專利名稱：：個(gè)人證件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種個(gè)人證件，如身份證、護(hù)照、駕駛證或工作證，以及一種用于制造個(gè)人證件的方法。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有技術(shù)中公知了大量有關(guān)在證件中置入集成電路的應(yīng)用，比如以IC卡的形式。由此，快速的、部分自動(dòng)化的驗(yàn)證變得簡單，且偽造這些證件變得困難。此外，以這種方式能夠把附加信息，比如將用于證明持有人的生物統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)儲存在證件中。然而，在證件中置入ic的缺點(diǎn)是，在很多情況下證件必須是柔韌的并且在其有效期內(nèi)要承受非常強(qiáng)的、不同的負(fù)荷，特別是彎曲負(fù)荷。而以硅為材質(zhì)的ic是易碎的和容易折斷的，以至于只有在一定條件下才能夠保證必要的牢固性。因此，通常把芯片嵌入封裝材料中并且在這種形式中作為"芯片模塊"置入IC卡中，在其中芯片并沒有構(gòu)成一個(gè)完整的組成部分，而只是一個(gè)在機(jī)械特性上明顯不同于卡的基材的異體。此外，特別不利的還有IC和導(dǎo)軌之間的接觸，當(dāng)證件彎曲時(shí)，雖然基底彎曲，ic卻保持堅(jiān)硬。這就大大限定了在柔韌的證件中ic的尺寸。至今為止，最多只能在非柔韌的證件、比如護(hù)照的封皮中安裝大的、高效率的、厚的ic，因?yàn)閳?jiān)硬的封皮在這里對證件和IC起到保護(hù)作用。對于同樣相對較硬的IC卡來說，必須至少有760Mm的厚度，其中，由于芯片模塊的尺寸及其例如350pm的厚度，只留有較小的位置用于布置卡的結(jié)構(gòu)。最后，證件的結(jié)構(gòu)通過安裝芯片總體上變得不穩(wěn)定，由此再次產(chǎn)生了潛在的偽造者進(jìn)行欺騙性的操作的可能性?，F(xiàn)有技術(shù)(DE1%51566B4)已公開，把硅質(zhì)-IC的背面磨平并因此相應(yīng)減薄。這種在極端情況下能夠減薄至10pm至15pm的IC相對于通常的厚的芯片更加柔韌得多，因此，它也能夠被置入例如薄的、紙質(zhì)的證件中(DE19630648A1)。但是，此類IC在置入個(gè)人證件時(shí)也和前述一樣是證件合成中的異體。此類IC只不完全地與個(gè)人證件通常的基底、例如紙和塑料、特別是聚碳酸酯或聚對苯二甲乙二醇酯相連接，因此有可能在有意或無意間導(dǎo)致證件和IC的分離，所以，技術(shù)故障的風(fēng)險(xiǎn)以及行騙性操作的可能性依然存在。本發(fā)明的目標(biāo)是，提出對此進(jìn)行改進(jìn)的個(gè)人證件。
發(fā)明內(nèi)容該目標(biāo)將以具有集成的非接觸的芯片的個(gè)人證件來實(shí)現(xiàn)，該個(gè)人證件由疊層基材組成的，該疊層基材包括至少一個(gè)芯片薄膜、一個(gè)在芯片結(jié)構(gòu)面上覆蓋芯片薄膜的基底以及在背面覆蓋芯片薄膜的覆蓋層。芯片薄膜本身包括一個(gè)厚度減至d《50pm、優(yōu)選d《30pm、特別優(yōu)選d《20|im的具有集成線路的芯片和一個(gè)聚合載體薄膜，該聚合載體薄膜除觸點(diǎn)接頭外既涂布在芯片結(jié)構(gòu)面也涂布在芯片背面，其中，芯片的兩面與載體薄膜通過耦合劑來連接，耦合劑的分子具有第一化學(xué)官能團(tuán)，其優(yōu)選與芯片表面的半導(dǎo)體物質(zhì)反應(yīng)且在此處形成共價(jià)鍵，耦合劑的分子還具有第二官能團(tuán)，其優(yōu)選與載體薄膜的聚合物母體反應(yīng)。芯片與基底上設(shè)置的天線之一相連。載體薄膜、基底和覆蓋層分別具有兼容的聚合物，其可以相互混合，特別是可以相互溶解。因此，沒有把傳統(tǒng)的芯片模塊置入按照本發(fā)明的個(gè)人證件中，傳統(tǒng)的芯片模塊擁有相對厚的芯片，芯片被置入封裝材料中并因此在證件冊中形成堅(jiān)硬的異體。確切地說，在一定程度上把芯片直接置入，從而能夠使證件與芯片之間形成更好的連接，其中，證件本體的材料保證了通常必須通過芯片模塊的封裝材料來保障的功能。