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      利用多次曝光印刷光刻圖像的方法和系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號:6568136閱讀:393來源:國知局
      專利名稱:利用多次曝光印刷光刻圖像的方法和系統(tǒng)的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及集成電路的設計和制造,尤其涉及用于改善制造集 成電路的光刻工藝的系統(tǒng)和方法。
      背景技術
      用于集成電路(IC)的電子設計過程包括描述IC或電子系統(tǒng)的行為屬性、架構屬性、功能屬性、以及結(jié)構屬性。設計團隊通常從非常抽象的目標產(chǎn)品的行為模型開始,并以ic芯片上的各種結(jié)構、器件、以及互連的物理描述結(jié)束。半導體代工廠使用物理描述來產(chǎn)生制造IC所需的掩膜和測試程序。在設計、驗證、以及制造電子設 計的整個過程中,EDA工具廣泛地被設計者所使用。光刻是一種光學印刷和制造工藝,通過其可以將光掩模上的特 征成像和限定到涂覆在襯底上的感光層。光掩??梢杂糜谠诮o定襯 底以及許多襯底上的許多位置上產(chǎn)生相同的原始圖案(master pattern)。光刻和光掩模對于集成電路(IC)的有效制造以及IC產(chǎn) 業(yè)的發(fā)展是相當關鍵的。對于IC制造應用而言,光掩模特征對應于各種基本物理IC元 件,所述元件包括諸如晶體管以及互連線、接觸和通孔的功能電路 元件以及不是功能電路元件但被用來促進、提高、或追蹤各種制造 工藝的其它元件。通過在IC制造工藝中依次使用對應于給定IC的各種光掩模, 可以構成大量的具有各種形狀和厚度且具有各種導電和絕緣特性的 材料層,以形成整個集成電路。光刻工藝通常跟在IC設計與光掩模制造之后°如圖1所示,光/光學器件的各種組合在晶圓上具有特定的最大空間頻率。在傳統(tǒng)的IC制造工藝中,可以形成在晶圓上的任何特征 的最小尺寸受到處理系統(tǒng)的間距(pitch)的嚴格限制。間距為特征 的寬度加特征間的間隔之和。如圖2所示,光刻工藝可以通過調(diào)整 閾值或劑量來形成窄線,但無法形成更小的間距。當現(xiàn)代的IC設計的復雜度隨著時間而增加時,IC設計上的形 狀的數(shù)量和密度也以相應的方式而增加。然而,由于明顯受間距尺 寸限制的現(xiàn)有光刻處理工具的間距限制,而使制造更密集且特征尺 寸更小的IC芯片的目標遇到很大的困難。因此,對于集成電路設計者和制造商而言,非常希望能夠得到 用于實施允許在集成電路上以更小的特征尺寸來制造特征的光刻工 藝的改進系統(tǒng)和方法。發(fā)明內(nèi)容在一些實施例中,本發(fā)明的系統(tǒng)和方法把將被印刷的設計分為 兩次或多次曝光,其中的每一次曝光至少具有最小間距。這些多次 曝光一起印刷出無法僅用一次曝光而印刷的設計。該方法允許在晶 圓上印刷較小的掩膜特征而無需新的制造設備,且對現(xiàn)有的制造工 藝僅有較小的改變。該方法也不需要對芯片的設計進行限制。以下在具體實施方式
      、附圖、以及權利要求書中對本發(fā)明的方 案、目的、以及優(yōu)點的進一步細節(jié)進行說明。前述的一般說明與接 下來的詳細說明都為示例性與說明性的,而不旨在限制本發(fā)明的范 圍。


      包括附圖以便對本發(fā)明有進一步的理解,并且與具體實施方式
