專利名稱：射頻功率應(yīng)用中的電弧檢測和處理的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及射頻功率傳送，更特別地涉及在射頻供電的等離 子體工藝中檢測和避免電弧。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體、平板顯示器、數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的制造以及其他的工業(yè)應(yīng)
用中，普遍地使用射頻(RF)供電的等離子體工藝。盡管RF電源典型 地可以很好地防止負載阻抗的突變，但是通常沒有將它們設(shè)計成檢測 和響應(yīng)于由工藝腔內(nèi)的電弧引起的等離子體阻抗的變化。結(jié)果，RF 電源可能繼續(xù)向在等離子體工藝內(nèi)形成的起始電弧饋入能量，這又可 能嚴重損害工件的表面或者甚至損害處理設(shè)備本身。
在DC供電的等離子體工藝中，已經(jīng)對電弧問題進行了長期的研 究，尤其是在反應(yīng)濺射應(yīng)用中。在反應(yīng)濺射工藝中，電弧經(jīng)常源于沉 積在濺射目標(biāo)或腔壁上的介電膜表面上的電荷積累和最終電擊穿。通 過使用復(fù)雜的電弧處理系統(tǒng)已經(jīng)解決了 DC等離子體工藝中的電弧問 題，其中這種復(fù)雜的電弧處理系統(tǒng)能夠檢測電弧，并且利用了許多技 術(shù)，例如暫時中斷功率或使輸出電壓的極性反向來減輕它們的嚴重程 度。在關(guān)鍵的應(yīng)用中，應(yīng)該考慮移除輸出電壓所需要的時間以調(diào)整處 理時間，以便于控制并限制傳送給等離子體的總能量。在DC系統(tǒng)中， 很久就已經(jīng)認識到將DC輸出脈動或者以某一重復(fù)頻率和占空比將輸 出極性反向可以減小電弧形成的趨勢。
RF電源一直被看作是替代技術(shù)，其可以用于直接濺射絕緣體， 同時完全避免了在DC濺射工藝中的電弧問題。但是，僅僅在最近才 認識到在RF工藝中也會偶然出現(xiàn)電弧，對于敏感的膜屬性或幾何形 狀來講，該RF電弧也會帶來同樣的損害。RF供電系統(tǒng)中的電弧可能是由半導(dǎo)體晶片或腔表面的聚合體涂層上的柵極圖案兩端的電荷 積累造成的。其他因素包括反應(yīng)器或腔硬件中的缺陷，保護腔陽極氧
化層的老化，工具部件兩端的電勢差，或者甚至僅僅是施加的RF電 源的幅值。在任何情況下，處理和避免電弧要求具有快速檢測電弧的 發(fā)生并且快速中斷或移除輸出功率的能力，從而減少傳送至電弧的能
在一種方法中，已經(jīng)嘗試基于確定功率傳送參數(shù)，例如反射功率 的預(yù)定閾值來檢測和避免RF系統(tǒng)中的電弧。電弧的發(fā)生從超過預(yù)定 閾值的反射功率的突然上升或尖峰推斷出來。然而，在系統(tǒng)的功率傳 送正在調(diào)諧時，即在系統(tǒng)的反射功率進入低于預(yù)定閾值的穩(wěn)態(tài)值之 前，該方法無效。該閾值方法也受限制于RF處理應(yīng)用中的電弧不總 是導(dǎo)致反射功率增加。取決于匹配網(wǎng)絡(luò)的狀態(tài)，電弧實際上可能會減 少反射功率，并由此不會觸發(fā)簡單的閾值電路中的電弧檢測。
RF電弧檢測的另一種方法是將功率傳送參數(shù)的導(dǎo)數(shù)，或時間變 化率與電弧狀況相關(guān)聯(lián)。然而， 一些RF電弧可能在1毫秒或更長的 時間段中慢慢形成，因此導(dǎo)數(shù)檢測器可能檢測不到。并且，隨著頻率 達到某個點，導(dǎo)數(shù)檢測器具有越來越大的增益，其中實際的限制約束 了帶寬。結(jié)果，導(dǎo)數(shù)檢測器變得對更高操作頻率的噪聲更加敏感。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了檢測和減小RF功率傳送應(yīng)用中的電弧的方法和系 統(tǒng)。在本發(fā)明的一個方面中，RF功率發(fā)生器將功率施加于負載，例 如等離子體處理系統(tǒng)中的等離子體。針對一個參數(shù)的測量值，計算動 態(tài)邊界，該參數(shù)表示或者與從功率發(fā)生器向負載傳送的功率相關(guān)。隨 后測量的該參數(shù)的值超過計算的該參數(shù)的動態(tài)邊界則指示檢測到電 弧。在檢測到電弧后，中斷或者調(diào)整發(fā)生器的功率傳送，或者采取其 他的措施，直到電弧熄滅。
