專利名稱：時鐘生成電路及具備該時鐘生成電路的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及時鐘生成電路。特別涉及在時鐘生成電路中，在一定的期間內(nèi)生成 任意波數(shù)的時鐘信號的時鐘生成電路及具備該時鐘生成電路的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近年來，在企業(yè)、市場等中正在研究并試驗地開始引入RFID(射頻識別)標簽 (也被稱為ID標簽、IC標簽、IC芯片、RF標簽、無線標簽、無線芯片、電子標簽) 等的能夠無線地發(fā)送/接收信號的半導(dǎo)體器件(例如參照專利文獻1)。該半導(dǎo)體器件根據(jù)從讀寫器接收的信號進行工作，具體來說，從設(shè)置在讀寫器 中的發(fā)送電路輸出的信號輸入到設(shè)置在RFID標簽等的半導(dǎo)體器件中的接收電路 中。一般來說，當在設(shè)置在外部的讀寫器等中的發(fā)送電路和設(shè)置在RFID標簽等中 的接收電路之間發(fā)送/接收信號的情況下，對每個電路使用不同的時鐘信號來發(fā)送/ 接收信號。[專利文獻1]特開2006-196001號公報然而，在發(fā)送電路和接收電路之間或多個電路之間使用不同的時鐘信號的情況 下，在各個電路中輸出的數(shù)據(jù)與各個電路的時鐘信號同步。這時發(fā)生如下問題，即 當在發(fā)送電路和接收電路之間發(fā)送/接收信號的情況下，從發(fā)送電路輸入到接收電 路中的數(shù)據(jù)信號(也被稱為接收信號)與接收數(shù)據(jù)的接收電路的基準時鐘信號的變 化點不同。因此，發(fā)生如下問題，即在接收信號的下降與接收電路的基準時鐘信號 的上升同步的情況下，在到下一個接收信號降低的期間內(nèi)，接收電路工作用的基準 時鐘信號的占空比變得多，從而信號的設(shè)定時間、保持時間不一定。此外，在本說明書中，將信號從低電位變成高電位的情況稱為升高。另外，將 信號從高電位變成低電位的情況稱為降低。
對于上述課題，下面將參照附圖來說明。圖5是在相對于接收電路工作用的基 準時鐘信號從發(fā)送電路輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)信號偏離時的時序圖。在圖5中示 出在接收電路工作用基準時鐘信號的占空比變得多，而數(shù)據(jù)的設(shè)定時間或保持時間 不一定時的時序圖。圖5所示的時序圖，示出從發(fā)送電路輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)信號501、接收電路基準時鐘信號502、基準時鐘計數(shù)信號503、接收電路工作用基準時鐘信號504、 基準時鐘信號的期間505、基準時鐘信號的期間506。對于圖5所示的時序圖進行說明?；鶞蕰r鐘計數(shù)信號根據(jù)從發(fā)送電路輸入到接 收電路中的數(shù)據(jù)信號501的降低時序來對接收電路基準時鐘信號502的波數(shù)進行計 數(shù)。對接收電路基準時鐘信號502的波數(shù)進行計數(shù)的值成為基準時鐘計數(shù)信號503 的計數(shù)值。輸出根據(jù)基準時鐘計數(shù)信號503的計數(shù)值來分頻的信號作為接收電路工 作用基準時鐘信號504。這時，由于從發(fā)送電路輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)信號501 與接收電路基準時鐘信號502沒有同步，因此基準時鐘計數(shù)信號503不會在固定的 值上被復(fù)位。從而，在接收電路工作用基準時鐘信號504的周期中產(chǎn)生了通常的期 間506和周期短的期間505。此外，在圖5的時序圖中示出，當基準時鐘計數(shù)信號的値從奇數(shù)轉(zhuǎn)換為偶數(shù)時，使信號反相來生成接收時鐘工作用基準時鐘信號的情況。己存在有如下課題當發(fā)生在圖5所示的時序圖中的短的期間505的狀態(tài)時， 由接收電路工作用基準時鐘信號504同步工作的電路，因通常的期間506和短的期 間505的產(chǎn)生而使設(shè)定時間及保持時間不一定，從而成為引起電路的錯誤工作的原 因。發(fā)內(nèi)容鑒于上述問題，本發(fā)明提供一種時鐘生成電路及具備該時鐘生成電路的半導(dǎo)體 器件，其中，即使在接收電路和發(fā)送電路等的多個電路之間使用不同的時鐘信號， 也通過信號的設(shè)定時間、保持時間具有從容地設(shè)計電路，能夠進行穩(wěn)定的通信，而 不使接收電路工作用的基準時鐘信號的占空比變得多。為了實現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明中采用如下結(jié)構(gòu)，即檢測出從發(fā)送電路輸入到接 收電路中的數(shù)據(jù)信號的邊緣，并在邊緣之間產(chǎn)生規(guī)定的個數(shù)的時鐘。
本發(fā)明的時鐘生成電路之一采用如下結(jié)構(gòu)包括邊緣檢測電路、基準時鐘生成 電路、基準時鐘計數(shù)電路、以及分頻電路，其中，所述基準時鐘計數(shù)電路在將信號 從外部輸入到邊緣檢測電路中，從檢測出該信號的邊緣到檢測出下一個邊緣的期間 內(nèi)，將對從基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值 輸出到分頻電路中，并且所述分頻電路進行根據(jù)計數(shù)值的基準時鐘信號的分頻。此外，本發(fā)明的時鐘生成電路的另一采用如下結(jié)構(gòu)包括邊緣檢測電路、基準 時鐘生成電路、基準時鐘計數(shù)電路、以及分頻電路，其中，所述邊緣檢測電路檢測 出從外部輸入的信號的邊緣，所述基準時鐘計數(shù)電路在從邊緣檢測電路檢測出邊緣 到檢測出下一個邊緣的期間內(nèi)，將對從基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波 數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值輸出到分頻電路中，并且所述分頻電路進行根據(jù)計數(shù)值 的基準時鐘信號的分頻。此外，本發(fā)明的時鐘生成電路的另一采用如下結(jié)構(gòu)包括邊緣檢測電路、基準 時鐘生成電路、基準時鐘計數(shù)電路、以及分頻電路，其中，所述邊緣檢測電路包括 第一鎖存電路、從第一鎖存電路輸出的信號輸入的第二鎖存電路、從第一鎖存電路 輸出的信號輸入的反相器電路、從第二鎖存電路輸出的信號及從反相器電路輸出的信號輸入的AND電路，所述AND電路在從第二鎖存電路輸出的信號和從反相器電路輸出的信號不同的情況下，輸出復(fù)位信號，所述基準時鐘計數(shù)電路使用復(fù)位信號來 復(fù)位對從基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值， 且將計數(shù)值輸出到分頻電路中，并且所述分頻電路進行根據(jù)計數(shù)值的基準時鐘信號 的分頻。此外，在本發(fā)明的時鐘生成電路中也可以采用基準時鐘生成電路是環(huán)形振蕩器 或水晶振蕩器的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件之一是具備天線，且通過無線通信與讀寫器進行信號的發(fā)送/接收的半導(dǎo)體器件，采用如下結(jié)構(gòu)包括邊緣檢測電路、基準時鐘生成 電路、基準時鐘計數(shù)電路、以及分頻電路，其中，所述基準時鐘計數(shù)電路從讀寫器 通過天線將信號輸入到邊緣檢測電路中，且在從檢測出該信號的邊緣到檢測出下一 個邊緣的期間內(nèi)，將對從基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而 獲得的計數(shù)值輸出到分頻電路中，并且所述分頻電路進行根據(jù)計數(shù)值的基準時鐘信 號的分頻。
此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的另一是具備天線，通過無線通信與讀寫器進行信 號的發(fā)送/接收的半導(dǎo)體器件，采用如下結(jié)構(gòu)包括邊緣檢測電路、基準時鐘生成 電路、基準時鐘計數(shù)電路、以及分頻電路，其中，所述邊緣檢測電路檢測出通過天 線從讀寫器輸入的信號的邊緣，所述基準時鐘計數(shù)電路在從邊緣檢測電路檢測出邊 緣到檢測出下一個邊緣的期間內(nèi)，將對從基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的 波數(shù)而獲得的計數(shù)值輸出到分頻電路中，并且所述分頻電路進行根據(jù)計數(shù)值的基準 時鐘信號的分頻。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的另一是具備天線，通過無線通信與讀寫器進行信 號的發(fā)送/接收的半導(dǎo)體器件，釆用如下結(jié)構(gòu)包括邊緣檢測電路、基準時鐘生成 電路、基準時鐘計數(shù)電路、以及分頻電路，其中，邊緣檢測電路包括第一鎖存電路、 從第一鎖存電路輸出的信號輸入的第二鎖存電路、從第一鎖存電路輸出的信號輸入 的反相器電路、以及從第二鎖存電路輸出的信號及從反相器電路輸出的信號輸入的AND電路，所述AND電路在從第二鎖存電路輸出的信號和從反相器電路輸出的信號不同的情況下，輸出復(fù)位信號，所述基準時鐘計數(shù)電路使用復(fù)位信號來復(fù)位對從基 準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值，且將計數(shù)值 輸出到分頻電路中，并且所述分頻電路進行根據(jù)計數(shù)值的基準時鐘信號的分頻。此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中也可以采用基準時鐘生成電路是環(huán)形振蕩器或 水晶振蕩器的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，當在發(fā)送電路和接收電路之間或多個電路之間使用不同的時鐘且 在發(fā)送電路和接收電路之間發(fā)送/接收信號時，即使輸出從發(fā)送電路輸入到接收電 路中的數(shù)據(jù)信號的發(fā)送電路和接收數(shù)據(jù)信號的接收電路的時鐘不同，也不使接收電 路工作用基準時鐘信號的占空比變得多，從而可以信號的設(shè)定時間、保持時間具有 從容地設(shè)計電路。而且，可以減少如下不良，即因信號的設(shè)定時間、保持時間變得 多而引起電路的錯誤工作。就是說，可以提供當在接收電路和發(fā)送電路等的多個電 路之間使用不同的時鐘信號時也能夠進行穩(wěn)定的通信的時鐘生成電路。


圖1是表示本發(fā)明的時鐘生成電路的一個例子的圖；圖2是關(guān)于在本發(fā)明的時鐘生成電路中的工作的流程圖;
圖3是關(guān)于本發(fā)明的時鐘生成電路的時序圖；圖4是表示本發(fā)明的時鐘生成電路的一個例子的圖；圖5是關(guān)于現(xiàn)有的課題進行說明的圖；圖6A至6F是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的使用方式的一個例子的圖； 圖7是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個例子的圖； 圖8是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個例子的圖；圖9A至9D是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子的圖； 圖10A至10C是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子的圖； 圖IIA和11B是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子的圖； 圖12A至12C是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子的圖； 圖13A至13C是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子的圖； 圖14是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一-個例子的圖； 圖15A至15C是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子的圖； 圖16A至16C是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子的圖； 圖17A至17C是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子的圖； 圖18A和18B是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的一個例子的圖。