      一起用于說明本發(fā)明的原理。圖1-2示出用于光刻處理操作的光學效應; 圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于制造集成電路的工藝 的流程圖;圖4示出印刷在光刻處理設備上的示例性的一組特征;圖5示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例使用多次曝光來制造集成電路;圖6A-D示出不同的多次曝光設置;圖7A-B示出具有不同曝光次數(shù)的設置;圖8示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于制造集成電路的工藝 的詳細流程圖;圖9示出處理布圖中的突起;圖IOA-C、 IIA-C、和12A-C示出具有不同數(shù)量的關鍵形狀的 處理或設置;圖13示出所產(chǎn)生的多邊形; 圖14和15示出間隙的處理;圖16示出在關鍵形狀附近具有非關鍵形狀的情況; 圖17示出與關鍵形狀鄰接或不與關鍵形狀鄰接的非關鍵形狀的 設置;圖18示出被過分限制的布圖;圖19A-B示出曝光之間的重疊區(qū)域;圖20示出通過其可以實施本發(fā)明的示例性的計算架構。
      具體實施方式
      在一些實施例中,本發(fā)明的系統(tǒng)和方法把將被印刷的設計分為 兩次或多次曝光,其中的每一次曝光至少具有最小間距。這些多次 曝光一起印刷出無法僅用一次曝光而印刷的設計。該方法允許在晶圓上印刷較小的掩膜特征而無需新的制造設備,且對現(xiàn)有的制造工 藝僅有較小的改變。該方法也不需要對芯片的設計進行限制。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的實施多次曝光印刷的工藝 的高級流程圖。在302,識別例如由于處理設備的間距尺寸限制而 無法被充分印刷的特征。在304,該工藝確定對來自302的所識別特征進行印刷的多次 曝光設置。該操作識別在所識別的特征中哪個應該與其它特征分 開,以避免制造工藝的曝光部分期間的間距問題。在一些實施例 中,該工藝以自動的方式,例如以下相對于圖5而被更加詳細說明 的方法,來執(zhí)行304的操作。在其它實施例中,304的操作可以通 過手動的方式(例如使用布圖編輯器工具)或通過自動操作與手動 操作的組合來進行。在306產(chǎn)生將要在制造工藝期間所使用的數(shù)據(jù)。該操作例如包 括產(chǎn)生用于將在設計的多次曝光期間所使用的兩個或多個光掩膜的 掩膜參數(shù)。在制造工藝期間,然后可以使用多次曝光來印刷所識別的特征 (308)。采用常規(guī)的對準技術來確保多次曝光之間的準確對準??紤]希望印刷圖4所示的示例性的一組特征402a-c的情況。假 設用于制造具有特征402a-c的這種結(jié)構的IC產(chǎn)品的處理設備的最 小間距為如圖4所示的位于該圖底部的在虛線之間的間距404。可 以看到,特征402a-c之間的寬度/距離小于最小間距404,使得特征 402a-c的結(jié)構無法通過常規(guī)的技術來印刷。特別是,當特征402b被 設置得如此靠近特征402a和402c時,無法以常規(guī)的方式來印刷特 征402b。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的印刷402a-c的結(jié)構的方 法。初始操作是確定應該將哪個特征分成不同的曝光。如前所述, 特征402b在距離上太靠近特征402a和402c而無法以常規(guī)的方式來進行印刷。因此,在該例中,使用第一次不同的曝光來制造特征402a和402c。使用第二次不同的曝光來制造特征402b。第一次與第 二次曝光的組合將會導致制造出如圖S底部所示的特征402a-c。即使對于相同的一組形狀,也可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)使用不同 的曝光設置。例如,考慮圖.6A所示的一組特征600。特征600包括 第一形狀602、第二形狀604、以及第三形狀606。假設形狀604與 形狀606之間的距離太小而無法使用常規(guī)的光刻設備來進行印刷。 