采用公知的方法從可移動(dòng)存儲(chǔ)器單元618讀取和/或向可移動(dòng)存儲(chǔ)器單元618寫入數(shù)據(jù)。可移動(dòng)存儲(chǔ)器單元618，代表軟盤、磁帶、光盤等，它通過可移動(dòng)存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器614進(jìn)行讀和寫?？梢岳斫獾氖牵梢苿?dòng)存儲(chǔ)器單元618包括具有在其中存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)軟件和/或數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)。
在可選的實(shí)施中，輔助存儲(chǔ)器610可以包括用于允許計(jì)算機(jī)程序或其它指令加載到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600的其它類似裝置。該裝置可以包括，例如，可移動(dòng)存儲(chǔ)器單元622和接口620。該裝置的例子可以包括程序盒式磁帶機(jī)和盒式磁帶機(jī)接口(諸如在視頻游戲設(shè)備中發(fā)現(xiàn)的)、可移動(dòng)存儲(chǔ)器芯片(諸如EPROM，或PROM)和相關(guān)的插座，以及其它可移動(dòng)存儲(chǔ)器單元622和允許軟件和數(shù)據(jù)從可移動(dòng)存儲(chǔ)器單元622傳送到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600的接口620。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600也可以包括通信接口624。通信接口624允許軟件和數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600和外部設(shè)備之間傳送。通信接口624的例子可以包括調(diào)制解調(diào)器、網(wǎng)絡(luò)接口(諸如以太網(wǎng)卡)、通信端口、PCMCIA插槽和卡等。通過通信接口624傳送的軟件和數(shù)據(jù)是電、電磁、光的信號(hào)628的形式或能夠由通信接口624接收的其它信號(hào)的形式。這些信號(hào)628通過通信路徑626被提供到通信接口624。通信路徑626運(yùn)載信號(hào)628并且可以使用電線或電纜、光纖、電話線、蜂窩電話連接、無線電頻率(RF)連接以及其它通信信道實(shí)施。
在該文本中，使用的術(shù)語“計(jì)算機(jī)程序介質(zhì)”和“計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)”通常指例如是可移動(dòng)存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器614、安裝在硬盤驅(qū)動(dòng)器612中的硬盤以及信號(hào)628的媒體。計(jì)算機(jī)程序介質(zhì)和計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)也可以指存儲(chǔ)器，比如主存儲(chǔ)器608和輔助存儲(chǔ)器610，它們可以是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，等等)。這些計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品是用于將軟件提供到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600的裝置。
計(jì)算機(jī)程序(也稱為計(jì)算機(jī)控制邏輯)存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器608和/或輔助存儲(chǔ)器610中。計(jì)算機(jī)程序也可以通過通信接口624被接收。當(dāng)執(zhí)行時(shí)，該計(jì)算機(jī)程序使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600能夠如這里所討論的那樣實(shí)施本發(fā)明。特別地，當(dāng)執(zhí)行時(shí)，計(jì)算機(jī)程序使處理器604能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的過程，比如如附圖中所描述的系統(tǒng)100中一個(gè)或多個(gè)元件的操作，以及如圖3-5中所描述的如同上面討論的系統(tǒng)100的典型操作的操作。因此，該計(jì)算機(jī)程序表示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600的控制系統(tǒng)。使用軟件實(shí)施本發(fā)明的地方，該軟件可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中并且使用可移動(dòng)存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器614、硬盤驅(qū)動(dòng)器612或通信接口624裝載到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600。