具體實施方式
下面，將參照

本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明不局限于下面的說明， 所屬領(lǐng)域的普通人員很容易地了解一個事實就是其方式和詳細內(nèi)容可以被變換為 各種各樣的形式，而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為 僅限定在下面示出的實施方式所記載的內(nèi)容中。此外，在下面將說明的本發(fā)明的結(jié) 構(gòu)中，在不同的附圖中有時使用共通的附圖標記來表示相同的部分。實施方式1在本實施方式中，對于本發(fā)明的時鐘生成電路的一個結(jié)構(gòu)例子，將參照附圖來 說明。本發(fā)明的具備時鐘生成電路的半導(dǎo)體器件，包括檢測出從發(fā)送電路輸入到接 收電路中的數(shù)據(jù)信號的邊緣的電路、產(chǎn)生接收電路用基準時鐘的電路、對接收電路 用基準時鐘的波數(shù)進行計數(shù)的電路、以及根據(jù)接收電路用基準時鐘的波數(shù)的計數(shù)值
來對接收電路用基準時鐘進行分頻的電路。本發(fā)明具有如下效果當在發(fā)送電路及接收電路之間使用互不相同的時鐘信號 時，即使當在發(fā)送電路及接收電路之間發(fā)送/接收信號時的時鐘信號不同，也不使 時鐘信號的占空比變得多，從而可以信號的設(shè)定時間、保持時間具有從容地設(shè)計電 路?？梢酝ㄟ^如下情況來實現(xiàn)該效果在接收電路一側(cè)的邊緣檢測裝置中，檢測出 從發(fā)送電路一側(cè)輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)信號的邊緣，在從該數(shù)據(jù)信號的邊緣到下 一次從發(fā)送電路一側(cè)輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)信號的邊緣的期間內(nèi)，使用計數(shù)接收 電路用基準時鐘信號的波數(shù)的電路進行計數(shù)，并且根據(jù)該計數(shù)的計數(shù)值，以在分頻 電路中對接收電路用基準時鐘信號進行分頻的信號為接收電路工作用的基準時鐘 信號。下面，將說明具體結(jié)構(gòu)等。在圖1中示出關(guān)于接收從發(fā)送電路110發(fā)送的數(shù)據(jù)信號的接收電路120、以及 對接收電路120中發(fā)送數(shù)據(jù)信號的發(fā)送電路110的方塊圖。圖1所示的接收電路120，包括邊緣檢測電路121、用于接收電路的基準時鐘生成電路122、用于接收電 路的基準時鐘計數(shù)電路123、用于接收電路的分頻電路124、以及接收電路工作用 基準時鐘生成電路125。此外，在圖1中的發(fā)送電路110包括發(fā)送電路用基準時鐘 生成電路lll、以及發(fā)送電路用數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生電路U2。在此，在圖1中，邊緣檢測電路121是檢測出接收的信號102的變化點(邊緣) 的電路。組合計數(shù)電路、鎖存電路、NOT電路、AND電路、0R電路、NAND電路、NOR 電路、EX0R電路、EX-N0R電路等的判定電路，來構(gòu)成邊緣檢測電路。圖4示出邊 緣檢測電路121的具體結(jié)構(gòu)。在圖4中，作為在圖1所示的方塊圖中的邊緣檢測電路121的具體結(jié)構(gòu)，示出 如下例子由第一存儲單元421、第二存儲單元422、產(chǎn)生第一存儲單元421的反 相信號的單元423、以及對從第二存儲單元422輸出的信號與第一存儲單元421的 反相信號進行比較的單元424構(gòu)成。在圖4中示出如下例子使用鎖存電路作為第一存儲單元421、第二存儲單元 422，使用NOT電路作為產(chǎn)生第-一存儲單元421的反相信號的單元423，使用AND 電路作為對從第二存儲單元422輸出的信號與第一存儲單元421的反相信號進行比 較的單元424?；鶞蕰r鐘生成電路122是在接收電路120中產(chǎn)生成為基準的時鐘信號的電路。 此外，基準時鐘計數(shù)電路123包括對從基準時鐘生成電路122產(chǎn)生的時鐘信號的波 數(shù)進行計數(shù)的單元。另外，基準時鐘計數(shù)電路123包括復(fù)位使用從邊緣檢測電路 121輸出的信號103來對從基準時鐘生成電路122輸出的時鐘信號104的波數(shù)進行 計數(shù)而獲得的計數(shù)值的單元。此外，分頻電路124是根據(jù)從基準時鐘計數(shù)電路123 產(chǎn)生的信號105進行分頻的電路。接收電路工作用基準時鐘生成電路125是輸出由 分頻電路進行分頻的信號106作為產(chǎn)生接收電路120的工作用基準時鐘信號的電 路。通過在接收電路用的時鐘生成電路之內(nèi)設(shè)置基準時鐘生成電路，可以獨立地使 用基準時鐘作為接收電路工作用的時鐘信號。因此，由該基準時鐘能夠使接收電路 的整體工作，從而可以容易進行接收電路的設(shè)計階段中的遲延時間的計算，且容易 進行電路的設(shè)計。此外，在圖1中示出包括基準時鐘生成電路111、以及數(shù)據(jù)信號発生電路112 的發(fā)送電路110。發(fā)送電路110用作產(chǎn)生輸入到作為本發(fā)明的時鐘生成電路的一個 例子示出于圖1的接收電路120中的信號102的電路?；鶞蕰r鐘生成電路111是在 發(fā)送電路110中產(chǎn)生時鐘信號的電路，而數(shù)據(jù)信號発生電路112是產(chǎn)生輸入到接收 電路120中的信號102的電路。就是說，接收電路120及發(fā)送電路IIO分別安裝有 產(chǎn)生時鐘信號的電路(在此，在接收電路120中的基準時鐘生成電路122、在發(fā)送 電路110中的基準時鐘生成電路111)。因此，接收電路120及發(fā)送電路110通常 產(chǎn)生不同的時鐘信號，沒有同步工作。此外，從在發(fā)送電路110中的基準時鐘生成電路111輸出的信號101是用作使 數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生電路112工作的時鐘信號，從數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生電路112輸出的信號102 輸入到接收電路120的電路中。另外，從發(fā)送電路110到接收電路120的信號102 的發(fā)送既可以釆用無線通信來進行，又可以采用有線通信來進行?？梢酝ㄟ^無線通 信進行從發(fā)送電路110到接收電路120的信號102的發(fā)送，省略由布線的連接。此外，在本發(fā)明中，邊緣是指信號的升高或降低的時序。另外，在本說明書中， 信號從低電位變成高電位的情況稱為升高，而信號從高電位變成低電位的情況稱為 降低。就是說，信號的邊緣之間是指從一個信號的降低到下一個降低、或者從一個 信號的升高到下一個升高。在接收電路120中，從邊緣檢測電路121輸出的信號103輸入到基準時鐘計數(shù)
電路123中。此外，從在接收電路120中的基準時鐘生成電路122輸出的信號107 輸入到邊緣檢測電路121中作為使該邊緣檢測電路121工作的時鐘信號。此外，在接收電路120中使用分頻電路124，但是當基準時鐘計數(shù)電路123的 頻率滿足于在接收電路120中的接收電路工作用基準時鐘生成電路125的頻率時， 有時輸出來自基準時鐘生成電路的基準時鐘信號，而不在分頻電路中進行分頻。接著，將參照圖2的流程圖來說明在本實施方式所示的時鐘生成電路中的電路 的工作的一個例子。圖2的流程圖說明如下情況在從發(fā)送電路IIO輸入到接收電 路120中的數(shù)據(jù)信號的降低邊緣之間產(chǎn)生N個(N為自然數(shù))時鐘信號，并且使用在 數(shù)據(jù)信號的降低邊緣之間的該N個時鐘信號作為接收電路工作用基準時鐘信號。首先，在接收電路120的基準時鐘生成電路122中產(chǎn)生基準時鐘信號(步驟 201)。在此，作為基準時鐘生成電路122，使用環(huán)形振蕩器來產(chǎn)生基準時鐘信號， 由基準時鐘計數(shù)電路123對基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)(步驟202)。此外，作為 基準時鐘生成電路122，除了環(huán)形振蕩器之外，還可以使用水晶振蕩器或來自外部 的輸入信號的單元。尤其，通過使用環(huán)形振蕩器，因能夠由薄膜晶體管形成基準時 鐘生成電路122而可以使基準時鐘生成電路122小型化。接著，判定由基準時鐘計數(shù)電路123對從基準時鐘生成電路122輸出的基準時 鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)的計數(shù)值是否等于某個值(N値)(步驟203)，在等于某個值 (N値)的情況(是)下，判定是否由邊緣檢測電路121檢測出從發(fā)送電路輸入到接收 電路中的數(shù)據(jù)信號的降低邊緣(步驟204)。另一方面，不等于某個值(N值)的情況 (否)下，使基準時鐘計數(shù)電路的計數(shù)值上升(步驟208)。而且，在邊緣檢測電路121 中，在檢測出從發(fā)送電路110輸入到接收電路120中的數(shù)據(jù)信號的降低邊緣的情況 (是)下，在基準時鐘計數(shù)電路123中，復(fù)位基準時鐘計數(shù)電路的計數(shù)值(步驟205)。 此外，在沒有檢測出從發(fā)送電路110輸入到接收電路120中的數(shù)據(jù)信號的降低邊緣 的情況(否)下，在基準時鐘計數(shù)電路123中，保持基準時鐘計數(shù)電路的計數(shù)值(步 驟209)。接著，由分頻電路124對接收電路用基準時鐘信號進行分頻，根據(jù)基準時鐘計 數(shù)電路的計數(shù)值來產(chǎn)生具有所希望的周期的時鐘信號(步驟206)。接著，根據(jù)在分頻電路中進行分頻的基準時鐘信號，接收電路工作用基準時鐘 生成電路產(chǎn)生接收電路工作用基準時鐘(步驟207)。
接著，將參照圖3來說明上述時鐘生成電路的時序圖。圖3所示的時序圖表示從發(fā)送電路110輸入到接收電路120中的數(shù)據(jù)信號301、 檢測出從發(fā)送電路輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)信號的邊緣并復(fù)位接收電路的基準時鐘計數(shù)電路的計數(shù)值的復(fù)位信號302、接收電路基準時鐘信號303、對接收電 路基準時鐘進行計數(shù)的計數(shù)值304、接收電路工作用基準時鐘信號305的工作。此外，在圖3中，在接收電路工作用基準時鐘信號305中的通常一個波長的期 間為期間306、而比接收電路工作用基準時鐘信號305的通常一個波長的期間長的 期間為期間307。在本實施方式所說明的接收電路120的時鐘生成電路中，由邊緣檢測電路檢測 出從發(fā)送電路110輸入到接收電路120中的數(shù)據(jù)信號301的降低邊緣，并且產(chǎn)生復(fù) 位對在接收電路中的基準時鐘的波數(shù)進行計數(shù)的基準時鐘計數(shù)電路的復(fù)位信號302。 由該基準時鐘計數(shù)復(fù)位信號復(fù)位基準時鐘計數(shù)電路的計數(shù)值。例如，在圖3中，當在基準時鐘計數(shù)電路中的計數(shù)値不等于"11"時，使在基 準時鐘計數(shù)電路中的計數(shù)值上升，而當在基準時鐘計數(shù)電路中的計數(shù)值等于"11" 時，保持在基準時鐘計數(shù)電路中的計數(shù)值。此外，在圖3中，接收電路工作用基準時鐘信號305是根據(jù)基準時鐘計數(shù)電路 的計數(shù)值被分頻的用來使接收電路工作的基準時鐘信號。在當基準時鐘計數(shù)電路中 的計數(shù)值從奇數(shù)轉(zhuǎn)換為偶數(shù)時時鐘反相的情況下，接收電路工作用基準時鐘信號 305進行接收電路基準時鐘信號的四分頻。此外，在圖3的時序圖中示出當基準時鐘計數(shù)電路中的計數(shù)值從奇數(shù)轉(zhuǎn)換為偶 數(shù)時，使信號反相來生成接收電路工作用基準時鐘信號的情況，但是既可以基準時 鐘計數(shù)電路中的計數(shù)值從偶數(shù)轉(zhuǎn)換為奇數(shù)時，使信號反相來生成接收電路工作用基 準時鐘信號，又可以當計數(shù)值為某個自然數(shù)N時反相信號來生成接收電路工作用時鐘信號。這樣，在本發(fā)明中，通過設(shè)置邊緣檢測電路，即使分別設(shè)置在發(fā)送電路110 和接收電路120中的基準時鐘生成電路使用互不相同的時鐘信號，接收電路120 用的基準時鐘信號也可以使接收電路的整體正常工作，從而可以提供穩(wěn)定的通信。 就是說，根據(jù)本發(fā)明，當在發(fā)送電路和接收電路之間使用不同的時鐘且在發(fā)送電路 和接收電路之間發(fā)送/接收信號時，即使輸出輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)的發(fā)送電路
