專利名稱：自動(dòng)識(shí)別cpu類型的支持雙模式內(nèi)存amd平臺(tái)主板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電腦主板，尤指一種可以自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持DDR2和 DDR3兩種模式內(nèi)存的AMD平臺(tái)主板。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，電腦的速度越來越快，電腦硬件也不斷快速地更新?lián)Q 代，特別是電腦CPU的核心頻率越來越高，為與CPU的速度相配合，目前內(nèi)存的速度也越來 越快，如目前市場上AMDSocket 940pin CPU有三種類型AM2， AM2+和AM3，這三種CPU的 速度依次提高，目前市場上主流的內(nèi)存規(guī)格為DDR2內(nèi)存，為了與更快的AM3內(nèi)存相對(duì)應(yīng)， 以提高電腦主機(jī)的整體速度，市面上已經(jīng)開始出現(xiàn)了DDR3規(guī)格的內(nèi)存，這種新規(guī)格的DDR3 內(nèi)存頻率相對(duì)于DDR2內(nèi)存頻率更高，能夠配合AM3型號(hào)的CPU發(fā)回更佳的性能，但是由于 是新的技術(shù)，DDR3的價(jià)格也高出DDR2內(nèi)存近一倍，因此許多用戶在選擇電腦主板時(shí)，往往 考慮到日后能夠繼續(xù)升級(jí)，或是可以選擇更多規(guī)格的內(nèi)存，就希望所選擇的主板能夠同時(shí) 支持DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存，目前的AMD平臺(tái)單片主板，因?yàn)閮H能支持DDR2或僅能支持 DDR3內(nèi)存，所以這樣用戶在購買主板的時(shí)候，就決定了用戶只能使某一種AMD CPU與內(nèi)存； 日后如果需要CPU或是內(nèi)存升級(jí)，就需要重新購買新的主板；不便于客戶升級(jí)，為了改變 這種狀況，我們推出了既能滿足DDR2內(nèi)存，又能滿足DDR3內(nèi)存的AMD平臺(tái)主板，該主板同 時(shí)設(shè)置有DDR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)攢插槽，但是由于目前三種類型的AMD Socket 940pin CPU-AM2， AM2+和AM3，其前種AM2和AM2+只能支持DDR2的內(nèi)存，后者AM3型號(hào)CPU則是可 以同時(shí)支持DD2和DDR3內(nèi)存，即AM2/AM2+/AM3CPU均可以搭配DDR2內(nèi)存；DDR3內(nèi)存則只 有AM3CPU才可以搭配，單用戶特別是不懂點(diǎn)到硬件的用戶在使用該主板時(shí)，如果同時(shí)使用 了 DDR2內(nèi)存和DDR3內(nèi)存，或是使用了 AM2/AM2+CPU來搭配DDR3內(nèi)存，則不能正確啟動(dòng)電 腦甚至?xí)斐捎布膿p壞，通常為避免這種狀況的發(fā)生，會(huì)在主板使用說明書去提醒操作 人員不要誤操作效果，但在實(shí)際使用中這種狀況還是難免會(huì)由于人員的失誤而發(fā)生，為避 免這種狀況出現(xiàn)造成電腦主板的損壞，需要使用智能的電路模塊來自動(dòng)避免這種的情況發(fā) 生。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的技術(shù)目的是為了提供一種具有智能電路模塊，以能夠自動(dòng)檢測(cè)在支 持雙內(nèi)存模式的AMD平臺(tái)主板上CPU與內(nèi)存或兩種模式內(nèi)存是否搭配正確以對(duì)電腦主板進(jìn) 行有效的保護(hù)。 本實(shí)用新型的自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板包括CPU插槽、 DDR2內(nèi)存插槽、DDR3內(nèi)存插槽、內(nèi)存插槽使用狀態(tài)偵測(cè)模塊和CPU類型偵測(cè)模塊，該CPU類 型偵測(cè)模塊與CPU插槽中AMD CPU的H22腳或AE9腳所對(duì)應(yīng)的插槽端子連接，內(nèi)存插槽使 用狀態(tài)偵測(cè)模塊同時(shí)與DDR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存插槽的接地腳所對(duì)應(yīng)的端子連接。 上述的CPU插槽與AMD CPU的H22腳和AE9腳所對(duì)應(yīng)的端子與CPU類型偵測(cè)模塊2/3頁
