專利名稱：像素驅(qū)動方法、像素驅(qū)動裝置及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素驅(qū)動方法以及使用該方法的液晶顯示器，特別涉
及具有公用電壓(Vcom)調(diào)制功能的一種液晶顯示器面板。
背景技術(shù)：
應(yīng)用于移動裝置與多媒體裝置方面的液晶顯示器面板(特別是小型與 中型的液晶顯示器面板)正快速發(fā)展。為了滿足諸如移動電話、數(shù)位攝影機(jī)、 音樂播放器、全球定位系統(tǒng)以及移動電視等高級移動裝置的需求，無可避 免地必須在具有較高分辨率、較高影像品質(zhì)、低功率消耗以及低成本的中 小型液晶顯示器面板方面進(jìn)行研發(fā)。
請參考圖l(a)，其為公知技術(shù)中被廣泛應(yīng)用于中小型液晶顯示器面板 的U周制的示意圖。V自調(diào)制的驅(qū)動能夠減少源極驅(qū)動器的輸出電壓范圍，
從而降低該源極驅(qū)動器的成本，然而，當(dāng)像素單元的薄膜晶體管(TFT)截止 且公用電壓改變時，這種方式卻會引發(fā)灰階不一致、以及后續(xù)的閃爍現(xiàn)象 (flick)和造成低穿透現(xiàn)象。這種問題是由該像素單元上的電荷分布受到V^ 的電壓改變的干擾所致。為了避免灰階不一致，公知技術(shù)是在像素結(jié)構(gòu)中 配置存儲電容C"，其中，常利用一種稱為存儲電容在公用線結(jié)構(gòu)(Cst on coramon)的方式。亦即，在像素單元的。包括了位于陣列基板上的公用線以 及像素電極，其中該公用線與該像素的公用電極電連接于相同的電壓源， 使得該公用線的電壓與該公用電極的電壓都受到調(diào)制，由此平衡像素單元 中的電荷分布。
請參考圖1 (b)，其為存儲電容在公用線結(jié)構(gòu)(Cst on common)的存儲電 容Cst的示意圖，其中，像素單元1包括數(shù)據(jù)線11與12、柵極線13與14、 薄膜晶體管(TFT)15、公用線16以及像素電極17。像素電極17覆蓋公用線 16以形成存儲電容Cst，如圖中沿虛線a至a'的剖面所示。V^的調(diào)制需要 存儲電容在公用線結(jié)構(gòu)(Cst on common)上的存儲電容Cst以防止當(dāng)TFT15斷開且公用電壓改變時所引發(fā)的灰階不一致現(xiàn)象。
然而，如果像素包括某些寄生電容，即使是存儲電容在公用線結(jié)構(gòu)(Cst on comnior0，也仍然會造成灰階不一致的現(xiàn)象；也就是說，存儲電容在公 用線結(jié)構(gòu)(Cst on common)并無法完全解決此問題。而在諸如高開口率 HAR(High Aperture Ratio)設(shè)計的面板以及內(nèi)嵌式觸控面板(In-Cell Touch panel)等先進(jìn)應(yīng)用中，寄生電容卻是不可避免的。
請參考圖2，其為公知技術(shù)中內(nèi)嵌式觸控面板的單一像素單元的電路 圖。觸控檢測器或光檢測器(未示出)規(guī)則地配置在內(nèi)嵌式觸控面板中。此 外，電連接至該等檢測器的讀出線將觸控信號傳送至讀出電路。像素單元2 包括了TFT20、液晶電容Gx以及存儲電容C"。在TFT20中，柵極G電連接 于柵極線Gate"漏極D電連接于數(shù)據(jù)線Data ，源極S電連接于液晶電容 Gx的一端以及存儲電容Cst的一端。液晶電容Qx的另一端與存儲電容Ca的 另一端電連接到公用電壓源。由于內(nèi)嵌式觸控面板的讀出線的存在，會在 該像素單元中形成寄生電容C—-。ut，如圖2所示。舉例來說，形成于該像素 電極與該讀出線之間的寄生電容Cw會造成當(dāng)TFT20斷開且公用電壓Vc。m 改變時的灰階的不一致的現(xiàn)象。
