專利名稱：：數(shù)字化指標器及其功能鍵電容補償方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種指標器，尤其涉及一種數(shù)字化指標器及其功能鍵電容補償方法。
背景技術：
：數(shù)位板的技術早已為人所熟知，它的主要用途是作為電腦的繪圖或手寫輸入輔助設備，如平板電腦即為最佳的寫照，在平面美工、機械、3D動畫繪圖等領域得到廣泛應用，使用數(shù)位板來進行產(chǎn)品設計可以獲得更高的工作效率。數(shù)位板需要與其配套的指標器配合使用，其技術主要是利用一筆式指標器產(chǎn)生一個電磁場，該磁場藉由磁耦合到數(shù)位板，經(jīng)計算后得到座標送給電腦。目前現(xiàn)有的設計里，筆式指標器的電路設計上通常采用電感電容(LC)共振來產(chǎn)生電磁場，通過電磁場的頻率來表示指標器的工作狀態(tài)。一般而言，指標器具有功能鍵無動作狀態(tài)下的一般模式工作頻率，以及功能鍵有動作狀態(tài)下的功能鍵工作頻率。在一般模式下，通常是采用一個電感和一個一般模式電容來產(chǎn)生一般工作模式的電磁場；而在具有N個功能鍵的情況下，采用N個功能鍵電容來分別與N個功能鍵相對應，通過功能鍵電容來改變LC共振的頻率，產(chǎn)生N個不同的功能鍵工作頻率，來分別代表指標器的N個功能。但由于每個零件都存在生產(chǎn)誤差，電感可以通過拆線或調(diào)整鐵粉心的位置來取得理想的值，而電容就只能用并聯(lián)來補償，所以生產(chǎn)時必須使用烙鐵來并聯(lián)補償電容以補償功能鍵電容的誤差。而每個功能鍵電容的誤差有大有小，往往為補償所有誤差需要好幾個補償電容才能完全補償，因此有N個功能鍵就需要N個功能鍵電容來對應，而N個功能鍵電容的誤差則必需N3N個甚至更多補償電容來補償，因此相當?shù)姆睆唾M時而不好生產(chǎn)。如圖1所示，其為現(xiàn)有指標器頻率調(diào)整電路示意圖。其中，開關Sl、S2、S3分別對應指標器的3個功能鍵，當分別接通三個開關時，電感L分別和功能鍵電容Cl、C2、C3共振而產(chǎn)生三個不同的共振頻率，這三個不同的共振頻率分別對應指標器的三個功能，數(shù)位板按照感應到的頻率來執(zhí)行相應操作。而為了確保指標器中共振頻率的準確，必須校正功能鍵電容Cl、C2、C3的電容值。現(xiàn)有技術中調(diào)整功能鍵電容Cl、C2、C3電容值所采用的方案是由作業(yè)人員手工操作，根據(jù)電容并聯(lián)容值相加的原理，在生產(chǎn)時使用電烙鐵通過短路補償電容SlaSlc，S2aS2c，S3aS3c來分別調(diào)整功能鍵電容Cl、C2、C3的電容值。在這一生產(chǎn)過程中，耗費時間長、并聯(lián)電容數(shù)量多、存在人為判斷的失誤、生產(chǎn)中使用電烙鐵帶來的溫度變化會影響電容值從而產(chǎn)生頻率飄移。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供一種數(shù)字化指標器及其功能鍵電容補償方法，其將傳統(tǒng)需要大量人工進行調(diào)整頻率的指標器改進為可數(shù)字化調(diào)整頻率的指標器。