專利名稱:一種用于制造觸摸屏的ito薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種在各種電子設(shè)備中的操作中使用的觸摸屏的 ITO薄膜。
背景技術(shù):
ITO (Indium Tin Oxides,銦錫金屬氧化物)是一種N型氧化物半導(dǎo) 體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體設(shè)在薄膜的一面形成的透明 導(dǎo)電膜。 .
現(xiàn)有電阻式觸摸屏,主要采用濕制程蝕刻方法制造,先將需要的部 分用耐酸性油墨保護(hù)起來后,再通過酸性化學(xué)藥水將不需要的ITO薄膜 蝕刻掉,然后再通過堿性化學(xué)藥水將表面的耐酸性油墨去除掉,最后用 水將表面清潔干凈,干燥后進(jìn)行后序生產(chǎn)流程。該方法制造的ITO薄膜, 在邊緣位置的ITO層會(huì)出現(xiàn)齒狀。由于銀線與ITO層之間的接觸電阻對 觸摸屏的影響很大,因此邊緣部分的ITO層呈齒狀影響與銀線之間的接 觸電阻,致使使用所述的ITO薄膜的觸摸屏的穩(wěn)定性差。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種用于制造觸摸屏的ITO 薄膜,可以提高使用所述的ITO薄膜的觸摸屏的穩(wěn)定性。
為了解決上述問題,本實(shí)用新型提供一種制造觸摸屏的ITO薄膜, 該ITO薄膜包括ITO層、薄膜和銀線,所述ITO層上設(shè)置在薄膜上, 所述銀線鋪設(shè)在設(shè)有ITO的薄膜四周,所述銀線保護(hù)層設(shè)在銀線上,其 中,所述銀線與ITO層的邊緣設(shè)有間距。
優(yōu)選地,位于底邊的銀線與位于兩側(cè)銀線之間相互不連接。優(yōu)選地,所述ITO薄膜還包括銀線保護(hù)層,該銀線保護(hù)層覆蓋在銀 線上。
優(yōu)選地,所述銀線與ITO層的邊緣間距為0.2'MM 3MM。
本實(shí)用新型用于制造觸摸屏的ITO薄膜,與現(xiàn)有技術(shù)相比,.由于銀 線與ITO層的邊緣設(shè)有間距,使邊緣部分的ITO層與銀線之間的接觸電 阻穩(wěn)定,從而可以提高使用所述的ITO薄膜的觸摸屏的穩(wěn)定性。同時(shí)由 于設(shè)有銀線保護(hù)層,因此可以對銀線進(jìn)行保護(hù),防止銀線氧化。
圖1是本實(shí)用新型ITO薄膜實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2是本實(shí)用新型沿a-a剖視示意圖。 附圖部件說明
IT0層1;銀線2;薄膜3;銀線保護(hù)層4;
本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例,參照附圖 做進(jìn)一步說明。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型用于制造觸摸屏的ITO薄膜實(shí)施例,由于銀線與ITO層 的邊緣設(shè)有間距,使邊緣部分的ITO層與銀線之間的接觸電阻穩(wěn)定,從 而可以提高使用所述的ITO薄膜的觸摸屏的穩(wěn)定性。
如圖1和圖2所示,本實(shí)用新型提供一種用于制造觸摸屏的ITO薄 膜。該ITO薄膜包括ITO層1、銀線2和薄膜3:,所述ITO層:l上設(shè) 置在薄膜3上,所述銀線2鋪設(shè)在設(shè)有ITO層1的薄膜3'的四周,其中, 所述銀線2與ITO層1的邊緣設(shè)有間距。優(yōu)選地,所述4艮線2與ITO層 1的邊緣間距為0.2MM 3MM。
所述ITO薄膜還可以包括銀線保護(hù)層4,該^l艮線保護(hù)層設(shè)在銀線2 上,對所述銀線2進(jìn)行保護(hù),防止銀線2氧化。
所述銀線2設(shè)在ITO薄膜的四周,其中,位于底邊的銀線2可以防 止使ITO薄膜受力均勻,避免ITO薄膜與其他構(gòu)成觸摸屏的材料形成彩虹現(xiàn)象。位于底邊的銀線2與位于兩側(cè)的銀線2之間相互不連接。
在本實(shí)用新型實(shí)施例中,由于銀線與ITO層的邊緣設(shè)有間距,使邊 緣部分的ITO層1與銀線2之間的接觸電阻穩(wěn)定,從而可以提高使用所 述的IT0薄膜的觸摸屏的穩(wěn)定性。同時(shí)由于在銀線2上設(shè)有保護(hù)層,因 此可以對該銀線2進(jìn)行保護(hù),防止銀線氧化。
以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型 的專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或 等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括 在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于制造觸摸屏的ITO薄膜,該ITO薄膜包括,ITO層、薄膜和銀線,所述ITO層上設(shè)置在薄膜上,所述銀線鋪設(shè)在設(shè)有ITO的薄膜四周,其特征在于所述銀線與ITO層的邊緣設(shè)有間距。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造觸摸屏的ITO薄膜,其特征在于 位于底邊的銀線與位于兩側(cè)的銀線之間相互不連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于制造觸摸屏的ITO薄膜,其特征 在于所述ITO薄膜還包括銀線保護(hù)層,該銀線保護(hù)層覆蓋在銀線上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于制造觸摸尋的IT0薄膜,其特征 在于所述銀線與ITO層的邊緣間距為0.2MM 3MM。.
專利摘要本實(shí)用新型公開一種用于制造觸摸屏的ITO薄膜,該ITO薄膜包括,ITO層、薄膜和銀線,所述ITO層上設(shè)置在薄膜上,所述銀線鋪設(shè)在設(shè)有ITO的薄膜四周,其中,所述銀線與ITO層的邊緣設(shè)有間距。由于所述銀線與ITO層的邊緣設(shè)有間距,即使在邊緣位置的ITO層出現(xiàn)齒狀時(shí),也不影響ITO與銀線之間的接觸電阻,從而可以提高使用所述的ITO薄膜的觸摸屏的穩(wěn)定性。
文檔編號G06F3/041GK201311628SQ20082014634
公開日2009年9月16日 申請日期2008年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月17日
發(fā)明者鐘定鋒 申請人:深圳市航泰光電有限公司