本發(fā)明也涉及包括存儲(chǔ)在任何計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)上的軟件的計(jì)算機(jī)產(chǎn)品(也稱為計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品)。當(dāng)在一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)處理設(shè)備中執(zhí)行時(shí)，該軟件使數(shù)據(jù)處理設(shè)備如這里所述的那樣操作。本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)用現(xiàn)在公知的或?qū)淼娜魏斡?jì)算機(jī)可用或可讀介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)的例子包括但不限制為主存儲(chǔ)器設(shè)備(例如，任何類型的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、輔助存儲(chǔ)器設(shè)備(例如，硬盤驅(qū)動(dòng)器、軟盤、CD ROMS、ZIP盤、磁帶、磁存儲(chǔ)器設(shè)備、光學(xué)存儲(chǔ)器設(shè)備、MEMS、納諾技術(shù)存儲(chǔ)器設(shè)備，等等)以及通信介質(zhì)(例如，有線和無線通信網(wǎng)絡(luò)、局域網(wǎng)、廣域網(wǎng)、內(nèi)部網(wǎng)，等等)。應(yīng)當(dāng)理解的是，這里描述的實(shí)施例可以使用軟件、硬件、固件或它們的組合來實(shí)施。
結(jié)論當(dāng)已經(jīng)在上面描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解的是，它們僅通過例子的方法被表示，并沒有被限制。相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下可以產(chǎn)生各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。因此，本發(fā)明的廣度和范圍將不受上述典型實(shí)施例的限制，而只根據(jù)下面的權(quán)利要求和它們的等同物來確定。
權(quán)利要求
1.一種生成掩模圖案的方法，包括(a)接收表示將被打印的一個(gè)或多個(gè)特征的器件圖案；(b)生成包括來自相對(duì)于具有第二強(qiáng)度等級(jí)的背景的具有第一強(qiáng)度等級(jí)的器件圖案的一個(gè)或多個(gè)特征以及具有第三強(qiáng)度等級(jí)的至少一個(gè)校正特征的掩模圖案，該第三強(qiáng)度等級(jí)在第一和第二強(qiáng)度等級(jí)之間。
2.權(quán)利要求1的方法，其中步驟(b)包括(b1)用校正核心旋繞器件圖案。
3.權(quán)利要求2的方法，其中該校正核心是二維的。
4.權(quán)利要求2的方法，其中該校正核心是一維的并且步驟(b)進(jìn)一步包括(b2)用第二校正核心旋繞器件圖案，該第二校正核心是一維的并且與該校正核心垂直。
5.權(quán)利要求1的方法，其中所述生成包括根據(jù)至少一個(gè)預(yù)定規(guī)則插入校正特征。
6.權(quán)利要求1的方法，其中步驟(b)包括(b1)根據(jù)校正特征的強(qiáng)度與打印特征的近似性的相關(guān)來插入校正特征。
7.權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括(c)生成被格式化以用于控制可編程構(gòu)圖陣列的數(shù)據(jù)文件以便將掩模圖案傳達(dá)到光束。
8.權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括(c)在光刻投影設(shè)備中模擬將要在掩模圖案的投影上產(chǎn)生的空間圖像；(d)比較模擬的空間圖像和器件圖案；以及(e)修改該掩模圖案以至于該修改的掩模圖案的修改的空間圖像與該器件圖案更加相似。
9.權(quán)利要求8的方法，其中的步驟(e)包括(e1)根據(jù)步驟(d)的結(jié)果生成校正核心；以及(e2)用校正核心旋繞該掩模圖案以便生成該修改的掩模圖案。
10.權(quán)利要求8的方法，其中步驟(c)-(e)被重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
11.權(quán)利要求8的方法，其中步驟(c)-(e)被重復(fù)直到比較結(jié)果低于預(yù)定閾值。
12.一種設(shè)備制造方法，包括(a)接收表示將要打印的特征的器件圖案；(b)生成包括相對(duì)于具有第二強(qiáng)度等級(jí)的背景具有第一強(qiáng)度等級(jí)的器件特征和至少一個(gè)具有第三強(qiáng)度等級(jí)的校正特征的掩模圖案，該第三強(qiáng)度等級(jí)在第一和第二強(qiáng)度等級(jí)之間；(c)根據(jù)該掩模圖案使用單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列來空間地調(diào)制光束；以及(d)將構(gòu)圖的輻射光束投影到基片的目標(biāo)部分。
13.權(quán)利要求12的方法，其中步驟(b)包括用校正核心旋繞該器件圖案。
14.權(quán)利要求13的方法，其中該校正核心是二維的。
15.權(quán)利要求13的方法，其中該校正核心是一維的并且步驟(b)進(jìn)一步包括(b2)用第二校正核心旋繞該器件圖案，該第二校正核心是一維的并且與該校正核心垂直。
16.權(quán)利要求12的方法，其中的步驟(b)包括根據(jù)至少一個(gè)預(yù)定的規(guī)則來插入校正特征。
17.權(quán)利要求12的方法，其中步驟(b)包括通過校正特征的強(qiáng)度與打印特征的近似性的相關(guān)來插入校正特征。
18.權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括(e)生成被格式化以用于控制可編程構(gòu)圖陣列的數(shù)據(jù)文件以便將掩模圖案傳達(dá)到光束。
19.權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括(e)在光刻投影設(shè)備中模擬將在掩模圖案的投影上產(chǎn)生的空間圖像；(f)將所模擬的空間圖像與器件圖案進(jìn)行比較；以及(g)修改該掩模圖案以使得該被修改的掩模圖案的被修改的空間圖像與該器件圖案更加相似。
20.權(quán)利要求19的方法，其中的步驟(g)包括(g1)根據(jù)步驟(f)的結(jié)果生成進(jìn)一步的校正核心；以及(g2)用校正核心旋繞該掩模圖案以便生成該修改的掩模圖案。
