專(zhuān)利名稱(chēng)：Rfic標(biāo)簽和其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及安裝在金屬物上的RFIC標(biāo)簽和其使用方法。
背景技術(shù)：
近年，在具備利用無(wú)線電波工作的IC芯片的RFIC (射頻集成 電路)標(biāo)簽，和讀取裝置、記錄裝置或讀取/記錄裝置(以下總稱(chēng)為讀 取/記錄裝置)之間通過(guò)無(wú)線電波進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的RFIC標(biāo)簽正在普及。 由于該RFIC系統(tǒng)用RFIC標(biāo)簽以及讀取/記錄裝置各自所具備的天線 進(jìn)行數(shù)據(jù)的交換，因此即便使RFIC標(biāo)簽離開(kāi)讀取/記錄裝置也能夠進(jìn) 行通信，另外，由于抗污染的優(yōu)點(diǎn)，因此正在被用于工廠的生產(chǎn)管理、 物流的管理、進(jìn)出門(mén)管理等各種用途。
具備偶極天線且在UHF帶或SHF帶工作的RFIC標(biāo)簽，如果像 直接配置在金屬物上這樣使其接近金屬，就不工作。因此，在將所述 RFIC標(biāo)簽安裝在金屬物上時(shí)，采用如下的方法，即，通過(guò)在RFIC 標(biāo)簽和金屬物之間配置由塑料或橡膠等構(gòu)成的襯墊，在金屬物和天線 之間設(shè)置一定的距離來(lái)抑制金屬的影響。
但是，如果減薄襯墊來(lái)縮小金屬物的表面和天線的間隔，則RFIC 標(biāo)簽便不工作，另一方面，如果加厚襯墊來(lái)增大金屬物和天線的間隔， 雖然通信距離變大，但卻存在RFIC標(biāo)簽從金屬物的表面突出，在金 屬物的使用中，與周邊的物品或金屬物彼此接觸，從而RFIC標(biāo)簽破 損的可能性增加的問(wèn)題。
為了改善這一點(diǎn)，在特開(kāi)2005-309811號(hào)/>報(bào)(參照?qǐng)D2、圖4、 圖6、圖7)中，記栽了如下的RFIC標(biāo)簽，即，在所述偶極天線的向 金屬物的安裝面上設(shè)置軟磁性材料，或者，在所述偶極天線的向金屬 物的安裝面上，從所述金屬物側(cè)開(kāi)始，設(shè)置軟磁性材料和襯墊，或者， 在所述偶極天線的向金屬物的安裝面上，從所述金屬物側(cè)開(kāi)始，設(shè)置 襯墊、軟磁性材料和襯墊。
但是，特開(kāi)2005-309811號(hào)所記載的以往技術(shù)的RFIC標(biāo)簽， 是將IC芯片安裝在偶極天線上，然后將其安裝在金屬物上的RFIC標(biāo) 簽，如果將通信波長(zhǎng)設(shè)為1，則必須有半波長(zhǎng)的長(zhǎng)度的天線長(zhǎng)， 這就存在RFIC標(biāo)簽變大的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于所述問(wèn)題而研制成的，其主要目的在于提供可以設(shè) 置在金屬物上，且比以往小型的RFIC標(biāo)簽。
本發(fā)明的第1個(gè)觀點(diǎn)的RFIC標(biāo)簽，其特征在于，在導(dǎo)電性的薄 板或薄膜上裝配了利用無(wú)線電波工作的IC芯片，通過(guò)將導(dǎo)電性的薄
靜l電容的方式連接，使金屬物構(gòu)成ic芯;的天線，導(dǎo)電i的薄板
或薄膜，在中間部具備用于使天線的阻抗和IC芯片的阻抗匹配的阻 抗匹配用的電路，安裝成至少使阻抗匹配用的電路部分從金屬物離開(kāi) 規(guī)定的間隔。并且，其特征還在于，當(dāng)把要發(fā)射或接收的電波的波長(zhǎng) 設(shè)為X時(shí)，導(dǎo)電性的薄板或薄膜的阻抗匹配用的電路部分的長(zhǎng)度小于
根據(jù)本發(fā)明，由于可以使金屬物的金屬表面作為IC芯片的天線 起作用，因此即便裝配了 IC芯片的導(dǎo)電性的薄板或薄膜的阻抗匹配 用的電路部分的長(zhǎng)度小于IC芯片的通信波長(zhǎng)人的1/2，也可以將裝配 了 IC芯片的薄板作為RFIC標(biāo)簽進(jìn)行通信。
另外，本發(fā)明的第2個(gè)觀點(diǎn)的RFIC標(biāo)簽，是包括利用無(wú)線電波 工作的IC芯片和具有阻抗匹配用的電路的小型天線而構(gòu)成的小型嵌 入方式的RFIC標(biāo)簽，其特征在于，通過(guò)將設(shè)置在小型天線的規(guī)定的 端部的連接部與金屬物電連接或者以靜電電容耦合的方式連接，使金 屬物構(gòu)成所述IC芯片的天線，將小型天線安裝成至少使阻抗匹配用 的電路部分從金屬物離開(kāi)規(guī)定的間隔。并且，其特征還在于，當(dāng)把要
發(fā)射或接收的電波的波長(zhǎng)設(shè)為X時(shí)，小型天線的阻抗匹配用的電路部
分的長(zhǎng)度小于V2。
根據(jù)本發(fā)明，由于可以使金屬物的金屬表面作為IC芯片的天線 起作用，因此即便小型嵌入物的小型天線的長(zhǎng)度小于IC芯片的通信 波長(zhǎng)k的l/2，也可以作為RFIC標(biāo)簽進(jìn)行通信。本發(fā)明還包括RFIC 標(biāo)簽的使用方法。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠設(shè)置在金屬物上的小型的RFIC標(biāo)簽。


圖1A是本發(fā)明的第1實(shí)施例的RFIC標(biāo)簽的概略構(gòu)成圖，M
示將RFIC標(biāo)簽安裝在金屬部件(金屬物)上的狀態(tài)的立體圖。
圖1B是第1實(shí)施例的除去IC芯片的狀態(tài)的RFIC標(biāo)簽的平面圖。
圖1C是圖1A的XI -XI方向上的向視剖面圖。
圖1D是第1實(shí)施例的RFIC標(biāo)簽的等效電路圖。
圖2A是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的變形例的RFIC標(biāo)簽的概略構(gòu)
成圖，是腳部的設(shè)定角度不同的RFIC標(biāo)簽的立體圖。