進一步假設形狀602足夠?qū)捯灾掠谀軌蚴褂贸R?guī)的處理設備對其進 行合理的印刷。在這種情況下,可以采用本發(fā)明的多次曝光方法而 將特征600印刷在常規(guī)的處理設備上。圖6B示出為該組特征600設置多次曝光的第一示例性方法。在 該設置中,使用第一次曝光來印刷形狀602和604,而使用第二次 曝光來印刷形狀606。圖6C示出為該組特征600設置多次曝光的第二示例性方法。在 該設置中,使用第一次曝光來印刷形狀604,而使用第二次曝光來 印刷形狀602和606。圖6D示出為該組特征600設置多次曝光的第三示例性方法。 在該設置中,將形狀602分成兩個形狀602a和602b。使用第一次 曝光來印刷形狀602a和604,而使用第二次曝光來印刷形狀602b 和606。雖然一些所公開的示例性實施例僅示出使用兩次曝光,但是應 注意到可以在本發(fā)明的一些實施例的范圍內(nèi)使用兩次以上的曝光。 曝光的次數(shù)由本發(fā)明所涉及的特定應用來控制。因此,本發(fā)明的范 圍不限于任何特定的曝光次數(shù),并且實際上可以包括任意曝光次 數(shù)。參照圖7A,可以使用三次曝光來印刷該組形狀,使用第一次曝 光來印刷左側(cè)的形狀,使用第二次曝光來印刷中間形狀,并使用第三次曝光來印刷右側(cè)形狀。注意,如圖7B所示,通過分割頂部形狀 并使用第一次曝光來印刷一組形狀而使用第二次曝光來印刷第二組 形狀,也可以僅使用兩次曝光來印刷該組特征。在一個實施例中, 根據(jù)四色定理,其中最多可以用四種顏色來對任何平面圖進行著色 以便使相鄰的區(qū)域具有不同的顏色,所以最多使用四次曝光來印刷 設計。曝光的次數(shù)能影響處理系統(tǒng)的效率。如果引入額外的曝光會很 明顯地增加成本,則使用具有較少曝光的設置會比具有較多曝光的 設置更有效率。因此,圖7B的方法在某些環(huán)境中會比圖7A的方法 更有效率。與處理系統(tǒng)內(nèi)的非線性光刻膠靈敏度(resist response)相結(jié)合 來使用本發(fā)明的一些實施例。這將避免如下問題兩個正弦波之和 為另一具有相移的正弦波,導致一條較寬的線而不是兩條小線。圖8示出用于實施本發(fā)明的一些實施例的工藝的詳細流程圖。 下列參數(shù)值用于實施根據(jù)一些實施例的工藝MIN一CRIT一WIDTHMAX—CRIT—WIDTHMIN—CRIT_SPACEMAX_CRIT—SPACESPLIT_OVERLAPMIN—CRIT—WIDTH參數(shù)是指可使用給定的一組光刻處理設備 來印刷的最小寬度。具有小于MIN_CRIT—WIDTH的寬度的形狀由 于太小而無法印刷。MAX—CRIT一WIDTH參數(shù)是指以其可使用一組 光刻處理設備通過常規(guī)的方式來印刷形狀的寬度。具有大于 MAX—CRIT—WIDTH的寬度的形狀不需要被交錯(interleave)而進 行印刷。該工藝識別具有在MIN_CRIT—WIDTH與MAX_CRIT_WIDTH之間(包括MIN—CRIT一WIDTH和MAX_CRIT_WIDTH)的寬度的 多邊形,并使用兩次(或更多次)不同的曝光來將其交錯。這些形 狀被稱為關鍵形狀,且為無法使用常規(guī)的光刻設備來進行正常印刷 的形狀。可以基于比該范圍的形狀寬的形狀與關鍵形狀的相鄰性將它們 設置在分割層中的一個上。這些形狀被稱為非關鍵形狀,且可以使 用現(xiàn)有的光刻設備來進行正常印刷。在設計中可能存在間隔的不同組合。MIN—CRIT_WIDTH參數(shù) 與 MIN_CRIT_SPACE 參數(shù)的組合值為最小間距。 MAX—CRIT_WIDTH參數(shù)與MAX—CRIT—SPACE參數(shù)的組合值為最 大間距。在一些實施例中,該工藝尋找關鍵形狀與所有形狀之間的 間隔〈-CRIT一SPACE。這些形狀被指為相鄰于關鍵形狀。