在此，"芯片薄膜"的含義表示的是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的硅，其被運(yùn)用在聚合薄膜上并且被減薄，使得僅還有幾十pm的硅質(zhì)保護(hù)層保留在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上。此外，在芯片與載體薄膜之間產(chǎn)生了一種通過在芯片上共價(jià)連接的分子而獲得的不可分離的連接。由此得出的優(yōu)點(diǎn)在于，例如通過證件彎曲或通過熱膨脹產(chǎn)生的力學(xué)負(fù)荷被載體材料所吸收并且半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)得到了相應(yīng)的保護(hù)。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，在試圖進(jìn)行欺騙性操縱、例如在分層時(shí)，芯片薄200780046226.3說明書第3/12頁膜是不能毫無損壞地從證件中分離的。涂布在芯片的下層和上層的聚合物應(yīng)該是兼容的。這表示，聚合物可以相互混合，特別是可以相互溶解。因此，聚合物在層合時(shí)相混合并且與同樣兼容的相鄰的基底表面和覆蓋層形成一體的卡片本體。當(dāng)分別存在相同的聚合物時(shí)這將以最佳的方式來實(shí)現(xiàn)。此外，形成載體薄膜的聚合薄膜在優(yōu)選的實(shí)施例中將除接觸部位以外的芯片完全包裹。有利的是，在證件中芯片的上下兩面置入附加的防光保護(hù)層。防光保護(hù)層能夠以金屬化的形式，比如通過在薄膜結(jié)構(gòu)和類似的結(jié)構(gòu)中的全息圖片、顏料或炭黑來實(shí)現(xiàn)。因此，可以排除光電效應(yīng)，并且也可以保證在強(qiáng)光入射時(shí)正常的運(yùn)行模式。除此之外，防光保護(hù)層阻止了借助光照射進(jìn)行欺騙性操縱芯片的行為。在按照本發(fā)明的個(gè)人證件中兼容的聚合物優(yōu)選從熱塑性塑料基，特別是聚碳酸酯(PC)基、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基及其衍生物中選擇。在本發(fā)明的個(gè)人證件中優(yōu)選置入聚合薄膜，其雙向延伸并且不形成值得一提的能夠損壞IC的電壓。特別是可以如此構(gòu)成涂層，即通過聚合物層因分子定向引起的收縮和聚合物層的熱膨脹相互抵消。按照本發(fā)明的個(gè)人證件中的芯片與位于基底內(nèi)或基底上的天線相連接，用于無接觸地讀取，其中，天線在基底上壓印的印制導(dǎo)線的末端與芯片相連接，并且至少一個(gè)印制導(dǎo)線在芯片下方的平面上延伸或者至少一個(gè)印制導(dǎo)線在芯片的位置具有斷點(diǎn)，該斷點(diǎn)在內(nèi)部通過芯片相連。因此避免了天線的一個(gè)末端為了與芯片接觸而使印制導(dǎo)線必須交叉地被導(dǎo)出。在芯片的至少一面與聚合載體薄膜之間優(yōu)選設(shè)置鈍化層，例如由氮化硅構(gòu)成的鈍化層，由此例如也得到了較好的粘附。此外，可以在接口上涂布導(dǎo)電層，尤其是直至聚合載體薄膜層厚的導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層例如由本身固有的導(dǎo)電的聚合物構(gòu)成，由可燒結(jié)的納米級金屬粉末或由具有碳納米管的粘膠劑組成的。為了平衡天線接口可能存在的間隙，有利地在天線接口面之間設(shè)置了基底的聚合物表面上的填充結(jié)構(gòu)，所述填充結(jié)構(gòu)在層合時(shí)與芯片薄膜接合在一起。此外，該目標(biāo)將通過制造下述個(gè)人證件的方法來實(shí)現(xiàn)，此類個(gè)人證件具有厚度為d《5(^m,優(yōu)選d《30)am，特別優(yōu)選d《20pm的減薄的芯片作為整體組成部分并且具有以下的方法步驟a)通過將減薄的芯片的結(jié)構(gòu)面和背面借助于耦合劑分別與聚合載體薄膜相連接來制造芯片薄膜，耦合劑的分子具有第一化學(xué)官能團(tuán)，其優(yōu)選與芯片表面的半導(dǎo)體物質(zhì)反應(yīng)且在此處形成共價(jià)鍵，并且耦合劑的分子還具有第二官能團(tuán)，其優(yōu)選與載體薄膜的聚合物母體反應(yīng)，b)在具有天線結(jié)構(gòu)的基底上置入芯片薄膜，該基底具有與芯片薄膜兼容的聚合物，c)在壓力和溫度的影響下借助于層合的方法使芯片薄膜與基底在天線接口接觸的情況下相連接，d)對具有與芯片薄膜兼容的聚合物的覆蓋層進(jìn)行層合。