圖2B是腳部以及連接部從狹縫部的縱向端部側(cè)的兩方的寬度方
向端，共計(jì)4個(gè)部位，向?qū)挾确较蜓由斓腞FIC標(biāo)簽的立體圖。
圖3A是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的再別的變形例的RFIC標(biāo)簽的
概略構(gòu)成圖，是以相對(duì)于腳部使連接部位于狹縫部的下方的方式向內(nèi)
側(cè)彎曲成直角的RFIC標(biāo)簽的立體圖。
圖3B是在圖3A中腳部的設(shè)定角度不同的安裝形狀的RFIC標(biāo)
簽的立體圖。
圖4A是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的再別的實(shí)施例，是在狹縫部的 下面配置了襯墊部件的RFIC標(biāo)簽，是連接部沿著縱向延伸的RFIC 標(biāo)簽的側(cè)視圖。
圖4B是向狹縫部的下方側(cè)彎曲地配置連接部的RFIC標(biāo)簽的側(cè)視圖。
圖5A是圖2A所示的RFIC標(biāo)簽的變形的立體圖。 圖5B是圖5A所示的RFIC標(biāo)簽的變形的立體圖。 圖6A是展示圖5A所示的RFIC標(biāo)簽的變形的立體圖。 圖6B是展示將圖6A所示的RFIC標(biāo)簽安裝在電路基板上的狀 態(tài)的立體圖。
圖6C是展示將圖3A所示的RFIC標(biāo)簽應(yīng)用于電路基板的狀態(tài) 的立體圖。
圖7A是封入液晶的上部以及下部玻璃基板的剖面圖。 圖7B是將設(shè)在上部玻璃基板上的共通電極作為天線的RFIC標(biāo) 簽的概要圖。
圖7C是圖7B的A部的凹部的放大立體圖。
圖7D是在凹部?jī)?nèi)形成ITO膜之后的立體圖。
圖8A是展示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的小型插入物的立體圖。
圖8B是圖8A的X2 - X2向視剖面圖。
圖9A是說(shuō)明在螺栓的頭上設(shè)置凹部安裝小型插入物的使用方法
的圖，是螺栓的頭的平面圖。
圖9B是圖9A的X3-X3向視縱剖面圖。
圖9C是直徑小于圖9A所示的螺栓的螺栓的頭的平面圖。
圖10A是說(shuō)明在硬幣上設(shè)置凹部安裝小型插入物的使用方法的
圖，是硬幣的立體圖。
圖IOB是圖10A的X4-X4向視縱剖面圖。
圖IIA是形成了平面形狀不同的狹縫的小型插入物的平面圖。
圖11B是將小型插入物安裝在金屬部件上的情況的等效電路圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

用于實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的RFIC標(biāo)簽。 《第1實(shí)施方式》
首先，參照?qǐng)D1A、圖1B、圖1C以及圖1D說(shuō)明本發(fā)明的笫1 實(shí)施方式的RFIC標(biāo)簽，圖1A Hl示將笫1實(shí)施方式的RFIC標(biāo)簽安 裝在金屬部件(金屬物)上的狀態(tài)的立體圖，圖1B是除去了 IC芯片
的狀態(tài)的RFIC標(biāo)簽的平面圖，圖1C是圖1A的X1-X1向視立體圖， 圖ID是RFIC標(biāo)簽的等效電路圖。
RFIC標(biāo)簽1A由IC芯片5和矩形的導(dǎo)電性的、例如銅(Cu)、 鋁(Al)等金屬薄板(導(dǎo)電性的薄板)10A構(gòu)成。如圖1A所示，IC 芯片5裝配在金屬薄板10A的縱向的設(shè)置中間部的阻抗匹配用的電路 的部分(以下，稱(chēng)為狹縫部)10a的大致中央。將金屬薄板10A的縱 向的兩端部側(cè)的連接部10c，通過(guò)圖未示的導(dǎo)電性粘接劑或焊錫等的 焊接粘合在金屬部件2上，并以使狹縫部10a的下面從金屬部件2的 表面離開(kāi)規(guī)定高度h，例如，100nm以上的方式，由彎曲成大致直角 的腳部10b抬起。
如圖1B所示，狹縫部10a具有在縱向的大致中央部分，在從側(cè) 面?zhèn)鹊酱笾乱话雽挾鹊奈恢蒙霞由锨锌?，進(jìn)而，沿著縱向彎曲成直角， 從而作為整體，平面形狀為L(zhǎng)字形狀的切口的狹縫6A。在用四邊框 表示的5a、 5b的位置上，以作為向IC芯片5的天線供電用的端子的 信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b對(duì)應(yīng)的方式，即，以跨越狹縫6A的方式， 將IC芯片5例如通過(guò)超聲波接合電連接并裝配在金屬薄板10A上(參 照?qǐng)D1C)。
在此，金屬薄板10A的厚度例如是100nm。狹縫部10a只要具 有能夠從金屬部件2的表面確保規(guī)定的高度的通常的強(qiáng)度即可，可以 根據(jù)由金屬薄板10A的材質(zhì)適當(dāng)決定。
另外，狹縫部10a的縱向的長(zhǎng)度L1，設(shè)為在所述L字形狀的狹 縫6A的縱向的長(zhǎng)度，例如，約3.5mm (參照?qǐng)D1B)的縱向的兩側(cè)保 持IC芯片5的寬度等的余地的長(zhǎng)度，例如7mm以上。連接部10c的 長(zhǎng)度L2例如設(shè)為約5mm。這樣，整體的長(zhǎng)度L2 + Ll + L2可以設(shè)為 約17mm (換算成波長(zhǎng)X的單位，是以下)。在此，我們從實(shí)驗(yàn) 了解到，如果將長(zhǎng)度L1設(shè)為約20mm，而將整體的長(zhǎng)度L2 + Ll + L2 設(shè)為約30mm，則通信距離變得較長(zhǎng)，
再者，我們確認(rèn)了如果狹縫部10a的下面離開(kāi)金屬部件2的表面 的高度h是100nm以上就可以進(jìn)行通信。該高度h,值越大，通信距
離就越增大。
另外，所述例示的數(shù)值是IC芯片5的縱向的寬度約為0.5mm， IC芯片5的通信頻率是2.45GHz的情況。狹縫6A的長(zhǎng)度，即，狹縫 部10a的長(zhǎng)度L1是根據(jù)阻抗匹配的程度適當(dāng)決定的。另外，連接部 10c,如果是利用焊錫等與金屬部件2的表面電連接的情況，則長(zhǎng)度 L2就沒(méi)有意義，但如果是用絕緣性的粘接劑等粘貼的情況，則由于是 通過(guò)靜電電容耦合實(shí)現(xiàn)的連接，因此將長(zhǎng)度L2設(shè)為約5mm。