與接收數(shù)據(jù)的接收電路的時鐘不同，也不使時鐘的占空比變得多，從而可以信號的 設(shè)定時間、保持時間具有從容地設(shè)計電路。此外，本實施方式可以與本說明書的其他實施方式的技術(shù)因素組合來實施。實施方式2在本實施方式中，將參照附圖來說明一種半導(dǎo)體器件，包括上述實施方式所示 的時鐘生成電路且能夠無線地發(fā)送/接收信息。近年來，組合超小型IC芯片和無線通信用天線的RFID標簽等的半導(dǎo)體器件引 人注目。RFID標簽可以通過使用無線通信裝置(也稱為讀寫器)進行通信信號(工作 磁場)的授受來進行數(shù)據(jù)的寫入和讀出。作為RFID標簽等能夠無線地發(fā)送/接收信息的半導(dǎo)體器件的應(yīng)用領(lǐng)域，例如可 以舉出在流通業(yè)界上的產(chǎn)品管理。目前，使用條碼等的產(chǎn)品管理是主流，然而，由 于條碼是通過光學(xué)方式讀取的，因此在存在屏蔽時無法讀取數(shù)據(jù)。另一方面，對于 RFID標簽而言，由于無線地讀取數(shù)據(jù)，因此即使存在屏蔽時也能夠讀取數(shù)據(jù)。因 此，可以謀求有更高效率、更低成本等的產(chǎn)品管理。除了上述以外，還可以實現(xiàn)在 票券、航空客票、自動結(jié)帳等上的廣泛應(yīng)用。隨著RFID標簽的應(yīng)用領(lǐng)域的擴大，對具有更高級功能的RFID標簽的要求越來 越高。例如，通過加密發(fā)送/接收的數(shù)據(jù)來可以防止數(shù)據(jù)泄漏給第三方。作為加密 的方法可以考慮到如下方式利用硬件來進行譯碼/加密處理；利用軟件來進行譯 碼/加密處理；以及利用硬件和軟件來進行譯碼/加密處理。在利用硬件的處理方式 中，由進行譯碼/加密的專用電路構(gòu)成運算電路。在利用軟件的處理方式中，由 CPU(中央處理器)和大規(guī)模存儲器構(gòu)成運算電路，其中CPU進行譯碼/加密程序。在 利用硬件和軟件的處理方式中，由專用電路、CPU及存儲器構(gòu)成運算電路，其中所 述專用電路進行譯碼/加密的運算處理的一部分，而CPU進行其他的運算處理的程 序。在本實施方式中，將參照圖7、圖8說明具備CPU、存儲器的RFID標簽作為本 發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個例子。圖7是RFID標簽的方塊圖，而圖8是RFID標簽的 布局圖。首先，將參照圖7來說明本實施方式所示的半導(dǎo)體器件的方塊結(jié)構(gòu)。在圖7
中，RFID標簽等的半導(dǎo)體器件(下面寫為"RFID標簽1001")包括天線1009、 RF 電路1008、時鐘生成部1002、控制器IOIO、 CPU1014、 R0M1015、以及RAM1016。 RF1008由電源電路1003、解調(diào)電路1006、以及調(diào)制電路1007構(gòu)成。時鐘生成部 1002由時鐘生成電路1004、以及調(diào)節(jié)器1005構(gòu)成。控制器1010由CPU接口 1011、 RF接口 1013、以及存儲控制器1012構(gòu)成。此外，雖然在圖7中為說明的簡單化而 省略，但是在RFID標簽lOOl中，作為通信信號，在讀寫器之間同時對接收信號和 發(fā)送信號進行發(fā)送/接收。由天線1009對接收信號進行接收之后，由解調(diào)電路1006 對接收信號進行解調(diào)。另外，由調(diào)制電路1007對發(fā)送信號進行調(diào)制之后，由天線 1009對發(fā)送信號進行發(fā)送。此外，可以采用上述實施方式所示的結(jié)構(gòu)來設(shè)置時鐘 生成電路1004。在圖7中，當在由通信信號形成的磁場中設(shè)置RFID標簽1001時，因天線1009 產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。感應(yīng)電動勢通過RF電路1008中的電源電路1003輸入到調(diào)節(jié)器 1005及RF接口 1013中。通過輸入到調(diào)節(jié)器1005中的電壓穩(wěn)定化，并且輸入到時 鐘生成電路1004中，時鐘生成電路輸出穩(wěn)定了的時鐘信號。時鐘信號輸入到控制 器中。此外，在圖7中，優(yōu)選采用排列地設(shè)置時鐘生成電路1004和調(diào)節(jié)器1005 的結(jié)構(gòu)。特別，由于在本發(fā)明中需要生成比使用環(huán)形振蕩器等的基準時鐘生成電路 穩(wěn)定的時鐘，因此可以通過排列地設(shè)置調(diào)節(jié)器1005和時鐘生成電路1004來生成更 穩(wěn)定了的時鐘信號。解調(diào)電路1006檢測出ASK方式的接收信號的振幅的變動作為"0" / "1"的 接收數(shù)據(jù)。解調(diào)電路1006例如為低通濾波器。再者，調(diào)制電路1007使ASK方式的 發(fā)送信號的振幅變動來對發(fā)送數(shù)據(jù)進行發(fā)送。例如，在發(fā)送數(shù)據(jù)為"0"的情況下， 改變諧振電路的諧振點來使通信信號的振幅變化。說明在本實施方式中的RFID標簽的工作。首先，使用RFID標簽1001來接收 從讀寫器發(fā)送的接收信號。接收信號在解調(diào)電路1006中被解調(diào)之后，輸入到在控 制器1010的RF接口 1013中。輸入到RF接口 1013中的接收信號通過CPU接口 1011 被CPU1014進行計算處理。此外，使用輸入到RF接口 1013中的接收信號來通過存 儲控制器1012對R0M1015、 RAM1016進行訪問。而且，當由CPU1014的計算處理、在R0M1015、 RAM1016中的數(shù)據(jù)的輸出入之 后，生成發(fā)送數(shù)據(jù)，由調(diào)制電路1007調(diào)制，且將發(fā)送信號從天線1009發(fā)送到讀寫器中。此外，在本實施方式中說明由CPU和大規(guī)模存儲器構(gòu)成計算電路且由CPU執(zhí)行 程序的方式，也可以按照目的選擇最合適的計算方式且根據(jù)該方式來構(gòu)成。例如， 作為計算方式，還可以考慮到利用硬件來進行計算、以及利用硬件和軟件來進行計 算。在利用硬件來進行計算的方式中，由專用電路構(gòu)成計算電路即可。在利用硬件 和軟件的方式中，由專用電路、CPU、及存儲器構(gòu)成計算電路，由專用電路進行計算処理的一部分，并且由CPU執(zhí)行其他計算処理的程序即可。接著，將參照圖8來說明RFID標簽1001的布局結(jié)構(gòu)。此外，在圖8中，相當 于圖7的部分由相同的附圖標記表示，因此省略其說明。在圖8中，RF電路1008包括貼附天線(未圖示)的電極焊盤。此外，當貼附天 線時，有可能對電極焊盤施加過度壓力。因此，在電極焊盤之下優(yōu)選不配置構(gòu)成電 路的部件如晶體管等。另外，對天線的種類并沒有限制，例如將V字偶極天線形成 在外部，即可。此外，本實施方式可以與本說明書的其他實施方式的技術(shù)因素組合來實施。就 是說，不但具有如下優(yōu)點，即可以從本實施方式中所說明的時鐘生成電路穩(wěn)定地輸 出時鐘信號，而且還實現(xiàn)如下情況即使當在發(fā)送電路和接收電路之間使用不同的 時鐘，并發(fā)送/接收信號時輸出輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)的發(fā)送電路與接收數(shù)據(jù)的 接收電路的時鐘不同，也不使時鐘的占空比變得多，從而可以信號的設(shè)定時間、保 持時間具有從容地設(shè)計電路。實施方式3在本實施方式中，將說明構(gòu)成上述實施方式所示的RFID標簽等的半導(dǎo)體 器件的元件的制造方法?？梢允褂帽∧ぞw管作為構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器 件的各個電路的元件來制造。在本實施方式中示出一種方法，其中使用薄膜晶 體管來形成構(gòu)成半導(dǎo)體器件的電路，并且將電路從使用于薄膜晶體管的制造的 襯底轉(zhuǎn)置到柔性襯底上，以制造具有柔性的半導(dǎo)體器件。在本實施方式中，典型地示出用作構(gòu)成半導(dǎo)體器件的電路的、構(gòu)成反相器 等的p溝道型TFT(也記為"Pch-TFT")和n溝道型TFT(也記為"Nch-TFT")， 以及天線。下面，將參照圖9A至圖11B所示的剖視圖來說明半導(dǎo)體器件的制
首先，在襯底1301的一個表面上中間夾著絕緣膜1302形成剝離層1303， 接著，層疊形成用作基底膜的絕緣膜1304和半導(dǎo)體膜(非晶半導(dǎo)體膜1305)(參 照圖9A)。此外，絕緣膜1302、剝離層1303、絕緣膜1304以及非晶半導(dǎo)體膜 1305可以連續(xù)地形成。襯底1301是選自玻璃襯底、石英襯底、金屬襯底(例如不銹鋼襯底等)、 陶瓷襯底、Si襯底等的半導(dǎo)體襯底等的襯底。除了上述以外，還可以選擇聚對 苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、丙烯酸 等的襯底作為塑料襯底。此外，在本工序中，將剝離層1303中間夾著絕緣膜 1302設(shè)置在襯底1301的整個表面上，但是，根據(jù)需要，可以在襯底1301的整 個表面上設(shè)置剝離層之后，采用光刻法來選擇性地設(shè)置剝離層1303。通過CVD法或濺射法等，使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOjg (x>y>0)、 氮氧化硅(SiNA) (x〉y〉0)等絕緣材料來形成絕緣膜1302、 1304。例如，當絕緣 膜1302、 1304采用雙層結(jié)構(gòu)時，優(yōu)選形成氮氧化硅膜作為第一層絕緣膜并且 形成氧氮化硅膜作為第二層絕緣膜。此外，也可以形成氮化硅膜作為第一層絕 緣膜并且形成氧化硅膜作為第二層絕緣膜。絕緣膜1302起到防止來自襯底1301 的雜質(zhì)元素混入到剝離層1303或在其上形成的元件中的阻擋層的作用，而絕 緣膜1304起到防止來自襯底1301、剝離層1303的雜質(zhì)元素混入到在其上形成 的元件中的阻擋層的作用。這樣，通過形成用作阻擋層的絕緣膜1302、 1304， 可以防止來自襯底1301的Na等的堿金屬和堿土金屬、以及來自剝離層1303 的包含在剝離層中的雜質(zhì)元素給在其上形成的元件造成不良影響。此外，使用 石英作為襯底1301的情況下，可以省略絕緣膜1302、 1304。作為剝離層1303，可以使用金屬膜、金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)等。 作為金屬膜，可以使用由選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳 (Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鉛(Pd)、鋨(Os)、或者銥 (Ir)中的元素或者以上述元素為主要成分的合金材料或者化合物材料構(gòu)成的 膜的單層或者疊層來形成。另外，可以通過使用上述材料且采用濺射法或各種 CVD法諸如等離子體CVD法等形成金屬膜及金屬氧化膜。作為金屬膜和金屬氧 化膜的疊層結(jié)構(gòu)，在形成上述的金屬膜之后，通過進行在氧氣氛中或在N20氣
