專利名稱：：次級存儲器裝置、及存取一次級存儲器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一種次級存儲器裝置(downgradememoryapparatus)以及一種存取一次級存儲器的方法。更具體而言，本發(fā)明是關(guān)于一種能夠記錄一區(qū)塊中的損壞磁區(qū)(badsector)的次級存儲器裝置。
背景技術(shù)：
：通常，存儲器于制造過程中可能存在某些缺陷。缺陷存儲器將于一品質(zhì)管控程序(qualitycontrolprocess)中，從合格存儲器中被剔除，而不被販?zhǔn)壑潦袌?。然而，某些缺陷存儲器仍可借由一特定程序而加以充分利用。包含某些缺陷的缺陷存儲器亦可被重新利用，此種存儲器被稱為次級存儲器。上述缺陷包含存儲器中具有無法被存取的缺陷區(qū)塊、存儲器各元件間的連接缺陷等等。一旦一存儲器于制造過程中被判定為一次級存儲器，該次級存儲器便可能被廢棄，致使產(chǎn)品成本升高。然而，某些次級存儲器僅具有很少的缺陷，且其大部分仍然良好。舉例而言，次級存儲器可被設(shè)計為具有十億位元(Gigabits)的容量，但實際上僅具有600百萬位元(Megabits)的可存取空間。一旦次級存儲器被廢棄，該600百萬位元的可存取空間便被浪費掉。因此，存儲器業(yè)界期望借由增強次級存儲器的可存取資源而利用次級存儲器，借以充分利用缺陷存儲器并降低生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一目的是提供一種用以存取一次級存儲器(downgradememory)的方法。借由標(biāo)記該次級存儲器的損壞磁區(qū)并以特定指令存取該次級存儲器，一主機便可存取該次級存儲器，借此，使該次級存儲器仍可被接受作為一可用存儲器。該方法是應(yīng)用于一具有多個區(qū)塊的次級存儲器，各該多個區(qū)塊具有多個存儲頁(page)，且各該多個存儲頁具有多個磁區(qū)(sector)，該次級存儲器具有多個不可存取磁區(qū)。該方法包含下列步驟程序化寫入一初始寫入指令至此些區(qū)塊；此些區(qū)塊已被寫入后，借由程序化寫入一初始讀取指令至此些區(qū)塊，以產(chǎn)生一狀態(tài)信息；以及因應(yīng)該狀態(tài)信息，標(biāo)記至少一區(qū)塊為一特殊區(qū)塊，用于一后續(xù)存取，該特殊區(qū)塊具有至少一不可存取磁區(qū)，其中該狀態(tài)信息指示該至少一區(qū)塊的該至少一不可存取磁區(qū)。本發(fā)明的另一目的是提供一種用以存取一次級存儲器的方法。借由標(biāo)記該次級存儲器的損壞磁區(qū)并以特定指令存取該次級存儲器，一主機便可存取該次級存儲器，借此，使該次級存儲器仍可被接受為一可用存儲器。該方法是應(yīng)用于一具有多個區(qū)塊的次級存儲器，各該多個區(qū)塊具有多個存儲頁，且各該多個存儲頁具有多個磁區(qū)，該次級存儲器具有多個不可存取磁區(qū)。該方法包含下列步驟分析一寫入指令，該寫入指令對應(yīng)一特殊區(qū)塊，該特殊區(qū)塊具有至少一此些不可存取磁區(qū)；根據(jù)該特殊區(qū)塊的一狀態(tài)信息，選取至少一可存取磁區(qū)；以及程序化寫入該寫入指令至此些可存取磁區(qū)。該狀態(tài)信息代表至少一此些不可存取磁區(qū)。本發(fā)明的再一目的是提供一種次級存儲器裝置。該次級存儲器裝置包含至少一管理單元及一控制器。該至少一管理單元包含多個區(qū)塊，各該多個區(qū)塊具有多個存儲頁，且各該多個存儲頁具有多個磁區(qū)。該次級存儲器的此些磁區(qū)包含多個可存取磁區(qū)與多個不可存取磁區(qū)。