通過(guò)將IC芯片5的信號(hào)輸入輸出電極5a、5b分別電連接在跨越 了狹縫6A的狹縫部10a的金屬薄板上，便將因狹縫6A的形成而出現(xiàn) 的短截線6a (參照?qǐng)D1B)的部分，串聯(lián)地連接在成為天線的狹縫部 10a以及金屬部件2、和IC芯片5之間，短截線6a的部分作為串聯(lián) 地連接的電感成分工作。通過(guò)該電感成分，可以將IC芯片5內(nèi)的電 容成分抵消，并取得天線和IC芯片5的阻抗匹配。
即，IC芯片5可以將足夠面積的金屬部件2作為天線，同時(shí)可 以使IC芯片5的阻抗和由狹縫部10a以及金屬部件2形成的天線的 阻抗相匹配。將這樣包括狹縫6A的狹縫部10a稱(chēng)為阻抗匹配電路。
再者，阻抗匹配由由狹縫6A的到L字的拐角為止的各長(zhǎng)度決定 的短截線6a的電感成分決定。
根據(jù)本實(shí)施方式，由于作為RFIC標(biāo)簽1A的安裝部件的金屬部 件2作為RFIC標(biāo)簽1A的天線起作用，因此RFIC標(biāo)簽1A的狹縫部 10a的縱向的長(zhǎng)度，只要是通信波長(zhǎng)k的1/4以下的長(zhǎng)度就足夠，全長(zhǎng) 也不過(guò)是最小的約17mm，即便為了延長(zhǎng)通信距離而優(yōu)選設(shè)為約 30mm,也是波長(zhǎng)l的1/4以下的長(zhǎng)度，因此可以用小型的RFIC標(biāo)簽 1A進(jìn)行通信。即，根據(jù)本實(shí)施方式，由于可以使金屬物的表面作為 IC芯片5的天線起作用，因此即便裝配了包括阻抗匹配電路的IC芯 片5的金屬薄板的長(zhǎng)度小于IC芯片5的通信波長(zhǎng)X的1/2，也可以將 裝配了 IC芯片5的金屬薄板作為RFIC標(biāo)簽而進(jìn)行通信。
另外，由于將狹縫部10a的下面和金屬部件2的間隙確保在 lOOjim以上并使其作為阻抗匹配電路起作用即可，因此從金屬部件2
的表面突出的突出部分較小，在使用之際RFIC標(biāo)簽1A很難被刮到。
再者，作為應(yīng)用本實(shí)施方式的RFIC標(biāo)簽1A的金屬部件2,是 鋁(Al)、碳鋼、不銹鋼、銅(Cu)等導(dǎo)電性金屬。即，與磁性體、 非磁性體的差異無(wú)關(guān)，都可以應(yīng)用不銹鋼。
另外，在本實(shí)施方式中，雖然設(shè)為金屬薄板10A，但不限于此。 代替導(dǎo)電性的金屬薄板，例如，也可以是通過(guò)電鍍、蒸鍍、濺射等在 樹(shù)脂板的表面上形成了導(dǎo)電性金屬的薄膜的導(dǎo)電性的薄板、由導(dǎo)電性 的樹(shù)脂構(gòu)成的薄板。
《第1實(shí)施方式的各種變形例》
其次，說(shuō)明第1實(shí)施方式的變形例。對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的 構(gòu)成標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。
圖2A是金屬薄板10B的腳部10b的設(shè)定角度與RFIC標(biāo)簽1A 不同，設(shè)為向下方傾斜地末端變寬的腳部10b的設(shè)定角度的安裝形狀 的RFIC標(biāo)簽1B。通過(guò)將金屬薄板10B的腳部10b設(shè)為圖2A所示的 角度，當(dāng)在金屬薄板10B上使用硬質(zhì)材料的情況下，具有可以防止由 彎曲加工導(dǎo)致的斷裂的優(yōu)點(diǎn)。
圖2B是金屬薄板10C的腳部10b以及連接部10c，從狹縫部10a 的縱向的端部側(cè)的兩方的寬度方向端，共計(jì)4個(gè)部位，沿著寬度方向 延伸的RFIC標(biāo)簽1C。通過(guò)設(shè)為這樣的腳部10b、連接部10c的配置 構(gòu)成，能夠更可靠地確保中間部的狹縫部10a和金屬部件2的間隔。
圖3A只有相對(duì)于金屬薄板10D的腳部10b以使連接部10c位于 狹縫部10a的下方的方式向內(nèi)側(cè)彎曲成直角這一點(diǎn)與RFIC標(biāo)簽1A 不同，其他是相同的。通過(guò)設(shè)為這樣的安裝形狀，與第1實(shí)施方式相 比，在縱向上可以更緊湊。另外，在代替金屬薄板而使用在上面?zhèn)刃?成了導(dǎo)電性的金屬膜的薄板的情況下，通過(guò)設(shè)為這樣的連接部10c的 形狀，便容易與金屬部件2電連接.圖3B是在圖3A中腳部10b的設(shè) 定角度不同，設(shè)為向下方傾斜地末端變寬的腳部10b的設(shè)定角度的安 裝形狀的RFIC標(biāo)簽1E。
圖4A是在RFIC標(biāo)簽1A的狹縫部10a的下面(安裝面)上配
置由絕緣材料構(gòu)成的襯墊部件21后再安裝在金屬部件2上的RFIC標(biāo) 簽1F。圖4B是在RFIC標(biāo)簽ID的狹縫部10a的下方配置由絕緣材 料構(gòu)成的襯墊部件21后再安裝到金屬部件2上的RFIC標(biāo)簽1G。
作為襯墊部件21的材質(zhì)，例如，可以是聚對(duì)苯二甲酸乙二酯 (PET)、聚丙烯(PP)等樹(shù)脂薄板，用圖未示的粘接劑粘貼在狹縫 部10a的下面上。另外，作為襯墊部件21,使用陶瓷、用于半導(dǎo)體的 封裝材料的環(huán)氧樹(shù)脂，將RFIC標(biāo)簽1F整體設(shè)為與被稱(chēng)為芯片電阻、 芯片電容器的零件相同形態(tài)的封裝零件，從而可以更容易使用。
在RFIC標(biāo)簽1F、 1G中，由于在狹縫部10a的下方配置襯墊部 件21，因此具有即便在狹縫部10a上施加外力，狹縫部10a和金屬部 件2的表面的間隔也不會(huì)變化的優(yōu)點(diǎn)。即，可以防止金屬薄板10A、 IOD彎曲而塑性變形，可通信距離變化的情況。