在圖8的操作802,基于上述標準將布圖上的多邊形分成關鍵 部分和非關鍵部分。被識別為"關鍵"的形狀是可能需要利用多次 曝光進行交錯而得以印刷的形狀。被識別為"非關鍵"的形狀是可 能不需要多次曝光來進行印刷的形狀。可以通過識別所有具有小于 MAX—CRIT—WIDTH但大于MIN—CRIT—WIDTH的寬度的形狀來確 定關鍵形狀??梢酝ㄟ^識別所有具有大于MAX_CRIT—WIDTH的寬 度的形狀來確定非關鍵形狀。在 一 些實施例中,進行操作以識別具有小于 MAX—CRIT—WIDTH的寬度但鄰接非關鍵形狀的形狀。可以確定被 稱為"突起"的額外形狀是否足夠小。如果是足夠小,則認為突起 是線內(nèi)的突出部分(jog),并且可以將其看作是如圖9所示的非關 鍵形狀的一部分。在一個實施例中,可以將所識別的關鍵形狀設置在第一組的一 個或多個臨時層上,并且將非關鍵形狀設置在設計的另一臨時層 上。在804,該工藝分割(split)非關鍵形狀。該操作是任選的,因 為將要被分割的形狀可以保持為單一形狀并在整體上與單次曝光相 關聯(lián)。然而,分割形狀的一個原因是為了減少用于工藝的曝光次 數(shù),如圖7A的三次曝光法(不分割形狀)與圖7B的兩次曝光法 (分割形狀)之間的差異所示??梢酝ㄟ^識別與一個以上的關鍵形狀鄰接或充分相鄰的非關鍵 形狀來執(zhí)行操作804。然后,該工藝可以尋找理想的分割位置。這 在決定將關鍵形狀設置在哪一分割層上而又不會違反對寬度、間隔 和相鄰性的要求方面提供一些自由度。然后,該工藝將分割位置設置在形狀的非關鍵部分中。可以鑒 于光刻的考慮來進行該操作。該操作可以通過檢測非關鍵形狀來執(zhí)行,所述非關鍵形狀具有 一個以上的與其鄰接或充分相鄰的關鍵形狀。然后,確定與其鄰接/ 相鄰的關鍵形狀的數(shù)量,并根據(jù)該數(shù)量以及非關鍵形狀的寬度來對 這些形狀進行分類。為了舉例說明,考慮分別由圖IOA、 10B和10C所示的形狀組1001、 1003、 1005。圖10A所述的組1001包括與三個關鍵形狀1002、 1006和1008鄰接的非關鍵形狀1004。圖10B所述的組1003 包括與四個關鍵形狀1010、 1012、 1016和1018鄰接的非關鍵形狀 1014。圖10C所述的組1005包括與六個關鍵形狀1020、 1022、 1024、 1028、 1030和1032鄰接的非關鍵形狀1026。對于每一分類,使用單獨的切割線或一組切割線來分割形狀。 對分類的類型和非關鍵部分的測量用于確定由分割操作所產(chǎn)生的形 狀的數(shù)量和結(jié)構。例如,對于圖10C圖中的具有六個與非關鍵形狀1026鄰接的關 鍵形狀的分類,確定關鍵形狀的邊界框(bounding box) < 3*MIN—CRIT—WIDTH+(2*MIN—CRIT一SPACE)。這是通過將非關鍵形狀1026沿平行于其邊界框不與關鍵形狀相鄰的邊緣的軸切掉 MAX—CRIT—WIDTH來完成。這使得將該形狀1026分成三個部 分,處于外側(cè)且寬度為MAX—CRIT一WIDTH的兩個部分、以及"剩 余"的中間部分。此分割操作的結(jié)果顯示在圖11C中,其中形狀 1026己被分成形狀1026a、 1026b和1026c。以同樣的方式,將圖10A的非關鍵形狀1004分成如圖11A所 示的形狀1004a與1004b。同樣地,可以將圖10B的非關鍵形狀 1014分成如圖IIB所示的形狀1014a和1014b。在每一個小于MIN—CRIT—SPACE的形狀之間產(chǎn)生間隙。產(chǎn)生 表示這些間隙之間的空間的層(被稱為"分割")。例如,圖IOC 中的非關鍵多邊形1026現(xiàn)在具有三個關鍵部分,如圖12C所示,并 且這些關鍵部分與關鍵形狀相結(jié)合。圖12C中的顏色較深的形狀處 在一個分割層上,而顏色較淺的形狀系處在不同的分割層上。