在層合過程中優(yōu)選通過在壓力和溫度的影響下的強(qiáng)烈的會聚實(shí)現(xiàn)芯片和天線的接觸以及在芯片和聚合載體薄膜之間形成共價(jià)鍵。在另一實(shí)施例中，在層合期間在各個(gè)粘合劑襯墊之間能夠產(chǎn)生內(nèi)在的金屬連接以及基于納米級連接技術(shù)的產(chǎn)生接觸的合金。該方法以被涂布到金屬表面的納米級金屬粉末的燒結(jié)為基礎(chǔ)。該燒結(jié)在證件層合時(shí)通過熱和壓力的作用產(chǎn)生。適合用作金屬粉末的材料例如銀、金、銅和鋁。在本發(fā)明的改進(jìn)方案中使用了具有CNT(碳納米管)的粘膠劑，該粘膠劑除了用于產(chǎn)生電接觸之外還改善了抗裂能力。還可以使用各向異性的粘膠劑或超聲波粘合劑作為其它的接觸方法。芯片薄膜制造和在基底上層合的方法步驟可以在分開的工作步驟中實(shí)現(xiàn)。但是，芯片與載體薄膜的化學(xué)連接優(yōu)選通過耦合劑同時(shí)借助于在基底上的芯片薄膜的層合進(jìn)行，其中，在相同的工作流程中還能夠?qū)崿F(xiàn)天線接口的接觸。因此，除了提高安全性、穩(wěn)定性和牢固性之外還明顯改善了在生產(chǎn)期間的可操縱性，由此降低了個(gè)人證件的成本。聚合載體薄膜還能夠事先被涂布到最終測試過的晶片的結(jié)構(gòu)面上，從而當(dāng)晶片的背面被磨損時(shí)用作粘合層和穩(wěn)定層。熱塑性塑料、特別是聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，包括其衍生物例如乙二醇改性PET(PETG)、聚萘二甲酸乙二醇脂(PEN)、丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物(ABS)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、聚甲基丙烯酸甲酯(P麗A)、聚酰亞胺(PI)、聚乙烯醇(PVA)、聚苯乙烯(PS)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯(PE)和聚丙烯(PP)可以用作基底的材料?；椎妮d體例如可以是紙，同時(shí)基底具有至少一個(gè)由上述熱塑性聚合物或其衍生物制成的表面層，例如以混合擠壓成型的基底形式。此外，在置入芯片薄膜之前，優(yōu)選在天線接口面之間的間隙中設(shè)置了聚合填充結(jié)構(gòu)，從而即使在該位置上也得到了芯片模塊與基底之間的完全的接觸。為了相同的目的還能夠釆用其它有利的措施，這樣就可以在置入芯片模塊之前在基底的范圍上執(zhí)行壓印-和壓制過程，芯片模塊應(yīng)該定位在該范圍內(nèi)。此外，在芯片模塊與基底接合前能夠如前述那樣在芯片電接口處設(shè)置導(dǎo)電材料，由此，芯片模塊與天線接口的接觸變得簡單，且/或在與載體薄膜接合前在芯片上涂上鈍化層。按照本發(fā)明的方法在其它實(shí)施例中如此實(shí)施，芯片薄膜通過借助于耦合劑將減薄的芯片的結(jié)構(gòu)面和背面與聚合載體薄膜相連接的方式來生產(chǎn)，其中，耦合劑的分子又具有第一化學(xué)官能團(tuán)，其優(yōu)選與芯片表面的半導(dǎo)體物質(zhì)反應(yīng)且在此處形成共價(jià)鍵，以及耦合劑的分子還具有第二官能團(tuán)，其優(yōu)選與載體薄膜的聚合物母體反應(yīng)。芯片薄膜被如此置入到基底上，即芯片的背面對著基底，基底具有與芯片薄膜兼容的聚合物。在芯片薄膜與基底在壓力和溫度的作用下通過層合的方式連接后，在這樣生產(chǎn)的層壓塑料上置入天線，其中，這種置入優(yōu)選通過壓印技術(shù)實(shí)現(xiàn)。最后，將覆蓋層層合，覆蓋層同樣具有與芯片薄膜兼容的聚合物。