圖5A是圖2B所示的RFIC標(biāo)簽1C的變形，是金屬薄板10F的 腳部10b以及連接部10c，從狹縫部10a的縱向的端部側(cè)的一方的寬 度方向端，共計(jì)2個(gè)部位，沿著寬度方向延伸的RFIC標(biāo)簽1H。這時(shí)， 由于只通過(guò)金屬薄板10F的懸臂梁狀的強(qiáng)度確保高度h，因此與RFIC 標(biāo)簽1A相比，最好增大金屬薄板10F的板厚。
在RFIC標(biāo)簽1H的情況下，與RFIC標(biāo)簽1A相比，可以在縱 向上緊湊地安裝在金屬部件2上。
圖5B是RFIC標(biāo)簽1H的變形，是金屬薄板10F的連接部10c 被進(jìn)一步向狹縫部10a的下方側(cè)彎曲而形成的RFIC標(biāo)簽II。這時(shí)， 由于只通過(guò)金屬薄板10G的懸臂梁狀的強(qiáng)度確保高度h，因此與RFIC 標(biāo)簽1A相比，最好增大金屬薄板10G的板厚。另外，這時(shí)，與RFIC 標(biāo)簽1C以及RFIC標(biāo)簽1H相比，可以在寬度方向上緊湊地安裝在金 屬部件2上。
圖6A是展示將作為圖5A所示的RFIC標(biāo)簽1H的又一變形的、 采用了平面形狀為3字形狀的平板形狀的金屬薄板10H的RFIC標(biāo)簽 1K，以不將狹縫部10a和金屬部件2重疊的方式安裝在金屬部件2上 的狀態(tài)的圖。
通過(guò)將RFIC標(biāo)簽1K像這樣以使狹縫部10a從金屬部件2的邊 緣突出的方式安裝，即便將金屬部件2彼此重疊，也由于IC芯片5 被夾在金屬部件2之間，從而不會(huì)被金屬部件2強(qiáng)烈地?cái)D壓，因此可 以防止IC芯片5破損。
圖6B l艮示將RFIC標(biāo)簽1K安裝在印制電路板等電路基板4 上的狀態(tài)的圖。在圖6B中，是如下的狀態(tài)，即，當(dāng)在與電路基板4 的緣部相比在更深處的位置上，例如，配置設(shè)為接地的、比RFIC標(biāo) 簽1K大得多的配線圖案區(qū)域(金屬物)4a，在其周?chē)渲秒娐穲D案 區(qū)域4b的情況下，將RFIC標(biāo)簽1K以狹縫部10a不和配線圖案區(qū)域 4a重疊的方式安裝在電路基板4上。
這樣，通過(guò)將較小的RFIC標(biāo)簽1K連接在形成在電路基板4上 的較大的配線圖案4a上，RFIC標(biāo)簽1K可以得到足夠的通信距離。
圖6C是展示將RFIC標(biāo)簽1D應(yīng)用于電路基板4的狀態(tài)的圖。 在圖6C中是如下的狀態(tài)，即，以狹縫部10a從配線圖案區(qū)域4a懸浮 的狀態(tài)，將RFIC標(biāo)簽1D安裝在比電路基板4的緣部更深的位置的 配線圖案區(qū)域4a上。在這種將RFIC標(biāo)簽1D安裝到電路基板4上的 方法中，與圖6B的情況相比，狹縫部10a的位置也可以位于配線圖 案區(qū)域4a，因此可以很容易地將RFIC標(biāo)簽1D安裝到電路基板4上。
在到目前為止的第1實(shí)施方式以及所述各變形例中，設(shè)為將IC 芯片5裝配在金屬薄板上的RFIC標(biāo)簽，但在以下說(shuō)明的變形例中， 是在金屬薄膜上裝配IC芯片5,構(gòu)成RFIC標(biāo)簽的例子。在此，以將 IC芯片5裝配在液晶面板的封入液晶層的玻璃基板中的設(shè)置有共通電 極(金屬物)的玻璃基板上而構(gòu)成RFIC，并將共通電極作為其天線 的構(gòu)成為例進(jìn)行說(shuō)明。
圖7A是封入液晶的上部以及下部玻璃基板的剖面圖，圖7B是 將設(shè)在上部玻璃基板上的共通電極作為天線的RFIC標(biāo)簽的概要圖， 圖7C是設(shè)在圖7B的A部的凹部的ITO (氧化銦錫)膜形成之前的 放大立體圖，圖7D是在凹部?jī)?nèi)形成ITO膜之后的立體圖。
如圖7A所示，在上部玻璃基板31和下部玻璃基板33之間設(shè)置間隙，用密封材料35將四周?chē)。陂g隙內(nèi)注入液晶，制成液晶層 37。在上部玻璃基板31的內(nèi)面?zhèn)壬项A(yù)先形成共通電極(金屬物)32。 另外，在下部玻璃基板33的內(nèi)面?zhèn)壬项A(yù)先形成TFT (薄膜晶體管) 34和像素電極36。
共通電極32是較大圖案的ITO的透明電極，大多通過(guò)濺射形成 在上部玻璃基板31上。
在圖7A~圖7D所示的本變形例中，如圖7B所示，在形成共通 電極32時(shí)，同時(shí)通過(guò)濺射在上部玻璃基板31上也形成RFIC標(biāo)簽1L 的金屬薄膜(導(dǎo)電性的薄膜)IOL。
金屬薄膜10L具有縱向的兩端彎曲成L字形并與共通電極32連 接的連接部10c，和具有中央部的L字形狀的切口的狹縫6A的狹縫 部10a。狹縫部10a的長(zhǎng)度，例如，最小是7mm，最好設(shè)為20mm。 并且以使作為向IC芯片5的天線供電用的端子的圖未示的信號(hào)輸入 輸出電極5a、 5b跨越狹縫6A的方式，例如通過(guò)超聲波接合將IC芯 片5電連接并裝配在金屬薄膜10L上。
裝配IC芯片5的上部玻璃基板31的部分，如將圖7B的A部放 大的圖7C所示(是IC芯片5被除去的狀態(tài))，設(shè)置矩形的凹部27， 進(jìn)而，設(shè)置從凹部27的底部27c到上部玻璃基板31的表面部分相連 的平面形狀為L(zhǎng)字形的槽28。底部27c的矩形的尺寸是與IC芯片5 大致相同的尺寸，其距離上部玻璃基板31的平滑的表面部分的深度， 設(shè)為可以容納IC芯片5的厚度的深度。
相當(dāng)于金屬薄膜10L的縱向的凹部27的側(cè)壁是傾斜面27a,進(jìn) 而，相當(dāng)于金屬薄膜10L的寬度方向的凹部27的側(cè)壁， 一方是垂直 面27b，另一方是傾斜面27a。構(gòu)成設(shè)在底部27c上的L字形的較短 的部分的槽28的端部碰上垂直面27b而封閉。槽28的側(cè)壁由垂直面
構(gòu)成o
這樣的凹部27以及槽28，在制造上部玻璃基板31時(shí)，例如用模 具形成，
在形成凹部27以及槽28之后，如圖7C中用箭頭所示那樣，通
過(guò)ITO的濺射形成共通電極32,同時(shí)形成金屬薄膜10L。圖7D展示 了形成了金屬薄膜10L之后的狀態(tài)，由于在金屬薄膜10L的形成時(shí)， 在槽28的側(cè)壁以及凹部27的垂直面27b上，沒(méi)有通過(guò)各向異性淀積 形成ITO的金屬薄膜IOL，因此便由槽28的側(cè)壁以及凹部27的垂直 面27b形成狹縫6A。
