本申請(qǐng)涉及一種干蝕刻設(shè)備及干蝕刻設(shè)備的電極。

背景技術(shù)：

隨著科技進(jìn)步，具有省電、無幅射、體積小、低耗電量、平面直角、高分辨率、畫質(zhì)穩(wěn)定等多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)的液晶顯示器，尤其是現(xiàn)今各式信息產(chǎn)品如：手機(jī)、筆記本電腦、數(shù)字相機(jī)、pda、液晶屏幕等產(chǎn)品越來越普及，也使得液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)的需求量大大提升。因而推動(dòng)了液晶顯示面板行業(yè)的快速發(fā)展，面板的產(chǎn)量不斷提升。蝕刻工藝是制造液晶顯示面板的陣列基板過程中的一個(gè)重要步驟。蝕刻工藝根據(jù)蝕刻劑的物理狀態(tài)分為干蝕刻工藝和濕蝕刻工藝，即干蝕刻工藝為利用蝕刻氣體進(jìn)行蝕刻的工藝，濕蝕刻工藝為利用蝕刻液體進(jìn)行蝕刻的工藝。

在利用干蝕刻工藝進(jìn)行陣列基板制造的過程中，理想狀態(tài)下蝕刻氣體(processgas)是在進(jìn)氣系統(tǒng)的吹力、抽氣系統(tǒng)的吸力、電極板之間的電壓等因素的作用下以完全垂直于待加工基板面的方向吹向待加工基板面。在整個(gè)加工過程中，在保證蝕刻氣體的氣壓、氣流的穩(wěn)定的前提下，使整個(gè)加工過程中待加工基板面每個(gè)部分接觸到相等的量的蝕刻氣體、以期待加工基板各部分會(huì)以相同速率被處理，確保待加工基板各部分在加工過程中的加工均一性。

但是，由于腔室內(nèi)部的角落一般為隔網(wǎng)或不裝設(shè)任何組件，再加上蝕刻腔體內(nèi)部設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)以及排氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)等因素，導(dǎo)致在實(shí)際操作中蝕刻氣體會(huì)向腔室內(nèi)部的角落流動(dòng)，四角落與其他位置蝕刻程度有落差，形成不適當(dāng)?shù)呢?fù)載效應(yīng)(loadingeffect)，使得待加工基板各個(gè)部分的蝕刻程度不同，造成待加工基板的各部分的加工均一性(paneluniformity)不佳，導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)的目的在于，提供一種干蝕刻設(shè)備及干蝕刻設(shè)備的電極，可以在不大幅改變現(xiàn)有干蝕刻流程的前提，提升蝕刻氣體流動(dòng)方向的均勻分布情形。

本申請(qǐng)的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本申請(qǐng)?zhí)岢龅囊环N干蝕刻設(shè)備的電極，所述干蝕刻設(shè)備的電極，包括：電極板，表面包括組件放置區(qū)及環(huán)繞所述組件放置區(qū)的邊緣區(qū)；阻擋環(huán)設(shè)置在所述邊緣區(qū)，位于所述組件放置區(qū)的外圍；以及，隔板設(shè)置在所述電極板外側(cè)，鄰接所述阻擋環(huán)的外圍，所述隔板具有多個(gè)穿孔。

本申請(qǐng)解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述隔板以等間距、不等間距、局部等間距或無間隔的方式設(shè)置于所述阻擋環(huán)的外圍。

在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述多個(gè)穿孔以均勻、不均勻、局部均勻的方式設(shè)置于所述隔板。

在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述多個(gè)穿孔的形狀與大小是相同、相異或局部相同。

本申請(qǐng)的另一目為一種干蝕刻設(shè)備，包括：腔室；基臺(tái)設(shè)置于所述腔室的內(nèi)部；第一電極設(shè)置于所述基臺(tái)上，表面包括組件放置區(qū)及環(huán)繞所述組件放置區(qū)的邊緣區(qū)；阻擋環(huán)設(shè)置在所述邊緣區(qū)位于所述組件放置區(qū)的外圍；隔板設(shè)置在所述第一電極外緣，位于所述阻擋環(huán)的外圍，所述隔板具有多個(gè)穿孔；第二電極設(shè)置于所述腔室的內(nèi)部并與所述第一電極對(duì)向設(shè)置；進(jìn)氣口設(shè)置于所述腔室內(nèi)側(cè)，所述進(jìn)氣口的水平位置高于所述第一電極的水平位置；以及，抽氣口設(shè)置于所述腔室內(nèi)側(cè)，所述抽氣口的水平位置低于所述第一電極的水平位置。