本發(fā)明提供一種數(shù)字化指標器，其包括一磁場產(chǎn)生電路，其產(chǎn)生磁場，借以藕合與所述數(shù)字化指標器配合使用的數(shù)位板；一顆微處理器，該微處理器包含有一震蕩電路可以配合所述磁場產(chǎn)生電路產(chǎn)生震蕩,一組可當開關使用的開關腳(PIN)，一組可以偵測電位變化的偵測腳(PIN)，可讀寫的非揮發(fā)性記憶體；一組功能鍵電容，用于耦合磁場產(chǎn)生電路以修正及改變磁場頻率；一組開關，其分別與所述功能鍵電容對應，控制所述功能鍵電容的通斷，其一端與所述微處理器的偵測腳相連接，另一端接地；一組功能鍵補償電容，用于并聯(lián)功能鍵電容以補償其電容值；所述功能鍵電容及功能鍵補償電容的一端與所述微處理器的開關腳相連接，另一端則短接在一起；所述非揮發(fā)性記憶體存儲有功能鍵電容及功能鍵補償電容之間的補償關系；所述微處理器偵測所述開關的開關動作，并根據(jù)補償關系控制其開關腳的開關動作，控制相應的功能鍵電容及功能鍵補償電容接通。其中，所述功能鍵補償電容的容值根據(jù)所述功能鍵電容的誤差值而設定，每一功能鍵電容的誤差值都可以通過選取所述一組功能鍵補償電容中的若干個與所述功能鍵電容并聯(lián)來補償；所述微處理器通過控制其開關腳，遞增或遞減與功能鍵電容并聯(lián)的功能鍵補償電容，從而確定功能鍵電容和功能鍵補償電容之間的補償關系，并將其存儲至所述非揮發(fā)性記憶體。其中，其還包括一計時裝置，當所述微處理器偵測到開關動作時，所述計時裝置清零，開始計時；在一設定時間內(nèi)，如果所述微處理器偵測到又一開關動作，則所述計時裝置清零，重新開始計時；如果所述微處理器在該設定時間內(nèi)未偵測到任何開關動作，其則進入休眠狀態(tài)。其中，所述震蕩電路為邏輯閘反相器、運算放大器或比較器。其中，所述開關腳為可切換其輸入或輸出狀態(tài)為高阻抗或低阻抗的輸入輸出腳。其中，所述偵測腳不管外部電位高低，只要偵測到電位的高低變化，就可以插斷通知或喚醒所述微處理器。其中，所述非揮發(fā)性記憶體可為EEPROM(電可擦除只讀存儲器)或FLASHROM(快閃只讀存儲器)。其中，所述一組開關為指標器的功能鍵，用于在指標器的省電模式時叫醒或工作模式時重新計時及改變指標器工作頻率通知數(shù)位板有功能鍵作動。其中，所述磁場產(chǎn)生電路包含一個電感及一個電容，磁場為電感電容共振時電感產(chǎn)生之磁力線所構成。其中，所述功能鍵補償電容的容值為一公比為0.5的等比數(shù)列，該數(shù)列的首數(shù)為所述功能鍵電容最大正負誤差值的差，該數(shù)列的尾數(shù)為期望所述功能鍵電容能達到的誤差范圍。本發(fā)明還提供一種數(shù)字化指標器的功能鍵電容補償方法，包括步驟步驟一、將某一功能鍵所對應的待補償?shù)墓δ苕I電容接入指標器的磁場產(chǎn)生電路；步驟二、測量該功能鍵電容及與該功能鍵電容相并聯(lián)的功能鍵補償電容共同作用所產(chǎn)生的磁場頻率，判斷是否符合該功能鍵的標準工作頻率，如果判斷結果為"否"則執(zhí)行步驟三，如果判斷結果為"是"則執(zhí)行步驟四；6步驟三、通過微處理器遞增或遞減與該功能鍵電容相并聯(lián)的功能鍵補償電容的數(shù)量，然后執(zhí)行步驟二；步驟四、保存此時對應該功能鍵的參數(shù)，也即此時與該功能鍵電容相并聯(lián)的功能鍵補償電容的信息。其中，當使用者使用某一功能鍵時，通過微處理器控制與該功能鍵相對應的功能鍵電容及功能鍵補償電容接入指標器的磁場產(chǎn)生電路，使指標器此時的工作頻率符合該功能鍵的標準工作頻率。其中，所述指標器的一般模式電容也可作為功能鍵電容來補償。本發(fā)明將指標器的頻率調(diào)整改進為數(shù)字化頻率調(diào)整，使得頻率調(diào)整過程更穩(wěn)定更快速、減少了并聯(lián)的電容數(shù)量、減少人為判斷的失誤、生產(chǎn)時不需使用烙鐵而減少溫度影響電容值產(chǎn)生的頻率飄移。