通過(guò)像這樣形成凹部27，并在此裝配IC芯片5， IC芯片5的上 面納入凹部27的深度內(nèi)，上部玻璃基板31的表面可以成為沒(méi)有突出 部分的平滑的表面。
根據(jù)圖7A 7D所示的本變形例，由于RFIC標(biāo)簽1L經(jīng)由連接 部10c電連接的較大圖案的共通電極32用作IC芯片5的天線，因此 RFIC標(biāo)簽1L的狹縫部10a的縱向的長(zhǎng)度，只要是通信波長(zhǎng)X的1/4 以下的長(zhǎng)度就足夠，最小是約7mm,即便為了延長(zhǎng)通信距離而優(yōu)選設(shè) 為約20mm，也是波長(zhǎng)X的1/4以下的長(zhǎng)度，可以用小型的RFIC標(biāo) 簽1L進(jìn)行通信。即，根據(jù)本實(shí)施方式，由于可以使作為ITO的透明 電極的共通電極32作為IC芯片5的天線起作用，因此即便裝配了包 括阻抗匹配電路的IC芯片5的金屬薄膜10L的長(zhǎng)度小于IC芯片5的 通信波長(zhǎng)人的1/2，也可以將裝配了 IC芯片5的金屬薄膜10L作為 RFIC標(biāo)簽進(jìn)行通信。
再者，圖7B的狹縫6A是通過(guò)在上部玻璃基板31上形成槽28 和垂直面27b的方式利用ITO的濺射形成的，但也可以也可以用光制 抗蝕劑的掩蔽形成狹縫6A。 《笫2實(shí)施方式》
其次，參照?qǐng)D8A和圖8B說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的設(shè)為小 型嵌入方式的RFIC標(biāo)簽。圖8A是展示將本實(shí)施方式的小型嵌入物 安裝在金屬部件(金屬物)上的狀態(tài)的立體圖，圖8B是圖8A的X2 -X2向視剖面圖。對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)成標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)， 并省略重復(fù)的說(shuō)明.
本實(shí)施方式中所說(shuō)的小型嵌入物，是具有IC芯片和能夠形成IC 芯片的阻抗匹配用的電路的長(zhǎng)度以及寬度的小型天線，并將其固定在
成為基底的薄膜等之上的部件。
如圖8A所示，小型嵌入物3A是如下的部件，即，將由A1等電 導(dǎo)體的金屬薄膜構(gòu)成的直線形狀的小型天線IIA，通過(guò)成膜、印刷等 形成在例如由作為絕緣體的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯(PP) 等構(gòu)成的基膜13的表面上，將IC芯片5裝配在小型天線11A的縱向 的和設(shè)在兩端部的連接部lib的中間部的、形成L字形狀的狹縫6A 而設(shè)置阻抗匹配用的電路的部分(以下，稱(chēng)為狹縫部)lla上。這時(shí)， IC芯片5的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b (參照?qǐng)D8B )跨越狹縫6A地 通過(guò)超聲波接合、共晶接合、經(jīng)由各向異性導(dǎo)電膜等與小型天線11A 電連接。
小型天線IIA如果長(zhǎng)度(L2 + L1 + L2)約為30mm，當(dāng)將收發(fā) 信所采用的2.45GHz的電波的波長(zhǎng)設(shè)為X時(shí)，是波長(zhǎng)l的1/4以下的 長(zhǎng)度。這種構(gòu)成的小型嵌入物3A，如圖8A所示，進(jìn)而，具有用圖未 示的粘接劑粘貼在狹縫部lla的下面?zhèn)?安裝面?zhèn)?的由絕緣材料構(gòu) 成的襯墊部件21，并用涂敷在小型嵌入物3A的背面的粘接劑15粘貼 在金屬部件2的表面上。這時(shí)，小型天線llA的兩方的連接部llb經(jīng) 由基膜13以及粘接劑15和金屬部件2通過(guò)靜電電容耦合的方式連接。 在本實(shí)施方式中，作為"小型天線的規(guī)定的端部"，小型天線11A的兩 方的規(guī)定的長(zhǎng)度L2的連接部11b，和金屬部件2通過(guò)靜電電容耦合的 方式連接。
如圖8A所示，狹縫部lla具有在縱向的大致中央部分，在從側(cè) 面?zhèn)鹊酱笾乱话雽挾鹊奈恢蒙霞由锨锌?，進(jìn)而，沿著縱向彎曲成直角， 從而作為整體，平面形狀為L(zhǎng)字形狀的切口的狹縫6A。
在此，小型天線11A的厚度例如是20jim，基膜13的厚度例如 是20nm，襯墊部件21的厚度例如是80nm以上。
另外，狹縫部lla的縱向的長(zhǎng)度L1，設(shè)為在所述L字形狀的狹 縫6A的縱向的長(zhǎng)度，例如約為3.5mm的縱向的兩側(cè)保持IC芯片5 的寬度等余地的7mm以上的長(zhǎng)度。連接部lib的長(zhǎng)度L2例如設(shè)為約 5mm。這樣，整體的長(zhǎng)度L2 + L1 + L2可以設(shè)為約17mm (換算成波
長(zhǎng)X的單位，是X/7以下)。在此，我們從實(shí)驗(yàn)了解到，如果將長(zhǎng)度 Ll設(shè)為約20mm，從而將整體的長(zhǎng)度L2 + Ll + L2設(shè)為約30mm，則 通信距離變得較長(zhǎng)。
另外，我們確認(rèn)了如果狹縫部lla的下面和金屬部件2的表面的 間隔tl是100jim以上，就可以進(jìn)行通信。該間隔tl越大，通信距離 就越增大。
另外，我們還確認(rèn)了在連接部11b與金屬部件2通過(guò)靜電電容耦 合的方式連接的情況下，如果連接部lib的下面和金屬部件2的表面 的間隔t2滿(mǎn)足0〈t2〈300fim，就可以進(jìn)行通信。該間隔t2越大，就 必須越增大連接部llb的面積。即，必須增大連接部lib的縱向的長(zhǎng) 度L2。
另外，所述例示的數(shù)值是IC芯片5的縱向的寬度約為0.5mm, IC芯片5的通信頻率是2.45GHz的情況。狹縫6A的長(zhǎng)度(約3.5mm )， 即，狹縫部lla的長(zhǎng)度是由阻抗匹配的程度適當(dāng)設(shè)定的。