本申請(qǐng)解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。

在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述隔板以等間距、不等間距、局部等間距或無間隔的方式設(shè)置于所述阻擋環(huán)的外圍。

在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述多個(gè)穿孔以均勻、不均勻、局部均勻的方式設(shè)置于所述隔板。

在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述多個(gè)穿孔的形狀與大小是相同、相異或局部相同。

在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述抽氣口設(shè)置于所述腔室的底部，與所述隔板的開口對(duì)向設(shè)置。

在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述抽氣口設(shè)置于所述腔室的側(cè)邊，鄰接所述隔板的開口。

本申請(qǐng)可以不大幅改變現(xiàn)有干蝕刻流程的前提，提升蝕刻氣體流動(dòng)方向的均勻分布情形，避免蝕刻氣體持續(xù)朝向腔室內(nèi)部的角落流動(dòng)，減少待加工基板四角落與其他位置蝕刻程度有落差，降低不適當(dāng)?shù)呢?fù)載效應(yīng)產(chǎn)生情形，維持待加工基板的各部分的加工均一性，提升待加工基板的制造良率。

附圖說明

圖1a為范例性的干蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1b為范例性的干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。

圖2為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。

圖3為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)橫截面示意圖。

圖4為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。

圖5為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。

圖6為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本申請(qǐng)可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本申請(qǐng)所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說明及理解本申請(qǐng)，而非用以限制本申請(qǐng)。

附圖和說明被認(rèn)為在本質(zhì)上是示出性的，而不是限制性的。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。另外，為了理解和便于描述，附圖中示出的每個(gè)組件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申請(qǐng)不限于此。

在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中，為了理解和便于描述，夸大了一些層和區(qū)域的厚度。將理解的是，當(dāng)例如層、膜、區(qū)域或基底的組件被稱作“在”另一組件“上”時(shí)，所述組件可以直接在所述另一組件上，或者也可以存在中間組件。

另外，在說明書中，除非明確地描述為相反的，否則詞語(yǔ)“包括”將被理解為意指包括所述組件，但是不排除任何其它組件。此外，在說明書中，“在......上”意指位于目標(biāo)組件上方或者下方，而不意指必須位于基于重力方向的頂部上。

為更進(jìn)一步闡述本申請(qǐng)為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本申請(qǐng)?zhí)岢龅囊环N干蝕刻設(shè)備及干蝕刻設(shè)備的電極，其具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。

在電子設(shè)備的集成電路制造過程中，常需要在工件表面將整個(gè)電路圖案定義出來。其制造程序通常是先在待加工工件的待加工面上蓋上一層薄膜，再利用微影技術(shù)在這層薄膜上以光阻定義出電路圖案，再利用化學(xué)或物理方式將不需要的部分去除，此種去除步驟便稱為蝕刻。在蝕刻工藝中，通常使用制程均一性來描述在某一制程下工件整體的蝕刻程度。在一特定制程中，同一工件加工面上不同位置的蝕刻程度越接近其制程均一性越高。為保證工件各部分能夠同時(shí)完成蝕刻加工，保證工件加工良品率以及工件品質(zhì)，需要對(duì)工件各部分的蝕刻程度進(jìn)行控制，盡量保證待加工工件各部分以相同的速率被蝕刻。即在蝕刻制程中保證較高的制程均一性。

蝕刻工藝通常分為濕蝕刻工藝和干蝕刻工藝。顧名思義，濕蝕刻工藝是采用液體作媒介進(jìn)行蝕刻，干蝕刻工藝是采用氣體作媒介進(jìn)行蝕刻。因此對(duì)于干蝕刻工藝，在整個(gè)制程中待加工工件待加工面接觸到的蝕刻氣體的量就成了決定蝕刻速率的一個(gè)重要決定因素。一般情況下改善干蝕刻設(shè)備制程均一性主要是通過調(diào)整壓力、氣體流量等參數(shù)實(shí)現(xiàn)。但是隨著對(duì)制程均一性要求的不斷提高，僅僅通過上述幾個(gè)參數(shù)調(diào)整已很難進(jìn)一步提升制程均一性，尤其是目前待加工工件越來越大，制程均一性改善難度也越來越大。