下面結合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其他有益效果顯而易見。附圖中，圖1為現(xiàn)有指標器的電路示意圖2為本發(fā)明數(shù)字化指標器一較佳實施例的電路示意圖3為本發(fā)明數(shù)字化指標器的功能鍵電容補償方法的流程圖4為圖2所示較佳實施例的調(diào)校過程流程圖5為圖2所示較佳實施例的工作過程流程圖6為本發(fā)明數(shù)字化指標器一較佳實施例的電路原理圖。具體實施例方式如圖2所示，其為本發(fā)明數(shù)字化指標器一較佳實施例的電路示意圖。該電路由外接電源VCC供電。該電路包括一磁場產(chǎn)生電路，可以由一電感和一電容組成，其產(chǎn)生磁場，借以藕合與所述數(shù)字化指標器配合使用的數(shù)位板。該電路包括一顆微處理器U2;該微處理器U2包含有一震蕩電路可以配合所述磁場產(chǎn)生電路產(chǎn)生震蕩，該震蕩電路可以為該微處理器U2內(nèi)置的邏輯閘反相器、運算放大器或比較器；微處理器U2的腳RA1、RCO、RC1、RC2、RC3、RC4、RC5定義為具有開關功能的開關腳，例如可切換其輸入或輸出狀態(tài)為高阻抗或低阻抗的輸入輸出腳；腳RAO、RA3、RA4定義為可以偵測電位變化的偵測腳，偵測腳不管外部電位高低，只要偵測到電位的高低變化，就可以插斷通知或喚醒微處理器U2;微處理器U2的腳VDD接電源VCC，腳VSS接地；此外該微處理器U2還具有可讀寫的非揮發(fā)性記憶體，如EEPROM或FLASHROM,可用于存儲數(shù)據(jù)及程序。該電路包括一組功能鍵電容Cl、C2、C3，用于分別耦合磁場產(chǎn)生電路以修正及改變磁場頻率，產(chǎn)生三個不同的頻率以代表指標器的三個不同功能。開關Sl、S2、S3為指標器的三個功能鍵，具備開關兩種狀態(tài)，其分別與所述功能鍵電容Cl、C2、C3對應并控制其通斷，這種對應關系可通過對微處理器U2的腳的定義而預先確定，例如令S1對應C1、S2對應C2、S3對應C3;開關Sl、S2、S3—端分別與微處理器U2的偵測腳RA0、RA3、RA4相連接，另一端接地；當開關Sl、S2、S3的開關狀態(tài)轉(zhuǎn)換時，會造成與之相連接的偵測腳RA0、RA3、RA4的電位變化，偵測腳會插斷通知或喚醒微處理器U2，進而微處理器U2可以得知某個開關Sl、S2或S3有了動作，也即操作者按下了某個功能鍵，此時，在指標器的省電模式下，微處理器會被叫醒，在工作模式下，微處理器重新計時，改變指標器工作頻率以通知數(shù)位板有功能鍵作動。功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd用于分別并聯(lián)功能鍵電容Cl、C2、C3以補償其電容值，例如功能鍵電容Cl可能需要同時并聯(lián)功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd來補償其容值的誤差，而功能鍵電容C2可能需要同時并聯(lián)功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc來補償其容值的誤差，這樣的補償關系可以通過微處理器U2執(zhí)行一調(diào)校程序來自動確定，確定的補償關系可以存儲在非揮發(fā)性記憶體中，以供調(diào)用。功能鍵電容Cl、C2、C3及功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd的一端分別與微處理器U2的開關腳RA1、RC0、RC1、RC2、RC3、RC4、RC5相連接，另一端則短接在一起；微處理器U2偵測開關Sl、S2、S3的開關動作，進而根據(jù)補償關系控制開關腳RA1、RC0、RC1、RC2、RC3、RC4、RC5的開關狀態(tài)。