該控制器用以分析一寫入指令，該寫入指令對應(yīng)一特殊區(qū)塊，其中該特殊區(qū)塊具有至少一此些不可存取磁區(qū)。該控制器用以借由程序化寫入一初始讀取指令至此些區(qū)塊，以產(chǎn)生一狀態(tài)信息；以及因應(yīng)該狀態(tài)信息，標(biāo)記至少一區(qū)塊做為該特殊區(qū)塊。其中該狀態(tài)信息代表該至少一區(qū)塊的至少一此些不可存取磁區(qū)。本發(fā)明使具有不可存取的磁區(qū)的次級存儲器可被利用。此外，本發(fā)明能避免廢棄次級存儲器，以降低成本。為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作詳細說明，其中圖1為本發(fā)明的次級存儲器裝置的方塊6圖2為本發(fā)明的次級存儲器裝置的一區(qū)塊的示意圖3為本發(fā)明用于次級存儲器裝置的寫入指令的一實施例；圖4例示本發(fā)明的另一實施例，其為用以存取次級存儲器的方法的流程以及圖5為于次級存儲器可供進一步存取之后，當(dāng)次級存儲器從一主機接收到一寫入指令時，次級存儲器的操作流程圖。主要元件符號說明1:次級存儲器裝置13:管理單元31:第一串列部33-第三串列部133:存儲頁137:初始寫入指令310:表頭部313:連結(jié)部315:連結(jié)部317:連結(jié)部319:尾部1353:不可存取磁區(qū)3123:資料部11:控制器15:查找表32:第二串列部131:區(qū)塊135:磁區(qū)139:初《臺讀取指令311:第一位址部314:第二位址部316:第二位址部318:第二位址部1351:可存取磁區(qū)3122:資料部3124:資料部具體實施例方式以下，將參照附圖詳細說明本發(fā)明的實例性實施例。于以下說明中，將參照實施例來闡述本發(fā)明，此些實施例標(biāo)記一次級存儲器的損壞磁區(qū)，并以特定指令存取該次級存儲器，借以使該次級存儲器能夠由一主機存取，借此，使該次級存儲器仍可被接受作為一可用存儲器。然而，本發(fā)明的實施例并非用以限制本發(fā)明需在如實施例所述的任何環(huán)境、應(yīng)用或特殊方式方能實施。因此，以下關(guān)于實施例的說明僅為闡釋本發(fā)明的目的，而非用以限制本發(fā)明。圖1例示本發(fā)明的一次級存儲器裝置1的一方塊圖。次級存儲器裝置1包含一控制器ll、至少一管理單元13、及一査找表(look-uptable)15。管理單元13包含多個區(qū)塊(block)，圖2例示次級存儲器裝置1的一區(qū)塊131的示意圖。區(qū)塊131具有多個存儲頁(page)133，且各該存儲頁133具有多個磁區(qū)(sector)135。于其他實施例中，該次級存儲器可包含多個區(qū)塊，但該多個區(qū)塊不被劃分成多個管理單元。亦即，顧名思義，管理單元實質(zhì)地被設(shè)計成用以將此些區(qū)塊劃分成多個群組以方便管理，并非用以限制本發(fā)明?？刂破?1是連接至管理單元13及查找表15。以區(qū)塊131為例進一步解釋控制器ll的操作。請再參見圖2，其中區(qū)塊131具有64個存儲頁，且各該存儲頁具有4個磁區(qū)?？刂破鱨l用以發(fā)出一初始寫入指令137，借以控制相對應(yīng)的資料被寫入?yún)^(qū)塊131的各磁區(qū)，亦即程序化寫入(program)初始寫入指令137至區(qū)塊131的各該磁區(qū)。,.初始寫入指令137是被執(zhí)行以對各該存儲頁的每一磁區(qū)進行寫入。更具體而言，初始寫入指令137包含一預(yù)定字串(predeterminedpattern)，該預(yù)定字串包含已配置資料，用以被寫入各該存儲頁。