分割 的位置具有〉maxj:rit—width的寬度,并且利用任何適當?shù)臉?準光刻工具來進行寫入。顏色較深的形狀和顏色較淺的形狀鄰接的 邊緣被分開,從而在形狀之間產(chǎn)生間隙。該間隙被稱為"分割間 隙"。以同樣的方式,分別為圖IIA和11B中的形狀1001和1003產(chǎn) 生間隙。顏色較深的形狀處在一個分割層上,而顏色較淺的形狀設 置在另一分割層上,并且如圖12A和12B所示,在形狀之間產(chǎn)生間 隙?;氐綀D8,在關鍵形狀之間以及在關鍵形狀與非關鍵形狀之間 產(chǎn)生多邊形 (806 )。 使用 MIN—CRIT—SPACE 至 MAX—CRIT—SPACE的范圍來產(chǎn)生多邊形。這些多邊形與彼此相鄰 的兩個形狀的邊緣鄰接,而形成多邊形。這些多邊形在這里處被稱 為"Crit一Region",且如圖13的點狀部分所示。對設計中的形狀進行掩膜分配(808)。該操作確定應該將每一個形狀設置在哪一個掩膜上。可以使用任何適當?shù)腅DA工具來執(zhí)行 該操作,例如包括可從美國加州San Jose的Cadence Design Systems 公司獲得的Virtuoso Phase Designer (VPD)工具。VPD命令 geomColor用于傳入關鍵形狀和Crit—Region形狀,并且返回分成兩 個不同掩膜層的形狀。 一種用于執(zhí)行該操作的方法是確定任何與兩 個且僅兩個關鍵形狀鄰接的Crit—Region形狀,其表示將關鍵形狀交 錯到不同層的環(huán)境。這些形狀以關系"交錯"來標示。第二 VPD命 令getColor用于將所交錯的形狀輸出為兩個分離的多邊形層以供輸 出。圖14示出對圖13中的形狀實施該操作的示例性結(jié)果。以用戶定義的重疊(SPLIT—OVERLAP)將間隙加回在正確的 分割層上。圖15示出對圖14中的形狀實施該操作的示例性結(jié)果。對于非關鍵形狀在設計中的設置進行確定。通常,可以將任何 非關鍵寬度形狀設置成緊鄰布圖中的任何其它非關鍵寬度形狀。在 一些情況下,應該將非關鍵形狀設置在特定的掩膜上。例如,在一 些實施例中,如果非關鍵寬度形狀在關鍵形狀的Max_Crit_Space 內(nèi),則它們應具有與其它形狀相關的交錯特性。在圖16中示出該 例??梢詫⒔佑|關鍵形狀的非關鍵形狀設置在與鄰接的關鍵形狀匹 配的分割層上??梢詫⑷魏尾慌c關鍵形狀鄰接的非關鍵形狀設置在 第一關鍵層上。在圖17中示出這些情況。可以通過在非關鍵形狀與關鍵形狀之間產(chǎn)生較大的空間來修改 被過分限制的布圖,以便允許在形狀的交錯中具有更大的靈活性, 如圖18所示。可以對結(jié)果執(zhí)行校錯以驗證掩膜分配操作是否成功。以下是可 以執(zhí)行的校錯操作的實例-檢查任何小于閾值的形狀。-檢查任何比閾值更接近的分割多邊形形狀并將這些形狀作為錯誤來報告。-檢查任何比閾值更接近的關鍵多邊形形狀并確保它們處在不同 的輸出層上。-如果它們相隔較遠,則將這些形狀作為"浮動(floating)"關 鍵形狀來報告。-增加對分割層接觸的位置的檢查。這些位置是用于非關鍵多邊 形的所期望的分割位置,并且應該為分割的光刻質(zhì)量對其進行再檢 査。在某些情況下,將用于不同曝光的光掩膜構造成在不同曝光之 間產(chǎn)生重疊。使這發(fā)生的一個示例性情況是修正光刻工藝的光學效 應。為了舉例說明,考慮圖19A所示的形狀1902和1904。假設使 用第一次曝光來印刷形狀1902并且使用第二次曝光來印刷形狀 1904。光刻工藝的光學效應可以造成形狀的端部變圓,如圖19A的 右側(cè)所示。這將導致所印刷的一組形狀與所期望的的布圖形狀不匹 配。例如,形狀1902與形狀1904接觸的部分可以變得足夠圓,以 致于造成兩組形狀之間的接觸不充分,從而可能導致最終IC上的缺 陷。為了修正這種光學效應,可以使形狀1902和1904朝彼此延 伸,從而在布圖的一部分上形成重疊1906,其將通過與如圖19B所 示的各組形狀1902和1904相關聯(lián)的掩膜來進行印刷。