氛中的等離子體處理、在氧氣氛中或在N20氣氛中的加熱處理，以在金屬膜的 表面上設(shè)置該金屬膜的氧化物或者氧氮化物。例如，在通過濺射法或CVD法等 設(shè)置鎢膜作為金屬膜的情況下，對鎢膜進行等離子體處理來可以在鎢膜的表面 上形成由氧化鎢而成的金屬氧化膜。另外，在此情況下，鎢的氧化物被表示為W0x，其中X是2至3，存在有X是2的情況(W02) 、 X是2. 5的情況(W205) 、 X 是2. 75的情況(WA,)以及X是3的情況(W0:,)等。當形成鎢的氧化物時，對于 如上舉出的X的值沒有特別的限制，優(yōu)選根據(jù)蝕刻速度等確定要形成哪一種氧 化物。另外，還可以例如在形成金屬膜(例如，鉤)之后，在通過濺射法在該金 屬膜上形成絕緣膜諸如氧化硅(Si02)等的同時，在金屬膜上可以形成金屬氧化 物(例如，在鴇上的氧化鎢)。此外，除了金屬氧化膜以外，還可以使用金屬氮 化物或金屬氧氮化物。在此情況下，在氮氣氛中或在氮和氧氣氛中對金屬膜進 行等離子體處理或加熱處理，即可。通過濺射法、LPCVD法、等離子體CVD法等，形成25nm至200nm(優(yōu)選為 30nm至150nm)厚的非晶半導(dǎo)體膜1305。接著，對非晶半導(dǎo)體膜1305照射激光束來進行晶化。此外，還可以通過 將激光束的照射和利用RTA或退火爐的熱結(jié)晶法組合的方法、以及將激光束的 照射和利用促進晶化的金屬元素的熱結(jié)晶法組合的方法等進行非晶半導(dǎo)體膜 1305的晶化。然后，將獲得的結(jié)晶半導(dǎo)體膜蝕刻為所希望的形狀來形成結(jié)晶半 導(dǎo)體膜1305a至1305f ，且覆蓋該結(jié)晶半導(dǎo)體膜1305a至1305f地形成柵絕緣 膜1306 (參照圖9B)。通過釆用CVD法、濺射法等，使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅 (SiOjg (x〉y〉0)、氮氧化硅(Si, (x〉y〉0)等的絕緣材料來形成柵絕緣膜 1306。例如，在柵絕緣膜1306為雙層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選形成氧氮化硅膜作 為第一層的絕緣膜，而形成氮氧化硅膜作為第二層的絕緣膜。此外，也可以形 成氧化硅膜作為第--層的絕緣膜、而形成氧化硅膜作為第二層的絕緣膜。以下，簡要地說明結(jié)晶半導(dǎo)體膜1305a至1305f的制造工序的一個例子。 首先，通過等離子體CVD法形成50nm至60 nm厚的非晶半導(dǎo)體膜。接著，在 將包含作為促進晶化的金屬元素的鎳的溶液保持在非晶半導(dǎo)體膜上之后，對非 晶半導(dǎo)體膜進行脫氫處理(在50CTC下， 一個小時)和熱晶化處理(在55(TC下，
四個小時)，來形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。然后，照射激光束并通過使用光刻法形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜1305a至1305f。此外，也可以只通過照射激光束來使非晶半導(dǎo)體膜晶化，而不進行使用促進晶化的金屬元素的熱晶化。作為使用于晶化的激光振蕩器，可以使用連續(xù)振蕩激光束(CW激光束)或脈 沖振蕩激光束(脈沖激光束)。此處，作為激光束可以采用由如下的一種或多種 激光器振蕩的激光束氣體激光器諸如Ar激光器、Kr激光器、受激準分子激 光器等；將在單晶的YAG、 YVO"鎂橄欖石(Mg2SiOj、 YA10:,、 GdV04、或者多晶 (陶瓷)的YAG、 Y203、 YV04、 YA10:;、 GdVO4中添加Nd、 Yb、 Cr、 Ti、 Ho、 Er、 Tm、 Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器；玻璃激光 器；紅寶石激光器；變石激光器；Ti:藍寶石激光器；銅蒸氣激光器；以及金 蒸氣激光器。通過照射這種激光束的基波以及這些基波的第二次諧波到第四次 諧波的激光束，可以獲得粒徑大的結(jié)晶。例如，可以使用Nd: YVOZ激光器(基 波為1064mn)的第二次諧波(532nm)或第三次諧波(355nm)。這時，需要大約0. 01 MW/W至100MW/cm2(優(yōu)選為0.1 MW/cml lOMW/cm2)的激光能量密度。而且， 以大約10cm/sec至2000cm/sec的掃描速度來進行照射。此外，將在單晶的YAG、 YVOn鎂橄欖石(Mg2SiOj、 YA10:,、 GdVO"或者多晶(陶瓷)的YAG、 Y203、 YV04、 YA103、 GdVO.,中添加Nd、 Yb、 Cr、 Ti、 Ho、 Er、 Tm、 Ta之中的一種或多種作為 摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器、Ar離子激光器、或Ti:藍寶石激光 器可以使激光束進行連續(xù)振蕩，并且，通過進行Q開關(guān)工作或模式同步等可以 以10腿z以上的振蕩頻率來使激光束進行脈沖振蕩。當使用lOMHz以上的振蕩 頻率來使激光束振蕩時，在半導(dǎo)體膜被激光束熔化到凝固之間對半導(dǎo)體膜照射 下一個脈沖。因此，與使用振蕩頻率低的脈沖激光的情況不同，由于固相和液 相之間的界面可以在半導(dǎo)體膜中連續(xù)地移動，可以獲得向掃描方向連續(xù)生長的 晶粒。另外，也可以通過對半導(dǎo)體膜1305a至1305f進行上述高密度等離子體處 理來使其表面氧化或者氮化，以形成柵絕緣膜1306。例如，通過將稀有氣體諸 如He、 Ar、 Kr或Xe等與氧、氧化氮、氨、氮或者氫等的混合氣體引入的等離 子體處理來形成柵絕緣膜1306。當通過引入微波進行在此情況下的等離子體激 發(fā)時，可以在低電子溫度下生成高密度等離子體。可以通過使用由高密度等離
子體產(chǎn)生的氧自由基(有時含有OH自由基)或氮自由基(有時含有NH自由基)， 使半導(dǎo)體膜的表面氧化或氮化。通過上述高密度等離子體的處理，厚度為1 nm至20 mn，典型地為5 nm 至10 mii的絕緣膜形成在半導(dǎo)體膜上。在此情況下的反應(yīng)為固相反應(yīng)。因此， 可以使該絕緣膜和半導(dǎo)體膜之間的界面態(tài)密度成為極低。因為這種高密度等離 子處理直接使半導(dǎo)體膜(結(jié)晶硅、或者多晶硅)氧化(或者氮化)，所以可以將絕 緣膜的厚度形成為在理想上不均勻性極小的狀態(tài)。再者，由于在結(jié)晶硅的晶粒 界面中也不會進行強烈的氧化，所以成為極理想的狀態(tài)。換句話說，通過在此 所示的高密度等離子體處理使半導(dǎo)體膜的表面固相氧化時，可以形成具有良好 均勻性且低界面態(tài)密度的絕緣膜，而不會在晶粒界面中引起異常的氧化反應(yīng)。作為柵絕緣膜，可以僅僅使用通過高密度等離子體處理形成的絕緣膜，也 可以通過利用等離子體或者熱反應(yīng)的CVD法將氧化硅、氧氮化硅或者氮化硅等 的絕緣膜形成在其上而獲得疊層。在任何情況下，使用高密度等離子體形成的 絕緣膜包括在柵絕緣膜的一部分或全部而成的晶體管可以減少其特性上的不 均勻性。此外，在對半導(dǎo)體膜照射連續(xù)振蕩激光束或以10 MHz以上的頻率振蕩的 激光束的同時向一個方向掃描來晶化的半導(dǎo)體膜1305a至1305f具有其結(jié)晶沿 著該激光束的掃描方向生長的特征。通過將該掃描方向與溝道長度方向(當溝 道形成區(qū)域形成時載流子流動的方向)---^致地配置晶體管，并且組合上述柵絕 緣膜時，可以獲得特性差異小且電場效應(yīng)遷移率高的薄膜晶體管(TFT)。其次，在柵絕緣膜1306上層疊形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。這里，第 一導(dǎo)電膜通過CVD法或濺射法等以20 nm至100 nm的厚度來形成。第二導(dǎo)電 膜以100 nm至400 nm的厚度來形成。采用選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬 (Mo)、鋁(A1)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈮(Nb)等的元素或者以上述元素為主要成分 的合金材料或化合物材料來形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜?；蛘撸捎靡該诫s 了磷等的雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導(dǎo)體材料來形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo) 電膜。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的組合的例子，可以舉出氮化鉭膜和鎢膜、 氮化鎢膜和鎢膜、或者氮化鉬膜和鉬膜等。由于鎢和氮化鉭具有高耐熱性，因 此在形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜之后，可以進行用于熱激活的加熱處理。另
外，在不是雙層結(jié)構(gòu)而是三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選采用由鉬膜、鋁膜和鉬膜組 成的疊層結(jié)構(gòu)。其次，利用光刻法形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，并且進行蝕刻處理以形成柵電極和柵線，從而在半導(dǎo)體膜1305a至1305f的上方形成柵電極1307。這里， 示出采用第一導(dǎo)電膜1307a和第二導(dǎo)電膜1307b的疊層結(jié)構(gòu)作為柵電極1307 的例子。接著，通過將柵電極1307用作掩模并采用離子摻雜法或離子注入法，將 賦予n型的雜質(zhì)元素以低濃度來添加到半導(dǎo)體膜1305a至1305f中。然后，通 過光刻法來選擇性地形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，并且以高濃度來添加賦予p型 的雜質(zhì)元素。作為顯示n型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)、砷(As)等。作為顯 示P型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga)等。這里，使用磷(P)作 為賦予n型的雜質(zhì)元素并將磷選擇性地引入到半導(dǎo)體膜1305a至1305f中來形 成顯示n型的雜質(zhì)區(qū)域1308，并且使雜質(zhì)區(qū)域1308包含1Xl(V7cr^至IX 10'7cm'的濃度的磷。此外，使用硼(B)作為賦予p型的雜質(zhì)元素并將硼選擇性 地引入到半導(dǎo)體膜1305c、 1305e中來形成顯示p型的雜質(zhì)區(qū)域1309，并且使 雜質(zhì)區(qū)域1309包含1X10'7cm3至1Xl(fVcnV'的濃度的硼(參照圖9C)。接著，覆蓋柵絕緣膜1306和柵極1307地形成絕緣膜。通過等離子體CVD 法或濺射法等采用含有無機材料諸如硅、硅的氧化物或硅的氮化物的膜、或者 含有有機材料諸如有機樹脂等的膜的單層或疊層來形成絕緣膜。其次，采用以 垂直方向為主體的各向異性蝕刻對絕緣膜進行選擇性的蝕刻來形成與柵極 1307的側(cè)面接觸的絕緣膜1310(也稱為側(cè)壁)。絕緣膜1310被用作當形成低濃 度雜質(zhì)區(qū)域(LDD (輕摻雜漏)區(qū)域)時的摻雜用的掩模。接著，使用通過光刻法形成的由抗蝕劑構(gòu)成的掩模和用作掩模的柵極1307以 及絕緣膜1310，將賦予n型的雜質(zhì)元素以高濃度來添加到半導(dǎo)體膜1305a、 1305b、 1305d、 1305f中，從而形成顯示n型的雜質(zhì)區(qū)域1311。這里，使用磷(P)作為賦 予n型的雜質(zhì)元素并選擇性地引入到半導(dǎo)體膜1305a、 1305b、 1305d、 1305f中 來形成顯示比雜質(zhì)區(qū)域1308高的n型濃度的雜質(zhì)區(qū)域1311，并且使雜質(zhì)區(qū)域 1311包含1X10'7ci^至1乂 1027(:111'1的濃度的磷。 通過上述工序，形成了 n溝道型薄膜晶體管1300a、 1300b、 1300d、 1300f、 P溝道型薄膜晶體管1300c、 1300e(參照圖9D)。在n溝道型薄膜晶體管1300a中，在重疊于柵電極1307的半導(dǎo)體膜1305a 的區(qū)域中形成有溝道形成區(qū)域，在不重疊于柵電極1307及絕緣膜1310的區(qū)域 中形成有形成源區(qū)域或漏區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域1311，并且在重疊于絕緣膜1310并 位于溝道形成區(qū)域和雜質(zhì)區(qū)域1311之間的區(qū)域中形成有低濃度雜質(zhì)區(qū)域(LDD 區(qū)域)。