專利名稱：嵌入式功率管理控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
0002本發(fā)明廣泛地涉及半導(dǎo)體電子系統(tǒng)的緊致組裝，尤其涉及這樣的系統(tǒng)，其中通過將有源和無源電子器件嵌入到組成子系統(tǒng)的電路板中實(shí)現(xiàn)緊致性，所述組成子系統(tǒng)然后組裝在垂直疊層中。該發(fā)明的一個(gè)特定應(yīng)用是功率管理控制電路模塊，其可以與功率變換器組裝在一起以用于小型、便攜式電子設(shè)備?？蛇x擇地，所述嵌入式功率管理控制電路可以被修改以用于包含功率晶體管器件和控制器的電路中。這樣的應(yīng)用包括音頻丁類電路，半橋和全橋電機(jī)控制應(yīng)用和照明電路。為此，術(shù)語“嵌入式”應(yīng)當(dāng)被理解成表示包埋在襯底(substrate)或載體內(nèi)。
背景技術(shù)：
0003便攜式電子設(shè)備，例如蜂窩式電話和計(jì)算機(jī)，需要占用少量體積的高效功率管理控制電路。這樣的電路可以包括功率晶體管、集成電路、集成電路、電阻器、電容器、電感器、二極管、配線、傳感器和比較器。
0004這樣的功率控制電路常規(guī)地組裝在印刷電路板上耗費(fèi)了過多體積和面積。當(dāng)功能增加時(shí)，對減小體積的需要變得越來越重要。
0005諸如電阻器和電容器這樣的嵌入式無源器件的使用是公知的。通過將有源和/或無源器件嵌入到電路板中，電路板的表面上的有用“不動產(chǎn)(real estate)”被保存用于有源半導(dǎo)體器件。

發(fā)明內(nèi)容
0006根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的嵌入式功率管理控制電路包括控制板模塊，該控制板模塊與集成電路功率變換器一起組裝在垂直疊層中以用于附著到手持設(shè)備的母板上。所述控制板模塊包括諸如場效應(yīng)晶體管(FET)這樣的功率晶體管，和/或安裝在電源集成電路下方的集成電路，節(jié)省了設(shè)備母板上的空間。無源器件(例如電阻器、電容器和電感器)也可以嵌入到所述控制板模塊中以節(jié)省設(shè)備母板上的附加“不動產(chǎn)”。例如包含MOSFET、IC和無源部件的電路可以嵌入到具有基板柵格陣列墊布置(land grid array pad arrangement)的載體中，基板柵格陣列墊布置可以焊接到母板。散熱器可以附著到所述組件以便增加熱量散發(fā)到嵌入部件周圍的環(huán)境中。
0007本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是將用于小型便攜式電子裝置的外圍電子系統(tǒng)組裝到具有小臺面面積和小體積的模塊中。
0008本發(fā)明的更特別的目標(biāo)是提供這樣一種緊致外圍電子系統(tǒng)，其可以用作功率變換器和功率控制模塊以便于附著到諸如蜂窩式電話等這樣的小型電子設(shè)備中的母板。
0009根據(jù)本發(fā)明第一方面，用于具有母板的電子設(shè)備的外圍電子系統(tǒng)包括帶有多個(gè)單獨(dú)電連接垂直層疊模塊的組合結(jié)構(gòu)，所述垂直層疊模塊中的至少一個(gè)由電路板組件組成，該電路板組件包括嵌入其中的有源和/或無源電子部件，并且所述部件由導(dǎo)電軌跡(trace)電連接以提供預(yù)期操作功能，所述外圍電子系統(tǒng)進(jìn)一步包括在所述組合結(jié)構(gòu)的暴露表面上的電連接器陣列，該電連接器陣列適于在所述外圍電子設(shè)備和所述母板之間提供電連接。
0010根據(jù)本發(fā)明的第二方面，電子設(shè)備包括根據(jù)第一方面的外圍電子系統(tǒng)，也包括母板，所述母板和所述外圍電子系統(tǒng)由電連接器陣列電連接在一起。
0011根據(jù)本發(fā)明的第三方面，一種用于組裝用于電子設(shè)備的外圍電子系統(tǒng)的方法，所述電子設(shè)備包括母板和所述外圍電子系統(tǒng)，所述方法包括以下步驟制造電路板形式的第一模塊，該第一模塊包括嵌入其中并且由嵌入導(dǎo)電軌跡電互連的第一組電子部件以提供所述外圍電子系統(tǒng)的功能的第一部分，然后封裝所述電路板同時(shí)留下暴露的電連接結(jié)構(gòu)，制造第二模塊，該第二模塊包括嵌入其中并且被電連接的第二組電子部件以提供所述外圍電子系統(tǒng)的功能的第二部分，然后封裝所述第二模塊同時(shí)留下暴露的第二電連接結(jié)構(gòu)，將所述第一和第二封裝模塊組裝到垂直疊層中，并且第一和第二電連接結(jié)構(gòu)提供第一和第二模塊之間的電連接；和在垂直層疊模塊的一個(gè)的暴露表面上提供第三電連接結(jié)構(gòu)，第三電連接結(jié)構(gòu)適于將組裝模塊電連接到所述母板。