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)由下列附圖的描述中得出。圖l是依照本發(fā)明的個(gè)人證件的基本結(jié)構(gòu)的示意圖，圖2是集成到個(gè)人證件中的芯片薄膜，圖3是在IC-襯墊-接口上具有導(dǎo)電層的芯片薄膜，圖4是芯片薄膜的另一實(shí)施例，圖5是在基底上置入芯片薄膜的示意圖，圖6是在天線接口面之間置入具有聚合填充結(jié)構(gòu)的芯片薄膜，圖7a)是具有壓制天線的基底，b)是具有被置入的芯片的基底，圖8a)是壓制天線的第二實(shí)施例，b)是具有被置入的芯片的第二實(shí)施例，圖9是具有化合作用的耦合反應(yīng)產(chǎn)生的在半導(dǎo)體與聚合物母體之間的連接的示意圖，圖10是耦合反應(yīng)的示例。具體實(shí)施方式圖1示出了個(gè)人證件1基本結(jié)構(gòu)的穿過天線結(jié)構(gòu)9的接口面9a的截面圖。芯片薄膜2以厚度減薄至大約30pm的芯片3的結(jié)構(gòu)面3a被置入基底10，基底例如以紙為基質(zhì)，但至少在面向芯片薄膜2的一側(cè)具有由PC或PET構(gòu)成的聚合表面11。在減薄的芯片3的兩面上涂布聚合載體薄膜6、7，聚合載體薄膜與基底的聚合表面ll是可兼容的，并且與聚合表面在層合時(shí)形成盡可能均勻地粘接。在芯片結(jié)構(gòu)面上，由同樣可兼容材料組成的聚合填充結(jié)構(gòu)12設(shè)置在天線接口面9a之間。背面的載體薄膜7在層合時(shí)與覆蓋層14粘合，為清楚起見，覆蓋層14在圖1中以被揭起的狀態(tài)示出。芯片的接觸及其與基底的接合通過之前所述的接觸可能性來實(shí)現(xiàn)，其中，在層合與接觸之前實(shí)施了在基底10的區(qū)域內(nèi)的壓印工序，芯片薄膜2被定位在此區(qū)域中，以及所示實(shí)施例中此區(qū)域包括在基底10的聚合表面11的天線接口面9a的區(qū)域和填充結(jié)構(gòu)12區(qū)域。按這種方式產(chǎn)生了lim-范圍內(nèi)的凹陷，芯片被置入其中。然后，在壓印、涂布芯片薄膜2和將芯片薄膜在基底10上層合后在同時(shí)接觸的情況下將背面的覆蓋層14層合。芯片薄膜2和基底10的與之對應(yīng)的層和覆蓋層14是由可兼容的聚合物組成的，這些可兼容聚合物可相互溶解并且形成一個(gè)整體，無法再毫無損壞地將其拆開。此外，芯片本身構(gòu)成了證件復(fù)合體的力承載的對于整體不可缺少的組成部分。必要時(shí)，背面的覆蓋層14的層合也能夠在同一工序中與芯片薄膜和基底的層合同ii時(shí)完成。在圖2中描述了置入個(gè)人證件中的芯片薄膜2。在減薄的芯片3上的結(jié)構(gòu)面上涂布由氮化硅組成的鈍化層5，鈍化層又被由熱塑的聚碳酸酯(PC)組成的聚合載體薄膜6覆蓋。此外，載體薄膜6僅僅使IC襯墊接口空出。通過在鈍化層5上布置熱塑PC層6，雖然禁止使用焊接工藝，借助于上述接觸方法在基底上的相對冷的接觸還是有可能的。因此，芯片薄膜2在基底上層合時(shí)不僅實(shí)現(xiàn)電接觸而且還實(shí)現(xiàn)了機(jī)械安裝。在具有同樣由PC組成的聚合表面的基底上產(chǎn)生了盡可能純粹的粘合。芯片背面同樣被聚合載體薄膜7覆蓋，聚合載體薄膜例如能夠以與在結(jié)構(gòu)面上相同的覆蓋方式形成。該層7—方面改善了柔韌的薄的芯片薄膜2的力學(xué)穩(wěn)定性及其加工，另一方面在超聲波輔助的接觸中產(chǎn)生了更好的能量連接。此外，背面的聚合物層7能夠如此設(shè)計(jì)，聚合物層7經(jīng)過芯片3的邊緣延伸并且與正面的載體薄膜6相粘合，從而使載體薄膜將減薄的芯片3完全包裹。圖3示出了芯片薄膜2的另一設(shè)計(jì)方案。減薄芯片3的載體薄膜6、7依據(jù)之前圖2的描述來實(shí)施。在IC襯墊4、IC的電接口上額外設(shè)置了導(dǎo)電層8。該導(dǎo)電層8可以借助于化學(xué)或電鍍工藝?yán)饘侔愕刂圃?。?dǎo)電層優(yōu)選只實(shí)施到聚合物層6的高度。必要時(shí)，導(dǎo)電材料8的層厚還可以選擇得比聚合物層6的層厚更小。聚合物層也可以例如通過導(dǎo)電聚合系統(tǒng)構(gòu)成，并且借助于分散、絲網(wǎng)印刷、噴射或磨板技術(shù)涂制。