再者，由于我們了解到連接部lib和金屬部件2的表面的間隔t2 到300jim為止，在靜電電容耦合上都沒(méi)有問(wèn)題，因此也可以將基膜 13和粘接劑15這兩方的合計(jì)厚度(間隔t2)設(shè)為300jim以下，并且 不是如圖8A所示那樣積極地將襯墊部件21配置在狹縫部lla的下面， 而是粘貼在金屬部件2上。由此，狹縫部11a的下面和金屬部件2的 表面的間隔tl可以確保在100nm以上，因此確認(rèn)了可以進(jìn)行通信。
通過(guò)將IC芯片5的信號(hào)輸入輸出電極5a、 5b,與位于跨越狹縫 6A的兩側(cè)的狹縫部lla的金屬薄膜電連接，便將因狹縫6A的形成而 出現(xiàn)的短截線6a的部分，串聯(lián)地連接在成為天線的狹縫部lla以及金 屬部件2，和IC芯片5之間，短截線6a的部分作為串聯(lián)地連接的電 感成分工作。通過(guò)該電感成分，可以將IC芯片5內(nèi)的電容成分抵消， 取得天線和IC芯片5的阻抗匹配。
即，IC芯片5可以將足夠面積的金屬部件2作為天線，同時(shí)可 以使1C芯片5的阻抗和由狹縫部lla以及金屬部件2形成的天線的 阻抗匹配。將這種包括狹縫6A的狹縫部lla稱(chēng)為阻抗匹配電路。
再者，阻抗匹配由由狹縫6A的到L字的拐角為止的各長(zhǎng)度決定 的短截線6a的電感成分決定。
根據(jù)本實(shí)施例，由于作為小型嵌入物3A的安裝部件的金屬部件 2用作小型嵌入物3A的天線，因此小型天線11A的狹縫部lla的縱 向的長(zhǎng)度，只要是通信波長(zhǎng)l的1/4以下的長(zhǎng)度就足夠，即便是全長(zhǎng) (L2 + L1 + L2)也是最小的約17mm，即便為了延長(zhǎng)通信距離而優(yōu)選 設(shè)為30mm，也是波長(zhǎng)X的1/4以下的長(zhǎng)度，可以用小型嵌入物3A進(jìn) 行通信。即，根據(jù)本實(shí)施方式，由于可以將金屬物的表面用作IC芯 片5的天線，因此即便裝配了包括阻抗匹配電路的IC芯片5的小型 嵌入物3A的長(zhǎng)度小于IC芯片5的通信波長(zhǎng)的1/2，也可以將裝配 了 IC芯片5的金屬薄板作為RFIC標(biāo)簽進(jìn)行通信。
另外，由于只要將狹縫部1 la的下面和金屬部件2的間隙確保在 100nm以上并使其作為阻抗匹配電路起作用即可，因此從金屬部件2 的表面突出的突出物較小，小型嵌入物3A很難被刮到。
再者，作為應(yīng)用于本實(shí)施方式的小型嵌入物3A的金屬部件2， 是鋁(Al)、碳鋼、不銹鋼、銅(Cu)等導(dǎo)電性金屬。即，與磁性體、 非磁性體的差異無(wú)關(guān)，都可以應(yīng)用不銹鋼。
如果在將標(biāo)簽粘貼到標(biāo)簽用紙的粘接劑涂布面?zhèn)壬蠒r(shí)，同時(shí)粘貼 這樣的小型嵌入物3A，就可以將該標(biāo)簽用于鋼材等履歷管理用。特別 是原子力用或船舶用的鋼材，品質(zhì)管理很重要，在裁斷購(gòu)入時(shí)的定尺 寸的鋼管或鋼板而剩下的端材上沒(méi)有附帶原料出廠時(shí)的品質(zhì)證明的標(biāo) 志的情況有很多。這時(shí)，只要在裁斷之前粘貼帶有小型嵌入物3A的 標(biāo)簽，在IC芯片5上記錄品質(zhì)證明的內(nèi)容，則在利用端材時(shí)的品質(zhì) 檢測(cè)時(shí)，只要將讀取/記錄裝置舉到標(biāo)簽上就可以很容易地判別。
《笫2實(shí)施方式的第1變形例》
其次，參照?qǐng)D9A、 9B說(shuō)明第2實(shí)施方式的笫1變形例。對(duì)于與 第2實(shí)施方式相同的構(gòu)成標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。
在第2實(shí)施方式中，是將小型嵌入物3A安裝在金屬部件2的表 面上，本變形例是將小型嵌入物3A埋入形成在金屬物上的凹部?jī)?nèi)來(lái)
使用的方法。
圖9A是說(shuō)明在螺栓的頭上設(shè)置凹部而安裝小型嵌入物的使用方 法的圖，是螺栓的頭的平面圖。圖9B是圖9A的X3-X3向視縱剖面 圖。只是，在圖9A中，為了便于理解圖而用填充密封材料17之前的 狀態(tài)來(lái)展示。
在本變形例中，在導(dǎo)電性金屬，例如，碳鋼或不銹鋼等的螺栓(金 屬物)7的頭上設(shè)置大致圓筒形的凹部25，進(jìn)而，在凹部25的周壁上 以向徑向外側(cè)突出的方式在相對(duì)的位置上形成肩部26，用導(dǎo)電性粘接 劑16將小型嵌入物3A的連接部固定在該肩部26上。然后，在凹部 25內(nèi)填充密封材料17，使螺栓7的頭變得平坦。
密封材料7是絕緣性的材料，可以應(yīng)用環(huán)氧樹(shù)脂、低溫玻璃(密 封)等，
在像這樣將小型嵌入物3A安裝在金屬物的凹部25內(nèi)使用的情況 下，為了避免凹部25的周壁的影響，不只要確?？p隙部的下側(cè)的與凹 部25的底面的間隔，還必須如圖9A所示那樣在狹縫部的側(cè)方的周?chē)?也確保間隔。通過(guò)設(shè)為這樣的構(gòu)成，便與將小型嵌入物3A安裝在平 坦的金屬物的表面上的狀態(tài)相同。
再者，使小型嵌入物3A位于離螺栓7的頭的表面較淺的位置上， 通信距離就變得更長(zhǎng)。
圖9C是應(yīng)用于直徑小于圖9A所示的螺栓的螺栓時(shí)的螺栓的頭 的平面圖。必須以狹縫部與凹部25的徑向中央對(duì)應(yīng)的方式配置小型嵌 入物3A。
通過(guò)像這樣在螺栓7上將小型嵌入物3A配置在凹部25內(nèi)并填充 密封材料17而埋入使用，可以使螺栓7作為天線起作用，并可以與裝 配在埋入的小型嵌入物3A上的IC芯片5進(jìn)行通信。另外，由于小型 嵌入物3A被埋入內(nèi)部，因此可以防止破損。并且，埋入小型嵌入物 3A的螺栓7，可以將安裝螺栓7的物品的品質(zhì)管理數(shù)據(jù)等存儲(chǔ)在IC 芯片5內(nèi)進(jìn)行管理.另夕卜，可以將螺栓7本身用作螺旋固定式的RFIC