0012根據(jù)本發(fā)明的第五方面，一種組裝電子設(shè)備的方法，所述電子設(shè)備包括母板和外圍電子系統(tǒng)，所述方法包括根據(jù)本發(fā)明的第四方面組裝外圍電子子系統(tǒng)，和將外圍電子系統(tǒng)上的第三連接結(jié)構(gòu)電連接到母板。


0013圖1示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的橫截面圖。
0014圖2A-2F示出了顯示嵌入有源半導(dǎo)體器件的方法的橫截面圖。
0015圖3A-3I示出了嵌入無源器件的方法。
0016圖4顯示了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電路圖。
0017圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的帶有附加散熱器的電路板組件。
0018圖6A-6C顯示了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的接觸圖案層。
具體實(shí)施例方式
0019在圖1中示出了負(fù)載傳遞控制電路組件10的嵌入式功率管理點(diǎn)?？刂瓢?4介于功率集成電路12，例如d-c至d-c功率變換器，和電子設(shè)備的母板15之間。例如，電子設(shè)備可以是小型蜂窩式電話，其要求最佳地使用印刷電路板“不動產(chǎn)”以便減小設(shè)備的尺寸。
0020功率IC12可以包含用于同步補(bǔ)償變換器、控制MOSFET、同步MOSFET、過電流/過電壓保護(hù)和過熱保護(hù)的控制電路。可選擇地，功率IC12可以是任何其它合適或理想體系和構(gòu)造的電源模塊。諸如電阻器、電容器和電感器這樣的嵌入式無源器件可以被加入到附加于模面的層中。諸如場效應(yīng)晶體管(FET)這樣的功率晶體管被嵌入到介于功率IC和母板之間的控制板14中。
0021在圖2A-2F中顯示了用于組裝具有嵌入式有源半導(dǎo)體器件的控制板14的合適方法，但是應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明并不限于所示的方法。在圖2A中，電絕緣掩模層22被應(yīng)用于導(dǎo)電層24，該導(dǎo)電層可以是常規(guī)球形柵格陣列(ball grid array)23(參見圖1)或基板柵格陣列型封裝的絕緣層21上的導(dǎo)電表面。導(dǎo)電層24可以可選擇地為直接粘結(jié)銅(DBC)元件的銅箔，絕緣金屬襯底(IMS)的上層導(dǎo)電部件或用于印刷接線板中的銅箔元件?？蛇x擇地所述導(dǎo)電層可以形成例如用于功率電子設(shè)備應(yīng)用中的那些復(fù)雜引線框組件的一部分。
0022作為下一步驟，如圖2B中所示，導(dǎo)電粘合劑26被應(yīng)用到由諸如常規(guī)焊接掩模這樣的掩模層22限定的暴露導(dǎo)電表面24的至少一部分上。導(dǎo)電粘合劑26可以是焊料或?qū)щ姯h(huán)氧模固定粘合劑，或者例如由絲網(wǎng)印刷施加的任何其它合適或理想材料。
0023在下一步驟中，如圖2C中所示，諸如FET或IC這樣的有源半導(dǎo)體器件28被安裝成使得在半導(dǎo)體器件的一個(gè)主表面上的電極71、73和導(dǎo)電粘合劑26之間形成電接觸。例如，半導(dǎo)體器件可以由其表面上的接觸墊連接。該表面可以包含可焊金屬或含金屬粘合劑，焊接凸塊(solder bump)的陣列或金屬或聚合物柱螺栓的陣列，或任何其它合適或理想結(jié)構(gòu)。另一主表面75是模77主體的金屬化。對于功率器件，這可以是背面金屬化，對于IC，這可以是電極上的金屬化。類似地，其它半導(dǎo)體和無源器件，例如二極管，MESFET或IGBT，電容器，電阻器或電感器可以安裝到器件28并且成間隔關(guān)系。例如，如圖8A-8D中所示電阻器79和第二MOSFET 78器件可以被放置在淀積于銅箔24上的粘合劑26上。