此外，在n溝道型薄膜晶體管1300b、 1300d、 1300f中同樣地形成有 溝道形成區(qū)域、低濃度雜質(zhì)區(qū)域以及雜質(zhì)區(qū)域1311。在p溝道型薄膜晶體管1300c中，在重疊于柵電極1307的半導(dǎo)體膜1305c 的區(qū)域中形成有溝道形成區(qū)域，而在不重疊于柵電極1307的區(qū)域中，形成有 形成源區(qū)域或漏區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域1309。此外，在p溝道型薄膜晶體管1300e中， 也同樣地形成有溝道形成區(qū)域以及雜質(zhì)區(qū)域1309。此外，雖然這里在p溝道型 薄膜晶體管1300c、 1300e中不設(shè)置LDD區(qū)域，但是可以將LDD區(qū)域設(shè)置在p 溝道型薄膜晶體管中，也可以不將LDD區(qū)域設(shè)置在n溝道型薄膜晶體管中。接著，覆蓋半導(dǎo)體膜1305a至1305f 、柵電極1307等地形成單層或疊層的 絕緣膜，并且在該絕緣膜上形成與構(gòu)成薄膜晶體管1300a至1300f的源區(qū)域或 漏區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域1309、 1311電連接的導(dǎo)電膜1313(參照圖IOA)。通過CVD 法、濺射法、SOG法、液滴噴射法或絲網(wǎng)印刷法等，使用無機材料如硅的氧化 物及硅的氮化物等、有機材料如聚酰亞胺、聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸、及 環(huán)氧等、以及硅氧烷材料等，形成單層或疊層的絕緣膜。這里，以雙層來設(shè)置 該絕緣膜，使用氮氧化硅膜作為第一層的絕緣膜1312a，而使用氧氮化硅膜作 為第二層的絕緣膜1312b。此外，導(dǎo)電膜1313能夠形成薄膜晶體管1300a至 1300f的源電極或漏電極。此外，在形成絕緣膜1312a、 1312b之前或者在形成絕緣膜1312a、 1312b 之中的一個或多個薄膜之后，優(yōu)選進行以半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性的恢復(fù)、添加到半 導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)元素的激活、以及半導(dǎo)體膜的氫化為目的的加熱處理。優(yōu)選適 用熱退火法、激光退火法或RTA法等來進行加熱處理。通過CVD法或濺射法等，使用選自鋁(A1)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬 (Mo)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、
硅(Si)中的元素、以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料的單層或疊 層來形成導(dǎo)電膜1313。以鋁作為主要成分的合金材料相當于，例如以鋁作為主 要成分且還含有鎳的材料，或者以鋁作為主要成分且還含有鎳及碳和硅中的一方或雙方的合金材料。作為導(dǎo)電膜1313，優(yōu)選使用例如由阻擋膜、鋁硅(Al-Si) 膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)，或者由阻擋膜、鋁硅(A1-Si)膜、氮化鈦膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)。另外，阻擋膜相當于由鈦、鈦的氮化物、鉬或者鉬的氮 化物組成的薄膜。因為鋁和鋁硅具有低電阻且其價格低，所以作為用于形成導(dǎo)電膜1313的材料最合適。此外，通過設(shè)置上層和下層的阻擋層，可以防止鋁 或鋁硅的小丘的產(chǎn)生。此外，當形成由高還原性的元素的鈦構(gòu)成的阻擋膜時， 即使在結(jié)晶半導(dǎo)體膜上形成有薄的自然氧化膜，也可以使該自然氧化膜還原， 并獲得與結(jié)晶半導(dǎo)體膜的良好接觸。接著，覆蓋導(dǎo)電膜1313地形成絕緣膜1314，并且在該絕緣膜1314上形成 與構(gòu)成薄膜晶體管1300a、 1300f的源電極或漏電極的導(dǎo)電膜1313分別電連接 的導(dǎo)電膜1315a和1315b。此外，形成與構(gòu)成薄膜晶體管1300b的源電極或漏 電極的導(dǎo)電膜1313電連接的導(dǎo)電膜1316。另外，可以使用相同的材料來同時 形成導(dǎo)電膜1315a、 1315b以及1316。可以使用在形成上述導(dǎo)電膜1313時所示 的任何材料來形成導(dǎo)電膜1315a、 1315b以及1316。接著，與導(dǎo)電膜1316電連接地形成用作天線的導(dǎo)電膜1317(參照圖IOB)?？梢允褂肅VD法或濺射法等并使用由如下材料構(gòu)成的單層或疊層結(jié)構(gòu)來設(shè) 置絕緣膜1314:具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(Si(U膜、氮化硅(SiNx)膜、氧 氮化硅(SiOxN》(x〉y〉0)膜、氮氧化硅(SiNA)(x〉y〉0)膜等；DLC(類金剛石碳) 等包含碳的膜；有機材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁 烯、丙烯酸等；或者硅氧垸材料如硅氧烷樹脂等。此外，硅氧烷材料相當于包 含Si-0-Si鍵的材料。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(O)的鍵而構(gòu)成。作為 取代基，使用至少包含氫的有機基(例如烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使 用氟基。另外，作為取代基，還可以使用至少包含氫的有機基和氟基。通過CVD法、濺射法、印刷法諸如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等、液滴噴射法、 分配器法、電鍍法等并使用導(dǎo)電材料來形成導(dǎo)電膜1317。導(dǎo)電材料由選自鋁 (Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉭(Ta)
或鉬(MO)中的元素、以上述元素為主要成分的合金材料或者化合物材料的單層 結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)來形成。例如，在通過絲網(wǎng)印刷法形成用作天線的導(dǎo)電膜1317的情況下，可以通過選擇性地印刷導(dǎo)電膏來設(shè)置該導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膏將粒徑為幾nm至幾十u m的 導(dǎo)電物粒子溶解或分散于有機樹脂中。作為導(dǎo)電物粒子，可以使用銀(Ag)、金 (Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)和鈦(Ti)等中的一 種或多種的金屬粒子、鹵化銀的微?；蛘呔哂蟹稚⑿缘募{米粒子。此外，作為 包含在導(dǎo)電膏中的有機樹脂，可以使用選自用作金屬粒子的粘合劑、溶劑、分 散劑、及涂敷劑的有機樹脂的一種或多種。典型地，可以舉出環(huán)氧樹脂、硅酮 樹脂等的有機樹脂。此外，當形成導(dǎo)電膜時，優(yōu)選在擠出導(dǎo)電膏之后進行焙燒。 例如，在使用以銀為主要成分的微粒(例如粒徑為lnm以上至100nm以下)作為導(dǎo)電膏材料的情況下，可以通過在15crc至30or的溫度下焙燒導(dǎo)電膏材料且使導(dǎo)電膏材料硬化而獲得導(dǎo)電膜。另外，也可以使用以焊料或無鉛焊料為主 要成分的微粒，在此情況下，優(yōu)選使用粒徑為20iim以下的微粒。焊料或無鉛 焊料具有成本低的優(yōu)點。此外，導(dǎo)電膜1315a、 1315b能夠起到在后面的工序中與本發(fā)明的半導(dǎo)體 器件所包括的電池電連接的布線的作用。另外，在形成用作天線的導(dǎo)電膜1317 時，與導(dǎo)電膜1315a、 1315b電連接地另外形成導(dǎo)電膜，并且利用該導(dǎo)電膜作 為連接到電池的布線。接著，在覆蓋導(dǎo)電膜1317地形成絕緣膜1318之后，將包括薄膜晶體管 1300a至1300f、導(dǎo)電膜1317等的層(下面，記為"元件形成層1319")從襯底 1301剝離。這里，可以通過在照射激光束(例如UV光)以在避開薄膜晶體管 1300a至1300f的區(qū)域中形成開口部之后(圖IOC)，利用物理力量將元件形成 層1319從襯底1301剝離。此外，也可以在將元件形成層1319從襯底1301剝 離之前，將蝕刻劑引入到形成了的開口部中來選擇性地除去剝離層1303。作為 蝕刻劑，使用含氟化鹵素或鹵間化合物的氣體或液體。例如，使用三氟化氯(C1F3) 作為含氟化鹵素的氣體。于是，元件形成層1319處于從襯底1301被剝離的狀 態(tài)。另外，剝離層1303可以被部分地留下，而不被完全除去。通過留下剝離 層1303的一部分，可以減少蝕刻劑的消耗且縮短為除去剝離層花費的處理時
間。另外，在除去剝離層1303之后也可以在襯底1301上保持著元件形成層1319。 此外，可以通過再次利用元件形成層1319被除去了的襯底1301，以縮 減成本?？梢允褂肅VD法或濺射法等并使用由如下材料構(gòu)成的單層或疊層結(jié)構(gòu)來設(shè) 置絕緣膜1318:具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(Si(X)膜、氮化硅(SiN,)膜、氧 氮化硅(SiO,Ny) (x〉y)膜、氮氧化硅(SiNA) (x〉y)膜等；DLC(類金剛石碳)等包 含碳的膜；有機材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、 丙烯酸等；或者硅氧烷材料如硅氧垸樹脂等。在本實施方式中，在通過激光束的照射來將開口部形成在元件形成層1319 中之后，將第一薄板材料1320貼合到該元件形成層1319的一方表面(絕緣膜 1318露出了的表面)上。然后，將元件形成層1319從襯底1301剝離(參照圖 11A)。接著，在將第二薄板材料1321設(shè)置到元件形成層1319的另一方表面(因 剝離而露出了的表面)上之后，通過進行加熱處理、加壓處理的一方或雙方來 貼合第二薄板材料1321 (參照圖IIB)?？梢允褂脽崛郾∧さ茸鳛榈谝槐“宀牧?320、 第二薄板材料1321。此外，作為第一薄板材料1320、第二薄板材料1321，也可以使用施加了 用于防止產(chǎn)生靜電等的抗靜電處理的薄膜(以下記為抗靜電薄膜)。作為抗靜電 薄膜，可以舉出將抗靜電材料分散在樹脂中了的薄膜、以及貼有抗靜電材料的 薄膜等。設(shè)置有抗靜電材料的薄膜既可以是一個面設(shè)置有抗靜電材料的薄膜， 又可以是兩個面都設(shè)置有抗靜電材料的薄膜。再者，作為在其一個面上設(shè)置有 抗靜電材料的薄膜，既可以使設(shè)置有抗靜電材料的面成為薄膜的內(nèi)側(cè)地將該薄 膜與層貼在一起，又可以使設(shè)置有抗靜電材料的面成為薄膜的外側(cè)地將該薄膜 與層貼在一起。此外，抗靜電材料設(shè)置在薄膜的整個面或部分面上，即可。作 為這里的抗靜電材料，可以使用金屬、銦和錫的氧化物(ITO)、以及界面活性 劑諸如兩性界面活性劑、陽離子界面活性劑、非離子型界面活性劑等。另外， 作為抗靜電材料，還可以使用包含在其側(cè)鏈上具有羧基和季銨堿的交聯(lián)共聚物 高分子的樹脂材料等?？梢酝ㄟ^將這些材料貼附到薄膜上、混合在薄膜中、以 及涂敷在薄膜上而獲得抗靜電薄膜。通過使用抗靜電薄膜來封止，當將半導(dǎo)體 器件作為產(chǎn)品來使用時，可以抑制外部靜電等給半導(dǎo)體元件帶來的負面影響。此外，本實施方式可以與本說明書中的其他實施方式的技術(shù)因素自由組合來進 行。就是說，除了使用薄膜晶體管形成在本實施方式中所說明的晶體管而獲得具有 柔性的半導(dǎo)體器件的優(yōu)點之外，還具有如下優(yōu)點當在發(fā)送電路和接收電路中使用 互不相同的時鐘來在發(fā)送電路和接收電路之間發(fā)送/接收信號時，即使輸出輸入到 接收電路中的數(shù)據(jù)的發(fā)送電路和收到數(shù)據(jù)的接收電路的時鐘不同，也不使時鐘的占 空比變得多，可以信號的設(shè)置時間、保持時間具有從容地設(shè)計電路。