在本發(fā)明的一個實施例中，等離子體處理系統(tǒng)包括RF功率發(fā)生 器，其將功率通過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)給等離子體負載。在匹配網(wǎng)絡(luò)正
在調(diào)諧，以及在充分調(diào)諧后，穩(wěn)態(tài)傳送功率時，測量發(fā)生器和負載之間的反射功率的瞬時值?？刂破麟娐穭討B(tài)計算和評估邊界，該邊界包 括關(guān)于測量值的反射功率的上限值和下限值。如果反射功率的隨后測 量值超過上方邊界界限或下方邊界界限，則指示出現(xiàn)電弧?？刂破麟?路在很短的時間間隔內(nèi)中斷從發(fā)生器到負載的功率，以熄滅電弧。如 果反射功率回落到邊界界限內(nèi)，則恢復(fù)正常的功率傳送。
在本發(fā)明的其他實施例中，多個可用的功率傳送參數(shù)或信號中的 任意一個可以單獨使用或者組合使用上述功率傳送參數(shù)或信號，以檢測RF供電的等離子體系統(tǒng)中的電弧。除了反射功率外，可以基于下 述參數(shù)的測量值來計算本發(fā)明的動態(tài)邊界，但不限于此，這些參數(shù)包 括負載阻抗；電壓，電流和相位；正向功率，傳送的功率，VSWR 或反射系數(shù)；諧波輸出的幅值電平的變化；在工藝工件或目標(biāo)上形成 的DC偏置；RP頻譜諧波的變化或聲波干擾；或者離子飽和電流， 電子碰撞率，或等離子體內(nèi)電子密度的變化。
在本發(fā)明的另一實施例中，RF功率傳送系統(tǒng)采用了并行的電弧 檢測電路。使用功率傳送參數(shù)的慢速濾波后的測量值，并結(jié)合一個或 多個用以確定檢測電路靈敏度的用戶選擇的常數(shù)，來計算動態(tài)電弧檢 測邊界。將功率傳送參數(shù)的快速濾波后的值與計算的檢測邊界進行比 較，以檢測電弧狀況的出現(xiàn)。這樣，在慢速濾波器的截止點和快速濾 波器的截止點之間產(chǎn)生平坦的通帶。結(jié)果，例如與基于導(dǎo)數(shù)技術(shù)的電 弧檢測相比，可以在輸入頻率的范圍內(nèi)保持最優(yōu)的靈敏度。
通過采用電弧檢測邊界的動態(tài)計算，本發(fā)明允許在RF功率傳送 系統(tǒng)中處理電弧，而不管該系統(tǒng)是否已經(jīng)達到穩(wěn)定的功率傳送狀況。 在RF應(yīng)用中連續(xù)監(jiān)視和處理電弧現(xiàn)象能夠獲得改善的工藝質(zhì)量和更 高產(chǎn)量的生產(chǎn)能力。


圖1舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的等離子體處理系統(tǒng)；
圖2舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于RF功率傳送應(yīng)用 中的電弧檢測和處理的工藝和電路；以及
圖3a和3b舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的RF功率傳送應(yīng)用中的電弧檢測和處理。
具體實施例方式
圖1舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的等離子體處理系統(tǒng)。處
理系統(tǒng)IO包括RF功率發(fā)生器12，其通過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)14向等離子 體腔18內(nèi)的等離子體16傳送RF功率。在發(fā)生器12的輸出端，測 量正向功率Pf和反射功率Pr的瞬時值，并將它們傳遞至控制邏輯電 路20，該控制邏輯電路20控制功率發(fā)生器12的輸出端處的切斷電 路。
圖2舉例說明了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的RF功率傳送應(yīng)用中的 電弧檢測和處理的工藝和電路。正向功率Pf和反射功率Pr的測量值 通過濾波器102、 104和106濾波。絕對偏移量O,和02以及乘數(shù)Id 和k2是用戶選擇的輸入，其決定了電弧檢測電路的靈敏度。慢速濾 波后的反射功率的偏移量與濾波后的正向功率乘以乘數(shù)k,的乘積 之和設(shè)定了動態(tài)邊界120的反射功率的上限，而偏移量02與濾波后 的正向功率乘以乘數(shù)k2的乘積之和，經(jīng)反向器108反向后設(shè)定了動 態(tài)邊界的反射功率的下限。響應(yīng)于Pp和Pn的變化，連續(xù)重新計算并 動態(tài)更新動態(tài)邊界120的上限和下限。比較器110和112分別比較反