0024然后，半導(dǎo)體器件28和間隔器件78和79可以嵌入到電絕緣封裝物21中，例如預(yù)浸粘合劑粘合層或類似的粘合膜，并且如圖2D中所示可以應(yīng)用由介電背襯銅箔或僅僅由銅箔形成的疊片芯23。產(chǎn)生的控制板14模塊在圖1和2E中示出。導(dǎo)電層24可以在29被蝕刻以限定如圖1和2F中所示的接觸和線跡。在包含在控制板14中之前或之后，線跡25和墊27可以通過任何合適或理想的方法，例如通過鉆孔包含在疊片芯23中，隨后進(jìn)行金屬化和形成圖案(patterning)。
0025為了將無源和/或其它有源半導(dǎo)體器件的更多層加入到控制板的任一表面，重復(fù)結(jié)合圖2A-2F描述的上述制造方法，并且通過下面更具體描述的金屬化實(shí)現(xiàn)層之間的連接。
0026圖3A-3I示出了用于將無源器件嵌入諸如控制板14這樣的結(jié)構(gòu)中的方法的一個(gè)例子。圖3A示出了嵌入式IC器件30，例如控制IC，并且接觸墊31在其表面的一個(gè)上。在圖3B中，鈍化層33被顯示成應(yīng)用于接觸墊31上。鈍化層33的一部分然后例如通過蝕刻被去除以暴露接觸墊31的至少一些部分(參見圖3C)。接著例如電鍍銅形式的金屬化層50被應(yīng)用于接觸墊31上的IC30的表面，如圖3D中所示，并且通過蝕刻形成圖案，從而產(chǎn)生如圖3E中所示的導(dǎo)電圖案軌跡35。用于產(chǎn)生如圖3E中所示的圖案軌跡的其它合適方法包括蒸汽淀積、濺射或絲網(wǎng)印刷。
0027可選擇地，非金屬導(dǎo)電圖案可以用于替換圖案金屬化層。例如，導(dǎo)電膠34可以印刷在表面上以形成理想接觸圖案35并且隨后被固化。
0028接著，例如通過絲網(wǎng)印刷分別用于電阻器和電容器的電阻膠32或介電膠34，無源部件32、34可以淀積在接觸圖案35的軌跡之上或之間。類似地可以由銅層50中的螺旋圖案形成電感器。
0029具有高介電常數(shù)的電絕緣材料，例如聚合物/陶瓷復(fù)合物被印刷在第一導(dǎo)電接觸的表面上，第二導(dǎo)電接觸被布置在第一導(dǎo)電接觸的相對面上，將電絕緣材料夾在所述兩個(gè)導(dǎo)電接觸之間。
0030在圖3G中，應(yīng)用了第二鈍化層37，并且所述鈍化部分被去除以展示用于下方無源部件32和34以及IC30的圖案軌跡35和接觸31。隨后的電鍍和蝕刻和/或印刷的步驟可以用于根據(jù)需要建立無源電子部件的附加層。鈍化的附加層和導(dǎo)電軌跡可以用于建立和形成墊柵格陣列39，其具有由絕緣柵格38分離的導(dǎo)電接觸墊36，如圖3I中所示。該墊柵格陣列39可以與常規(guī)球形柵格陣列中的焊球一起使用以用于將集成電路30和無源部件32、34與另一電路板或半導(dǎo)體器件連接，例如如圖1中所示。
0031當(dāng)電連接到諸如母板15這樣的外電路時(shí)，產(chǎn)生的有源和無源部件的三維結(jié)構(gòu)可以用于提供利用最小母板面積的嵌入式功率管理控制。
0032作為根據(jù)本發(fā)明原理構(gòu)造的嵌入式半導(dǎo)體器件的一個(gè)例子，圖4顯示了電路板14的電路圖，該電路板包括用作半橋門驅(qū)動器的IC40，和一個(gè)或多個(gè)嵌入式MOSFET或IGBT器件6和7，所述器件控制正負(fù)DC軌(DC+和DC-或GND)和連接到電機(jī)的輸出點(diǎn)125之間的電流。也包括了嵌入式自舉電容器41，自舉電阻器43和形成需要用以驅(qū)動高邊MOSFET121的自舉電路的一部分的二極管45，和控制進(jìn)出功率器件6和7的門的電流的嵌入式電阻器101-106。應(yīng)當(dāng)注意的是電路圖只是代表典型半橋的一個(gè)普通例子，電阻器101-106可以不在所有驅(qū)動電路上。電阻器101-103的每一個(gè)終端連接到高邊器件7的門。每個(gè)電阻器的相對終端連接到控制IC40上的單個(gè)管腳。電阻器104-106以類似的配置連接，但是連接到低邊器件6的門。自舉電容器41，自舉電阻器43和二極管45由集成線跡、接觸墊和球形柵格陣列電連接到半橋門驅(qū)動集成電路40。
0033在一個(gè)應(yīng)用中，通過將嵌入式自舉電容器41與電解槽自舉電容器(未示出)并聯(lián)，電容器41可以充當(dāng)僅僅用于門充電的高速充電槽，并且電解槽電容器將并聯(lián)自舉(bootstrap)電容器上的電壓脈動(ΔVBS)保持在可接受的限度內(nèi)?？蛇x擇地，如果僅僅使用陶瓷或聚合物/陶瓷電容器作為自舉電容器41的限制是可接受的，則可以在沒有電解槽電容器的情況下使用嵌入式自舉電容器41。