然后，控制器11用以程序化寫入一初始讀取指令139，以讀取己借由初始寫入指令137寫入的磁區(qū)，并用以因應(yīng)初始讀取指令139，借由比較該預(yù)定字串與磁區(qū)的讀取狀態(tài)而產(chǎn)生一狀態(tài)信息。該狀態(tài)信息用以指示損壞磁區(qū)及/或合格磁區(qū)，亦即，不可存取磁區(qū)1353及/或可存取磁區(qū)1351，且控制器11隨后因應(yīng)狀態(tài)信息，標(biāo)記至少一區(qū)塊131作為一特殊區(qū)塊，該特殊區(qū)塊具有至少一此些不可存取磁區(qū)1353。另外，狀態(tài)信息指示該至少一區(qū)塊的不可存取磁區(qū)的其中至少一磁區(qū)。隨后，控制器11儲存狀態(tài)信息至查找表15。需注意的是，該特殊區(qū)塊的較佳狀態(tài)僅具有一不可存取磁區(qū)。于本實施例中，若次級存儲器裝置1具有多個不可存取磁區(qū)1353，且各不可存取磁區(qū)1353均位于每一存儲頁的磁區(qū)1之中。亦即，區(qū)塊131包含多個可存取磁區(qū)1351及多個不可存取磁區(qū)1353。一旦狀態(tài)信息指示存在過多的不可存取磁區(qū)，便可將次級存儲器裝置1從合格產(chǎn)品中剔除。用于判定合格產(chǎn)品的不可存取磁區(qū)1353的比率并非用以限制本發(fā)明?？刂破?1執(zhí)行完初始寫入指令137及初始讀取指令139之后，控制器118借由擷取狀態(tài)信息便可確知可存取磁區(qū)1351的分布。舉例而言，狀態(tài)信息可表示為(1,0,l，l)，此包含四個位元以指示四個磁區(qū)的狀態(tài)，且(l，O，l，l)指示特殊區(qū)塊中的磁區(qū)1為一不可存取磁區(qū)1353，而其他磁區(qū)1351為可存取磁區(qū)。當(dāng)控制器11運作以寫入資料至次級存儲器裝置1時，控制器ll分析對應(yīng)于該至少一特殊區(qū)塊的一寫入指令，然后根據(jù)狀態(tài)信息選取可存取磁區(qū)1351，并程序化寫入該寫入指令，以對特殊區(qū)塊中的所選的可存取磁區(qū)1351進行寫入。或者，控制器11可先根據(jù)特殊區(qū)塊的狀態(tài)信息，選取可存取磁區(qū)1351，并隨后分析對應(yīng)于該至少一特殊區(qū)塊的一寫入指令，并程序化寫入該寫入指令至特殊區(qū)塊中的所選可存取磁區(qū)1351。關(guān)于寫入指令的說明，請參加下文說明。圖3例示用于次級存儲器裝置1的寫入指令的一實例。一般而言，該寫入指令包含一表頭(head)部310、一第一位址部311、至少一串列(list)部以及一尾部319。于本實例中，該至少一串列部包含一第一串列部31、一第二串列部32以及一第三串列部33。第一串列部31依序包含一連結(jié)部313、一第二部314以及一資料部3122。第二串列部32依序包含一連結(jié)部315、一第二部316以及一資料部3123。第三串列部33依序包含一連結(jié)部317、一第二部318以及一資料部3124。表頭部310指示寫入指令的起始。鄰接于表頭部310的第一位址部311指示應(yīng)被寫入資料的存儲頁位址。第一串列部31鄰接于第一位址部311。第二串列部32鄰接于第一串列部31。第三串列部33鄰接于第二串列部32。鄰接于第三串列部33的尾部319指示該寫入指令的結(jié)束。前述各串列部31、32、33一般是用來攜載磁區(qū)位址及資料。據(jù)此，連結(jié)部313、315、317適可啟用一隨機資料輸入程序，以隨機地存取磁區(qū)。第二位址部314、316、318指示應(yīng)被寫入資料的磁區(qū)位址。資料部3122、3123及3124用于攜載資料。于本實施例中，第一串列部31的連結(jié)部313,.