射功率PK的快速濾波后的值和動態(tài)邊界上下限之間的差。響應(yīng)于比
較器110和112產(chǎn)生的比較結(jié)果，控制邏輯電路114控制RF功率發(fā) 生器的切斷開關(guān)116。
在圖2的實施例中，落在動態(tài)邊界120的上下限外部的反射功率 PK的快速濾波后的值指示在該工藝或應(yīng)用中檢測到電弧狀況。圖3a 舉例說明了引起反射功率Pn超過動態(tài)邊界202、 204的電弧狀況206 和208的示例。再次參照圖2，響應(yīng)于比較器110或112報告的電弧 檢測信號，控制邏輯電路114通過打開切斷開關(guān)116來中斷從RF功 率發(fā)生器的功率傳送。將功率傳送中斷一段足夠滅弧的時間，在該時 間后，控制邏輯電路114命令切斷開關(guān)116閉合，以及恢復(fù)正常的功 率傳送。
設(shè)定動態(tài)邊界界限，以使得電弧檢測的靈敏度最大化，同時使得
出現(xiàn)錯誤的正檢測最小化。在代表性的RF等離子體處理應(yīng)用中，例 如，為了可接受的電弧檢測性能，需要在千瓦的范圍內(nèi)，且反射功率 的偏移量為50-100瓦，正向功率的乘數(shù)為4%的條件下傳送RF功率。 類似地，基于性能折衷來選擇施加于例如正向和反射功率等功率傳送 參數(shù)的測量值的濾波時間常數(shù)。這樣，例如，即使一些電弧可能花費 一毫秒形成，但是由于阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的調(diào)諧作用，它們形成得仍然比 提供給發(fā)生器的阻抗的期望自然變化要快得多。因此，可以將慢速濾 波器設(shè)置為具有一或兩毫秒的時間常數(shù)，且該慢速濾波器仍然跟隨等 離子體特性的正常變化。典型地基于噪聲因素，選擇快速濾波器的時 間常數(shù)，但是其通常比慢速濾波器的時間常數(shù)長至少10倍。這樣， 即使慢速濾波器的時間常數(shù)是lms的數(shù)量級，那么通常能夠在快速 濾波器的時間常數(shù)的若干分之幾內(nèi)檢測到電弧。
圖3a舉例說明了本發(fā)明的另一個能力，即在調(diào)諧或其他非穩(wěn)態(tài) 的功率傳送狀況期間檢測并響應(yīng)于電弧狀況。為了在匹配網(wǎng)絡(luò)還在調(diào) 諧時，或者在永遠不能實現(xiàn)完美調(diào)諧的系統(tǒng)，例如具有可變頻率RF 發(fā)生器的固定匹配系統(tǒng)中檢測到電弧，本發(fā)明的實施例利用了針對被 監(jiān)視的信號的標(biāo)稱值所設(shè)定的動態(tài)界限。當(dāng)開始從RF發(fā)生器向等離 子體負載施加功率時，例如，在負載阻抗和發(fā)生器的輸出阻抗之間典 型地存在阻抗不匹配。因此，反射功率在開始時很高。操作阻抗匹配 網(wǎng)絡(luò)來調(diào)諧系統(tǒng)，以通過減少反射功率來改善功率傳送，如所示出的 減少圖3的反射功率曲線200。連續(xù)計算動態(tài)電弧檢測邊界的上限202和下限204，并跟蹤反射功率的瞬時水平。結(jié)果，可以在功率調(diào)諧期 間檢測和處理電弧狀況206和208，而無需等待功率傳送達到穩(wěn)態(tài)的 狀況。并且，如果負載狀況改變以及系統(tǒng)出現(xiàn)重新調(diào)諧，那么電弧檢 測和處理持續(xù)運行。
一旦檢測到電弧，對于處理和熄滅電弧有許多選擇。例如，可以 中斷功率傳送，或僅僅是減少功率傳送。在本發(fā)明的一個實施例中， 在開始檢測到電弧后，中斷功率傳送50至lOOlis，這個值能夠使典 型的處理等離子體返回其正常(即非電弧)狀態(tài)。如果沒有使電弧熄 滅，那么進一步觸發(fā)更長時間的中斷，例如第一中斷時間段的長度的兩倍。該時間的增加一直持續(xù)到電弧被熄滅或者預(yù)定次數(shù)的試圖滅弧 已經(jīng)失敗，在這種情況下，發(fā)生器關(guān)閉以保護系統(tǒng)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在這