例如開關S2對應功能鍵電容C2,而功能鍵電容C2需要Ca、Cb、Cc同時與之并聯(lián)來補償，當開關S2接通時，微處理器U2的工作狀態(tài)為腳RA4偵測到電位變化，微處理器U2得知S2接通，根據(jù)預先定義的對應關系，令開關腳RC5為開的狀態(tài)，從而接通C2，并根據(jù)C2的補償關系，使相應的補償電容Ca、Cb、Cc同時與C2并聯(lián)，即微處理器U2使開關腳RC1、RC2、RC3處于開的狀態(tài)。圖3為本發(fā)明數(shù)字化指標器的功能鍵電容補償方法的流程圖。如圖3所示，該方法主要包括步驟步驟30K將某一功能鍵所對應的待補償?shù)墓δ苕I電容接入指標器的磁場產(chǎn)生電路,這一步驟可由微處理器程序控制完成，例如在使用微處理器之前安排一調(diào)校過程，微處理器根據(jù)使用者按鍵或由程序自動控制，接通對應的開關腳，將某一功能鍵電容接入磁場產(chǎn)生電路，此時的功能鍵補償電容可以按照預先設定來接入，如全部接入或全部斷開；步驟302、判斷是否符合該功能鍵的標準工作頻率，首先測量該功能鍵電容及與該功能鍵電容相并聯(lián)的功能鍵補償電容共同作用所產(chǎn)生的磁場頻率，然后與預先設定的標準頻率進行比較，如果判斷結果為"否"則執(zhí)行步驟303，如果判斷結果為"是"則執(zhí)行步驟304;步驟303、通過微處理器遞增或遞減與該功能鍵電容相并聯(lián)的功能鍵補償電容的數(shù)量，通過控制微處理器的開關腳，逐漸改變并聯(lián)的功能鍵補償電容容值，然后執(zhí)行步驟302，再次根據(jù)標準頻率來判斷，直至實際工作頻率符合標準頻率；步驟304、保存此時對應該功能鍵的參數(shù)，也即此時與該功能鍵電容相并聯(lián)的功能鍵補償電容的信息，或者說是此時微處理器的各引腳所處的狀態(tài)，以備在使用者正常使用時來調(diào)用。以上為對某一功能鍵確定其補償電容的過程，對于具有多個功能鍵的指標器，則可以通過分別對每個功能鍵進行上述步驟來確定其功能鍵補償電容，該過程可以通過微處理器及相應程序來自動控制實現(xiàn)。經(jīng)過上述調(diào)校過程后，當使用者使用某一功能鍵時，微處理器調(diào)用調(diào)校過程中保存的各個功能鍵所對應的參數(shù)，控制其相應的引腳的開關狀態(tài)，從而控制與該功能鍵相對應的功能鍵電容及功能鍵補償電容并聯(lián)接入指標器的磁場產(chǎn)生電路，使指標器此時的工作頻率符合該功能鍵的標準工作頻率。此外，所述指標器的一般模式電容也可作為功能鍵電容來補償，由于在磁場產(chǎn)生電路中，一般模式電容和各功能鍵電容及功能鍵補償電容均為并聯(lián)關系，因此可以將一般模式電容看作一特殊的功能鍵電容來補償，其過程與功能鍵電容的補償過程相同，在此不再贅述。圖4為圖2所示的較佳實施例的調(diào)校過程流程圖，顯示了如何利用本發(fā)明所提供的數(shù)字化指標器的功能鍵電容補償方法來確定功能鍵電容Cl、C2、C3和功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd之間的補償關系。微處理器U2為一可編程微處理器，可以在微處理器U2中預先設定一程序以進行這一調(diào)校過程。