是鄰接于第一位址部311;第二串列部32的連結(jié)部315是鄰接于第一串列部31的資料部3122;第三串列部33的連結(jié)部317是鄰接于第二串列部32的資料部3124。最后，尾部319是鄰接于第三串列部33的資料部3124。于次級存儲器裝置1中，各存儲頁的磁區(qū)1系被判定為不可存取磁區(qū)1353，因此，各存儲頁僅具有三個可存取磁區(qū)1351，如圖2所示。圖3例示攜載有將占據(jù)三個磁區(qū)的資料的寫入指令。因?qū)Υ渭壌鎯ζ餮b置1執(zhí)行寫入，故控制器11須插入連結(jié)部313、315及317至寫入指令中。控制器11首先分析寫入指令中所攜載的資料，并判斷該寫入指令的資料需要一個存儲頁。然后，控制器ll選取存儲頁的三個可存取磁區(qū)。于本實例中，控制器11從第一存儲頁(例如存儲頁0)中依序選取可存取磁區(qū)。然后，，控制器11將寫入指令分布于借由連結(jié)部313、315及317相互連結(jié)的四個部分中。各連結(jié)部313、315、317分別耦接第二位址部314、316及318，其中第二位址部314、316及318指示存儲頁0的可存取磁區(qū)，且各第二位址部314、316及318分別耦接資料部3122、3123及3124。尾部319是耦接至最末資料部3124。然后，控制器11程序化寫入圖3所示的寫入指令，且寫入該資料至次級存儲器裝置1的一存儲頁中。對于不同的存儲器標(biāo)準(zhǔn)，鄰接于寫入指令的表頭部310的第一位址部311可包含不同的內(nèi)容項。于本實施例中，表頭部310為一串列資料輸入指令，定義為80h，連結(jié)部313、315及317為一隨機資料輸入指令，定義為85h，且尾部319為一存儲頁程序化確認指令，定義為10h，其中80h、85h及10h為工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)且廣泛地被存儲器制造商所采用。圖4例示本發(fā)明的另一實施例，其為一種用以存取一次級存儲器的方法的流程圖。以下各段將解釋次級存儲器裝置1以及圖4所示方法的操作。首先，執(zhí)行步驟401，程序化寫入一初始寫入指令至次級存儲器裝置1的各區(qū)塊。更具體而言，該初始寫入指令包含一預(yù)定字串，且該預(yù)定字串包含已配置資料，用以被寫入各該區(qū)塊。然后，執(zhí)行步驟402，于此些區(qū)塊已被寫入后，借由程序化寫入一初始讀取指令以讀取此些區(qū)塊而產(chǎn)生一狀態(tài)信息。更具體而言，執(zhí)行步驟402，以因應(yīng)該初始讀取指令而產(chǎn)生一讀取狀態(tài)，并比較該讀取狀態(tài)與該預(yù)定字串以產(chǎn)生該狀態(tài)信息。當(dāng)讀取狀態(tài)與預(yù)定字串存有不一致時，該狀態(tài)信息將指示不一致，此表示次級存儲器裝置1中存在不可存取磁區(qū)。然后，執(zhí)行步驟403，因應(yīng)狀態(tài)信息，標(biāo)記具有至少一此些不可存取磁區(qū)的至少一區(qū)塊，此時次級存儲器裝置1即可供進一步f取。圖5例示于次級存儲器裝置1可供進一步存取之后，當(dāng)次級存儲器裝置1從一主機接收到一寫入指令時，次級存儲器裝置1的操作的流程圖。首先，執(zhí)行步驟501，分析對應(yīng)于一特殊區(qū)塊的寫入指令，該特殊區(qū)塊具有至少一此些不可存取磁區(qū)。然后，執(zhí)行步驟502，根據(jù)該特殊區(qū)塊的狀態(tài)信息，選取可存取磁區(qū)。然后，執(zhí)行步驟503，程序化寫入該寫入指令至此些可存取磁區(qū)。上述實施例僅為例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，以及闡釋本發(fā)明的技術(shù)特征，而非用于限制本發(fā)明的保護范疇。