標(biāo)簽0
《第2實(shí)施方式的第2變形例》
其次，參照?qǐng)DIO說(shuō)明第2實(shí)施方式的第2變形例。對(duì)于與第1 變形例相同的構(gòu)成標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。
圖10A是說(shuō)明在硬幣上設(shè)置凹部安裝小型嵌入物的使用方法的 圖，是硬幣的立體圖。圖10B是圖10A的X4-X4向視縱剖面圖。只 是，在圖10A中，為了便于理解圖而用填充密封材料17之前的狀態(tài) 展示。
在本變形例中，在由導(dǎo)電性金屬，例如，黃銅、白銅、鋁合金等 形成的硬幣(金屬物)8的1面?zhèn)仍O(shè)置開(kāi)口的大致圓筒形的凹部25， 進(jìn)而，以向徑向外側(cè)突出的方式在相對(duì)的位置上形成肩部26，用導(dǎo)電 性粘接劑16將小型嵌入物3A的連接部固定在該肩部26上。然后， 在凹部25內(nèi)填充密封材料17，使硬幣8的所述l面?zhèn)绕教埂?br> 通過(guò)像這樣將小型嵌入物3A埋入硬幣8使用，可以使硬幣8作 為天線起作用，并可以與裝配在埋入的小型嵌入物3A上的IC芯片5 進(jìn)行通信。另外，由于小型嵌入物3A被埋入內(nèi)部，因此可以防止破 損。并且，可以將埋入了小型嵌入物3A的硬幣8本身用作例如游樂(lè) 場(chǎng)的硬幣。當(dāng)在使用硬幣8游玩的游樂(lè)場(chǎng)入口，將交付給游客的硬幣 8插入各游戲機(jī)時(shí)，當(dāng)在游戲機(jī)側(cè)與IC芯片5進(jìn)行通信，然后進(jìn)行數(shù) 據(jù)的讀出寫(xiě)入時(shí)，可以將游客的點(diǎn)數(shù)的增減更新并存儲(chǔ)在IC芯片5 內(nèi)，游客便沒(méi)必要拿著多枚硬幣在游樂(lè)場(chǎng)用于玩耍。另外，還可以用 于游客在哪個(gè)游戲機(jī)上游玩等傾向分析等。
再者，在所述第2實(shí)施方式的第1以及第2變形例中，雖然是用 導(dǎo)電性粘接劑16安裝小型嵌入物3A的，但由于是經(jīng)由圖未示的基膜 通過(guò)靜電電容耦合的方式實(shí)現(xiàn)的連接，因此也可以用絕緣性的粘接劑 安裝。
另外，在所述第2實(shí)施方式的第1以及笫2變形例中，說(shuō)明了利 用小型嵌入物3A的情況，但也可以將第1實(shí)施方式的RFIC標(biāo)簽1A 的金屬薄板10A延伸成平板，并將其連接部用焊錫等焊接安裝在凹部 25的肩部26上。
除此之外，也可以在螺栓或硬幣8上形成凹部25之后，從凹部 25的底部到肩部26的上面的高度為止注入密封材料17，將其上面抹 平，并在此例如用噴墨方式印刷金屬薄膜(導(dǎo)電性的薄膜)，在狹縫 部和肩部26上形成重疊的連接部，之后將IC芯片5裝配在狹縫部上， 從而構(gòu)成RFIC標(biāo)簽。最后將密封材料17填充到凹部25的上端為止， 從而使螺栓7或硬幣8的上端面平滑。
進(jìn)而，在所述第1實(shí)施方式以及其變形例、所述第2實(shí)施方式以 及其變形例中，形成阻抗匹配用的電路的狹縫設(shè)為L(zhǎng)字形狀，但不限 于此，也可以是如圖IIA所示的T字形狀的狹縫6B。
圖IIA是為了便于理解而除去了 IC芯片5的狀態(tài)的小型嵌入物 3B的平面圖，圖11B是將小型嵌入物3B安裝在金屬部件上時(shí)的等效 電路圖。
權(quán)利要求
1.一種RFIC標(biāo)簽，在導(dǎo)電性的薄板或薄膜上裝配了利用無(wú)線電波工作的IC芯片，其特征在于通過(guò)將所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜安裝成設(shè)置在其兩端部側(cè)的連接部與金屬物電連接或以形成靜電電容的方式連接，使所述金屬物構(gòu)成所述IC芯片的天線；所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜，在中間部具備用于使所述天線的阻抗和所述IC芯片的阻抗匹配的阻抗匹配用的電路；安裝成至少使所述阻抗匹配用的電路部分從所述金屬物離開(kāi)規(guī)定的間隔。
2. 如權(quán)利要求1所述的RFIC標(biāo)簽，其中，所述阻抗匹配用的 電路，是設(shè)置在所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜的中間部的L字形狀或T字 形狀的狹縫。
3. 如權(quán)利要求2所述的RFIC標(biāo)簽，其中，所述IC芯片的與所 述天線電連接的端子跨越所述狹縫而與所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜連 接。
4. 如權(quán)利要求2所述的RFIC標(biāo)簽，其中，隔著襯墊部件安裝 了所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜，從而至少使所述狹縫部分從所述金屬物 的表面離開(kāi)規(guī)定的間隔。
5. 如權(quán)利要求1所述的RFIC標(biāo)簽，其特征在于，當(dāng)把要發(fā)射 或接收的電波的波長(zhǎng)設(shè)為X時(shí)，所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜的、從所述于)J2。
6. —種RFIC標(biāo)簽，在導(dǎo)電性的薄板或薄膜上裝配了利用無(wú)線 電波工作的IC芯片，其特征在于所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜，在其兩端部具備與金屬物電連接或以 形成靜電電容的方式連接的連接部，在中間部具備裝配所述IC芯片 時(shí)的阻抗匹配用的電路，并被構(gòu)成為小于所述無(wú)線電波的波長(zhǎng)X的1/2 的長(zhǎng)度；且構(gòu)成為，當(dāng)將所述兩端部經(jīng)由所述連接部安裝到所述金屬物上 時(shí)，使所述中間部位于從所述金屬物離開(kāi)規(guī)定的間隔的位置.