通過編程，首先可確定微處理器U2各腳的功能，如偵測、開關；以及各腳之間的對應關系，如RC5對應功能鍵電容C2，而RA4對應開關S2，可以預先設定為開關S2對應功能鍵電容C2接通與否；另外，可以設定開關腳RCO、RC1、RC2、RC3分別與功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd相對應，當開關腳RCO、RC1、RC2、RC3為開的狀態(tài)時，功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd以并連形式接入電路，即與功能鍵電容C1、C2、C3為并聯(lián)關系。功能鍵的標準工作頻率為預先設定，進而可得出功能鍵電容的標準容值，而調(diào)校過程就是使實際生產(chǎn)中所使用的電容符合標準容值。根據(jù)電容并聯(lián)容值相加的原理，調(diào)校功能鍵電容Cl、C2、C3的過程實際上就是向某一功能鍵電容順序增加其所連接的功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd，直至其容值符合標準。如圖4所示，在此調(diào)校過程中，首先進行步驟201,判斷功能鍵S1動作頻率是否OK，也就是判斷Cl是否符合功能鍵Sl的標準容值，也就是微處理器U2接通與功能鍵Sl對應的功能鍵電容Cl，測量此時磁場的頻率，將其與標準頻率比較判斷其是否符合；如果步驟201的判斷結果為否，則進行步驟202，遞增或遞減功能鍵Sl參數(shù)，也就是增加或減少與功能鍵Cl并聯(lián)的功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd，例如采用順序增加的方法，按照Ca，Ca、Cb，Ca、Cc,Ca、Cd，Cb、Cc，Cb、Cd，Cc、Cd，Ca、Cb、Cc......Ca、Cb、Cc、Cd順序增加與Cl并聯(lián)的電容，這一過程可通過微處理器U2順序控制其與功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd相連的開關腳RCO、RC1、RC2、RC3的開關狀態(tài)而實現(xiàn)，進行完步驟202后，返回步驟201繼續(xù)執(zhí)行；如果步驟201的判斷結果為是，則進行步驟203，存儲功能鍵S1動作參數(shù)，也就是微處理器將其符合功能鍵Sl的標準容值的開關腳的狀態(tài)保存到其記憶體中，也就是記錄符合功能鍵Sl標準工作頻率狀態(tài)時微處理器U2的各個腳的開關狀態(tài)，以備后用。以此類推，可以依次進行步驟204、步驟205、步驟206、步驟207、步驟208、步驟209，以實現(xiàn)對功能鍵S2和S3的調(diào)校。其中，關于工作頻率的測量，可以由與指標器配套使用的數(shù)位板來實現(xiàn)，也可由指標器自身來實現(xiàn)；而功能鍵補償電容的容值為特殊安排，以確保其可以彌補功能鍵電容容值的誤差。圖5為圖2所示較佳實施例的工作過程流程圖，顯示了經(jīng)過調(diào)校過程后，本發(fā)明的工作過程。如圖5所示，微處理器U2在運行過程中，不斷順序判斷其偵測腳RA0、RA3、RA4的狀態(tài)，也就是按照步驟101，步驟103，步驟105順序判斷功能鍵Sl動作，功能鍵S2動作，功能鍵S3動作，其判斷的依據(jù)就是其偵測腳的由關到開或由開到關的電位變化，當判斷出功能鍵S1、S2或S3有動作時，也即判斷結果為是時，分別執(zhí)行步驟102，104或106，分別執(zhí)行對應到功能鍵參數(shù)的動作，也就是按照前述調(diào)焦過程中確定并保存的功能鍵參數(shù)，使微處理器U2的相應開關腳處于開或關的狀態(tài)。