不論是內(nèi)嵌式觸控面板或是高開口率(HAR)設(shè)計的面板都會因大寄生 電容而造成灰階不一致的現(xiàn)象。請參考圖3，其為公知技術(shù)中高開口率(HAR) 像素單元的結(jié)構(gòu)的示意圖。HAR像素單元3包括了像素電極30、第一數(shù)據(jù) 線31、第二數(shù)據(jù)線32、第一柵極線33以及第二柵極線34。像素電極30是 設(shè)計成可部分覆蓋鄰接的數(shù)據(jù)線31與32以及柵極線33與34，由此減少黑 色矩陣(BM)(未示出)的寬度，因此可增加高開口率，如圖3所示。需要注 意的是，像素電極30與數(shù)據(jù)線31之間的重疊部分所形成的電容是Cdl，像 素電極30與數(shù)據(jù)線32之間的重疊部分所形成的電容是Cd2，像素電極30與 柵極線33之間的重疊部分所形成的電容是Cgl，像素電極30與柵極線34之 間的重疊部分所形成的電容是Cs2。諸如沿虛線a至a'的剖面也顯示在圖3 中。
如圖3所示，像素電極30與柵極線33之間所形成的電容是Cw。由于 像素電極30與柵極線33所重疊的區(qū)域會形成一個如前所述的寄生電容， 當(dāng)像素單元3的TFT35的柵極關(guān)閉且公用電壓、。 改變時，此像素單元3的灰階值會因為此寄生電容而產(chǎn)生不一致的現(xiàn)象。
請參考圖3(a)，其為圖3的高開口率(HAR)設(shè)計的像素單元的結(jié)構(gòu)的等 效電路圖，其中高開口率像素單元3包括了 TFT30、液晶電容d。、存儲電 容"、柵極線l、柵極線2、數(shù)據(jù)線1以及數(shù)據(jù)線2。在TFT30中，柵極G 電連接于柵極線1，漏極D電連接于數(shù)據(jù)線1,而源極S電連接于液晶電容 "的一端以及存儲電容Cst的一端。存儲電容Cst的另一端電連接于公用線， 且液晶電容C。的另一端電連接于彩色濾光片(CF)(未示出)的公用電極，公 用線與公用電極二者都電連接于公用電壓源。同樣地，像素電極與數(shù)據(jù)線l 之間的重疊部分所形成的電容是Cdl，像素電極與數(shù)據(jù)線2之間的重疊部分 所形成的電容是Cd2，像素電極與柵極線1之間的重疊部分所形成的電容是 CKl，像素電極與柵極線2之間的重疊部分所形成的電容是(;2。 CdI、 Cd2、 Cgl、 CB2、 C"與Ck的其中一端都電連接于節(jié)點P，而節(jié)點P也電連接于TFT30的 源極。也就是說，HAR像素單元3的總寄生電容Cb包括了 Cdl、 Cd2、 Cg,與Cg2; 亦即
Cb=CKi+Cg2+Ccll+CcJ2
請參考圖3(b)，其為圖3(a)中HAR像素單元的V。⑩信號與柵極信號的 波形圖，其中上方的波形顯示偶幀中V。。m信號與柵極信號的波形，而下方的 波形顯示奇幀中V^信號與柵極信號的波形。在柵極信號脈沖的周期內(nèi)， TFT30的源極端S與漏極端D之間會因為柵極信號脈沖將非晶硅層感應(yīng)為反 轉(zhuǎn)層而導(dǎo)通，且圖3(a)中節(jié)點P處的電壓會在偶幀與奇幀中被分別地充電 與放電至數(shù)據(jù)信號電壓。在柵極信號脈沖之后，TFT的源極端S與漏極端D 之間會因為較低的柵極電壓清除該非晶硅層中的該反轉(zhuǎn)層而形成絕緣。因 此，TFT30的源極所連接的像素電極會浮接，節(jié)點P處的電壓則隨著V自信
號而同步變化。由于寄生電容的存在，節(jié)點P電壓(如實線部分)的改變量(A V》會小于V，調(diào)制電壓(如虛線部分)的改變量(AVJ，其將引發(fā)節(jié)點P與 公用電壓源之間的電壓差不固定，而造成灰階不一致。也就是說，由于總 寄生電容Cb的存在，AVp永遠(yuǎn)小于AV，。由于總寄生電容Cb會分享像素電 極中被電壓所充泵(pump)的電荷，HAR像素單元3的灰階會因此而變得
不一致。公知技術(shù)解決這個問題的方法是增大存儲電容at的尺寸；然而，