兩次曝光都 將在重疊區(qū)域中進行印刷。這導致如圖19B的右側(cè)所示的示例性結(jié) 果,其中所印刷的形狀之間的重疊與設計布圖上的所期望的形狀更 加緊密地匹配。系統(tǒng)架構綜述圖20為適用于實施本發(fā)明的實施例的示例性計算系統(tǒng)1400的方框圖。計算機系統(tǒng)1400包括總線1406或其它用于傳送信息的通 信機構,其使子系統(tǒng)和裝置互連,例如處理器1407、系統(tǒng)存儲器 1408 (例如RAM)、靜態(tài)儲存裝置1409 (例如ROM)、盤驅(qū)動器 1410 (例如磁盤驅(qū)動器或光盤驅(qū)動器)、通信接口 1414 (例如調(diào)制 解調(diào)器或以太網(wǎng)卡)、顯示器1411 (例如CRT或LCD)、輸入裝 置1412 (例如鍵盤)、以及光標控制器。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,計算機系統(tǒng)1400通過處理器1407 執(zhí)^1由包含在系統(tǒng)存儲器1408中的一個或多個指令組成的一個或多 個序列來執(zhí)行特定的操作??梢詫⑦@種指令從諸如靜態(tài)儲存裝置 1409或盤驅(qū)動器1410的另一計算機可讀/可用介質(zhì)讀入到系統(tǒng)存儲 器1408中。在可選實施例中,可以使用硬件電路(hard-wired circuitry)來代替軟件指令或與軟件指令相結(jié)合來使用硬件電路,以 便實施本發(fā)明。因此,本發(fā)明的實施例不限于硬件電路和/或軟件的 任何特定結(jié)合。在一個實施例中,術語"邏輯"應該是指用于實施 本發(fā)明的全部或部分的軟件或硬件的任何結(jié)合。如這里所使用的術語"計算機可讀介質(zhì)"或"計算機可用介 質(zhì)"是指參與向處理器1407提供指令以便執(zhí)行的任何介質(zhì)。這種介 質(zhì)可以采用許多形式,包括但不限于非易失性介質(zhì)、易失性介質(zhì)、 以及傳輸介質(zhì)。非易失性介質(zhì)例如包括光盤或磁盤,如盤驅(qū)動器 1410。易失性介質(zhì)包括動態(tài)存儲器,例如系統(tǒng)存儲器1408。傳輸介 質(zhì)包括同軸電纜、銅線、以及光纖,其包括包含總線1406的線纜。 傳輸介質(zhì)還可以采用聲波或光波的形式,例如在無線電波和紅外數(shù) 據(jù)通信期間所產(chǎn)生的聲波或光波。計算機可讀介質(zhì)的一般形式例如包括軟盤、軟磁盤(flexible disk)、硬盤、磁帶、任何其它磁性介質(zhì)、CD-ROM、任何其它光學 介質(zhì)、穿孔卡、紙帶、任何其它具有孔的圖案的物理介質(zhì)、RAM、 PROM、 EPROM、 FLASH-EPROM、任何其它存儲芯片或盒(cartridge)、載波、或任何其它計算機從其中可以讀取的介質(zhì)。在本發(fā)明的實施例中,由單一計算機系統(tǒng)1400來執(zhí)行實施本發(fā) 明的指令序列。根據(jù)本發(fā)明的其它實施例,通過通信鏈路1415 (例 如LAN、 PTSN、或無線網(wǎng)絡)耦合的兩個或多個計算機系統(tǒng)1400 可以彼此協(xié)調(diào)地執(zhí)行實施本發(fā)明所需的指令序列。計算機系統(tǒng)1400可以通過通信鏈路1415和通信接口 1414傳送 和接收消息、數(shù)據(jù)、以及指令(包括程序,即應用代碼)。當接收 到程序代碼時,所接收到的程序代碼可以通過處理器1407來執(zhí)行, 和/或?qū)⑵浯鎯υ诒P驅(qū)動器1410或其它非易失性存儲裝置中,以便 稍后執(zhí)行。在前述說明中,己參考本發(fā)明的具體實施例對本發(fā)明進行了說 明。然而,顯然在不背離本發(fā)明的較寬的實質(zhì)精神和范圍的情況 下,可以進行各種修改和變化。例如,參考了特定的工藝操作的順 序?qū)ι鲜龉に嚵鞒踢M行了說明。然而,可以在不影響本發(fā)明的范圍 和操作的情況下可以改變許多所述工藝操作的順序。因此,本說明 書和附圖為示例性的而非限制性的。