7. 如權(quán)利要求1所述的RFIC標(biāo)簽，其中，所述導(dǎo)電性的薄板是導(dǎo)電性的金屬薄板、在表面上形成了導(dǎo)電性金屬膜的薄板、或由導(dǎo) 電性樹(shù)脂構(gòu)成的薄板。
8. —種RFIC標(biāo)簽的使用方法，是在具有阻抗匹配用的電路的 導(dǎo)電性的薄板或薄膜上裝配了利用無(wú)線電波工作的IC芯片的RFIC標(biāo) 簽的使用方法，其特征在于通過(guò)安裝成使設(shè)置在所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜的兩端部側(cè)的連 接部與金屬物電連接或以形成靜電電容的方式連接，使所述金屬物構(gòu) 成所述IC芯片的天線；將所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜安裝成至少使所述阻抗匹配用的電 路部分從所述金屬物離開(kāi)規(guī)定的間隔。
9. 一種RFIC標(biāo)簽的使用方法，是包括利用無(wú)線電波工作的IC 芯片和具有阻抗匹配用的電路的小型天線而構(gòu)成的小型嵌入方式的 RFIC標(biāo)簽的^^用方法，其特征在于通過(guò)將設(shè)置在所述小型天線的規(guī)定的端部的連接部與金屬物電 連接或者以靜電電容耦合的方式連接，使所述金屬物構(gòu)成所述IC芯 片的天線；將所述小型天線安裝成至少使所述阻抗匹配用的電路部分從所 述金屬物離開(kāi)規(guī)定的間隔。
10. —種RFIC標(biāo)簽，是用于權(quán)利要求9的使用方法的所述小型 嵌入方式的RFIC標(biāo)簽，其特征在于當(dāng)把要發(fā)射或接收的電波的波長(zhǎng)設(shè)為X時(shí)，所述小型天線的長(zhǎng)度 小于X/2。
11. 如權(quán)利要求10所述的RFIC標(biāo)簽，其特征在于 所述小型天線通過(guò)在基膜上形成具有所述阻抗匹配用的電路的金屬薄膜而構(gòu)成；在與所述阻抗匹配用的電路部分相對(duì)應(yīng)的所述基膜的安裝面?zhèn)龋?粘貼規(guī)定的厚度的村墊部件.
12. 如權(quán)利要求11所述的RFIC標(biāo)簽，其中，所述阻抗匹配用 的電路是設(shè)置在所述金屬薄膜上的L字形狀或T字形狀的狹縫。
13. —種RFIC標(biāo)簽的使用方法，是在具有阻抗匹配用的電路的 導(dǎo)電性的薄板或薄膜上裝配了利用無(wú)線電波工作的IC芯片的RFIC標(biāo) 簽的使用方法，其特征在于在金屬物上設(shè)有凹部，并在該凹部上形成肩部； 通過(guò)安裝成使設(shè)置在所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜的兩端部側(cè)的連接部與所述肩部電連接或以形成靜電電容的方式連接，使所述金屬物構(gòu)成所述IC芯片的天線；將所述導(dǎo)電性的薄板或薄膜安裝成至少使所述阻抗匹配用的電路部分從所述凹部的周壁以及底面離開(kāi)規(guī)定的間隔。
14. 一種RFIC標(biāo)簽的使用方法，是包括利用無(wú)線電波工作的IC 芯片和具有阻抗匹配用的電路的小型天線而構(gòu)成的小型嵌入方式的 RFIC標(biāo)簽的使用方法，其特征在于在金屬物上設(shè)置凹部，并在該凹部上形成肩部； 通過(guò)將所述小型天線的規(guī)定的端部與該肩部電連接或以靜電電容耦合的方式連接，使所述金屬物構(gòu)成所述IC芯片的天線；將所述小型天線安裝成至少使所述阻抗匹配用的電路部分從所述凹部的周壁以及底面離開(kāi)規(guī)定的間隔。
全文摘要
RFIC標(biāo)簽(1A)由IC芯片(5)和金屬薄板(10A)構(gòu)成。IC芯片(5)裝配在金屬薄板(10A)的狹縫部(10a)的大致中央。金屬薄板(10A)的縱向的兩端部的連接部(10c)通過(guò)焊接貼粘合在金屬部件(2)上，其具有L字形狀的狹縫(6A)的狹縫部(10a)的下面從金屬部件(2)的表面被抬起規(guī)定高度(h)。整體的長(zhǎng)度(L2+L1+L2)是通信波長(zhǎng)λ的1/4以下的長(zhǎng)度。
文檔編號(hào)G06K19/077GK101178783SQ200710106700
公開(kāi)日2008年5月14日 申請(qǐng)日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月10日
發(fā)明者坂間功, 蘆澤實(shí) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所