此舉卻會讓開口率降低。同樣地，圖3(b)也顯示出內(nèi)嵌式觸控面板的波形，同時請參考圖2， 其為內(nèi)嵌式觸控面板的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。內(nèi)嵌式觸控面板2包括了 TFT20、液晶電容a、存儲電容C"、柵極線n、柵極線n-l、數(shù)據(jù)線n以及 讀出線。在TFT20中，柵極G電連接于柵極線n，漏極D電連接于數(shù)據(jù)線n， 而源極S電連接于液晶電容C,。的一端以及存儲電容C"的一端。存儲電容 Cst的另一端電連接于公用線，且液晶電容d。的另一端電連接于彩色濾光片 (CF)(未示出)的公用電極，公用線與公用電極二者均電連接于公用電壓源。 在內(nèi)嵌式觸控面板中具有讀出電容C^-。ut，它是一個由讀出線所產(chǎn)生的寄生 電容，其一端電連接于TFT20的源極、而另一端則電連接于讀出線。C_d-。ul 的一端、Cst以及"公用電連接于節(jié)點P，而節(jié)點P也構(gòu)成TFT20的源極。 因此，內(nèi)嵌式觸控面板的像素結(jié)構(gòu)的主要寄生電容為d。ut。
請參考圖3(b)，其為圖2中的內(nèi)嵌式觸控面板像素單元的乙信號與柵 極信號的波形圖，其中上方的波形顯示偶幀中U言號與柵極信號的波形， 而下方的波形顯示奇幀中U言號與柵極信號的波形。在柵極信號脈沖的周 期內(nèi)，TFT20的源極端S與漏極端D之間會因為柵極信號脈沖將非晶硅層感 應(yīng)為反轉(zhuǎn)層而導(dǎo)通，且圖2中節(jié)點P處的電壓會在偶幀與奇幀中被分別地 充電與放電至數(shù)據(jù)信號電壓。
在柵極信號脈沖之后，TFT20的源極端S與漏極端D之間會因為較低的 柵極電壓清除該非晶硅層中的該反轉(zhuǎn)層而形成絕緣。因此，TFT20的源極端 S所連接的像素電極會浮接，節(jié)點P處的電壓則隨著V。。m信號而同步變化。 由于寄生電容的存在，節(jié)點P電壓(如實線部分)的改變量(AVp)會小于V。， 調(diào)制電壓的改變量(AV，)，其將引發(fā)節(jié)點P與公用電壓源之間的電壓差不 固定，而造成灰階不一致。也就是說，由于總寄生電容(;w的存在，AVP 永遠(yuǎn)小于AV自。由于總寄生電容C"-。ut會分享像素電極中被V，電壓所充泵 的電荷，內(nèi)嵌式觸控面板的灰階會因此而變得不一致。
因此，申請人鑒于公知技術(shù)中所產(chǎn)生的缺陷，經(jīng)過悉心試驗與研究， 并本著鍥而不舍的精神，終于構(gòu)思出本發(fā)明"像素驅(qū)動方法、像素驅(qū)動裝 置及液晶顯示器"，以下為本發(fā)明的簡要說明。

發(fā)明內(nèi)容
7本發(fā)明一方面提出一種像素驅(qū)動方法，是應(yīng)用于液晶顯示器的像素， 該像素包括液晶電容以及存儲電容，該液晶電容包含像素電極以及公用電 極，該存儲電容包含該像素電極以及偏壓電極，該像素驅(qū)動方法包括下列
步驟向該公用電極提供公用電壓信號；以及向該偏壓電極提供偏壓信號， 其中該偏壓信號與該公用電壓信號同步，且該偏壓信號的振幅大于該公用 電壓信號的振幅。
本發(fā)明的另一方面提出一種液晶顯示器，包括多個像素，各該像素包 括液晶電容，具有第一端以及第二端，其中該第二端電連接到公用電壓 信號；以及存儲電容，具有第一端以及第二端，該第一端電連接到偏壓信 號，該第二端電連接到該液晶電容的該第一端；其中該偏壓信號與該公用 電壓信號同步，且該偏壓信號的振幅大于該公用電壓信號的振幅。
本發(fā)明的另一方面提出一種像素驅(qū)動裝置，是應(yīng)用于液晶顯示器的像 素，該像素包括液晶電容以及存儲電容，該像素驅(qū)動裝置包括用以向該 液晶電容的裝置提供公用電壓信號，以及用以向該存儲電容的裝置提供偏 壓信號，其中該偏壓信號與該公用電壓信號同步，且該偏壓信號的振幅大 于該公用電壓信號的振幅。