任何熟悉本技術(shù)者的人士均可在不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情況下，可輕易完成的改變或均等性的安排均屬于本發(fā)明所主張的范圍。因此，本發(fā)明的權(quán)利保護范圍應(yīng)如所附的權(quán)利要求書所列。權(quán)利要求1.一種用以存取一次級存儲器的方法，該次級存儲器包含多個區(qū)塊，各該多個區(qū)塊具有多個存儲頁，且各該多個存儲頁具有多個磁區(qū)，該次級存儲器具有多個不可存取磁區(qū)，該方法包含下列步驟程序化寫入一初始寫入指令至該些區(qū)塊；該些區(qū)塊已被寫入后，借由程序化寫入一初始讀取指令至該些區(qū)塊，以產(chǎn)生一狀態(tài)信息；以及因應(yīng)該狀態(tài)信息，標(biāo)記至少一區(qū)塊為一特殊區(qū)塊，用于一后續(xù)存取，該特殊區(qū)塊具有至少一該些不可存取磁區(qū)，其中該狀態(tài)信息指示該至少一區(qū)塊的該至少一該些不可存取磁區(qū)。2.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，更包含下列步驟分析一寫入指令，其對應(yīng)該至少一特殊區(qū)塊；根據(jù)該狀態(tài)信息，選取數(shù)個可存取磁區(qū)；以及程序化寫入該寫入指令至該些可存取磁區(qū)。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該寫入指令包含一表頭部，指示該寫入指令的起始；一第一位址部，鄰接于該表頭部，該第一位址部是指示應(yīng)被寫入資料的存儲頁位址；至少一串列部，鄰接于該第一位址部；以及一尾部，鄰接于該至少一串列部，該尾部是指示該寫入指令的結(jié)束，其中各該至少一串列部儲存磁區(qū)位址及資料。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，各該至少一串列部依序包含一連結(jié)部，適可用以致能一隨機資料輸入程序，以隨機地存取磁區(qū)；一第二位址部，鄰接于該連結(jié)部，指示用于應(yīng)被寫入資料的磁區(qū)位址；以及一資料部，鄰接于該第二位址部，用以攜載該資料。5.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生狀態(tài)信息的步驟包含因應(yīng)該初始讀取指令，產(chǎn)生一讀取狀態(tài)；以及比較該讀取狀態(tài)與該初始寫入指令，以產(chǎn)生該狀態(tài)信息。6.—種用以存取一次級存儲器的方法，該次級存儲器包含多個區(qū)塊，各該多個區(qū)塊具有多個存儲頁，且各該多個存儲頁具有多個磁區(qū)，該次級存儲器具有多個不可存取磁區(qū)，該方法包含下列步驟分析一寫入指令，該寫入指令對應(yīng)一特殊區(qū)塊，該特殊區(qū)塊具有至少一該些不可存取磁區(qū)；根據(jù)該特殊區(qū)塊的一狀態(tài)信息，選取數(shù)個可存取磁區(qū)；以及程序化寫入該寫入指令至該些可存取磁區(qū)，其中該狀態(tài)信息指示該些區(qū)塊的至少其中的一該些不可存取磁區(qū)。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，該寫入指令包含-一表頭部，指示該寫入指令的起始；一第一位址部，鄰接于該表頭部，該第一位址部系指示應(yīng)被寫入資料的存儲頁位址；至少一串列部，鄰接于該第一位址部；以及一尾部，鄰接于該至少一串列部，該尾部是指示該寫入指令的結(jié)束，其中各該至少一串列部儲存磁區(qū)位址及資料。