種典型的應(yīng)用中，RF功率傳送可能中斷10毫秒，且等離子體的阻抗 快速地(大約20ii s)返回至中斷前呈現(xiàn)的值。
在本發(fā)明的另一方面中，在電弧檢測電路中設(shè)置采樣和保持部 件，以便解決出現(xiàn)持續(xù)電弧或"硬"電弧。參照圖2，在本發(fā)明的一 個實施例中，配置控制邏輯電路114以在檢測到電弧現(xiàn)象后向慢速濾 波器104傳送"保持"信號。該"保持"信號使得慢速濾波器104的 輸出保持在即將出現(xiàn)電弧之前所存在的值。如圖3b所示，反射功率 的快速濾波后的值與基于慢速濾波器所保持的標(biāo)稱值的電弧檢測的 恒定上下邊界作比較，以便于確定該系統(tǒng)的狀況是否已經(jīng)返回了出現(xiàn) 電弧之前的狀態(tài)。
已經(jīng)參照用于等離子體處理應(yīng)用的功率傳送系統(tǒng)描述了本發(fā)明， 其中該功率傳送系統(tǒng)以射頻(例如13.56MHz)供應(yīng)千瓦范圍內(nèi)的功 率。然而，可以在以任意交流電流頻率供應(yīng)功率的裝置、應(yīng)用或工藝 中使用本發(fā)明的電弧檢測和處理技術(shù)。本發(fā)明的電弧檢測和處理電路 可以全部或部分地在功率發(fā)生器或匹配網(wǎng)絡(luò)中實現(xiàn)，或者作為替換， 與其他系統(tǒng)部件單獨提供和/或工作。雖然本發(fā)明用于在功率傳送系 統(tǒng)的調(diào)諧期間，或者在永遠不能實現(xiàn)完美調(diào)諧的其他情況下，檢測和 處理電弧，但是本發(fā)明不需要存在或使用阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。
選擇功率傳送參數(shù)，以確保在可接受的誤檢率內(nèi)可靠地檢測電 弧，其中基于該功率傳送參數(shù)計算動態(tài)電弧的檢測邊界。第二考慮因 素包括費用，便于使用，以及分類、計數(shù)和報告電弧現(xiàn)象的能力。盡 管已經(jīng)描述了本發(fā)明的實施例，其中基于正向和反射功率的測量值計 算動態(tài)電弧檢測邊界，但是本發(fā)明的其他實施例可以基于其他的功率 傳送參數(shù)來計算動態(tài)邊界，例如負載阻抗；電壓，電流和相位；VS曹 或反射系數(shù)；諧波輸出的幅值電平的變化；RF頻譜諧波的變化或聲 波干擾；或者甚至是電子碰撞率或電子密度的變化。
在本發(fā)明的一個實施例中，基于在工藝工件或目標(biāo)上形成的DC 偏置，計算動態(tài)電弧檢測邊界。除了快速和可靠之外，該方法是有利
的，這是因為功率傳送已經(jīng)被中斷后連續(xù)存在的DC偏置會給出一個 直接的指示，即電弧還沒有熄滅。在沒有形成自然DC偏置的情況下, 為了檢測電弧，使用DC電源來注入DC偏置。 一個潛在的復(fù)雜情況 是偏置檢測必須在匹配的腔側(cè)上完成(即，檢測會并入在匹配中)，同 時必須將電弧檢測信號提供給RF發(fā)生器。
雖然這里舉例說明并描述了特定的結(jié)構(gòu)和操作細節(jié)，但是應(yīng)該理 解的是這些描述是示例性的，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神 和保護范圍的情況下，可以很容易作出替換的實施例和等價物。相應(yīng) 地，本發(fā)明旨在包括所有落入后附權(quán)利要求的精神和保護范圍內(nèi)的這 樣的替換物和等價物。
權(quán)利要求
1、一種向負載傳送射頻功率的方法，包括a)提供將射頻功率傳送至負載的RF功率發(fā)生器；b)測量與從所述RF功率發(fā)生器向所述負載傳送的功率相關(guān)的參數(shù)的值；c)針對所述參數(shù)的值，計算動態(tài)邊界；d)測量所述參數(shù)的隨后的值；以及e)如果所述參數(shù)的所述隨后的值超過了所述動態(tài)邊界，則指示出現(xiàn)了電弧。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述參數(shù)是反射功率。
3、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述參數(shù)是DC偏置。