圖1a為范例性的干蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖及圖1b為范例性的干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。如圖1a所示，干蝕刻設(shè)備100包括：供待加工基板200進(jìn)行蝕刻作業(yè)用的腔室110。腔室110的側(cè)面設(shè)置有用于傳送待加工基板200的腔門111。基臺(tái)112設(shè)置在腔室110內(nèi)部，常態(tài)的作法是設(shè)置于腔室110的底部，基臺(tái)112是用于放置待加工基板200。第一電極121與第二電極122是對(duì)向設(shè)置方式而被配置在腔室110內(nèi)部，用于控制蝕刻氣體130流向，常態(tài)是一者設(shè)置在腔室110上方，另一者即設(shè)置腔室110底部的基臺(tái)112上。抽氣口141設(shè)置于干蝕刻設(shè)備100的腔室110底部或側(cè)邊，其與抽氣裝置142配套設(shè)置而用于排出蝕刻氣體130。在一些實(shí)施例中，抽氣口141的部位也可以直接設(shè)置抽氣裝置142。原則上，抽氣口141的水平位置要低于所述第一電極121的水平位置。進(jìn)氣口設(shè)置于干蝕刻設(shè)備100的腔室110頂部或側(cè)邊，其與進(jìn)氣裝置配套設(shè)置而用于吹入蝕刻氣體130。在一些實(shí)施例中，進(jìn)氣口的部位也可以直接設(shè)置進(jìn)氣裝置。原則上，進(jìn)氣口的水平位置要高于所述第一電極121的水平位置。在一些實(shí)施例中，干蝕刻設(shè)備100的進(jìn)氣系統(tǒng)架設(shè)在蝕刻腔室110頂部的第二電極122處，用于吹進(jìn)蝕刻氣體130，由于進(jìn)氣口的位置和第二電極122重合，其在圖1a中沒有具體體現(xiàn)。

請(qǐng)繼續(xù)參考圖1a及圖1b，第一電極121的表面會(huì)配置阻擋環(huán)113，其為待加工基板200置放在第一電極121上時(shí)，提供止滑、穩(wěn)定組件及固定位置的作用。第一電極121的最外側(cè)，原則上是阻擋環(huán)113的外緣，會(huì)配置隔板114。隔板114是為讓蝕刻氣體130流動(dòng)能因阻隔而讓流動(dòng)速率及流動(dòng)方向能受到控制有效控制，同時(shí)針對(duì)性的保護(hù)第一電極121局部部分。然而，隔板114一般是平面設(shè)計(jì)，為使蝕刻氣體130能確實(shí)不滯留于待加工基板200上，腔室110內(nèi)部的角落一般會(huì)作留空設(shè)計(jì)，也就是不裝設(shè)任何的組件，或者在設(shè)計(jì)人員需求下設(shè)置隔網(wǎng)。

本發(fā)明針對(duì)干蝕刻設(shè)備的電極進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，從而改善加工過程中蝕刻氣體的流向，達(dá)到控制整個(gè)制程中待加工工件待加工面上不同位置接觸到的蝕刻氣體的量的目的，從而提高制程均一性。

使用本發(fā)明的干蝕刻設(shè)備100可以改善制程均一性。在此，主要基于加工液晶顯示面板的干蝕刻設(shè)備100來描述本發(fā)明的運(yùn)作方式，之后所述蝕刻制程主要以加工處理玻璃基板為主。但是需要指出的是，本發(fā)明的干蝕刻設(shè)備100應(yīng)用不限于此，任何采用干蝕刻加工工藝的加工制造環(huán)節(jié)都可以采用本發(fā)明所述的干蝕刻設(shè)備100。

圖2為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，所述一種干蝕刻設(shè)備100的電極，包括：電極板(以第一電極121為例)，表面包括組件放置區(qū)123及環(huán)繞所述組件放置區(qū)123的邊緣區(qū)124；阻擋環(huán)113設(shè)置在所述邊緣區(qū)124，位于所述組件放置區(qū)123的外圍；以及，隔板114設(shè)置在所述第一電極121外緣，位于所述阻擋環(huán)113的外圍，所述隔板114具有多個(gè)穿孔。