0034眾所周知，選擇自舉電容器41的值是限制功率MOSFET的占空比和工作時(shí)間，這是因?yàn)樽耘e電容器41上的電荷必須定期更新。如于2003年10月29日申請的未決美國專利申請No.10/696,711，即現(xiàn)在于2005年2月22日發(fā)布的美國專利6,859,087中所述，自舉電容器41的特定大小在本領(lǐng)域中是已知的。嵌入式自舉電容器41的電容大小例如由絕緣層的面積、厚度和介電常數(shù)限定。因此，可以確定嵌入式自舉電容器41的大小和選擇介電常數(shù)，使得嵌入式電容器41或多個(gè)電容器符合功率管理控制設(shè)備10的自舉電容器41的要求。
0035配線軌跡和配線接觸可以由上述的嵌入方法提供，使得嵌入式電容器41與自舉電容器電連接以用于集成功率管理控制電路，包括完成自舉電路，如圖4中所示。
0036圖4的MOSFET 6、7可以是任何功率晶體管。例如，可以使用絕緣門雙極晶體管IGBT，例如由International RectifierCorporation制造的IRGP30B120K(D)，和IRG4PH30K(D)。優(yōu)選地，嵌入到控制板中的MOSFET是Flip FET或FETKY器件，其可以使用自動撿放(pickup and place)設(shè)備進(jìn)行安裝。這些器件可以是帶有可以附著到鋪軌(tracking)層24的合適表面接觸的任何MOSFET。
0037散熱器(150)可以附著到控制板14的一個(gè)或多個(gè)表面。優(yōu)選地，通過形成通向嵌入式發(fā)熱器件的熱通道減小散熱器和諸如二極管120-123和功率晶體管6、7這樣的發(fā)熱器件之間的熱阻。例如，通過將發(fā)熱器件放置在控制板的表面的一個(gè)附近，通過使用導(dǎo)熱材料來傳導(dǎo)來自發(fā)熱器件的表面的熱量，或者上述兩者，從而可以提供熱通道。散熱器可以用于嵌入式和非嵌入式發(fā)射器件兩者。圖5示出了夾在控制板152和另一非嵌入式器件154之間的散熱器150。
0038圖6A-6C是三個(gè)可能用于連接諸如電阻器43和101-106、二極管45、120、122和電容器41這樣的嵌入式無源電子部件的接觸圖案層的例子。例如，關(guān)于圖3A-3I描述的方法可以用于建立由圖6A和6B中所示的接觸圖案連接的嵌入式無源部件。圖6A的接觸層布置在圖6B中所示的接觸層之上，圖6B中所示的接觸層布置在圖6C中所示的接觸層之上。在一個(gè)例子中，高邊電壓VEH連接到第一線跡段70，如圖6B中所示。第一線跡段70由第三線跡段71連接到第二線跡段72，第三線跡段布置在圖6A中所示的接觸層上。通過以該方式連接這些線段70、71、72，這些線跡70、71、72避免了與如圖6B中所示的另一線跡段73電接觸。因此，嵌入式功率管理控制電路10可以由通過連接多個(gè)接觸圖案層形成的三維網(wǎng)絡(luò)連接到嵌入無源器件，每個(gè)圖案層至少部分布置在另一個(gè)之上。在一個(gè)例子中，層疊每個(gè)接觸層31、33、35將每個(gè)層直接布置在另一個(gè)之上，假如電路板表面不大于待安裝到控制板14(例如功率集成電路12)上的有源半導(dǎo)體器件所需的表面。通過限制控制板14的面積，母板(未示出)的表面上的有用“不動產(chǎn)”被保存。
0039盡管已經(jīng)通過特定實(shí)施方式描述了本發(fā)明，許多其它變型和改進(jìn)以及其它使用對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將變得顯而易見。所以優(yōu)選的是，本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)由這里的特定公開限定，而是僅僅由后附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種用于具有母板的電子設(shè)備的外圍電子系統(tǒng)，所述外圍電子系統(tǒng)包括包括多個(gè)單獨(dú)電連接垂直層疊模塊的組合結(jié)構(gòu)，所述模塊中的至少一個(gè)由電路板組件組成，該電路板組件包括嵌入其中的有源和/或無源電子部件，并且所述部件由導(dǎo)電軌跡電連接以提供預(yù)期操作功能，所述外圍電子系統(tǒng)進(jìn)一步包括在所述組合結(jié)構(gòu)的暴露表面上的電連接器陣列，該電連接器陣列適于在所述外圍電子設(shè)備和所述母板之間提供電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述期望的操作功能是用于所述母板的組合式電源和功率管理系統(tǒng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述電路板包括多個(gè)側(cè)向間隔的集成電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述板上的第一和第二電部件由導(dǎo)電軌跡電連接，所述導(dǎo)電軌跡包括在第一接觸層上的第一和第二線段和在垂直相鄰第二接觸層上的第三線段，第三線段連接在第一和第二線段之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述第一和第二線段由通過第二接觸層的各自開口連接到第三線段。