優(yōu)選地，該液晶顯示器是內(nèi)嵌式觸控面板(In-Cell Touch panel)。
優(yōu)選地，該液晶顯示器是高開口率(HAR)像素面板。
優(yōu)選地，該像素還包括開關(guān)元件，該開關(guān)元件具有控制端、第一端以 及第二端，該控制端電連接到第一柵極線，該第一端電連接到第一數(shù)據(jù)線， 該第二端電連接到該像素電極。
優(yōu)選地，像素電極與讀出線之間存在電容。
優(yōu)選地，像素電極與讀出線之間存在重疊部分。
優(yōu)選地，像素電極與該柵極線及該數(shù)據(jù)線之間存在重疊部分。


圖Ua)是公知技術(shù)中被廣泛應(yīng)用于小/中型液晶顯示器面板的L調(diào)制 的示意圖Ub)是公知技術(shù)中存儲電容在公用線結(jié)構(gòu)上存儲電容Cst的示意圖； 圖2是公知技術(shù)中內(nèi)嵌式觸控面板的單一像素單元的電路圖；圖3是公知技術(shù)中高開口率(HAR)像素單元的結(jié)構(gòu)的示意圖3(a)是圖3的HAR像素單元的結(jié)構(gòu)的等效電路圖3 (b)是圖3 (a)中的HAR像素單元的L信號與柵極信號的波形圖4是本發(fā)明所提出的內(nèi)嵌式觸控面板的像素單元的一實施例的電路
圖5是本發(fā)明所提出的HAR像素單元的結(jié)構(gòu)的電路圖； 圖6是圖5中的HAR像素單元5的偏壓信號與公用電壓信號的波形圖； 圖7是本發(fā)明所提出的內(nèi)嵌式觸控面板的像素單元的另一實施例的電 路圖。
具體實施例方式
本發(fā)明通過下列示圖及詳細(xì)說明，將得到更深入的了解，以下優(yōu)選實 施例的說明僅為了清楚闡釋本發(fā)明，而非用以限定本發(fā)明的專利范圍。
請參考圖4，其為本發(fā)明所提出的內(nèi)嵌式觸控面板的像素單元的一實施 例的電路圖。像素單元4包括了TFT40、液晶電容Cu;以及存儲電容(^，其 中液晶電容Q的結(jié)構(gòu)包含像素電極以及彩色濾光片(未示出)的公用電極， 二者之間夾入液晶層。在TFT40中，柵極G電連接到第一柵極線Gate。，漏 極D電連接到第一數(shù)據(jù)線Datam ，而源極S電連接到液晶電容Q的像素電 極以及存儲電容Q的第一端。像素電極與讀出線之間另外形成寄生電容
根據(jù)本發(fā)明所提出的像素驅(qū)動方法，是利用電連接到液晶電容Q并提
供公用電壓信號的公用電壓源、以及電連接到存儲電容Cst的第一端并提供
偏壓電壓信號的偏壓電壓源，來取代公知技術(shù)中同時電連接到液晶電容Ox
與存儲電容CsT的公用電壓源。
請參考圖6，其為圖4的內(nèi)嵌式觸控面板像素單元的偏壓信號與公用電 壓信號的波形圖。由圖6可清楚看出，偏壓信號與公用電壓信號同步，且 偏壓信號的振幅大于公用電壓信號的振幅。因此，AVp可由下式?jīng)Q定 △ Vp 二 [ (Clc) / (Cst+CLC+Cread—out) ] △ Vcom
+ [ (Cst) / (Cst+CLC+Cread—out) ] A Vbias
由于期望AVp二AVcom，因此read—out )/Cst] △ Vconi
很明顯地，AVk并不會受到液晶電容C,e的影響；亦即，偏壓信號的 特定振幅不會受到液晶電容dx的已改變電容的影響，代表了本發(fā)明所采用 的補償方法在任何灰階上都是一致的。因此，利用此種配置方式，便可以 避免灰階不一致的現(xiàn)象。
同樣地，這種像素驅(qū)動方法也可以應(yīng)用在圖3的高開口率(HAR)像素單 元3的結(jié)構(gòu)上，其中在像素電極與柵極線33和34與數(shù)據(jù)線31和32之間 存在至少一個重疊部分，以實現(xiàn)上述效果。
