專利名稱：存儲器刷新速度的控制裝置及方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種存儲器刷新速度的控制裝置，特別是涉及應用于計算機系統(tǒng)中的存儲器刷新速度的控制裝置。
背景技術：
請參見圖1，其是一常見動態(tài)隨機存取存儲器模塊(DRAM module)中一存儲單元的電路示意圖，其中可清楚看出，其主要由一晶體管11與一電容12所構成，其中當電容12儲存滿電荷時，代表其儲存的數(shù)據(jù)是1，而當電容12未儲存有電荷時，代表其儲存的數(shù)據(jù)是0。但由于電容12中的電荷在數(shù)據(jù)被讀取時會流失，甚或是未被讀取但經(jīng)過一段時間后也會自己漏電，因此每隔一段時間就需要進行數(shù)據(jù)刷新(refresh)操作一次，一般而言，大約至少每64毫秒(ms)對全部的動態(tài)隨機存取存儲器模塊(DRAM module)刷新一次，以確保數(shù)據(jù)的正確性。
另外，再請參見圖2，其為已知計算機系統(tǒng)的功能方塊示意圖，其中主要包含有中央處理單元20、北橋芯片21、南橋芯片22以及通過總線210與北橋芯片21相連接的動態(tài)隨機存取存儲器模塊23。而現(xiàn)今計算機系統(tǒng)皆具有待機模式(Suspend mode)，當計算機系統(tǒng)閑置一段時間后，中央處理單元20便會將一些必要數(shù)據(jù)通過總線210轉(zhuǎn)存至動態(tài)隨機存取存儲器模塊23后與北橋芯片21、南橋芯片22一并關閉電源，僅留下動態(tài)隨機存取存儲器模塊23的電源，即所謂暫存至隨機存取存儲器(Suspend to RAM)。此時，由于其它芯片都已關閉電源，因此動態(tài)隨機存取存儲器模塊23必須利用自身的時鐘產(chǎn)生器(本圖未示出)來進行上述數(shù)據(jù)刷新(refresh)的操作，即所謂自我刷新(Self-refresh)。
但由于電容12漏電的速度會隨著溫度而改變，當溫度上升時會導致電容12漏電的速度增加，因此有可能導致在未進行數(shù)據(jù)刷新前便已流失過多電荷而導致數(shù)據(jù)錯誤(data error)。因此動態(tài)隨機存取存儲器模塊23中的電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)230便設有溫度檢測組件(圖中未示出)來隨時監(jiān)測動態(tài)隨機存取存儲器模塊23的溫度，用以于計算機系統(tǒng)進入省電模式而且其它芯片都已進入休眠狀態(tài)時，仍可讓動態(tài)隨機存取存儲器模塊23可針對溫度變化時自己進行一些應變措施，例如當溫度上升時增加自我刷新(Self-refresh)的速度以防止數(shù)據(jù)錯誤(data error)，而當溫度下降時便降低自我刷新(Self-refresh)的速度以有效節(jié)省電力。但是在已知手段中，對于計算機系統(tǒng)處于正常供電而非省電模式時，并未有人能提出任何有效根據(jù)溫度變化而對動態(tài)隨機存取存儲器模塊23進行刷新速度調(diào)整的技術手段，使得在非省電模式中的動態(tài)隨機存取存儲器模塊23仍有數(shù)據(jù)錯誤(data error)的風險，因此如何利用現(xiàn)有系統(tǒng)的組件來改善此一缺失，是本發(fā)明的主要目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為一種存儲器刷新速度的控制裝置，應用于一計算機系統(tǒng)中，計算機系統(tǒng)包含一存儲器模塊，而控制裝置包含一溫度感測組件，其設置于存儲器模塊上，其根據(jù)存儲器模塊的溫度變化而主動發(fā)出一溫度變化信號；以及一控制電路，電連接于存儲器模塊以及溫度感測組件，其為每隔一設定時間來對存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，而設定時間的長短根據(jù)溫度感測組件主動發(fā)出的溫度變化信號而改變。
本發(fā)明的另一方面為一種存儲器刷新速度的控制裝置，應用于一計算機系統(tǒng)中，計算機系統(tǒng)包含一動態(tài)隨機存取存儲器模塊，控制裝置包括一溫度感測組件，其設置于動態(tài)隨機存取存儲器模塊上，當動態(tài)隨機存取存儲器模塊中的一電容因溫度上升導致漏電速度增加時，溫度感測組件即根據(jù)動態(tài)隨機存取存儲器模塊的溫度上升變化而主動發(fā)出一溫度變化信號；以及一控制電路，電連接于動態(tài)隨機存取存儲器模塊以及溫度感測組件，其是每隔一設定時間來對動態(tài)隨機存取存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，而設定時間的長短根據(jù)溫度感測組件主動發(fā)出的溫度變化信號而改變。