例如，步驟101偵測到功能鍵S1打開，則繼續(xù)進行步驟102，對應到功能鍵Sl的參數(shù)動作，也就是打開微處理器U2的相應開關腳，連通功能鍵Sl對應的功能鍵電容C1以及與功能鍵電容C1相對應的若干個功能鍵補償電容，將功能鍵電容Cl補償?shù)綐藴孰娙葜?，以產(chǎn)生標準的工作頻率；反之，如果步驟101中偵測到功能鍵Sl的關閉動作，則繼續(xù)進行步驟102，對應到功能鍵Sl的參數(shù)動作，也就是關閉微處理器U2的相應開關腳，斷開功能鍵S1對應的功能鍵電容C1以及與功能鍵電容C1相對應的若干個功能鍵補償電容；這些都可通過對微處理器U2編程而自動執(zhí)行。另外，該數(shù)字化指標器較佳實施例的電路中，還可包括計時或計數(shù)裝置，可以是微處理器U2內(nèi)置的計時或計數(shù)器，也可以是附加的計時或計數(shù)電路。通過該計時裝置，可以預先設定一時間，當該數(shù)字化指標器一定時間內(nèi)功能鍵無操作的話，微處理器U2即進入休眠狀態(tài)。如圖5所示，執(zhí)行步驟IOI、103或105，當檢測到有功能鍵動作，即執(zhí)行對應到功能鍵參數(shù)動作的步驟，也就是執(zhí)行步驟102、104或106;然后執(zhí)行步驟108，計時清零重新計時，也就是清零計時器，重新開始計時；然后執(zhí)行步驟107，判斷計時終了；也就是將計時器的計時結果跟預先設定的時間相比較，判斷是否超出；如果超出，則執(zhí)行步驟109，微處理器U2進入休眠狀態(tài)；如果未超出，則返回步驟101循環(huán)執(zhí)行。如果執(zhí)行步驟101、10、105，均未檢測到功能鍵動作，則執(zhí)行步驟107，判斷計時終了與否；根據(jù)判斷結果相應執(zhí)行步驟109，微處理器U2進入休眠狀態(tài)，或者返回步驟101循環(huán)執(zhí)行這一過程。另外，進入休眠狀態(tài)的微處理器U2，當功能鍵S1、S2或S3有動作時，可以被功能鍵S1、S2或S3的動作所產(chǎn)生電位變化的信號喚醒。圖6為本發(fā)明數(shù)字化指標器一較佳實施例的電路原理圖。在該較佳實施例的電路原理圖中，其通過電感Ll和電容Cm共振來產(chǎn)生一般模式工作頻率，也就是在功能鍵沒有動作時，指標器的工作頻率；該數(shù)字化指標器具有Sl、S2及S3三個功能鍵，分別通過三個功能鍵電容Cl、C2、C3產(chǎn)生三個功能鍵工作頻率；通過并聯(lián)的六個功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd、Ce、Cf來補償功能鍵電容的容值，每個功能鍵補償電容分別對應一個開關Sa、Sb、Sc、Sd、Se、Sf，實際上為微處理器的六個開關腳。根據(jù)圖6和下面的表一，詳細說明功能鍵電容及其補償電容容值確定的過程。在此實施例中，所有電容的誤差值均按5%來計算。在設計此電路時，一般模式工作頻率預先設定為242412HZ，不可更改；而相應的Cm的標準值為3000P，由于其存在5%誤差，因此在實際生產(chǎn)中安裝的Cm的容值介于2850P3150P之間，由于電感Ll為可調(diào)整的，對于誤差范圍內(nèi)的電容Cm，通過拆線或調(diào)整鐵心等，可確保一般工作模式的頻率保持不變。在此實施例中，設定功能鍵C3的工作頻率為230632HZ，其不可更改，但是由于Ll及Cm的變化，因此C3的實際容值在630P696P內(nèi)變化，因此需要正確設定功能鍵Cl、C2、C3及功能鍵補償電容Ca、Cb、Cc、Cd、Ce、Cf的容值，使之能夠利用本發(fā)明進行正確的補償。在此實施例中，設定Cl=200，C2=400P，C3=600P，這些值為生產(chǎn)中所安裝使用的功能鍵電容標準值，并非功能鍵Sl、S2、S3按照標準工作頻率工作時所需的容值。