作為導(dǎo)電聚合物層系統(tǒng)除了本身固有的導(dǎo)電性之外還可以考慮在導(dǎo)電聚合物層系統(tǒng)上將導(dǎo)電粒子嵌入聚合物母體中。為此，特別可以考慮的是納米級的粒子，其中，導(dǎo)電性在相同的填充度的情況下能夠通過由不同的粒子幾何結(jié)構(gòu)組成的合適的混合物得到提高。特別是通過CNT(碳納米管)或麗CNT(多壁碳納米管)的混合物除了產(chǎn)生足夠的導(dǎo)電性之外還可以在濃度較低的情況下顯著降低應(yīng)力裂紋敏感性。在圖4中同樣描述了減薄的芯片3，與圖3的例子比較IC襯墊接口一直延伸到芯片邊緣。此外，附圖標(biāo)記示出與前述示意圖相同的部件。圖5示出了在個(gè)人證件1的基底10上涂布芯片薄膜2的示意圖。在此，應(yīng)用在圖4中描述的芯片模塊2及其減薄芯片3。以紙為基質(zhì)的基底IO具有聚合的、由PC組成的表面ll，在該表面上設(shè)置了帶有接口面9a的天線9。如前述示意圖一樣，垂直長度與側(cè)面尺寸相比較明顯過高。實(shí)際上減薄的芯片的厚度為小于50pm，甚至可以小于30|im或20|am。IC襯墊接口4和鈍化層5的層厚位于亞微米范圍內(nèi)，聚合薄膜6和導(dǎo)電涂層8的層厚典型地位于幾個(gè)jum至大約10|im。在基底10、11上的天線接口面9a的層厚處于多個(gè))im至15nm的范圍內(nèi)，其中，優(yōu)選應(yīng)用的是以銀膏為基質(zhì)的聚合壓印天線結(jié)構(gòu)9，該天線結(jié)構(gòu)在層合過程和在130°至200°時(shí)的溫度壓印處理以及從300N/cm2至大約550N/cm2的平面加壓之后才達(dá)到根據(jù)IS014443A/B的至10Q的線圈，其對于無接觸的通訊連接是必要的。天線不僅僅能以壓印技術(shù)的方法來生產(chǎn)。同樣，它能夠作為線圈被敷設(shè)、蝕刻、汽化滲鍍或使用傳送技術(shù)傳導(dǎo)。通過天線接口面9a的相應(yīng)幾何設(shè)計(jì)以及通過相應(yīng)的表面壓力(必要時(shí)具有超聲波輔助)，在層合時(shí)導(dǎo)電面8、9a與同樣絕緣設(shè)計(jì)的層6、11相互接合。在圖6中描述了按照本發(fā)明的個(gè)人證件的另一設(shè)計(jì)方案。該圖顯示了證件在無接觸的狀態(tài)下的截面示意圖，其中，相對于之前描述的結(jié)構(gòu)在天線接口面9a的中間區(qū)域中的基底10的表面11上設(shè)置了附加的聚合結(jié)構(gòu)12。填充結(jié)構(gòu)12在芯片薄膜2層合時(shí)與載體薄膜6建立粘接并導(dǎo)致了芯片3的更小的壓力負(fù)荷。圖7a示出了具有天線9的基底10，該天線被螺旋形地加印在基底IO的邊緣。為了簡化只顯示三個(gè)螺旋(不按比例)。在此，首先建立了印制導(dǎo)線。為了能夠接觸IC,通常把印制導(dǎo)線的末端中的一個(gè)末端通到內(nèi)部，在此之前必須置入絕緣體，以避免由印制導(dǎo)線交叉所引起的短路。如圖7a所示，在按照本發(fā)明的個(gè)人證件中，建立了兩個(gè)天線接口面9a作為由印制導(dǎo)線至IC結(jié)構(gòu)面的接觸。然后，芯片薄膜2及其減薄的芯片根據(jù)圖7b被置入和粘接在該結(jié)構(gòu)上。同時(shí)，天線9的貫穿的印制導(dǎo)線在芯片薄膜2下方延伸。因此，在制造個(gè)人證件時(shí)節(jié)省了一個(gè)工藝步驟。圖8顯示了第二實(shí)施例。在這里，向芯片模塊2中集成了在附加觸點(diǎn)13上中斷的印制導(dǎo)線的導(dǎo)線連接，因此，在芯片的下方無須加印印制導(dǎo)線。必須設(shè)置附加觸點(diǎn)13的缺點(diǎn)同時(shí)通過提高絕緣強(qiáng)度和減少短路風(fēng)13險(xiǎn)的優(yōu)點(diǎn)來抵消。在IC的聚合涂層內(nèi)為至少兩個(gè)用于連接RFID-天線的觸點(diǎn)設(shè)置了空隙。接觸是在層合過程中實(shí)現(xiàn)的，因此不需要焊接過程，焊接過程通常意味著溫度負(fù)荷在高于240°的范圍內(nèi)并且需要與之相適應(yīng)的耐焊接基底。