本發(fā)明還提供一種存儲器刷新速度的控制方法，應用于一計算機系統(tǒng)中，計算機系統(tǒng)包含一動態(tài)隨機存取存儲器模塊及一控制電路，動態(tài)隨機存取存儲器模塊設置有一溫度感測組件，且控制電路設置于一芯片組中，控制方法包括下列步驟當動態(tài)隨機存取存儲器模塊中的一電容因溫度上升導致漏電速度增加時，溫度感測組件根據(jù)動態(tài)隨機存取存儲器模塊的溫度上升變化而主動發(fā)出一溫度變化信號；以及控制電路根據(jù)該溫度變化信號而每隔一設定時間來對動態(tài)隨機存取存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，當被接收的溫度變化信號表示溫度上升時，設定時間隨著溫度上升而減少。


圖1是一常見動態(tài)隨機存取存儲器模塊中一存儲單元的電路示意圖；圖2是個人計算機系統(tǒng)內(nèi)部的已知功能方塊示意圖；圖3是本發(fā)明為改善已知缺陷所提出的關于一種存儲器刷新速度的控制裝置的一較佳實施例功能方塊示意圖；圖4是本發(fā)明為改善已知缺陷所提出的關于一種存儲器刷新速度的控制裝置的另一較佳實施例功能方塊示意圖；和圖5是本發(fā)明的存儲器刷新速度的控制方法的流程圖。
附圖符號說明晶體管 11電容 12中央處理單元 20北橋芯片 21南橋芯片 22總線 210動態(tài)隨機存取存儲器模塊 23電可擦除可編程只讀存儲器 230計算機系統(tǒng) 3存儲器模塊 33中央處理單元 30溫度感測組件 3300控制電路 31電可擦除可編程只讀存儲器 330系統(tǒng)管理總線 32動態(tài)存取存儲器總線 310南橋芯片 312
北橋芯片 311系統(tǒng)管理總線 具體實施方式
請先參見圖3，其是本發(fā)明為改善已知缺陷所提出的關于一種存儲器刷新速度的控制裝置的一較佳實施例功能方塊示意圖，其應用于一計算機系統(tǒng)3中，計算機系統(tǒng)3包含一存儲器模塊33以及一中央處理單元30，而控制裝置包含有一溫度感測組件3300以及一控制電路31。本發(fā)明的存儲器模塊33可為雙同軸存儲器模塊(Dual Inline Memory Module，簡稱DIMM)形式的動態(tài)隨機存取存儲器模塊(DRAM Module)，而溫度感測組件3300其可設置于存儲器模塊33所具有的一電可擦除可編程只讀存儲器330之中，其功能主要是根據(jù)存儲器模塊33的溫度變化而主動發(fā)出一溫度變化信號。
具體地說，當計算機系統(tǒng)3與中央處理單元30皆處于正常工作模式而非待機模式(Suspend mode)，而存儲器模塊33因散熱手段無法有效發(fā)揮(例如散熱風扇效率不足甚至故障)而導致溫度升高時，溫度感測組件3300便主動發(fā)出一溫度上升信號，使得存儲器模塊33外的控制電路31可知道存儲器模塊33過熱的情況。反之，而當存儲器模塊33的溫度降低時，溫度感測組件3300則主動發(fā)出一溫度下降信號至存儲器模塊33外的控制電路31。而本實施例的溫度感測組件3300完成于一電可擦除可編程只讀存儲器330中，而電可擦除可編程只讀存儲器330可用一系統(tǒng)管理總線(SMBus)32來與可由一芯片組來完成的控制電路31中的南橋芯片312完成連接，而為能主動發(fā)出信號，本發(fā)明的電可擦除可編程只讀存儲器330需以系統(tǒng)管理總線32中的一主控裝置(master device)型態(tài)存在。
如此一來，當計算機系統(tǒng)正常供電而處于正常工作模式(normal mode)中的控制電路31中的南橋芯片312接收到電可擦除可編程只讀存儲器330主動通過系統(tǒng)管理總線32所傳送的溫度變化信號時，便根據(jù)其內(nèi)容而再發(fā)出一設定時間變化信號至北橋芯片311，使得北橋芯片311可根據(jù)南橋芯片312傳送的設定時間變化信號而改變一設定時間的長短，而處于正常工作模式(normal mode)中的北橋芯片311便每隔該設定時間就依據(jù)動態(tài)存取存儲器總線310所傳來的控制信號，進而對存儲器模塊33進行數(shù)據(jù)刷新(refresh)。
換言之，當存儲器模塊33的溫度升高時，北橋芯片311便將設定時間縮短，而當存儲器模塊33的溫度下降時，北橋芯片311便將設定時間拉長。如此一來，即使是處于其它非省電模式的計算機系統(tǒng)也可根據(jù)溫度的變化而調(diào)整數(shù)據(jù)刷新的速度，有效避免數(shù)據(jù)錯誤(data error)發(fā)生，而且本發(fā)明不需藉由操作系統(tǒng)等軟件的介入，而是運用已存在于已知構造中的溫度感測組件便可有效改善已知手段的缺陷，進而實現(xiàn)本發(fā)明的主要目的。