功能鍵電容Cl、C2、C3中取其中容值最大者其誤差最大值減誤差最小值得Cs，各功能鍵補償電容按照Cf^l/32Cs(取整數(shù))，Ce=2Cf，Cd=4Cf，Cc=8Cf，Cb=16Cf，Ca-32Cf取值，Cf為期望之最小可改變的范圍。也就是功能鍵補償電容的容值為一公比為0.5的等比數(shù)列，該數(shù)列的首數(shù)為所述功能鍵電容最大正負誤差值的差，該數(shù)列的尾數(shù)為期望所述功能鍵電容能達到的誤差范圍。在此實施例中功能鍵電容Cl、C2、C3取其中容值最大者為600P;600P其誤差最大值(600*1.05=630)減誤差最小值(600*.95=570)得Cs=60P;從而Ca=64P，Cb=32P，Cc=16P，Cd=8P，Ce=4P，Cf=2P。而功能鍵S3按照其工作頻率則需要不同的功能鍵電容值來調(diào)整，如表一所示其變化范圍為630P696P,由于實際生產(chǎn)中所取用的電容C3標準值為600P,因此其誤差范圍將是570P630P，加上為滿足功能鍵S3的工作頻率，其變化范圍應加上630P696P，也就是功能鍵補償電容對C3的補償應滿足570P696P的變化量，而本實施例中從CaCf的組合可以排出0~126P變化足以含蓋所有電容的誤差量。本較佳實施例中的功能鍵電容及功能鍵補償電容容值的確定過程及容值的選取并不用于限定本發(fā)明，實際應用中本領域技術人員可選取其他方式來確定，只要滿足功能鍵補償電容的容值除了能夠補償功能鍵電容本身的誤差，還能補償因為標準模式的電容Cm變化而帶來的誤差即可。在按照如本實施例所示的過程確定功能鍵電容及功能鍵補償電容的容值后，即可利用本發(fā)明將指標器的頻率調(diào)整改進為數(shù)字化頻率調(diào)整，使得頻率調(diào)整過程更穩(wěn)定更快速、減少并聯(lián)的電容數(shù)量、減少人為判斷的失誤、生產(chǎn)時不需使用烙鐵而減少溫度影響電容值產(chǎn)生的頻率飄移。實際上，本發(fā)明的同樣可用于對Cm的容值進行補償，在此不再贅述。表一<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利要求的保護范圍。權利要求1、一種數(shù)字化指標器，其特征在于，包括一磁場產(chǎn)生電路，其產(chǎn)生磁場，借以藕合與所述數(shù)字化指標器配合使用的數(shù)位板；一顆微處理器，該微處理器包含有一震蕩電路可以配合所述磁場產(chǎn)生電路產(chǎn)生震蕩，一組可當開關使用的開關腳，一組可以偵測電位變化的偵測腳，可讀寫的非揮發(fā)性記憶體；一組功能鍵電容，用于耦合磁場產(chǎn)生電路以修正及改變磁場頻率；一組開關，其分別與所述功能鍵電容對應，控制所述功能鍵電容的通斷，其一端與所述微處理器的偵測腳相連接，另一端接地；一組功能鍵補償電容，用于并聯(lián)功能鍵電容以補償其電容值；所述功能鍵電容及功能鍵補償電容的一端與所述微處理器的開關腳相連接，另一端則短接在一起；所述非揮發(fā)性記憶體存儲有功能鍵電容及功能鍵補償電容之間的補償關系；所述微處理器偵測所述開關的開關動作，并根據(jù)補償關系控制其開關腳的開關動作，控制相應的功能鍵電容及功能鍵補償電容接通。2、如權利要求l所述的數(shù)字化指標器，其特征在于，所述功能鍵補償電容的容值根據(jù)所述功能鍵電容的誤差值而設定，每一功能鍵電容的誤差值都可以通過選取所述一組功能鍵補償電容中的若干個與所述功能鍵電容并聯(lián)來補償；所述微處理器通過控制其開關腳，遞增或遞減與功能鍵電容并聯(lián)的功能鍵補償電容，從而確定功能鍵電容和功能鍵補償電容之間的補償關系，并將其存儲至所述非揮發(fā)性記憶體。