4、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中基于所述參數(shù)的濾波值，計 算所述動態(tài)邊界。
5、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中基于至少兩個與從所述RF 功率發(fā)生器向所述負載傳送的所述功率相關(guān)的參數(shù)的值，計算所述動 態(tài)邊界。
6、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述動態(tài)邊界包括上限和下限。
7、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中基于所述參數(shù)的用戶定義的 偏移量，計算所述動態(tài)邊界。
8、 如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括熄滅電弧的步驟。
9、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述熄滅電弧的步驟包括中 斷向所述負載傳送功率。
10、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述熄滅電弧的步驟包括減 少傳送至所述負載的功率。
11、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述熄滅電弧的步驟出現(xiàn)在 對從所述RF功率發(fā)生器向所述負載傳送的功率進行調(diào)諧的期間。
12、 如權(quán)利要求8所述的方法，進一步包括在所述熄滅電弧的步 驟期間，保持所述動態(tài)邊界恒定的步驟。
13、 一種射頻功率傳送系統(tǒng)，包括a) RF功率發(fā)生器，其中所述RF功率發(fā)生器提供與從所述RF功 率發(fā)生器向負載傳送的功率相關(guān)的參數(shù)的測量值；b) 電弧檢測電路，其針對所述參數(shù)的值計算動態(tài)邊界；c) 響應(yīng)于所述電弧檢測電路的控制器邏輯電路，其中如果所述參 數(shù)的隨后的值超過了所述動態(tài)邊界，則所述控制器邏輯電路指示出現(xiàn) 了電弧。
14、 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述參數(shù)是反射功率。
15、 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述參數(shù)是DC偏置。
16、 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述電弧檢測電路基于所 述參數(shù)的濾波后的值計算所述動態(tài)邊界。
17、 如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中所述電弧檢測電路包括快 速濾波器和慢速濾波器，并且其中所述電弧檢測電路基于由所述慢速 濾波器濾波后的所述參數(shù)，計算所述動態(tài)邊界，并且如果由所述快速 濾波器濾波后的所述參數(shù)的隨后的值超過了所述動態(tài)邊界，則所述控 制器邏輯電路指示出現(xiàn)了電弧。
18、 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述電弧檢測電路基于至 少兩個與從所述RF功率發(fā)生器向所述負載傳送的功率相關(guān)的參數(shù)的 值，計算所述動態(tài)邊界。
19、 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述動態(tài)邊界包括上限和 下限。
20、 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述電弧檢測電路基于所 述參數(shù)的用戶定義的偏移量，計算所述動態(tài)邊界。
21、 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，進一步包括響應(yīng)于所述控制器 邏輯電路的開關(guān)，其進行動作以便熄滅電弧。