再請參見圖4，其是本發(fā)明為改善已知缺陷提出的關于存儲器刷新速度的控制裝置的另一較佳實施例功能方塊示意圖，其亦應用于計算機系統(tǒng)3中，計算機系統(tǒng)3包含存儲器模塊33以及一中央處理單元30，而控制裝置則包含有溫度感測組件3300以及控制電路31。本發(fā)明的存儲器模塊33可為雙同軸存儲器模塊(Dual Inline Memory Module，簡稱DIMM)，而溫度感測組件3300其可設置于存儲器模塊33所具有的電可擦除可編程只讀存儲器330之中，其功能主要是根據(jù)存儲器模塊33的溫度變化而主動發(fā)出溫度變化信號。
同樣的，當存儲器模塊33的溫度升高時，溫度感測組件3300便主動發(fā)出溫度上升信號，而當存儲器模塊33的溫度降低時，溫度感測組件3300則主動發(fā)出一溫度下降信號。而本實施例的溫度感測組件3300亦完成于電可擦除可編程只讀存儲器330中，不同的是，本發(fā)明實施例的電可擦除可編程只讀存儲器330是用系統(tǒng)管理總線(SMBus)42來與可由一芯片組中的南橋芯片312與北橋芯片311完成連接，而為能主動發(fā)出信號，本發(fā)明實施例的電可擦除可編程只讀存儲器330亦需以系統(tǒng)管理總線32中的一主控裝置型態(tài)存在。
如此一來，處于正常工作模式(normal mode)中的控制電路31中的北橋311便可直接接收到電可擦除可編程只讀存儲器330主動通過系統(tǒng)管理總線42所傳送的溫度變化信號而不需經(jīng)過南橋芯片312的轉(zhuǎn)傳，使得北橋芯片311可根據(jù)溫度變化信號而直接改變設定時間的長短，而處于正常工作模式(normal mode)中的北橋芯片311便可每隔該設定時間就通過動態(tài)存取存儲器總線310來發(fā)出控制信號，進而對存儲器模塊33進行數(shù)據(jù)刷新(refresh)。因此，當系統(tǒng)處于正常工作模式(normal mode)而存儲器模塊33的溫度升高時，本發(fā)明將可讓位于存儲器模塊33外的北橋芯片311獲知存儲器模塊33的溫度升高而能將該設定時間縮短；反之，當存儲器模塊33的溫度下降時，北橋芯片311便將該設定時間拉長。故本發(fā)明實施例同樣不需藉由操作系統(tǒng)等軟件的介入，便可讓處于其它非省電模式的計算機系統(tǒng)也能根據(jù)溫度的變化而從外部調(diào)整存儲器模塊33數(shù)據(jù)刷新的速度，有效避免數(shù)據(jù)錯誤(data error)發(fā)生，進而實現(xiàn)本發(fā)明的主要目的。
而上述步驟可依圖5所示的方法流程圖來執(zhí)行，首先當計算機系統(tǒng)進入步驟501“正常工作模式”后，便接著進行步驟502“利用溫度感測組件來感測動態(tài)隨機存取存儲器模塊的溫度”，再利用步驟503“溫度是否上升超過一第一閾值”來判斷溫度是否上升超過一預設程度，若是，則進行步驟504“溫度感測組件主動發(fā)出一溫度變化信號至控制電路”以及步驟505“控制電路根據(jù)該溫度變化信號而每隔一設定時間來對該動態(tài)隨機存取存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，當被接收的該溫度變化信號表示溫度上升時，該設定時間會隨著溫度上升而減少”。若是溫度未上升超過一預設程度，則再利用步驟506“溫度是否下降超過一第二閾值”來判斷溫度是否下降超過一預設程度，若是，則進行步驟507“溫度感測組件主動發(fā)出一溫度變化信號至控制電路”以及步驟508“控制電路因應該溫度變化信號而每隔一設定時間來對該動態(tài)隨機存取存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，當被接收的該溫度變化信號表示溫度下降時，該設定時間會隨著溫度下降而增加”。
綜上所述，本發(fā)明可改善已知技術的缺陷，進而實現(xiàn)本發(fā)明的主要目的。而其它未脫離本發(fā)明所披露的精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含在本發(fā)明權利要求的范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種存儲器刷新速度的控制裝置，應用于一計算機系統(tǒng)中，該計算機系統(tǒng)包含一存儲器模塊，該控制裝置包括一溫度感測組件，其設置于該存儲器模塊上，其根據(jù)該存儲器模塊的溫度變化而主動發(fā)出一溫度變化信號；以及一控制電路，電連接于該存儲器模塊以及該溫度感測組件，其每隔一設定時間來對該存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，而該設定時間的長短根據(jù)該溫度感測組件主動發(fā)出的該溫度變化信號而改變。