的偵測(cè)電路連接。 上述CPU插槽與AMD CPU的H22腳或AE9腳所對(duì)應(yīng)的端子與CPU類型偵測(cè)模塊的 偵測(cè)電路之間串聯(lián)有電阻。 有益效果本實(shí)用新型的自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板在 使用時(shí)，能夠?qū)DR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存插槽的使用狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)同時(shí)有內(nèi)存插入 時(shí)，則報(bào)錯(cuò)并不給電腦主板加電，從而有效防止誤插如內(nèi)存給電腦主板帶來損壞，同時(shí)，更 具CPU插槽來對(duì)CPU的類型進(jìn)行檢測(cè)和區(qū)分，結(jié)合對(duì)內(nèi)存類型的判斷可以有效地防止出現(xiàn) AM2/AM2+類型CPU與DDR3內(nèi)存相互搭配出現(xiàn)錯(cuò)誤。 為便于說明和本實(shí)用新型有關(guān)的詳細(xì)內(nèi)容及技術(shù)，以下茲就配合附圖進(jìn)行說明。
圖1、為本實(shí)用新型工作的原理框圖； 圖2、為本實(shí)用新型對(duì)CPU類型和內(nèi)存模式判別并控制主板工作的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D1和所示，本實(shí)用新型本的自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平 臺(tái)主板包括CPU插槽、DDR2內(nèi)存插槽、DDR3內(nèi)存插槽、內(nèi)存插槽使用狀態(tài)偵測(cè)模塊和CPU類 型偵測(cè)模塊，該CPU類型偵測(cè)模塊與CPU插槽中AMD CPU的H22腳或AE9腳所對(duì)應(yīng)的插槽 端子連接，內(nèi)存插槽使用狀態(tài)偵測(cè)模塊同時(shí)與DDR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存插槽的接地腳所 對(duì)應(yīng)的端子連接。 上述的CPU插槽與AMD CPU的H22腳和AE9腳所對(duì)應(yīng)的端子與CPU類型偵測(cè)模塊 的偵測(cè)電路連接，為了更好地保護(hù)CPU,該CPU插槽與AMD CPU的H22腳或AE9腳所對(duì)應(yīng)的 端子與CPU類型偵測(cè)模塊的偵測(cè)電路之間串聯(lián)有電阻。 請(qǐng)參照?qǐng)D1所示為本實(shí)用新型的流程方框圖，為實(shí)現(xiàn)該流程，本實(shí)施例的自動(dòng)識(shí) 別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板內(nèi)存插槽使用狀態(tài)偵測(cè)模塊和CPU類型偵測(cè)模 塊的電路如圖2所示，該自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板對(duì)CPU類型和 內(nèi)存類型進(jìn)行判斷并控制主板工作的方法步驟如下 首先圖2中相關(guān)點(diǎn)信息說明A點(diǎn)信號(hào)來自CPU腳座上的AE9或是H22腳或兩者一起AM2/AM2+CPU時(shí)，A = 0 ;AM3CPU時(shí)，A = 1 ; B點(diǎn)信號(hào)來自DDR3插槽任一原本需要接地的腳 當(dāng)有DDR3內(nèi)存插在插槽上時(shí)，B = 0 ;否則，B = 1 ; F點(diǎn)信號(hào)來自DDR2插槽任一原本需要接地的腳 當(dāng)有DDR2內(nèi)存插在插槽上時(shí)，F(xiàn) = 0 ;否則，F(xiàn) = 1 ; G點(diǎn)信號(hào)來自I/O或是芯片的ATX PS ON信號(hào)； E點(diǎn)信號(hào)去控制ATX電源的PS ON信號(hào)； 1、 CPU與內(nèi)存正確搭配模式 1)，AM2/AM2+CPU搭配DDR2內(nèi)存，此時(shí)A點(diǎn)為0， B點(diǎn)為1， A與B通過或非關(guān)系后， C為0，致使D1為1 ;另外一方，F(xiàn)點(diǎn)為O， B點(diǎn)為1， F與B通過或非關(guān)系后，H為0，致使D2也為1 ;這樣E點(diǎn)去控制ATX電源的PS ON信號(hào)受到G點(diǎn)來自I/O或是芯片的ATX PSON信 號(hào)控制可以上電。 