實施方式4在本實施方式中，將說明與上述實施方式不同的半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā) 明的晶體管可以由上述實施方式所說明的絕緣襯底上的薄膜晶體管而構(gòu)成，還可以 由使用單晶襯底的M0S晶體管而構(gòu)成。在本實施方式中，將示出構(gòu)成反相器等的P溝道型TFT(也記為"Pch-TFT") 以及n溝道型TFT(也記為"Nch-TFT")作為構(gòu)成半導(dǎo)體器件的電路的典型。下 面，將參照圖12A至圖14所示的剖視圖來說明半導(dǎo)體器件的制造方法。首先，在半導(dǎo)體襯底2300上形成分離元件的區(qū)域2304、 2306(下面，也記 為區(qū)域2304、 2306)(參照圖12A)。設(shè)置在半導(dǎo)體襯底2300的區(qū)域2304、 2306 分別被絕緣膜2302 (也稱為場氧化膜)分開。此外，這里示出一種例子，其中使 用具有n型的導(dǎo)電型的單晶Si襯底作為半導(dǎo)體襯底2300，并且將p阱2307設(shè) 置在半導(dǎo)體襯底2300的區(qū)域2306中。此外，襯底2300只要是半導(dǎo)體襯底，就沒有特別的限制。例如，可以使 用如下襯底具有n型或p型的導(dǎo)電型的單晶Si襯底；化合物半導(dǎo)體襯底(GaAs 襯底、InP襯底、GaN襯底、SiC襯底、紅寶石襯底、ZnSe襯底等)；通過采用 貼合法或SIMOX(注入氧隔離)法來形成的SOI(絕緣膜上硅片)襯底等。對元件分離區(qū)域2304、 2306可以適當?shù)蒯娪眠x擇氧化法(L0C0S(硅局部氧 化)法)或深溝分離法等。此外，可以通過將具有p型的導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素選擇性地引入到半導(dǎo)體襯 底2300中來將p阱形成在半導(dǎo)體襯底2300的區(qū)域2306中。作為顯示p型的 雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga)等。
此外，由于在本實施方式中使用具有n型的導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底作為半導(dǎo) 體襯底2300，因此對區(qū)域2304中不進行雜質(zhì)元素的引入。但是也可以通過引 入顯示n型的雜質(zhì)元素來將n阱形成在區(qū)域2304中?？梢允褂昧?P)或砷(As) 等作為顯示n型雜質(zhì)元素。另外，在使用具有p型的導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底的情 況下，可以采用如下結(jié)構(gòu)，即將顯示n型的雜質(zhì)元素引入到區(qū)域2304中來形 成n阱，并且對區(qū)域2306不進行雜質(zhì)元素的引入。接著，覆蓋區(qū)域2304、 2306地分別形成絕緣膜2332、 2334(參照圖12B)。 例如，通過進行熱處理來使設(shè)置在半導(dǎo)體襯底2300上的區(qū)域2304、 2306 的表面氧化，可以使用氧化硅膜形成絕緣膜2332、 2334。此外，在采用熱氧化 法形成氧化硅膜之后，也可以通過進行氮化處理來使氧化硅膜的表面氮化，采 用氧化硅膜和包括氧和氮的膜(氧氮化硅膜)的疊層結(jié)構(gòu)來形成絕緣膜2332、 2334。另外，如上所述那樣，也可以采用等離子體處理來形成絕緣膜2332、 2334。 例如，可以通過對設(shè)置在半導(dǎo)體襯底2300上的區(qū)域2304、 2306的表面進行采 用等離子體處理的氧化處理或氮化處理，形成氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx) 膜作為絕緣膜2332、 2334。此外，也可以在通過高密度等離子體處理對區(qū)域 2304、 2306的表面進行氧化處理之后，通過再次的高密度等離子體處理進行氮 化處理。在這種情況下，絕緣膜2332、 2334是層疊有氧化硅膜、氧氮化硅膜 的膜，其中接觸區(qū)域2304、 2306的表面地形成氧化硅膜，在該氧化硅膜上形 成氧氮化硅膜。此外，可以在通過熱氧化法將氧化硅膜形成在區(qū)域2304、 2306 的表面上之后，通過高密度等離子體處理進行氧化處理或氮化處理。此外，形成在半導(dǎo)體襯底2300的區(qū)域2304、 2306中的絕緣膜2332、 2334 在后面完成的晶體管中起到柵絕緣膜的作用。接下來，覆蓋形成在區(qū)域2304、 2306的上方的絕緣膜2332、 2334地形成 導(dǎo)電膜(參照圖12C)。這里，示出按順序?qū)盈B形成導(dǎo)電膜2336和2338作為導(dǎo)電膜的例子。當然，導(dǎo)電膜可以采用單層或三層以上的疊層結(jié)構(gòu)來形成。采用選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(A1)、銅(Cu)、鉻(Cr)、 鈮(Nb)等的元素或者以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料來形成 導(dǎo)電膜2336、 2338。此外，可以使用使上述元素氮化的金屬氮化膜來形成。另
外，可以使用以摻雜了磷等的雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導(dǎo)體材料來形成。這里，使用氮化鉭形成導(dǎo)電膜2336且在其上使用鴇形成導(dǎo)電膜2338來設(shè) 置疊層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜。另外，可以使用選自氮化鎢、氮化鉬或氮化鈦的單層或 疊層膜作為導(dǎo)電膜2336，而可以使用選自鉭、鉬、鈦的單層或疊層膜作為導(dǎo)電 膜2338。接著，通過對層疊而設(shè)置了的導(dǎo)電膜2336、 2338選擇性地進行蝕刻來除 去，將導(dǎo)電膜2336、 2338留在區(qū)域2304、 2306上方的一部分，并且分別形成 柵電極2340、 2342(參照圖13A)。接著，選擇性地形成抗蝕劑掩模2348以覆蓋區(qū)域2304，并且通過使用該 抗蝕劑掩模2348、柵電極2342作為掩模來將雜質(zhì)元素引入到區(qū)域2306中，形 成雜質(zhì)區(qū)域(參照圖13B)。作為雜質(zhì)元素，使用賦予n型的雜質(zhì)元素或賦予p 型的雜質(zhì)元素。可以使用磷(P)、砷(As)等作為顯示n型的雜質(zhì)元素?？梢允?用硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga)等作為顯示p型的雜質(zhì)元素。這里使用磷(P)作為雜 質(zhì)元素。在圖13B中，通過引入雜質(zhì)元素，在區(qū)域2306中形成構(gòu)成源區(qū)域或漏區(qū) 域的雜質(zhì)區(qū)域2352和溝道形成區(qū)域2350。接著，選擇性地形成抗蝕劑掩模2366以覆蓋區(qū)域2306，并且通過使用該 抗蝕劑掩模2366、柵電極2340作為掩模來將雜質(zhì)元素引入到區(qū)域2304中，形 成雜質(zhì)區(qū)域(參照圖13C)。作為雜質(zhì)元素，使用賦予n型的雜質(zhì)元素或賦予p 型的雜質(zhì)元素?？梢允褂昧?P)、砷(As)等作為顯示n型的雜質(zhì)元素?？梢允?用硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga)等作為顯示p型的雜質(zhì)元素。這里，引入具有與在 圖13B中引入到區(qū)域2306中的雜質(zhì)元素不同的導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素(例如，硼 (B))。其結(jié)果，在區(qū)域2304中形成構(gòu)成源區(qū)域或漏區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域2370和溝 道形成區(qū)域2368。接著，覆蓋絕緣膜2332、 2334、柵電極2340、 2342地形成第二絕緣膜2372， 并且在該第二絕緣膜2372上形成與形成在區(qū)域2304、2306中的雜質(zhì)區(qū)域2352、 2370電連接的布線2374 (參照圖14)?？梢允褂肅VD法或濺射法等并使用由如下材料構(gòu)成的單層或疊層結(jié)構(gòu)來設(shè) 置第二絕緣膜2372:具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNj膜、
氧氮化硅(SiOxNy) (x〉y)膜、氮氧化硅(SiNA) (x〉y)膜等；DLC(類金剛石碳)等 的包含碳的膜；有機材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁 烯、丙烯酸等；或者硅氧烷材料如硅氧烷樹脂等。另外，硅氧烷材料相當于包 含Si-O-Si鍵的材料。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(O)的鍵而構(gòu)成。作為 取代基，使用至少包含氫的有機基(例如烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使 用氟基。此外，作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機基和氟基。通過CVD法或濺射法等，使用選自鋁(A1)、鉤(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬 (Mo)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、 硅(Si)的元素、或者以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料的單層或 疊層來形成布線2374。以鋁作為主要成分的合金材料相當于，例如以鋁作為主 要成分且還含有鎳的材料，或者以鋁作為主要成分且還含有鎳和碳及硅的一方 或雙方的合金材料。作為布線2374，例如優(yōu)選使用由阻擋膜、鋁硅(A1-Si)膜 和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)，或者由阻擋膜、鋁硅(A1-Si)膜、氮化鈦膜和阻擋 膜組成的疊層結(jié)構(gòu)。此外，阻擋膜相當于由鈦、鈦的氮化物、鉬或者鉬的氮化 物組成的薄膜。因為鋁和鋁硅具有低電阻且其價格低，所以作為用于形成布線 2374的材料最合適。此外，通過設(shè)置上層和下層的阻擋層，可以防止鋁或鋁硅 的小丘的產(chǎn)生。另外，當形成由高還原性的元素的鈦構(gòu)成的阻擋膜時，即使在 結(jié)晶半導(dǎo)體膜上形成有薄的自然氧化膜，也可以使該自然氧化膜還原，并獲得 與結(jié)晶半導(dǎo)體膜的良好接觸。此外，這里附記構(gòu)成本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的晶體管的結(jié)構(gòu)不局限于附圖所 示的結(jié)構(gòu)。例如，會采用反交錯結(jié)構(gòu)、鰭式FET結(jié)構(gòu)等的晶體管結(jié)構(gòu)。因為可 以通過采用鰭式FET結(jié)構(gòu)來抑制晶體管尺寸的微細化所引起的短溝道效應(yīng)，所 以很優(yōu)選。 —此外，本實施方式可以與本說明書中的其他實施方式的技術(shù)因素自由組合來進 行。就是說，除了使用單晶襯底形成在本實施方式中所說明的晶體管而獲得由不均 勻性少的晶體管構(gòu)成的半導(dǎo)體器件的優(yōu)點之外，還具有如下優(yōu)點當在發(fā)送電路和 接收電路中使用互不相同的時鐘來在發(fā)送電路和接收電路之間發(fā)送/接收信號時， 即使輸出輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)的發(fā)送電路和收到數(shù)據(jù)的接收電路的時鐘不同， 也不使時鐘的占空比變得多，從而可以信號的設(shè)定時間、保持時間具有從容地設(shè)計 電路。實施方式5在本實施方式中，將說明與上述實施方式不同的半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā)明的晶體管也可以由釆用與上述實施方式所說明的使用單晶襯底的MOS晶 體管不同的制造方法來提供的MOS晶體管而構(gòu)成。