22、 如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中所述開關(guān)中斷傳送至所述 負載的功率以熄滅電弧。
23、 一種等離子體處理系統(tǒng)，包括a) 等離子體處理腔；b) RF功率發(fā)生器，其向所述等離子體處理腔中的等離子體傳 送RF功率；c) 針對參數(shù)的值計算動態(tài)邊界的電弧檢測電路；以及d) 響應(yīng)于所述電弧檢測電路的控制器邏輯電路，其中如果所述 參數(shù)的隨后的值超過了所述動態(tài)邊界，則所述控制器邏輯電路指示出 現(xiàn)了電弧。
24、 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述參數(shù)是反射功率。
25、 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述參數(shù)是DC偏置。
26、 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述電弧檢測電路基于所 述參數(shù)的濾波后的值計算所述動態(tài)邊界。
27、 如權(quán)利要求26所述的系統(tǒng)，其中所述電弧檢測電路包括快 速濾波器和慢速濾波器，并且其中所述電弧檢測電路基于由所述慢速 濾波器濾波后的所述參數(shù)，計算所述動態(tài)邊界，并且如果由所述快速 濾波器濾波后的所述參數(shù)的隨后的值超過了所述動態(tài)邊界，則所述控 制器邏輯電路指示出現(xiàn)了電弧。
28、 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述電弧檢測電路基于至 少兩個與從所述RF功率發(fā)生器向所述負載傳送的功率相關(guān)的參數(shù)的 值，計算所述動態(tài)邊界。
29、 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述動態(tài)邊界包括上限和 下限。
30、 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述電弧檢測電路基于所 述參數(shù)的用戶定義的偏移量，計算所述動態(tài)邊界。
31、 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，進一步包括響應(yīng)于所述控制器 邏輯電路的開關(guān)，其進行動作以便熄滅電弧。
32、 如權(quán)利要求31所述的系統(tǒng)，其中所述開關(guān)中斷傳送至所述 負載的功率以熄滅電弧。
33、 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述RF功 率發(fā)生器和所述等離子體處理腔之間的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。
34、如權(quán)利要求31所述的系統(tǒng)，進一步包括設(shè)置在所述RF功 率發(fā)生器和所述等離子體處理腔之間的阻抗匹配網(wǎng)路，并且其中所述 開關(guān)在所述阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)調(diào)諧期間進行動作以熄滅電弧。
全文摘要
射頻功率傳送系統(tǒng)包括RF功率發(fā)生器、電弧檢測電路以及響應(yīng)于電弧檢測電路的控制邏輯電路。針對一個參數(shù)的測量值，計算動態(tài)邊界，其中該參數(shù)表示或與從功率發(fā)生器傳送至負載的功率相關(guān)。隨后測量的該參數(shù)的值超過該參數(shù)的計算的動態(tài)邊界，則指示檢測到電弧。在檢測到電弧后，中斷或調(diào)整功率發(fā)生器的功率傳送，或者采取其他的措施，直到電弧熄滅。通過采用電弧檢測邊界的動態(tài)計算，本發(fā)明允許在RF功率傳送系統(tǒng)中處理電弧，而不管該系統(tǒng)是否已經(jīng)達到穩(wěn)定的功率傳送狀況。
文檔編號G06F19/00GK101203858SQ200680022298
公開日2008年6月18日 申請日期2006年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月22日
發(fā)明者G·J·范齊爾 申請人:先進能源工業(yè)公司