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，各該至少一串列部依序包含一連結(jié)部，適可用以致能一隨機資料輸入程序，以隨機地存取磁區(qū)；一第二位址部，鄰接于該連結(jié)部，該第二位址部系指示用于應(yīng)被寫入資料的磁區(qū)位址；以及一資料部，鄰接于該第二位址部，諒資料部是用以攜載該資料。9.一種次級存儲器裝置，包含-至少一管理單元，包含多個區(qū)塊，各該多個區(qū)塊具有多個存儲頁，且各該多個存儲頁具有多個磁區(qū)，其中該次級存儲器的該些磁區(qū)包含多個可存取磁區(qū)與多個不可存取磁區(qū)；以及一控制器，用以借由程序化寫入一初始讀取指令至該些區(qū)塊，以產(chǎn)生一狀態(tài)信息；以及因應(yīng)該狀態(tài)信息，標(biāo)記至少一區(qū)塊做為一特殊區(qū)塊，該特殊區(qū)塊具有至少其中的一該些不可存取磁區(qū)；其中該狀態(tài)信息指示該些區(qū)塊的至少其中的一該些不可存取磁區(qū)。10.如權(quán)利要求9所述的次級存儲器裝置，其特征在于，該控制器更用以分析一寫入指令，其對應(yīng)該特殊區(qū)塊；用以根據(jù)該寫入指令，選取該可存取磁區(qū)；以及用以程序化寫入該寫入指令至已被選取的該可存取磁區(qū)。11.如權(quán)利要求IO所述的次級存儲器裝置，其特征在于，該寫入指令包含一表頭部，指示該寫入指令的起始；一第一位址部，鄰接于該表頭部，該第一位址部是指示應(yīng)被寫入資料的存儲頁位址；至少一串列部，鄰接于該第一位址部；以及一尾部，鄰接于該至少一串列部，該尾部是指示該寫入指令的結(jié)束，其中各該至少一串列部儲存磁區(qū)位址及資料。12.如權(quán)利要求11所述的次級存儲器裝置，其特征在于，各該至少一串列部依序包含一連結(jié)部，適可用以致能一隨機資料輸入程序，以隨機地存取磁區(qū)；一第二位址部，鄰接于該連結(jié)部，該第二位址部是指示用于應(yīng)被寫入資料的磁區(qū)位址；以及一資料部，鄰接于該第二位址部，該資料部是用以攜載該資料。13.如權(quán)利要求9所述的次級存儲器裝置，其特征在于，該控制器更用以在產(chǎn)生該狀態(tài)信息之前，程序化寫入一初始寫入指令至該些區(qū)塊；用以在該些區(qū)塊已被寫入后，借由程序化寫入一初始讀取指令至該些區(qū)塊，以產(chǎn)生該狀態(tài)信息；以及因應(yīng)該狀態(tài)信息，標(biāo)記各區(qū)塊中的至少一不可存取磁區(qū)以做為該特殊區(qū)塊。全文摘要本發(fā)明提供一種用以存取一次級存儲器的方法及一種次級存儲器裝置。該次級存儲器裝置包含至少一管理單元及一控制器。該管理單元包含多個區(qū)塊，各該多個區(qū)塊具有多個存儲頁，且各該多個存儲頁具有多個磁區(qū)，該次級存儲器具有多個不可存取磁區(qū)。該控制器用以分析對應(yīng)于一特殊區(qū)塊的一寫入指令，根據(jù)該特殊區(qū)塊的一狀態(tài)信息而選取至少一可存取磁區(qū)，以及程序化寫入該寫入指令至該特殊區(qū)塊，其中該狀態(tài)信息指示該特殊區(qū)塊的至少一不可存取磁區(qū)。借此，根據(jù)該狀態(tài)信息，該方法及該次級存儲器裝置不僅可忽略該些不可存取磁區(qū)，且亦可增強可用的存儲器容量。文檔編號G06F12/06GK101625662SQ20081017678公開日2010年1月13日申請日期2008年11月18日優(yōu)先權(quán)日2008年7月8日發(fā)明者郭武吉申請人:慧國(上海)軟件科技有限公司;慧榮科技股份有限公司