21.權(quán)利要求19的方法，其中步驟(e)-(g)被重復(fù)一次或多次。
22.權(quán)利要求19的方法，其中步驟(e)-(g)被重復(fù)直到步驟(f)的結(jié)果比預(yù)定閾值低。
23.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括具有記錄在其上用于控制至少一個(gè)處理器的計(jì)算機(jī)程序邏輯的計(jì)算機(jī)可用介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)程序邏輯包括計(jì)算機(jī)程序代碼裝置，用于接收表示將要打印的特征的器件圖案；以及計(jì)算機(jī)程序代碼裝置，用于生成包括相對(duì)于具有第二強(qiáng)度等級(jí)的背景具有第一強(qiáng)度等級(jí)的器件特征和至少一個(gè)具有第三強(qiáng)度等級(jí)的校正特征的掩模圖案，該第三強(qiáng)度等級(jí)在第一和第二強(qiáng)度等級(jí)之間。
24.權(quán)利要求23的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中計(jì)算機(jī)程序代碼裝置用于生成用校正核心進(jìn)一步旋繞該器件圖案。
25.權(quán)利要求24的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中該校正核心是二維的。
26.權(quán)利要求24的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中該校正核心是一維的，并且其中的計(jì)算機(jī)程序代碼裝置用于生成用第二校正核心進(jìn)一步旋繞該器件圖案，該第二校正核心是一維的并且與該校正核心垂直。
27.權(quán)利要求23的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，進(jìn)一步包括計(jì)算機(jī)程序代碼裝置，用于提供指令以便生成被格式化以用于控制可編程構(gòu)圖陣列的數(shù)據(jù)文件以便將該掩模圖案傳達(dá)到光束。
28.權(quán)利要求23的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，進(jìn)一步包括計(jì)算機(jī)程序代碼裝置，用于在光刻投影設(shè)備中模擬將在掩模圖案的投影上產(chǎn)生的空間圖像；計(jì)算機(jī)程序代碼裝置，用于將所模擬的空間圖像與該器件圖案相比較；以及計(jì)算機(jī)程序代碼裝置，用于修改掩模圖案以使得該被修改的掩模圖案的被修改的空間圖像與器件圖案更加相似。
29.權(quán)利要求28的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中用于修改的計(jì)算機(jī)程序代碼裝置包括計(jì)算機(jī)程序代碼裝置，用于根據(jù)該比較結(jié)果生成校正核心；以及計(jì)算機(jī)程序代碼裝置，用于用該校正核心旋繞該掩模圖案以便生成被修改的掩模圖案。
30.一種光刻設(shè)備，包括提供輻射光束的照射系統(tǒng)；空間地調(diào)制該光束的單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列；將該構(gòu)圖的光束投影到基片的目標(biāo)部分的投影系統(tǒng)；以及控制該單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列以使得其元件采用表示投影圖案的狀態(tài)的控制器，該投影圖案包括器件圖案的旋繞以及校正核心。
31.權(quán)利要求30的設(shè)備，其中該控制器接收表示該器件圖案的數(shù)據(jù)并且旋繞器件圖案和校正核心。
32.權(quán)利要求31的設(shè)備，其中該控制器用二維形式的校正核心旋繞器件圖案。
33.權(quán)利要求31的設(shè)備，其中該控制器用一維形式的校正核心旋繞該器件圖案以便生成中間圖案，然后用第二個(gè)一維校正核心旋繞該中間圖案以生成構(gòu)圖光束。
34.權(quán)利要求30的設(shè)備，其中該單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列用具有第三或更多強(qiáng)度等級(jí)的圖案來調(diào)制該光束。
35.權(quán)利要求34的設(shè)備，其中該校正核心生成具有至少一個(gè)在器件圖案的高強(qiáng)度等級(jí)和低強(qiáng)度等級(jí)中間的強(qiáng)度等級(jí)的校正特征。
36.在具有可設(shè)置為調(diào)制光束的三種或多種狀態(tài)的單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列以及將所調(diào)制的光束投影到基片上以便在其上打印由單獨(dú)可控元件的構(gòu)圖陣列實(shí)現(xiàn)的該調(diào)制所確定的圖案的投影系統(tǒng)的投影光刻設(shè)備中，一種圖案校正器接收兩種等級(jí)的器件圖案并且用校正核心旋繞該器件圖案以便生成具有在該器件圖案的等級(jí)之間的至少一個(gè)等級(jí)的強(qiáng)度等級(jí)的校正特征。
全文摘要
通過用二維校正核心或兩個(gè)一維校正核心旋繞器件特征將灰度級(jí)光學(xué)接近式校正器件特征添加到一掩模圖案以便生成灰度級(jí)OPC特征。該結(jié)果圖案可以用在具有適于生成三個(gè)或更多強(qiáng)度等級(jí)的可編程構(gòu)圖裝置的投影光刻設(shè)備中。模擬由圖案產(chǎn)生的空間圖像、比較對(duì)希望的圖案的模擬以及調(diào)整OPC特征的迭代過程，可以被用于生成投影的最佳圖案。
文檔編號(hào)G06F17/50GK1746769SQ200510109890
公開日2006年3月15日 申請日期2005年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月17日
發(fā)明者J·J·M·巴塞曼斯, K·D·范德馬斯特, K·Z·特魯斯特 申請人:Asml荷蘭有限公司