2.如權利要求1所述的存儲器刷新速度的控制裝置，其中該溫度感測組件完成于一電可擦除可編程只讀存儲器芯片中，而該電可擦除可編程只讀存儲器芯片是以一系統(tǒng)管理總線與該控制電路完成連接，該電可擦除可編程只讀存儲器芯片為該系統(tǒng)管理總線中的一主控裝置。
3.如權利要求1所述的存儲器刷新速度的控制裝置，其中當該溫度感測組件主動發(fā)出的該溫度變化信號為一溫度上升信號時，該控制電路便將該設定時間縮短，而當該溫度感測組件主動發(fā)出的該溫度變化信號為一溫度下降信號時，控制電路便將該設定時間拉長。
4.如權利要求1所述的存儲器刷新速度的控制裝置，其中該控制電路為一芯片組，該芯片組包含一南橋芯片，電連接至該溫度感測組件，用以根據(jù)該溫度變化信號的變化來產(chǎn)生一設定時間變化信號；以及一北橋芯片，電連接至該南橋芯片與該存儲器模塊，其每隔該設定時間來對該存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，并根據(jù)該南橋芯片傳送的該設定時間變化信號而改變該設定時間的長短。
5.如權利要求1所述的存儲器刷新速度的控制裝置，其中該控制電路于一正常工作模式中每隔該設定時間來對該存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，而該設定時間的長短根據(jù)該溫度感測組件主動發(fā)出的該溫度變化信號而改變。
6.一種存儲器刷新速度的控制方法，應用于一計算機系統(tǒng)中，該計算機系統(tǒng)包含一動態(tài)隨機存取存儲器模塊，該動態(tài)隨機存取存儲器模塊設置有一溫度感測組件，且該控制電路設置于一芯片組中，該控制方法包括下列步驟當該動態(tài)隨機存取存儲器模塊中的一電容因溫度上升導致漏電速度增加時，該溫度感測組件根據(jù)該動態(tài)隨機存取存儲器模塊的溫度上升變化而主動發(fā)出一溫度變化信號；以及該控制電路因應該溫度變化信號而每隔一設定時間來對該動態(tài)隨機存取存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，當被接收的該溫度變化信號表示溫度上升時，該設定時間隨著溫度上升而減少。
7.如權利要求6所述的控制方法，其中該控制電路每隔該設定時間來對該動態(tài)隨機存取存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，當被接收的該溫度變化信號表示溫度下降時，該設定時間隨著溫度下降而增加。
8.如權利要求6所述的控制方法，其中該控制電路經(jīng)由一系統(tǒng)管理總線接收該溫度變化信號。
9.如權利要求8所述的控制方法，其中該芯片組中包括一北橋芯片及一南橋芯片，該南橋芯片經(jīng)由該系統(tǒng)管理總線接收該溫度感測組件主動發(fā)出的該溫度變化信號，以使該北橋芯片依據(jù)該溫度變化信號調(diào)整該設定時間的長短并對該動態(tài)隨機存取存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作。
10.如權利要求8所述的控制方法，其中該芯片組中包括一北橋芯片，該北橋芯片經(jīng)由該系統(tǒng)管理總線接收該溫度感測組件主動發(fā)出的該溫度變化信號，以調(diào)整該設定時間的長短并對該動態(tài)隨機存取存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作。
全文摘要
一種存儲器刷新速度的控制裝置及方法。該控制裝置包括一設置于存儲器模塊上的溫度感測組件，根據(jù)存儲器模塊的溫度變化主動發(fā)出一溫度變化信號；一控制電路，電連接于存儲器模塊及溫度感測組件，其每隔一設定時間來對存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，而設定時間的長短根據(jù)該溫度感測組件主動發(fā)出的該溫度變化信號改變?？刂品椒òó攧討B(tài)隨機存取存儲器模塊中的一電容因溫度上升導致漏電速度增加時，溫度感測組件根據(jù)動態(tài)隨機存取存儲器模塊的溫度上升變化而主動發(fā)出一溫度變化信號；控制電路根據(jù)溫度變化信號每隔一設定時間來對動態(tài)隨機存取存儲器模塊進行數(shù)據(jù)刷新操作，當被接收的溫度變化信號表示溫度上升時，設定時間隨著溫度上升而減少。
文檔編號G06F11/30GK1828549SQ20061007403
公開日2006年9月6日 申請日期2006年4月4日 優(yōu)先權日2006年4月4日
發(fā)明者何寬瑞 申請人:威盛電子股份有限公司