      權利要求
      1、一種使用光刻制造設備來印刷用于IC產(chǎn)品的圖像的方法,該方法包括識別一個或多個關鍵特征,所述一個或多個關鍵特征對應于所述IC產(chǎn)品上的由于間距尺寸問題而無法在所述光刻制造設備的單次曝光中被印刷的一個或多個特征;識別一個或多個非關鍵特征,所述一個或多個非關鍵特征對應于所述IC產(chǎn)品上的可以在所述光刻制造設備的單次曝光中被印刷的一個或多個特征;如果需要則分割所述一個或多個非關鍵特征中的任何一個;以及產(chǎn)生用于使用第一次曝光來制造所述一個或多個關鍵特征中的第一組以及使用第二次曝光來制造所述一個或多個關鍵特征中的第二組的數(shù)據(jù)。
      2、 如權利要求l所述的方法,其中,所述產(chǎn)生數(shù)據(jù)的操作包括 產(chǎn)生掩膜分配信息,其中所述第一組對應于第一掩膜而所述第二組 對應于第二掩膜。
      3、 如權利要求1所述的方法,其中,所述識別一個或多個關鍵 特征的操作包括識別最小寬度(MIN一CRIT一WIDTH)大于或等于可 印刷的尺寸且最大寬度(MAX—CRIT一WIDTH)小于可使用單次曝 光印刷的尺寸的形狀。
      4、 如權利要求1所述的方法,其中,所述分割非關鍵特征的操 作識別鄰接或相鄰于關鍵特征的非關鍵特征。
      5、 如權利要求4所述的方法,其中,邏輯切割線與根據(jù)鄰接或 相鄰于所述非關鍵特征的關鍵特征的數(shù)量和設置而被分割的所述非 關鍵特征相關聯(lián)。
      6、 如權利要求1所述的方法,還包括 在兩個形狀之間設置間隙;以及 在所述間隙中產(chǎn)生多邊形。
      7、 如權利要求1所述的方法,其中,所述一個或多個非關鍵特 征與所述第一組或所述第二組相關聯(lián)。
      8、 如權利要求7所述的方法,其中,非關鍵特征與非關鍵特征 之間的距離確定哪一組與所述非關鍵特征相關聯(lián)。
      9、 如權利要求1所述的方法,其中,在非關鍵特征與關鍵特征 之間產(chǎn)生較大的空間,以處理被過分限制的布圖。
      10、 如權利要求l所述的方法,還包括校錯。
      11、 如權利要求1所述的方法,其中,修改所述一個或多個關 鍵或非關鍵特征,以處理所述光刻制造設備的光刻效應的預期物理 特性。
      12、 如權利要求11所述的方法,其中,對于所述第一次曝光的 印刷的一部分與對于所述第二次曝光的印刷的一部分重疊。
      13. 一種使用光刻制造設備來印刷用于IC產(chǎn)品的圖像的方法, 該IC產(chǎn)品具有比可在單次曝光中印刷的間距還小的間距。
      14. 如權利要求13所述的方法,還包括將布圖分成兩次或多次 曝光,每次曝光具有任意細的線但大于必要的間距。
      15. 如權利要求13所述的方法,還包括從一個或多個第二特征中識別所述IC產(chǎn)品上的應該經(jīng)受單獨曝 光的一個或多個第一特征;使用第一次曝光印刷所述一個或多個第一特征;以及 使用第二次曝光印刷所述一個或多個第二特征。
      16. 如權利要求15所述的方法,其中,產(chǎn)生對應于所述一個或 多個第一特征的用于第一掩膜的第一數(shù)據(jù),并且產(chǎn)生對應于所述一 個或多個第二特征的第二數(shù)據(jù)。
      17. 如權利要求15所述的方法,其中,分割特征以將該特征的 一部分設置在所述第一次曝光上而將該特征的另一部分設置到所述 第二次曝光。