在圖9中描述了基本作用原理，運(yùn)用該作用原理能夠使以硅為基質(zhì)的芯片與聚合物實(shí)際上不可分離地接合成芯片薄膜，從而使芯片最終能夠作為構(gòu)成整體的組成部分置入層合束中。為此需要使用耦合劑，該耦合劑不僅對于硅質(zhì)的芯片而且對于周圍的聚合物母體都能夠起到建立化學(xué)結(jié)合的作用。相應(yīng)的、典型的、具有兩種不同官能的分子通常以分子組成A-B-C描述，其中，A是優(yōu)選與芯片表面的半導(dǎo)體物質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)官能團(tuán)，B是分子的間隔臂，C表示優(yōu)選與聚合物反應(yīng)的化學(xué)官能團(tuán)。因此，主要是在分子內(nèi)部存在官能團(tuán)的劃分，官能團(tuán)的劃分有選擇性地與兼容的化學(xué)基在半導(dǎo)體或聚合物母體上反應(yīng)。滿足這種要求的分子被匯編表1中。對于此類分子來說，其共同在一側(cè)具有硅垸或烷氧基官能性A。另外，其具有間隔臂B以及另一官能性C，該官能性C能夠有選擇性地建立與聚合物的連接。官能性C優(yōu)選是共價(jià)鍵。也可以是氫橋鍵或范德華鍵。該耦合劑具有共同的分子式A3SiBnC，其中，表1中的官能性A、B和C可以任意組合。還可以實(shí)現(xiàn)由多個(gè)間隔臂基B或官能性A形成一個(gè)分子，例如以A'A"A"'SiB'nB''mB'"i的形式。聚合物優(yōu)選借助于活躍的聚合作用產(chǎn)生，因此，在與反應(yīng)成分C接觸時(shí)實(shí)現(xiàn)了與聚合物鏈的連接。在其它的實(shí)施例中耦合劑還能夠具有用于連接到聚合物的催化劑的作用，在間隔臂基(CH2)n-NH-的例子中針對堿催化反應(yīng)就是這種情況。在圖10中描述了對于合適的耦合反應(yīng)的例子。對半導(dǎo)體例如硅的表面使用氫氧基進(jìn)行處理。該氫氧基能夠在分離出甲醇的情況下與三-甲氧基-環(huán)氧-硅氧烷(圖10中的反應(yīng)形成加合物[2]。因此，硅通過環(huán)氧基實(shí)現(xiàn)了表面處理。加合物[2]再與聚合物例如PET或PC反應(yīng)形成加合物[3]，其中，PET或PC在表面具有羧基，由此，硅質(zhì)半導(dǎo)體在聚合物母體上共價(jià)結(jié)合。羧基處理的PC在現(xiàn)有技術(shù)中(例如US4959411A)被公開。因此，在所描述的方式中實(shí)現(xiàn)了具有芯片的個(gè)人證件，芯片構(gòu)成了證件的構(gòu)成整體的組成部分并且實(shí)際上不再能夠從證件冊中脫離。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>附圖標(biāo)記1個(gè)人證件2芯片薄膜3減薄的芯片3a芯片的結(jié)構(gòu)面3b芯片的背面4IC襯墊接口5鈍化層6聚合載體薄膜(芯片的結(jié)構(gòu)面)7聚合載體薄膜(芯片的背面)8導(dǎo)電材料9天線9a天線接口面10基底11基底的聚合表面12聚合填充結(jié)構(gòu)13附加的天線觸點(diǎn)14覆蓋層1權(quán)利要求1、一種個(gè)人證件，具有集成的可無接觸讀取的芯片，其中，所述個(gè)人證件(1)由疊層基材制成，所述疊層基材至少由芯片薄膜(2)、在芯片結(jié)構(gòu)面(3a)上覆蓋芯片薄膜(2)的基底(10)以及在背面覆蓋芯片薄膜(2)的覆蓋層(14)組成，所述芯片薄膜(2)由厚度減至d≤50μm、優(yōu)選d≤30μm、特別優(yōu)選d≤20μm的具有集成線路的芯片(3)和聚合載體薄膜(6、7)組成，所述聚合載體薄膜除觸點(diǎn)接頭外既涂布在芯片(3)的結(jié)構(gòu)面(3a)也涂布在芯片(3)的背面(3b)，所述芯片(3)的兩面與載體薄膜(6、7)分別通過耦合劑來連接，所述耦合劑的分子具有第一化學(xué)官能團(tuán)，其優(yōu)選與芯片表面的半導(dǎo)體物質(zhì)反應(yīng)且在此處形成共價(jià)鍵，以及所述耦合劑的分子還具有第二官能團(tuán)，其優(yōu)選與載體薄膜(6、7)的聚合物母體反應(yīng)，其中，所述載體薄膜(6、7)、基底(10)和覆蓋層(14)分別具有兼容的聚合物，其可以相互混合，特別是可以相互溶解，所述芯片(3)與在基底(10)上設(shè)置的天線(9)相連。