3、如權利要求l所述的數(shù)字化指標器，其特征在于，其還包括一計時裝置，當所述微處理器偵測到開關動作時，所述計時裝置清零，開始計時；在一設定時間內(nèi)，如果所述微處理器偵測到又一開關動作，則所述計時裝置清零，重新開始計時；如果所述微處理器在該設定時間內(nèi)未偵測到任何開關動作，其則進入休眠狀態(tài)。4、如權利要求l、2或3所述的數(shù)字化指標器，其特征在于，所述震蕩電路為邏輯閘反相器、運算放大器或比較器。5、如權利要求l、2或3所述的數(shù)字化指標器，其特征在于，所述開關腳為可切換其輸入或輸出狀態(tài)為高阻抗或低阻抗的輸入輸出腳。6、如權利要求l、2或3所述的數(shù)字化指標器，其特征在于，所述偵測腳不管外部電位高低，只要偵測到電位的高低變化，就可以插斷通知或喚醒所述微處理器；所述一組開關為指標器的功能鍵，用于在指標器的省電模式時叫醒或工作模式時重新計時及改變指標器工作頻率通知數(shù)位板有功能鍵作動。7、如權利要求l、2或3所述的數(shù)字化指標器，其特征在于，所述功能鍵補償電容的容值為一公比為0.5的等比數(shù)列，該數(shù)列的首數(shù)為所述功能鍵電容最大正負誤差值的差，該數(shù)列的尾數(shù)為期望所述功能鍵電容能達到的誤差范圍。8、一種數(shù)字化指標器的功能鍵電容補償方法，其特征在于，包括步驟步驟一、將某一功能鍵所對應的待補償?shù)墓δ苕I電容接入指標器的磁場產(chǎn)生電路；步驟二、測量該功能鍵電容及與該功能鍵電容相并聯(lián)的功能鍵補償電容共同作用所產(chǎn)生的磁場頻率，判斷是否符合該功能鍵的標準工作頻率，如果判斷結果為"否"則執(zhí)行步驟三，如果判斷結果為"是"則執(zhí)行步驟四；步驟三、通過微處理器遞增或遞減與該功能鍵電容相并聯(lián)的功能鍵補償電容的數(shù)量，然后執(zhí)行步驟二；步驟四、保存此時對應該功能鍵的參數(shù)，也即此時與該功能鍵電容相并聯(lián)的功能鍵補償電容的信息。9、如權利要求8所述的數(shù)字化指標器的功能鍵電容補償方法，其特征在于，當使用者使用某一功能鍵時，通過微處理器控制與該功能鍵相對應的功能鍵電容及功能鍵補償電容接入指標器的磁場產(chǎn)生電路，使指標器此時的工作頻率符合該功能鍵的標準工作頻率。10、如權利要求8或9所述的數(shù)字化指標器的功能鍵電容補償方法，其特征在于，所述指標器的一般模式電容也可作為功能鍵電容來補償。全文摘要一種數(shù)字化指標器及其功能鍵電容補償方法，包括一磁場產(chǎn)生電路；一顆微處理器，該微處理器包含有一震蕩電路，一組可當開關使用的開關腳，一組可以偵測電位變化的偵測腳，可讀寫的非揮發(fā)性記憶體；一組功能鍵電容；一組開關；一組功能鍵補償電容；所述功能鍵電容及功能鍵補償電容的一端與所述微處理器的開關腳相連接，另一端則短接在一起；所述非揮發(fā)性記憶體存儲有功能鍵電容及功能鍵補償電容之間的補償關系；所述微處理器偵測所述開關的開關動作，并根據(jù)補償關系控制其開關腳的開關動作，控制相應的功能鍵電容及功能鍵補償電容接通。本發(fā)明將指標器的頻率調(diào)整改進為數(shù)字化頻率調(diào)整，減少了并聯(lián)的電容數(shù)量、減少人為判斷的失誤。文檔編號G06F3/046GK101308433SQ20081006794公開日2008年11月19日申請日期2008年6月20日優(yōu)先權日2008年6月20日發(fā)明者蔡火爐申請人:精模電子科技(深圳)有限公司