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電軌跡由金屬或非金屬導(dǎo)電材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外圍電子系統(tǒng)，包括嵌入到第一電路板中的另一導(dǎo)電軌跡，其中所述另一導(dǎo)電軌跡的至少一部分布置在第一和第二電子部件之間；和所述另一導(dǎo)電軌跡由第三線段橫穿但是根據(jù)第三線段在第二垂直間隔接觸層上的定位而與之電絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述垂直間隔模塊的電子部件由各自的球形柵格陣列連接在一起，并且所述電連接器陣列是另一球形柵格陣列。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述垂直間隔模塊的電子部件由各自的球形柵格陣列和可焊接觸連接在一起，并且所述電連接器陣列是另一球形柵格陣列。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述垂直間隔模塊的電子部件由各自的可焊金屬化接觸和導(dǎo)電軌跡連接在一起，并且所述電連接器陣列由可焊金屬化接觸和導(dǎo)電軌跡組成。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外圍電子系統(tǒng)，其中垂直間隔模塊的電子部件由導(dǎo)電和非導(dǎo)電互連的陣列連接在一起。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的外圍電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括嵌入到所述電路板中的集成電路，所述嵌入式集成電路由倒裝結(jié)構(gòu)和可焊接觸連接到所述電路板。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的外圍電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括嵌入到所述電路板中的集成電路，所述嵌入式集成電路由導(dǎo)電和非導(dǎo)電互連的陣列連接到所述電路板。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外圍電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括嵌入到所述電路板中的集成電路，其中所述嵌入式集成電路由倒裝結(jié)構(gòu)和可焊接觸連接到所述電路板，并且所述電路板由球形柵格陣列和可焊接觸連接到垂直疊層中的相鄰模塊。
15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外圍電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括嵌入到所述電路板中的集成電路，其中所述嵌入式集成電路由倒裝結(jié)構(gòu)連接到所述電路板，并且所述電路板由可焊金屬化接觸和導(dǎo)電軌跡連接到垂直疊層中的相鄰模塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外圍電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括嵌入到所述電路板中的集成電路，其中所述嵌入式集成電路連接到所述電路板，并且所述電路板由導(dǎo)電和非導(dǎo)電互連的各自陣列連接到垂直疊層中的相鄰模塊。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中垂直層疊模塊由各自的球形柵格陣列和可焊接觸連接在一起，并且所述電連接器陣列是另一球形柵格陣列。