2、如權(quán)利要求1所述的個(gè)人證件，其中，在所述芯片(3)的上下兩面置入附加的防光保護(hù)層。3、如權(quán)利要求1或2所述的個(gè)人證件，其中，從熱塑性塑料基，特別是聚碳酸酯(PC)基、聚對苯二甲乙二醇酯(PET)基及其衍生物中選擇至少一種所述兼容的聚合物。4、如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，所述芯片薄膜(3)的載體薄膜(6、7)、基底(10)和覆蓋層(14)分別由相同的聚合物組成。5、如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，通過分子定向引起的聚合物層的收縮相互抵消。6、如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，聚合物層的熱膨脹相互抵消。7、如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，聚合物層包括雙向延伸的聚合薄膜。8、如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，在所述基底(10)上壓印的天線(9)的印制導(dǎo)線的末端(9a)與芯片(3)相連接，且至少一個(gè)印制導(dǎo)線在芯片(3)下方的一個(gè)平面上延伸。9、如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，在所述基底上壓印的天線(9)的印制導(dǎo)線的末端(9a)與芯片(3)相連接，且至少一個(gè)印制導(dǎo)線在芯片的部位具有斷點(diǎn)(13)，所述斷點(diǎn)在內(nèi)部通過芯片相連接。10、如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，所述載體薄膜(6、7)將除接觸部位以外的芯片(3)完全包裹。11、如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，在所述芯片(3)的至少一面與所述聚合載體薄膜(6、7)之間設(shè)置鈍化層。12、如權(quán)利要求l至ll中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，在觸點(diǎn)接頭上涂有導(dǎo)電層(8)，尤其是直至聚合載體薄膜(6、7)層厚的導(dǎo)電層。13、如權(quán)利要求12所述的個(gè)人證件，其中，所述導(dǎo)電層(8)由本身固有導(dǎo)電性的聚合物構(gòu)成。14、如權(quán)利要求12所述的個(gè)人證件，其中，所述導(dǎo)電層(8)由可燒結(jié)納米級金屬粉末組成。15、如權(quán)利要求12所述的個(gè)人證件，其中，所述導(dǎo)電層(8)由具有碳納米管的粘膠劑組成。16、如權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的個(gè)人證件，其中，在基底(IO)上在所述天線接口面(9a)之間設(shè)置了聚合填充結(jié)構(gòu)，所述填充結(jié)構(gòu)可通過層合與芯片的載體薄膜(6)接合。17、一種制造個(gè)人證件的方法，所述個(gè)人證件具有厚度減薄至d《50pm，優(yōu)選d《30)am，特別優(yōu)選d《20|im的芯片(3)作為整體組成部分，使用以下的方法步驟a)通過將減薄的芯片(3)的結(jié)構(gòu)面(3a)與背面(3b)借助于耦合劑與聚合載體薄膜(6、7)相連接來制造芯片薄膜(2)，耦合劑的分子具有第一化學(xué)官能團(tuán)，其優(yōu)選與芯片表面的半導(dǎo)體物質(zhì)反應(yīng)且在此處形成共價(jià)鍵，以及耦合劑的分子還具有第二官能團(tuán)，其優(yōu)選與載體薄膜的聚合物母體反應(yīng)，b)在具有天線結(jié)構(gòu)(9)的基底(10)上置入芯片薄膜(2)，所述基底具有與芯片薄膜(2)兼容的聚合物，c)在壓力和溫度的影響下借助于層合的方法使所述芯片薄膜(2)與基底(10)在天線接口(9a)接觸的情況下相連接，d)對具有與所述芯片薄膜(2)兼容的聚合物的覆蓋層(14)進(jìn)行層合o18、如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述芯片(3)與載體薄膜(6、7)的連接通過耦合劑一方面與芯片表面半導(dǎo)體物質(zhì)反應(yīng)，另一方面與聚合物母體反應(yīng)，同時(shí)通過芯片薄膜(2)與基底(10)的層合以及天線接口的接觸來實(shí)現(xiàn)。