2) ， AM3CPU搭配DDR2內(nèi)存，此時(shí)A點(diǎn)為1， B點(diǎn)為1， A與B通過或非關(guān)系后，C為 O，致使Dl為1 ;另外一方，F(xiàn)點(diǎn)為O，B點(diǎn)為1，F(xiàn)與B通過或非關(guān)系后，H為0，致使D2也為 1 ;這樣E點(diǎn)去控制ATX電源的PS ON信號(hào)受到G點(diǎn)來自I/O或是芯片的ATX PS ON信號(hào)控 制可以上電。 3) ， AM3CPU搭配DDR3內(nèi)存，此時(shí)A點(diǎn)為1， B點(diǎn)為0， A與B通過或非關(guān)系后，C為 O，致使Dl為1 ;另外一方，F(xiàn)點(diǎn)為1，B點(diǎn)為0，F(xiàn)與B通過或非關(guān)系后，H為0，致使D2也為 1 ;這樣E點(diǎn)去控制ATX電源的PS ON信號(hào)受到G點(diǎn)來自I/O或是芯片的ATX PS ON信號(hào)控 制可以上電。 2、 CPU與內(nèi)存搭配不正確模式 1)，AM2/AM2+CPU搭配DDR3內(nèi)存，此時(shí)A點(diǎn)為O，B點(diǎn)為O，A與B通過或非關(guān)系后， C為l，致使Dl為0 ;這樣E點(diǎn)去控制ATX電源的PS ON信號(hào)始終處于高電平準(zhǔn)位，不能上 電。 2)，任何一種類型的CPU，同是插有DDR2與DDR3的內(nèi)存時(shí)，F(xiàn)點(diǎn)為0， B點(diǎn)為0， F 與B通過或非關(guān)系后，H為l，致使D2也為0 ;這樣E點(diǎn)去控制ATX電源的PS ON信號(hào)始終 處于高電平準(zhǔn)位，不 上電。
權(quán)利要求一種自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板，其特征在于該自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板包括CPU插槽、DDR2內(nèi)存插槽、DDR3內(nèi)存插槽、內(nèi)存插槽使用狀態(tài)偵測(cè)模塊和CPU類型偵測(cè)模塊，該CPU類型偵測(cè)模塊與CPU插槽中AMDCPU的H22腳或AE9腳所對(duì)應(yīng)的插槽端子連接，內(nèi)存插槽使用狀態(tài)偵測(cè)模塊同時(shí)與DDR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存插槽的接地腳所對(duì)應(yīng)的端子連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板，其特征 在于所述的CPU插槽與AMD CPU的H22腳和AE9腳所對(duì)應(yīng)的端子與CPU類型偵測(cè)模塊的 偵測(cè)電路連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板，其特征 在于所述CPU插槽與AMD CPU的H22腳或AE9腳所對(duì)應(yīng)的端子與CPU類型偵測(cè)模塊的偵 測(cè)電路之間串聯(lián)有電阻。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板，該自動(dòng)識(shí)別CPU類型的支持雙模式內(nèi)存AMD平臺(tái)主板包括CPU插槽、DDR2內(nèi)存插槽、DDR3內(nèi)存插槽、內(nèi)存插槽使用狀態(tài)偵測(cè)模塊和CPU類型偵測(cè)模塊，該CPU類型偵測(cè)模塊與CPU插槽中AMDCPU的H22腳或AE9腳所對(duì)應(yīng)的插槽端子連接，內(nèi)存插槽使用狀態(tài)偵測(cè)模塊同時(shí)與DDR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存插槽的接地腳所對(duì)應(yīng)的端子連接，該主板能夠?qū)DR2內(nèi)存插槽和DDR3內(nèi)存插槽的使用狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)以判斷內(nèi)存類型，同時(shí)根據(jù)CPU插槽端子所對(duì)應(yīng)的CPU的接地腳電壓來判斷CPU的類型，結(jié)合內(nèi)存類型對(duì)主板加電狀態(tài)進(jìn)行控制，以有效地防止因搭配失誤損壞主板。
文檔編號(hào)G06F11/30GK201449603SQ200820235928
公開日2010年5月5日 申請(qǐng)日期2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日
發(fā)明者王武 申請(qǐng)人:深圳市先冠電子有限公司