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中垂直層疊模塊由各自的可焊金屬化接觸和導(dǎo)電軌跡連接在一起，并且所述電連接器陣列由可焊金屬化接觸和導(dǎo)電軌跡組成。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中垂直層疊模塊由導(dǎo)電和非導(dǎo)電互連的各自陣列連接在一起，并且所述電連接器陣列是導(dǎo)電和非導(dǎo)電互連的陣列。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括嵌入到所述電路板中的集成電路，所述嵌入式集成電路由倒裝結(jié)構(gòu)連接到所述電路板并且所述電路板由球形柵格陣列連接到垂直疊層中的相鄰模塊。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括嵌入到所述電路板中的集成電路，所述嵌入式集成電路由倒裝結(jié)構(gòu)連接到所述電路板并且所述電路板由可焊接觸結(jié)構(gòu)連接到垂直疊層中的相鄰模塊。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括附著到層疊模塊的散熱器。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述電路板包括多個(gè)側(cè)向間隔嵌入的集成電路。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述電路板包括至少一個(gè)嵌入式集成電路和側(cè)向間隔嵌入式晶體管。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述至少一對電子部件由直接電鍍到所述部件上的導(dǎo)電軌跡電連接在一起。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，其中所述IC、功率器件、除功率器件之外的有源部件，和無源器件中的至少一個(gè)被安裝在襯底的上部，并且IC、功率器件、除功率器件之外的有源部件，和無源器件中的至少一個(gè)被嵌入到襯底結(jié)構(gòu)中。
27.一種電子設(shè)備，其包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的外圍電子系統(tǒng)，并且進(jìn)一步包括母板，其中所述母板和所述外圍電子系統(tǒng)由電連接器陣列電連接在一起。
28.一種用于組裝用于電子設(shè)備所述的外圍電子系統(tǒng)的方法，所述電子設(shè)備包括母板和所述外圍電子系統(tǒng)，所述方法包括以下步驟制造電路板形式的第一模塊，該第一模塊包括嵌入其中并且由嵌入導(dǎo)電軌跡電互連的第一組電子部件以提供所述外圍電子系統(tǒng)的功能的第一部分，然后封裝所述電路板同時(shí)留下暴露的電連接結(jié)構(gòu)；制造第二模塊，該第二模塊包括嵌入其中并且被電連接的第二組電子部件以提供所述外圍電子系統(tǒng)的功能的第二部分，然后封裝所述第二模塊同時(shí)留下暴露的第二電連接結(jié)構(gòu)；將所述第一和第二封裝模塊組裝到垂直疊層中，并且第一和第二電連接結(jié)構(gòu)提供第一和第二模塊之間的電連接；和在垂直層疊模塊的一個(gè)的暴露表面上提供第三電連接結(jié)構(gòu)，第三電連接結(jié)構(gòu)適于將組裝模塊電連接到所述母板。
29.一種組裝電子設(shè)備的方法，所述電子設(shè)備包括母板和外圍電子系統(tǒng)，所述方法包括以下步驟根據(jù)權(quán)利要求28的方法組裝外圍電子子系統(tǒng)；和將外圍電子系統(tǒng)上的第三連接結(jié)構(gòu)電連接到母板。
全文摘要
一種用于包括母板的電子設(shè)備的外圍電子系統(tǒng)，具有多個(gè)單獨(dú)電連接的垂直層疊模塊，所述垂直層疊模塊中的至少一個(gè)由電路板組件組成，該電路板組件包括嵌入其中的有源和/或無源電子部件，并且所述部件由導(dǎo)電軌跡電連接以提供期望的操作功能。所述外圍電子系統(tǒng)進(jìn)一步包括在所述組合結(jié)構(gòu)的暴露表面上的電連接器陣列，該電連接器陣列適于在所述外圍電子設(shè)備和所述母板之間提供電連接。
文檔編號G06F1/16GK1998273SQ200580007820
公開日2007年7月11日 申請日期2005年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月11日
發(fā)明者M·帕維爾, T·薩蒙恩 申請人:國際整流器公司