      18. 如權利要求13所述的方法,其中,通過電子設計自動工具 來自動實施該方法。
      19. 一種使用光刻制造設備來印刷用于IC產(chǎn)品的圖像的方法, 該方法包括識別一個或多個特征,所述一個或多個特征對應于通過所述光 刻制造設備的多次曝光而被制造的幾何形狀;以及產(chǎn)生用于使用所述多次曝光來制造所述一個或多個特征的數(shù)據(jù)。
      20、如權利要求19所述的方法,其中,所述產(chǎn)生數(shù)據(jù)的操作包 括產(chǎn)生掩膜分配信息。
      21、如權利要求19所述的方法,還包括識別一個或多個關鍵特征,所述一個或多個關鍵特征對應于由 于間距尺寸問題而無法在所述光刻制造設備的單次曝光中被印刷的特征;識別一個或多個非關鍵特征;以及 分割所述一個或多個非關鍵特征中的任何一個。
      22、如權利要求21所述的方法,其中,所述識別一個或多個關 鍵特征的操作包括識別最小寬度(MIN—CRIT—WIDTH)大于或等于 可印刷的尺寸且最大寬度(MAX—CRIT—WIDTH)小于可使用單次 曝光印刷的尺寸的形狀。
      23、如權利要求21所述的方法,其中,所述分割非關鍵特征的 操作識別鄰接或相鄰于關鍵特征的非關鍵特征。
      24、如權利要求19所述的方法,還包括: 在兩個形狀之間設置間隙;以及 在所述間隙中產(chǎn)生多邊形。
      25、如權利要求19所述的方法,其中,修改所述一個或多個特 征,以處理所述光刻制造設備的光刻效應的預期物理特性。
      26、 如權利要求25所述的方法,其中,對于第一次曝光的印刷 的一部分與對手第二次曝光的印刷的一部分重疊。
      27、 如權利要求19所述的方法,還包括將布圖分成兩次或多次 曝光,每次曝光具有任意細的線但大于必要的間距。
      28、 如權利要求19所述的方法,還包括從一個或多個第二特征中識別所述IC產(chǎn)品上的應該經(jīng)受單獨曝 光的一個或多個第一特征;使用第一次曝光印刷所述一個或多個第一特征;以及 使用第二次曝光印刷所述一個或多個第二特征。
      29、 如權利要求28所述的方法,其中,產(chǎn)生對應于所述一個或 多個第一特征的用于第一掩膜的第一數(shù)據(jù),并且產(chǎn)生對應于所述一 個或多個第二特征的第二數(shù)據(jù)。
      30、 如權利要求28所述的方法,其中,分割特征以將該特征的 一部分設置在所述第一次曝光上而將該特征的另一部分設置到所述 第二次曝光。
      31、 如權利要求19所述的方法,其中,通過電子設計自動工具 來自動實施該方法。
      32、 如權利要求19所述的方法,其中,基于所述方法來制造 IC產(chǎn)品。
      33、 一種包括用于執(zhí)行權利要求1至32所述的方法中的任何一種的裝置的系統(tǒng)。
      34、 一種包括計算機可用介質(zhì)的計算機程序產(chǎn)品,該計算機可 用介質(zhì)具有用于執(zhí)行權利要求1至32所述的方法中的任何一種的可 執(zhí)行代碼。
      全文摘要
      公開了一種用于把將被印刷的設計分為兩次或多次曝光的系統(tǒng)和方法,其中每一次所述曝光至少具有最小間距。這些多次曝光一起印刷出無法僅用一次曝光而印刷的設計。
      文檔編號G06F17/50GK101223527SQ200680025643
      公開日2008年7月16日 申請日期2006年5月13日 優(yōu)先權日2005年5月13日
      發(fā)明者J·赫卡貝 申請人:凱迪斯設計系統(tǒng)公司
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