在本實施方式中，示出構(gòu)成反相器等的P溝道型TFT(也記為"Pch-TFT") 以及n溝道型TFT(也記為"Nch-TFT")作為構(gòu)成半導(dǎo)體器件的電路的典型。下 面，將參照圖15A至圖18B所圖示的剖視圖來說明半導(dǎo)體器件的制造方法。首先，在襯底2600上形成絕緣膜。這里，使用具有n型的導(dǎo)電型的單晶 Si作為襯底2600，并且在該襯底2600上形成絕緣膜2602和絕緣膜2604 (參照 圖15A)。例如，通過對襯底2600進行熱處理來形成氧化硅(SiO,)膜作為絕緣 膜2602，并且在該絕緣膜2602上采用CVD法來形成氮化硅(SiNx)膜。此外，襯底2600只要是半導(dǎo)體襯底，就沒有特別的限制。例如，可以使 用如下襯底具有n型或p型的導(dǎo)電型的單晶Si襯底；化合物半導(dǎo)體襯底(GaAs 襯底、InP襯底、GaN襯底、SiC襯底、紅寶石襯底、ZnSe襯底等)；或者通過 采用貼合法或SIMOX(注入氧隔離)法來形成的SOI(絕緣膜上硅片)襯底等。此外，可以在形成絕緣膜2602之后采用高密度等離子體處理來使該絕緣 膜2602氮化，以提供絕緣膜2604。另外，設(shè)置在襯底2600上的絕緣膜可以采 用單層或三層以上的疊層結(jié)構(gòu)。接著，在絕緣膜2604上選擇性地形成抗蝕劑掩模2606的圖案，然后通過 使用該抗蝕劑掩模2606作為掩模來選擇性地進行蝕刻，在襯底2600中選擇性 地形成凹部2608(參照圖15B)?？梢酝ㄟ^利用等離子體的干蝕刻對襯底2600、 絕緣膜2602、 2604進行蝕刻。接著，在除去抗蝕劑掩模2606的圖案之后，填充在襯底2600中形成了的 凹部2608地形成絕緣膜2610(參照圖15C)。采用CVD法或濺設(shè)法等并使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiO凡)(x〉y〉0)、 氮氧化硅(SiNA) (x〉y〉0)等的絕緣材料來形成絕緣膜2610。這里，通過常壓 CVD法或減壓CVD法，使用TEOS(正硅酸乙酯)氣體來形成氧化硅膜作為絕緣膜 2610。接著，通過磨削處理、拋光處理或CMP(化學(xué)機械拋光)處理，使襯底2600 的表面露出。這里，通過使襯底2600的表面露出，形成在襯底2600的凹部2608 中的絕緣膜2611之間提供區(qū)域2612、 2613。此外，絕緣膜2611是通過形成在 襯底2600的表面上的絕緣膜2610采用磨削處理、拋光處理或CMP處理除去而 獲得的絕緣膜。接下來，通過選擇性地引入具有p型的導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素，在 襯底2600的區(qū)域2613中形成p阱2615 (參照圖16A)?？梢允褂门?B)、鋁(A1)、鎵(Ga)等作為顯示p型的雜質(zhì)元素。這里，作 為雜質(zhì)元素，將硼(B)引入到區(qū)域2613中。此外，在本實施方式中，由于使用具有n型的導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底作為襯 底2600，所以對區(qū)域2612不進行雜質(zhì)元素的引入。但是，可以通過引入顯示 n型的雜質(zhì)元素來將n阱形成在區(qū)域2612中。作為顯示n型的雜質(zhì)元素，可以 使用磷(P)、砷(As)等。另一方面，在使用具有p型的導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底的情況下，也可以采用 如下結(jié)構(gòu)對區(qū)域2612引入顯示n型的雜質(zhì)元素來形成n阱，而不將雜質(zhì)元 素引入到區(qū)域2613中。接著，在襯底2600的區(qū)域2612、 2613的表面上分別形成絕緣膜2632、 2334 (參照圖16B)。例如通過進行熱處理來使設(shè)置在襯底2600中的區(qū)域2612、 2613的表面氧化， 可以使用氧化硅膜形成絕緣膜2632、 2634。此外，在采用熱氧化法形成氧化硅膜 之后，也可以通過采用氮化處理使氧化硅膜的表面氮化，以氧化硅膜和具有氧及氮 的膜(氧氮化硅膜)的疊層來形成絕緣膜2632、 2634。另外，如上述那樣，可以采用等離子體處理形成絕緣膜2632、 2634。例如， 可以通過采用高密度等離子體處理對使設(shè)置在襯底2600中的區(qū)域2612、 2613 的表面進行氧化處理或氮化處理，使用氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiN》膜來形 成絕緣膜2632、 2634。此外，在采用高密度等離子體處理對區(qū)域2612、 2613 的表面進行氧化處理之后，也可以通過再次的高密度等離子體處理來進行氮化 處理。這里情況下，接觸區(qū)域2612、 2613的表面地形成氧化硅膜，并且該氧 化硅膜上形成氧氮化硅膜，從而絕緣膜2632、 2634成為層疊了氧化硅膜和氧
氮化硅膜的膜。此外，在通過熱氧化法在區(qū)域2612、 2613的表面上形成氧化硅膜之后，也可以通過高密度等離子體處理進行氧化處理或氮化處理。此外，形成在襯底2600的區(qū)域2612、 2613中的絕緣膜2632、 2634起到 后面完成的晶體管中的柵絕緣膜的作用。接著，覆蓋形成在設(shè)置在襯底2600的區(qū)域2612、 2613中的上方的絕緣膜 2632、 2634地形成導(dǎo)電膜(參照圖16C)。這里，示出按順序?qū)盈B形成導(dǎo)電膜2636 和導(dǎo)電膜2638作為導(dǎo)電膜的例子。當然，也可以采用單層或三層以上的疊層 結(jié)構(gòu)來形成導(dǎo)電膜。可以采用選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(A1)、銅(Cu)、鉻(Cr)、 鈮(Nb)等的元素、或者以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料來形成 導(dǎo)電膜2636、 2638。此外，也可以采用使上述元素氮化了的金屬氮化膜來形成。 另外，還可以采用以摻雜了磷等的雜質(zhì)元素的多晶硅為典型的半導(dǎo)體材料來形 成。這里，使用氮化鉭形成導(dǎo)電膜2636且其上使用鎢形成導(dǎo)電膜2638來提供 疊層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層。另外，可以使用選自氮化鉭膜、氮化鎢膜、氮化鉬膜或氮 化鈦膜的單層或疊層膜作為導(dǎo)電膜2636，而可以使用選自鎢膜、鉭膜、鉬膜、 鈦膜的單層或疊層膜作為導(dǎo)電膜2638。接著，通過對層疊而提供了的導(dǎo)電膜2636、 2638選擇性地進行蝕刻來除 去，將導(dǎo)電膜2636、 2638留在襯底2600的區(qū)域2612、 2613上方的一部分， 并且形成分別起到柵電極的作用的導(dǎo)電膜2640、 2642(參照圖17A)。此外，這 里使在襯底2600上的不重疊于導(dǎo)電膜2640、 2642的區(qū)域2612、 2613的表面 露出。具體而言，在襯底2600的區(qū)域2612中，選擇性地除去形成在導(dǎo)電膜2640 下方的絕緣膜2632的不重疊于該導(dǎo)電膜2640的部分，以形成為導(dǎo)電膜2640 和絕緣膜2632的端部大致一致。此外，在襯底2600的區(qū)域2613中，選擇性 地除去形成在導(dǎo)電膜2642下方的絕緣膜2634的不重疊于該導(dǎo)電膜2642的部 分，以形成為導(dǎo)電膜2642和絕緣膜2634的端部大致一致。在此情況下，既可以在形成導(dǎo)電膜2640、 2642的同時除去不重疊的部分 的絕緣膜等，又可以在形成導(dǎo)電膜2640、 2642之后將留下了的抗蝕劑掩?；?br> 該導(dǎo)電膜2640、 2642用作掩模來除去不重疊的部分的絕緣膜等。接著，將雜質(zhì)元素選擇性地引入到襯底2600的區(qū)域2612、 2613中，并且 形成雜質(zhì)區(qū)域2648、 2650(參照圖17B)。這里，將導(dǎo)電膜2642用作掩模對區(qū) 域2613中選擇性地引入賦予n型的低濃度的雜質(zhì)元素，而將導(dǎo)電膜2640用作 掩模對區(qū)域2612中選擇性地引入賦予p型的低濃度的雜質(zhì)元素。作為賦予n 型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)、砷(As)等。作為賦予p型的雜質(zhì)元素，可以 使用硼(B)、鋁(A1)、鎵(Ga)等。接著，形成與導(dǎo)電膜2640、 2642的側(cè)面接觸的側(cè)壁2654。具體而言，通 過等離子體CVD法或濺射法等，使用包含無機材料如硅、硅的氧化物、或硅的 氮化物，或者包含有機材料如有機樹脂等的單層或疊層來形成側(cè)壁2654。而且， 通過以垂直方向為主體的各向異性蝕刻來對該絕緣膜選擇性地進行蝕刻，從而 可以與導(dǎo)電膜2640、 2642的側(cè)面接觸地形成該絕緣膜。另外，使用側(cè)壁2654 作為在形成LDD(輕摻雜漏極)區(qū)域時的摻雜用掩模。此外，這里側(cè)壁2654形成 為與形成在導(dǎo)電膜2640、 2642的下方的絕緣膜的側(cè)面也接觸。接著，通過使用該側(cè)壁2654、導(dǎo)電膜2640、 2642作為掩模來將雜質(zhì)元素 引入到襯底2600的區(qū)域2612、 2613中，形成用作源區(qū)域或漏區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域 (參照圖17C)。這里，使用側(cè)壁2654和導(dǎo)電膜2642作為掩模來將賦予高濃度 的n型的雜質(zhì)元素引入到襯底2600的區(qū)域2613中，而使用側(cè)壁2654和導(dǎo)電 膜2640作為掩模來將賦予高濃度的p型的雜質(zhì)元素引入到區(qū)域2612中。其結(jié)果，在襯底2600的區(qū)域2612中，形成構(gòu)成源區(qū)域或漏區(qū)域的雜質(zhì)區(qū) 域265S、構(gòu)成LDD區(qū)域的低濃度雜質(zhì)區(qū)域2660、以及溝道形成區(qū)域2656。此 外，在襯底2600的區(qū)域2613中，形成構(gòu)成源區(qū)域或漏區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域2664、 構(gòu)成LDD區(qū)域的低濃度雜質(zhì)區(qū)域2666、以及溝道形成區(qū)域2662。此外，在本實施方式中，在使不重疊于導(dǎo)電膜2640、 2642的襯底2600的 區(qū)域2612、 2613露出了的狀態(tài)下進行雜質(zhì)元素的引入。因此，可以分別形成 在襯底2600的區(qū)域2612、 2613中的溝道形成區(qū)域2656、 2662與導(dǎo)電膜2640、 2642以自對準的方式形成。接著，覆蓋設(shè)置在襯底2600的區(qū)域2612、 2613上的絕緣膜及導(dǎo)電膜等地 形成第二絕緣膜2677，并且該第二絕緣膜2677中形成開口部2678(參照圖18A)?？梢允褂肅VD法或濺射法等并使用由如下材料構(gòu)成的單層或疊層結(jié)構(gòu)來提供第二絕緣膜2677:具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiO》膜、氮化硅(SiNj膜、氧氮 化硅(SiOJi) (x〉y)膜、氮氧化硅(SiNA) (x〉y)膜等；DLC (類金剛石碳)等的包含碳 的膜；有機材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸等； 或者硅氧烷材料如硅氧垸樹脂等。另外，硅氧烷材料相當于包含Si-O-Si鍵的材料。 硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(O)的鍵而構(gòu)成。作為取代基，使用至少包含氫的 有機基(例如垸基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基。此外，作為取代基，也 可以使用至少包含氫的有機基和氟基。接著，使用CVD法來在開口部2678中形成導(dǎo)電膜2680，并且在第二絕緣 膜2677上選擇性地形成與導(dǎo)電膜2680電連接的導(dǎo)電膜2682a至2682d(參照圖 18B)。