請參考圖5，其為本發(fā)明所提出HAR像素單元的結(jié)構(gòu)的電路圖。HAR像 素單元5包括了TFT50、液晶電容C,。、存儲電容C"、柵極線l、柵極線2、 數(shù)據(jù)線1以及數(shù)據(jù)線2。 TFT50是電連接到柵極線1、數(shù)據(jù)線1、以及液晶
電容"與存儲電容a,的一端。
根據(jù)本發(fā)明的像素驅(qū)動方法，是利用另一端電連接到可提供公用電壓 信號的公用電壓源的液晶電容d。、以及利用另一端電連接到可提供偏壓信
號的偏壓電壓源的存儲電容at，來取代公知技術(shù)中的電連接到存儲電容C,L
且可供應(yīng)公用電壓信號的公用電壓源。除此之外，與公知技術(shù)相同的是， 像素電極與數(shù)據(jù)線1之間所形成的電容是U，像素電極與數(shù)據(jù)線2之間所 形成的電容是Cd2，像素電極與柵極線l之間所形成的電容是Cg,，像素電極 與柵極線2之間所形成的電容是Cg2。也就是說，HAR像素單元3的總寄生
電容"包括了Cn、 Cd2、 Cg,與Cg2。
請參考圖6，其為圖5中HAR像素單元5的偏壓信號與公用電壓信號的 波形圖。由圖6可清楚看出，偏壓信號與公用電壓信號同步，且偏壓信號 的振幅大于公用電壓信號的振幅。本例的像素驅(qū)動方法的更詳細(xì)說明如下。
HAR像素單元3的總寄生電容Cb包括了U、 Cd2、 C^與Cg2。因此，總寄 生電容Ch由下式?jīng)Q定
Cb二Cgi+Cg2+Cdi+Cd2
基于電荷守恒，可以推導(dǎo)出節(jié)點P處電壓的改變量AVp與所調(diào)制L電 壓的改變量AV，之間的關(guān)系。其中，AVp可由下式?jīng)Q定 A VP 二 [ (Clc) / (Cst+Clc+Cb) ] △ Vco + [(Cst)/(Cst+Clc+Cb)]'AVbias由于期望AVp二AVcom，因此可得出 AVk二[(C"+U)/C』'AV,
很明顯地，AVk并不會受到液晶電容"的已改變電容的影響；亦即，
本發(fā)明所采用的補償方法在任何灰階上都是一致的。因此，利用這種配置 方式，可以避免灰階不一致的現(xiàn)象。
除了上述的像素驅(qū)動方法以及利用該方法所制成的液晶顯示器之外，
由本發(fā)明的技術(shù)特征的上位概念還可進(jìn)一步地推論出一種LCD的像素驅(qū)動 裝置。該像素驅(qū)動裝置包括了用以向該液晶電容提供公用電壓信號的裝置、 以及用以向該存儲電容提供偏壓信號的裝置；其中該偏壓信號與該公用電 壓信號同步，且該偏壓信號的振幅大于該公用電壓信號的振幅。如上面的 實施例所述，向像素的液晶電容Q提供公用電壓信號的裝置在實施例中可 以是一個公用電壓源，例如圖7中的裝置71。此外，向像素的存儲電容Csr 提供偏壓信號的裝置在實施例中可以是一個偏壓電壓源，例如圖7中的裝 置72。向像素的液晶電容Q提供公用電壓信號的裝置71以及向像素的存 儲電容CsT提供偏壓信號的裝置72還可以如圖7所示的那樣集成為裝置73， 由此以提供公用電壓信號以及偏壓信號。裝置71、裝置72與裝置73三者 都可以利用IC芯片或是電源供應(yīng)電路來實現(xiàn)。
本發(fā)明的應(yīng)用范圍并不限于內(nèi)嵌式觸控面板或是HAR面板；亦即，任 何具有大寄生電容效應(yīng)的顯示面板皆可使用本發(fā)明所提供的方法與裝置來 消除其所產(chǎn)生灰階的不一致的現(xiàn)象。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種修改，然而都不脫離本發(fā)明的 保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種像素驅(qū)動方法，其應(yīng)用于液晶顯示器的像素，所述像素包括液晶電容以及存儲電容，所述液晶電容包含像素電極以及公用電極，所述存儲電容包含所述像素電極以及偏壓電極，所述像素驅(qū)動方法包括下列步驟向所述公用電極提供公用電壓信號；以及向所述偏壓電極提供偏壓信號，其中所述偏壓信號與所述公用電壓信號同步，且所述偏壓信號的振幅大于所述公用電壓信號的振幅。