圖3為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)橫截面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參閱圖2以利于了解。如圖3，在本申請(qǐng)一實(shí)施例中，所述一種干蝕刻設(shè)備，包括：腔室110；設(shè)置于所述腔室110的內(nèi)部的基臺(tái)112，原則上是設(shè)置于腔室110的底部；設(shè)置于所述基臺(tái)112上的第一電極121，其表面包括組件放置區(qū)123及環(huán)繞所述組件放置區(qū)123的邊緣區(qū)124；設(shè)置在所述邊緣區(qū)124阻擋環(huán)113，位于所述組件放置區(qū)123的外圍；設(shè)置在所述電極板外側(cè)的隔板114，位于所述阻擋環(huán)113的外圍，所述隔板114具有多個(gè)穿孔125；設(shè)置于所述腔室110的內(nèi)部并與所述第一電極121對(duì)向設(shè)置的第二電極122；設(shè)置于所述腔室110內(nèi)側(cè)的進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口的水平位置高于所述第一電極121的水平位置，通常是設(shè)置于所述腔室110頂部的所述第二電極122處，其與進(jìn)氣裝置配套設(shè)置而用于吹入蝕刻氣體130，由于進(jìn)氣口的位置和所述第二電極122重合，故圖3未呈現(xiàn)；以及，設(shè)置于所述腔室110內(nèi)側(cè)的抽氣口141，其與抽氣裝置142配套設(shè)置而用于排出蝕刻氣體130，所述抽氣口141的水平位置低于所述第一電極121的水平位置，通常是設(shè)置于所述腔室110底部的所述基臺(tái)112的下方。其中第一電極121與第二電極122之間存在恒定的壓差，用于控制蝕刻氣體130的流向。

如圖2及圖3所繪示，所述隔板114具有多個(gè)穿孔125，依據(jù)穿孔125設(shè)置的位置，可以限制蝕刻氣體130的流動(dòng)速率、方向及氣體分布的均勻程度，而且蝕刻氣體130可通過穿孔125穿過隔板114而流動(dòng)到隔板114下方，以便由抽氣口141排出腔室110，而不會(huì)被限制在腔室110的角落。

如圖2繪示，在一些實(shí)施例中，所述隔板114以無間隔(或連續(xù)配置)的方式設(shè)置于所述阻擋環(huán)113的外圍。

如圖2繪示，在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)穿孔125以均勻的方式設(shè)置于所述隔板114。

如圖2繪示，在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)穿孔125的形狀與大小是相同。

圖4為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。在一些實(shí)施例中，所述隔板114以等間距的方式設(shè)置于所述阻擋環(huán)113的外圍。

在一些實(shí)施例中，所述隔板114以不等間距或局部等間距的方式設(shè)置于所述阻擋環(huán)113的外圍。

圖5為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)穿孔125以不均勻的方式設(shè)置于所述隔板114。

在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)穿孔125以局部均勻的方式設(shè)置于所述隔板114。

圖6為依據(jù)本申請(qǐng)的方法，一實(shí)施例應(yīng)用于干蝕刻設(shè)備的電極結(jié)構(gòu)示意的俯視圖。在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)穿孔125的形狀與大小是相異或局部相同。

如圖2所示，在一些實(shí)施例中，所述抽氣口141設(shè)置于所述腔室110的底部，與所述隔板114的開口對(duì)向設(shè)置。

在一些實(shí)施例中，所述抽氣口141設(shè)置于所述腔室110的側(cè)邊，鄰接所述隔板114的開口125。

本申請(qǐng)可以不大幅改變現(xiàn)有干蝕刻流程的前提，提升蝕刻氣體130流動(dòng)方向的均勻分布情形，避免蝕刻氣體130持續(xù)朝向腔室110內(nèi)部的角落流動(dòng)，減少待加工基板200四角落與其他位置蝕刻程度有落差，降低不適當(dāng)?shù)呢?fù)載效應(yīng)產(chǎn)生情形，維持待加工基板200的各部分的加工均一性，提升待加工基板200的制造良率。

“在一些實(shí)施例中”及“在各種實(shí)施例中”等用語(yǔ)被重復(fù)地使用。此用語(yǔ)通常不是指相同的實(shí)施例；但它也可以是指相同的實(shí)施例。“包含”、“具有”及“包括”等用詞是同義詞，除非其前后文意顯示出其它意思。

以上所述，僅是本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本申請(qǐng)作任何形式上的限制，雖然本申請(qǐng)已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本申請(qǐng)，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本申請(qǐng)技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本申請(qǐng)技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本申請(qǐng)的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本申請(qǐng)技術(shù)方案的范圍內(nèi)。