通過CVD法或濺射法等，使用選自鋁(A1)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、 鎳(Ni)、鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、硅(Si)中 的元素、以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料的單層或疊層來形成導(dǎo)電 膜2680、 2682a至2682d。以鋁作為主要成分的合金材料相當于，例如以鋁作為主 要成分且還含有鎳的材料，或者以鋁作為主要成分且還含有鎳及碳和硅的一方或雙 方的合金材料。作為導(dǎo)電膜2680、 2682a至2682d，優(yōu)選使用例如由阻擋膜、鋁硅 (Al-Si)膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)，或者由阻擋膜、鋁硅(A1-Si)膜、氮化鈦膜和 阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)。另外，阻擋膜相當于由鈦、鈦的氧化物、鉬或者鉬的氧化 物組成的薄膜。因為鋁和鋁硅具有低電阻且其價格低，所以作為用于形成導(dǎo)電膜 2680、 2682a至2682d的材料最合適。此外，當設(shè)置上層和下層的阻擋層時，可以 防止鋁或鋁硅的小丘的產(chǎn)生。此外，當形成由高還原性的元素的鈦構(gòu)成的阻擋膜時， 即使在結(jié)晶半導(dǎo)體膜上形成有薄的自然氧化膜，也可以使該自然氧化膜還原，并獲 得與結(jié)晶半導(dǎo)體膜的良好接觸。這里，導(dǎo)電膜2680、 2682a至2682d可以通過采用CVD法使鎢(W)選擇性地生長來形成?？梢酝ㄟ^上述工序而獲得一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件具備形成在襯底 2600的區(qū)域2612中的p型晶體管和形成在區(qū)域2613中的n型晶體管。此外，這里附記構(gòu)成本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的晶體管結(jié)構(gòu)不局限于附圖所示的結(jié)
構(gòu)。例如，會采用反交錯結(jié)構(gòu)、鰭式FET結(jié)構(gòu)等的晶體管結(jié)構(gòu)。因為可以通過采用鰭式FET結(jié)構(gòu)來抑制晶體管尺寸的微細化所引起的短溝道效應(yīng)，所以很優(yōu)選。此外，本實施方式可以與本說明書中的其他實施方式自由組合來進行。就是說， 除了使用單晶襯底形成在本實施方式中所說明的晶體管而獲得由不均勻性少的晶體管構(gòu)成的半導(dǎo)體器件的優(yōu)點之外，還具有如下優(yōu)點當在發(fā)送電路和接收電路中 使用互不相同的時鐘來在發(fā)送電路接收電路之間彼此發(fā)送/接收信號時，即使輸出 輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)的發(fā)送電路和收到數(shù)據(jù)的接收電路的時鐘不同，也不使時 鐘的占空比變得多，從而可以信號的設(shè)置時間、保持時間具有從容地設(shè)計電路。實施方式6將參照圖6A至6F說明上述實施方式所說明的用作RFID標簽的半導(dǎo)體器 件3000的使用方法。半導(dǎo)體器件可以廣泛應(yīng)用，例如可以提供到物品如鈔票、硬幣、證券、無 記名債券、證書(駕駛證、居民卡等，參照圖6A)、包裝物品的容器(包裝紙、 瓶子等，參照圖6C)、記錄媒體(DVD軟件、錄像帶等，參照圖6B)、車輛(自行 車等，參照圖6D)、個人物品(包、眼鏡等)、食物、植物、動物、人體、衣服、 生活器具、電子器具、以及包裹運輸標簽(參照圖6E和6F)等中。所述電子器 具是指液晶顯示器、EL顯示器、電視裝置(也簡單記為TV、 TV機或者TV接收 器)或便攜式電話機等。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件3000具有本發(fā)明的存儲元件，可以安裝在印刷襯底 上、附著到表面上、或者嵌入等的方式固定到物品上。例如，半導(dǎo)體器件嵌入 在書本的紙張里，或者嵌入在包裝的有機樹脂里以在每個物體中固定。就根據(jù) 本發(fā)明的半導(dǎo)體器件3000而言，因為實現(xiàn)了尺寸小、厚度薄以及重量輕，所 以即使在固定到上述物品中以后也不會破壞所述物品本身的設(shè)計性。另外，通 過在鈔票、硬幣、證券、無記名債券和證書等中提供本發(fā)明的半導(dǎo)體器件3000，可以提供認證功能，而且通過利用所述認證功能可以防止對其的偽造。另外， 可以通過在包裝物品的容器、記錄媒體、個人物品、食物、衣服、生活器具和 電子器具等中提供本發(fā)明的半導(dǎo)體器件3000，提高檢測系統(tǒng)的系統(tǒng)運行效率。此外，本實施方式可以與本說明書中的其他實施方式的技術(shù)因素自由組合來進
行。就是說，通過將本發(fā)明使用于本實施方式中所說明的用作RFID標簽的半導(dǎo)體 器件中的時鐘生成電路，當在發(fā)送電路和接收電路中使用互不相同的時鐘來在發(fā)送 電路和接收電路之間彼此發(fā)送/接收信號時，即使輸出輸入到接收電路中的數(shù)據(jù)的 發(fā)送電路和收到數(shù)據(jù)的接收電路的時鐘不同，也不使時鐘的占空比變得多，從而可 以信號的設(shè)置時間、保持時間具有從容地設(shè)計電路。本說明書根據(jù)2006年8月31日在日本專利局受理的日本專利申請?zhí)?2006-236846而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種時鐘生成電路，包括邊緣檢測電路；基準時鐘生成電路；基準時鐘計數(shù)電路；以及分頻電路，其中所述基準時鐘計數(shù)電路是如下電路在所述邊緣檢測電路從檢測出通過天線從讀寫器輸入到所述邊緣檢測電路中的信號的邊緣到檢測出下一個邊緣的期間內(nèi)，將對從所述基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值輸出到所述分頻電路中，并且其中所述分頻電路是如下電路根據(jù)所述計數(shù)值進行所述基準時鐘信號的分頻。
2. —種時鐘生成電路，包括 邊緣檢測電路； 基準時鐘生成電路； 基準時鐘計數(shù)電路；以及 分頻電路，其中所述邊緣檢測電路是如下電路檢測出從外部輸入的信號的邊緣，其中所述基準時鐘計數(shù)電路是如下電路在所述邊緣檢測電路從檢測出所述邊緣到檢測出下一個邊緣的期間內(nèi)，將對從所述基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值輸出到所述分頻電路中，并且其中所述分頻電路是如下電路根據(jù)所述計數(shù)值進行所述基準時鐘信號的分頻。
3. —種時鐘生成電路，包括 邊緣檢測電路； 基準時鐘生成電路； 基準時鐘計數(shù)電路；以及 分頻電路，其中所述邊緣檢測電路包括第一鎖存電路、向其輸入從所述第一鎖存電路 輸出的信號的第二鎖存電路、向其輸入從所述第一鎖存電路輸出的信號的反相 器電路、以及向其輸入從所述第二鎖存電路輸出的信號及從所述反相器電路輸 出的信號的AND電路，其中所述AND電路是如下電路在從所述第二鎖存電路輸出的信號和從所 述反相器電路輸出的信號不同的情況下，輸出復(fù)位信號，其中所述基準時鐘計數(shù)電路是如下電路使用所述復(fù)位信號來復(fù)位對從所 述基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值，且 將所述計數(shù)值輸出到所述分頻電路中，并且其中所述分頻電路是如下電路根據(jù)所述計數(shù)值進行所述基準時鐘信 號的分頻。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的時鐘生成電路，其特征在于，所述基準時鐘生 成電路是環(huán)形振蕩器和水晶振蕩器之一。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的時鐘生成電路，其特征在于，所述基準時鐘生 成電路是環(huán)形振蕩器和水晶振蕩器之一。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的時鐘生成電路，其特征在于，所述基準時鐘生成電路是環(huán)形振蕩器和水晶振蕩器之一。
7. —種通過無線通信與讀寫器進行信號的發(fā)送/接收且具備天線的半導(dǎo)體器件，包括邊緣檢測電路； 基準時鐘生成電路； 基準時鐘計數(shù)電路；以及 分頻電路， 其中所述基準時鐘計數(shù)電路是如下電路在所述邊緣檢測電路從檢測出從 所述讀寫器通過所述天線輸入的信號的邊緣到檢測出下一個邊緣的期間內(nèi)，將 對從所述基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計 數(shù)值輸出到所述分頻電路中，并且其中所述分頻電路是如下電路根據(jù)所述計數(shù)值進行所述基準時鐘信號的分頻。
8. —種通過無線通信與讀寫器進行信號的發(fā)送/接收且具備天線的半導(dǎo)體 器件，包括邊緣檢測電路； 基準時鐘生成電路； 基準時鐘計數(shù)電路；以及 分頻電路，其中所述邊緣檢測電路是如下電路檢測出從所述讀寫器通過所述天線輸 入的信號的邊緣，其中所述基準時鐘計數(shù)電路是如下電路在所述邊緣檢測電路從檢測出所 述邊緣到檢測出下一個邊緣的期間內(nèi)，將對從所述基準時鐘生成電路輸出的基 準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值輸出到所述分頻電路中，并且其中所述分頻電路是如下電路根據(jù)所述計數(shù)值進行所述基準時鐘信 號的分頻。
9. 一種通過無線通信與讀寫器進行信號的發(fā)送/接收且具備天線的半導(dǎo)體 器件，包括邊緣檢測電路； 基準時鐘生成電路； 基準時鐘計數(shù)電路；以及 分頻電路，其中所述邊緣檢測電路包括第一鎖存電路、向其輸入從所述第一鎖存電 路輸出的信號的第二鎖存電路、向其輸入從所述第一鎖存電路輸出的信號的反相器電路、以及向其輸入從所述第二鎖存電路輸出的信號及從所述反相器電路 輸出的信號的AND電路，其中所述AND電路是如下電路在從所述第二鎖存電路輸出的信號和從所述反相器電路輸出的信號不同的情況下，輸出復(fù)位信號，其中所述基準時鐘計數(shù)電路是如下電路使用所述復(fù)位信號來復(fù)位對從所 述基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值，且 將計數(shù)值輸出到所述分頻電路中，并且其中所述分頻電路是如下電路根據(jù)所述計數(shù)值進行所述基準時鐘信 號的分頻。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基準時鐘生成 電路是環(huán)形振蕩器和水晶振蕩器之一 。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基準時鐘生成 電路是環(huán)形振蕩器和水晶振蕩器之一。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基準時鐘生成電路是環(huán)形振蕩器和水晶振蕩器之一。
全文摘要
本發(fā)明的課題在于提供即使在接收電路和發(fā)送電路等的多個電路之間使用不同的時鐘信號，也能夠進行穩(wěn)定的通信的時鐘生成電路及具備該時鐘生成電路的半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的時鐘生成電路包括邊緣檢測電路、基準時鐘生成電路、基準時鐘計數(shù)電路、以及分頻電路，其中，所述基準時鐘計數(shù)電路是如下電路在將信號從外部輸入到邊緣檢測電路中，從檢測出該信號的邊緣到檢測出下一個邊緣的期間內(nèi)，將對從基準時鐘生成電路輸出的基準時鐘信號的波數(shù)進行計數(shù)而獲得的計數(shù)值輸出到所述分頻電路中，并且所述分頻電路是如下電路進行根據(jù)計數(shù)值的基準時鐘信號的分頻。
文檔編號G06K7/00GK101136063SQ20071014724
公開日2008年3月5日 申請日期2007年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月31日
發(fā)明者池田隆之, 河江大輔, 遠藤正已, 黑川義元 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所