專利名稱：內(nèi)存電源效能提升的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電源效能提升的方法，特別是指一種內(nèi)存電源效能提升的方法。
背景技術(shù)：
目前，月艮務(wù)器中的內(nèi)存DIMM (Dual In-line Memory Module,雙列直插內(nèi)存模塊)的數(shù)目越來越多。因此，用于降壓的VRD(Voltage Regulator Down，降壓調(diào)節(jié)器)的輸出設(shè)計(jì)也越來越大，并且固定沒有彈性。這樣，每當(dāng)較少的DI匪安裝在服務(wù)器中時(shí)，VRD的效率就變得比較差，亦即浪費(fèi)了較多的能源。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種可提升內(nèi)存電源效能的方法。 —種內(nèi)存電源效能提升的方法，包括以下步驟一內(nèi)存槽的接地針腳連接一上拉
電阻將其電壓上拉至電源電壓，并連接至一基板管理控制器；當(dāng)在所述內(nèi)存槽中安裝內(nèi)存
后，檢測(cè)所述內(nèi)存槽的接地針腳為一低電平信號(hào)，所述基板管理控制器接收到所述低電平
信號(hào)，當(dāng)未在所述內(nèi)存槽中安裝內(nèi)存時(shí)，檢測(cè)所述內(nèi)存槽的接地針腳為一高電平信號(hào)，所述
基板管理控制器接收到所述高電平信號(hào)；在所述基板管理控制器接收到相應(yīng)的高電平信號(hào)
后，送出命令給一降壓調(diào)節(jié)器，所述降壓調(diào)節(jié)器關(guān)閉對(duì)所述內(nèi)存槽的供電。 相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明內(nèi)存電源效能提升的方法中，所述降壓調(diào)節(jié)器根據(jù)命令
關(guān)閉對(duì)所述內(nèi)存槽的供電，使得所述降壓調(diào)節(jié)器的輸出處于最佳效率。


圖1是本發(fā)明內(nèi)存電源效能提升的方法的較佳實(shí)施方式的電路圖。
圖2是本發(fā)明內(nèi)存電源效能提升的方法的較佳實(shí)施方式的工作流程圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖l，本發(fā)明內(nèi)存電源效能提升的方法的較佳實(shí)施方式中包括一降壓調(diào)節(jié)器(VRD)，若干內(nèi)存DI匪槽(DI匪1， DI匪2，， DIMM N)，及一基板管理控制器(BaseboardManagement Controller,BMC)。所述降壓調(diào)節(jié)器連接若干高端場(chǎng)效應(yīng)管及控制高端場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器，每一高端場(chǎng)效應(yīng)管及控制高端場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器連接一電感，每一電感連接至一 DIMM槽的電源針腳。每一 DIMM槽的接地針腳通過一上拉電阻R連接于所述基板管理控制器，將電壓上拉至電源電壓。然后通過I2C總線(Inter-IntegratedCircuit,內(nèi)部集成電路間總線)連接至所述降壓調(diào)節(jié)器。每一高端場(chǎng)效應(yīng)管及控制高端場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器起到開關(guān)的作用。 在另一實(shí)施方式中，也可以使用一集成有所述基板管理控制器的南橋芯片替代所述基板管理控制器。 一低端場(chǎng)效應(yīng)管及控制低端場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器替代所述高端場(chǎng)效應(yīng)管及控制高端場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器。一SMBus總線(System Management Bus，系統(tǒng)管
3理總線)替代所述I2C總線。 請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明內(nèi)存電源效能提升的方法的較佳實(shí)施方式的工作原理流程為 步驟一 每一DI匪槽的接地針腳輸出一安裝信號(hào)，并且通過所述上拉電阻上拉至電源電壓。當(dāng)在所述DI匪槽上安裝DI匪后，所述安裝信號(hào)為一低電平信號(hào)，所述基板管理控制器接收到所述低電平信號(hào)，當(dāng)在所述DI匪槽上沒有安裝DI匪時(shí)，所述安裝信號(hào)為一高電平信號(hào)，所述基板管理控制器接收到所述高電平信號(hào)。 步驟二 將所有安裝信號(hào)都通過串行到并行(serial to parallel)或者并行(parallel)的方式輸入到所述基板管理控制器中。 步驟三所述基板管理控制器得到所有的安裝信號(hào)，并根據(jù)VRD效率曲線，通過I2C總線或者SMBus總線送出命令給所述降壓調(diào)節(jié)器，所述降壓調(diào)節(jié)器將其中未安裝DIMM的高端場(chǎng)效應(yīng)管和其驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉，從而，使所述降壓調(diào)節(jié)器的輸出處于最佳效率，進(jìn)而達(dá)到提高效能、減少不必要的耗能的目的。 