2、 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動方法，其中所述液晶顯示器內(nèi)嵌式觸 控面板，所述內(nèi)嵌式觸控面板包括讀出線。
3、 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動方法，其中所述像素還包括開關(guān)元件， 所述開關(guān)元件具有控制端、第一端以及第二端，所述控制端電連接到第一 柵極線，所述第一端電連接到第一數(shù)據(jù)線，所述第二端電連接到所述像素 電極。
4、 如權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動方法，其中所述像素電極與所述讀出 線之間存在重疊部分。
5、 如權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動方法，其中所述像素電極與所述第一 柵極線之間存在重疊部分。
6、 如權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動方法，其中所述像素電極與所述第一 數(shù)據(jù)線之間存在重疊部分。
7、 如權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動方法，其中所述像素電極與鄰接于所 述第一柵極線的第二柵極線之間存在重疊部分。
8、 如權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動方法，其中所述像素電極與鄰接于所述第一數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線之間存在重疊部分。
9、 一種液晶顯示器，包括多個像素，各所述像素包括液晶電容，其具有第一端以及第二端，其中所述第二端電連接到公用 電壓信號；以及存儲電容，其具有第一端以及第二端，所述第一端電連接到偏壓信號， 所述第二端電連接到所述液晶電容的所述第一端；其中所述偏壓信號與所述公用電壓信號同步，且所述偏壓信號的振幅 大于所述公用電壓信號的振幅。
10、 一種像素驅(qū)動裝置，其應(yīng)用于液晶顯示器的像素，所述像素包括 液晶電容以及存儲電容，所述像素驅(qū)動裝置包括用以向所述液晶電容提供公用電壓信號的裝置；以及 用以向所述存儲電容提供偏壓信號的裝置，其中所述偏壓信號與所述 公用電壓信號同步，且所述偏壓信號的振幅大于所述公用電壓信號的振幅。
11、 如權(quán)利要求10所述的像素驅(qū)動裝置，其中所述公用電壓信號的提 供裝置與所述偏壓信號的提供裝置可以集成為信號提供裝置。
12、 如權(quán)利要求ll所述的像素驅(qū)動裝置，其中所述公用電壓信號的提 供裝置、所述偏壓信號的提供裝置與所述信號提供裝置可以利用IC芯片或 電源供應(yīng)電路來實現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素驅(qū)動方法、像素驅(qū)動裝置及液晶顯示器，所述像素包括存儲電容以及液晶電容，所述像素驅(qū)動方法包括下列步驟向所述液晶電容提供公用電壓信號，并且向所述存儲電容提供偏壓信號，其中所述偏壓信號與所述公用電壓信號同步，且所述偏壓信號的振幅大于所述公用電壓信號的振幅。
文檔編號G06F3/041GK101430466SQ200810082980
公開日2009年5月13日 申請日期2008年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月6日
發(fā)明者張祖強, 施博盛, 陳柏仰 申請人:瀚宇彩晶股份有限公司