19、如權(quán)利要求17或18所述的方法，其中，所述覆蓋層(14)的層合與所述芯片薄膜(2)和基底(10)的層合共同實(shí)現(xiàn)。20、如權(quán)利要求17至19中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在置入所述芯片薄膜(2)之前在基底(10)上的天線接口面(9a)之間的間隙中設(shè)置了聚合填充結(jié)構(gòu)(12)。21、如權(quán)利要求17至21中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在置入所述芯片薄膜(2)之前在基底(10)的范圍上執(zhí)行壓印過程和壓制過程，芯片(3)應(yīng)該定位在該范圍內(nèi)。22、如權(quán)利要求17至21中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在制造所述芯片薄膜(2)前在芯片(3)上涂布鈍化層(5)。23、如權(quán)利要求17至22中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在所述芯片薄膜(2)與基底(10)接合前在芯片電接口處設(shè)置導(dǎo)電材料(8)。24、一種制造個(gè)人證件的方法，所述個(gè)人證件具有厚度減薄至d《5(Vm，優(yōu)選d《3(^m，特別優(yōu)選d《20pm的芯片(3)作為整體組成部分，使用以下的方法步驟a)通過將減薄的芯片(3)的結(jié)構(gòu)面(3a)與背面(3b)借助于耦合劑與聚合載體薄膜(6、7)相連接來制造芯片薄膜(2)，所述耦合劑的分子具有第一化學(xué)官能團(tuán)，其優(yōu)選與芯片表面的半導(dǎo)體物質(zhì)反應(yīng)且在此處形成共價(jià)鍵，以及耦合劑的分子還具有第二官能團(tuán)，其優(yōu)選與載體薄膜(6、7)的聚合物母體反應(yīng)，b)在基底(10)上置入芯片薄膜(2)，所述基底具有與芯片薄膜(2)兼容的聚合物，c)在壓力和溫度的影響下借助于層合的方法使芯片薄膜(2)與基底(10)相連接，d)特別是借助于壓印的方法在如此制造的層壓塑料上置入天線(9)，以及，e)對覆蓋層(14)進(jìn)行層合，所述覆蓋層具有與芯片薄膜兼容的聚合物。全文摘要本發(fā)明涉及一種個(gè)人證件，具有集成的可無接觸讀取的芯片，其中，個(gè)人證件由疊層基材制成，疊層基材由芯片薄膜、在芯片結(jié)構(gòu)面上覆蓋芯片薄膜的基底以及在背面覆蓋芯片薄膜的覆蓋層組成，芯片薄膜由厚度減至d≤50μm、優(yōu)選d≤30μm、特別優(yōu)選d≤20μm的具有集成線路的芯片和聚合載體薄膜組成，聚合載體薄膜除觸點(diǎn)接頭外既涂布在芯片的結(jié)構(gòu)面也涂布在芯片的背面，芯片的兩面與載體薄膜分別通過耦合劑來連接，耦合劑的分子具有第一化學(xué)官能團(tuán)，其優(yōu)選與芯片表面的半導(dǎo)體物質(zhì)反應(yīng)且在此處形成共價(jià)鍵，以及耦合劑的分子還具有第二官能團(tuán)，其優(yōu)選與載體薄膜的聚合物母體反應(yīng)，其中，載體薄膜、基底和覆蓋層分別具有兼容的聚合物，其可以相互混合，特別是可以相互溶解，芯片與在基底上設(shè)置的天線相連。文檔編號G06K19/077GK101558418SQ200780046226公開日2009年10月14日申請日期2007年12月11日優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日發(fā)明者G·拜亞-麥肯博格,J·費(fèi)舍爾,M·佩史科,M·弗路克霍夫特,O·穆特申請人:聯(lián)合印刷有限責(zé)任公司