其中，所述VRD效率曲線是所述降壓調(diào)節(jié)器根據(jù)所述DI匪輸出電流負(fù)載而變化的一條曲線。在輸出電流負(fù)載較輕情況下，所述降壓調(diào)節(jié)器的效率都比較低。所以，只有當(dāng)所述DIMM槽中全部安裝DIMM的滿載情況下，所述降壓調(diào)節(jié)器的輸出處于最佳效率。這樣，當(dāng)所述基板管理控制器得到所有的安裝信號(hào)后，通過I2C總線或者SMBus總線送出命令給所述降壓調(diào)節(jié)器，所述降壓調(diào)節(jié)器將其中未安裝DI匪的高端場(chǎng)效應(yīng)管和其驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉，使得所述DI匪槽處于相對(duì)滿載的情形，根據(jù)所述VRD效率曲線，所述降壓調(diào)節(jié)器的輸出處于最佳效率，進(jìn)而達(dá)到提高效能、減少不必要的耗能的目的。
權(quán)利要求
一種內(nèi)存電源效能提升的方法，包括以下步驟一內(nèi)存槽的接地針腳連接一上拉電阻將其電壓上拉至電源電壓，并連接至一基板管理控制器；當(dāng)在所述內(nèi)存槽中安裝內(nèi)存后，檢測(cè)所述內(nèi)存槽的接地針腳為一低電平信號(hào)，所述基板管理控制器接收到所述低電平信號(hào)，當(dāng)未在所述內(nèi)存槽中安裝內(nèi)存時(shí)，檢測(cè)所述內(nèi)存槽的接地針腳為一高電平信號(hào)，所述基板管理控制器接收到所述高電平信號(hào)；在所述基板管理控制器接收到相應(yīng)的高電平信號(hào)后，送出命令給一降壓調(diào)節(jié)器，所述降壓調(diào)節(jié)器關(guān)閉對(duì)所述內(nèi)存槽的供電。
2. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存電源效能提升的方法，其特征在于在所述基板管理控制器接收到相應(yīng)的高電平信號(hào)后，根據(jù)所述降壓調(diào)節(jié)器的效率曲線，發(fā)出命令給所述降壓調(diào)節(jié)器。
3. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存電源效能提升的方法，其特征在于在所述基板管理控制器接收到相應(yīng)的高電平信號(hào)后，通過一內(nèi)部集成電路間總線送出命令給所述降壓調(diào)節(jié)器。
4. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存電源效能提升的方法，其特征在于在所述基板管理控制器接收到相應(yīng)的高電平信號(hào)后，通過一系統(tǒng)管理總線送出命令給所述降壓調(diào)節(jié)器。
5. 如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存電源效能提升的方法，其特征在于一開關(guān)與所述降壓調(diào)節(jié)器相連，用于關(guān)閉對(duì)所述內(nèi)存槽的供電。
6. 如權(quán)利要求5所述的內(nèi)存電源效能提升的方法，其特征在于所述開關(guān)為一場(chǎng)效應(yīng)管及驅(qū)動(dòng)器模組。
7. 如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存電源效能提升的方法，其特征在于所述場(chǎng)效應(yīng)管為一高端場(chǎng)效應(yīng)管。
8. 如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存電源效能提升的方法，其特征在于所述場(chǎng)效應(yīng)管為一低端場(chǎng)效應(yīng)管。
9. 如權(quán)利要求5所述的內(nèi)存電源效能提升的方法，其特征在于在所述開關(guān)與所述內(nèi)存槽之間連接有一電感。
全文摘要
一種內(nèi)存電源效能提升的方法，包括以下步驟一內(nèi)存槽的接地針腳連接一上拉電阻將其電壓上拉至電源電壓，并連接至一基板管理控制器；當(dāng)在所述內(nèi)存槽中安裝內(nèi)存后，檢測(cè)所述內(nèi)存槽的接地針腳為一低電平信號(hào)，所述基板管理控制器接收到所述低電平信號(hào)，當(dāng)未在所述內(nèi)存槽中安裝內(nèi)存時(shí)，檢測(cè)所述內(nèi)存槽的接地針腳為一高電平信號(hào)，所述基板管理控制器接收到所述高電平信號(hào)；在所述基板管理控制器接收到相應(yīng)的高電平信號(hào)后，送出命令給一降壓調(diào)節(jié)器，所述降壓調(diào)節(jié)器關(guān)閉對(duì)所述內(nèi)存槽的供電。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明內(nèi)存電源效能提升的方法中，所述降壓調(diào)節(jié)器根據(jù)命令關(guān)閉對(duì)所述內(nèi)存槽的供電，使得所述降壓調(diào)節(jié)器的輸出處于最佳效率。
文檔編號(hào)G06F1/32GK101770275SQ200810306599
公開日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2008年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月27日
發(fā)明者李俊良 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司