專利名稱：確定實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算機實現(xiàn)的方法
技術領域：
本發(fā)明總地涉及確定實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算機實
現(xiàn)的方法。某些實施方案涉及藉由比較按設計分組的實際缺陷與按設計分組的隨機產生缺陷來確定實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。
背景技術：
下列描述及實施例不由于其被包含在此章節(jié)中而承認為現(xiàn)有技術。
可使用諸如電子設計自動化(EDA)、計算機輔助設計(CAD)以及其他IC設計軟件的方法或系統(tǒng)來開發(fā)集成電路(IC)設計。此類方法及系統(tǒng)亦可用以從IC設計產生電路圖形數(shù)據(jù)庫。電路圖形數(shù)據(jù)庫包括代表用于該IC各層的多個布局的數(shù)據(jù)。該電路圖形數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)因此可用以確定多個掩模版(reticle)的布局。掩模版的布局一般包括定義該掩模版上圖形中特征的多邊形。每一掩模版是用以制造該IC的各層之一。該IC的所述層可包括例如半導體基底中的結圖形、柵極介電圖形、柵極電極圖形、層間介電質中的接點圖形以及金屬化層中的互連圖形。 制造諸如邏輯及存儲器器件的半導體器件通常包括使用大量半導體制造工藝處理諸如半導體晶片的基底以形成所述半導體器件的各種特征及多個層級。例如，光刻是一種半導體制造工藝，其涉及將一圖形從一掩模版?zhèn)鬏斨猎O置在一半導體晶片上的一抗蝕劑。半導體制造工藝的額外實施例包括但不限于化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沉積以及離子植入。多個半導體器件可制造在單一半導體晶片上的一配置中并接著分成個別半導體器件。 檢驗過程是在半導體制造工藝期間用于各步驟以檢測晶片上的缺陷來提高制造工藝中較高的產量并因此促進較高的利潤。檢驗始終為制造半導體器件(例如IC)的一重要部分。然而，隨著半導體器件的尺寸減小，檢驗對于可接受的半導體器件的成功制造變得更重要，因為較小缺陷能使所述器件出現(xiàn)故障。例如，隨著半導體器件的尺寸減小，對減小大小的缺陷的檢測已變得必要，因為甚至相對小的缺陷可能引起半導體器件中不合需要的異常。 然而，隨著設計規(guī)則縮小，半導體制造工藝可能正操作為更接近于所述過程的性能能力的限制。另外，較小缺陷可能隨著設計規(guī)則縮小而對器件的電參數(shù)有影響，這驅動更靈敏的檢驗。因此，隨著設計規(guī)則縮小，由檢驗檢測的潛在產量相關缺陷的數(shù)量引人注目地增長。因此，越來越多的缺陷可在晶片上被檢測到，而且校正工藝以消除所述缺陷的全部可能是困難且昂貴的。這樣，確定所述缺陷的哪些實際上對所述器件的電參數(shù)以及產量有影響可允許工藝控制方法集中在所述缺陷上，同時在很大程序上忽視其他缺陷。此外，以較小設計規(guī)則，工藝招致的故障可能在一些情況下傾向于為系統(tǒng)性的。即，工藝招致的故障傾向于在通常在設計內重復許多次的預定設計圖形中出現(xiàn)故障。另外，盡管缺陷一般是與工藝和設計相互作用相關的，但是工藝招致的故障是從工藝變化現(xiàn)象造成的缺陷，所述現(xiàn)象并
4不一定是由于低劣的設計所致的。系統(tǒng)性缺陷是仍可能在空間上分布于隨機位置處的結構性重復缺陷。系統(tǒng)性電相關缺陷的消除是重要的，因為消除此類缺陷能對產量有明顯的總體影響。 目前使用的一種用于分離系統(tǒng)性和隨機缺陷的方法使用重復器(r印eator)進行分析。用于分離系統(tǒng)性和隨機缺陷的另一方法依賴于一使用者定義的水平切割線(或閾值)，其是應用于帕累托圖(Pareto chart)，所述帕累托示出基于設計片段(designclip)之間的相似性進行分組的缺陷。包括缺陷數(shù)目高于此切割線的組被定義為潛在系統(tǒng)性缺陷，但是， 一般地，系統(tǒng)性缺陷不是單獨基于缺陷計數(shù)來識別。具體來說， 一般進行潛在系統(tǒng)性缺陷的審查。然而，此類方法具有若干缺點。例如，此類先前使用的方法需要使用者的介入及判斷來確定閾值。另外，隨機缺陷組是已知為通常具有的缺陷計數(shù)高于系統(tǒng)性缺陷組的缺陷計數(shù)。因此，這些先前使用的方法可能藉由將隨機缺陷的組識別為潛在系統(tǒng)性缺陷而產生錯誤結果。另外，以帕累托圖切割線為基礎的方法對確定哪些缺陷容器(bin)包括潛在系統(tǒng)性缺陷可能并非有效，因為若假定一給定晶片上的所有缺陷是隨機缺陷(即，假定0%系統(tǒng)性)，則在圖示以設計為基礎進行分組的結果的帕累托圏中所示的缺陷計數(shù)可能僅報告該晶片上不同電路結構的相對區(qū)域。 因此，開發(fā)用于確定缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算機實現(xiàn)的方法可以是有利的，其能加以實行而無需使用者介入及判斷，而且具有比目前使用的用于區(qū)分潛在系統(tǒng)性缺陷與潛在隨機缺陷的方法高的精度。

發(fā)明內容
下列對計算機實現(xiàn)的方法的各種實施方案的描述并非以任何方式被解讀為限制所附權利要求書的主旨。 —個實施方案是關于確定實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算
機實現(xiàn)的方法。該方法包括將組中的實際缺陷的數(shù)目與組中的隨機產生缺陷的數(shù)目進行比
較。在晶片上檢測所述實際缺陷。該晶片上接近于該組中的每一個所述實際缺陷以及該組
中的每一個所述隨機產生缺陷的位置的設計的部分是實質上相同的。該方法還包括基于該
比較步驟的結果確定該組中的所述實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。 在一個實施方案中，該比較步驟包括將為所述實際缺陷產生的一帕累托圖與為所
述隨機產生缺陷產生的一帕累托圖進行比較。在另一實施方案中，該比較步驟包括確定該
組中的所述實際缺陷的數(shù)目與該組中的所述隨機產生缺陷的數(shù)目的比率。 在一個實施方案中，該設計的該部分對應于設計片段(design clip)。在另一實
施方案中，對在該晶片上檢測到的不同實際缺陷組單獨地實行該方法。在一個這樣的實施
方案中，該晶片上接近于每一個不同組的每一個所述實際缺陷的位置的設計的部分是實質
上相同的。在另一實施方案中，對在該晶片上檢測的實際缺陷的所有組單獨地實行該方法。
在一個這樣的實施方案中，該晶片上接近于全部所述組的每一個中的每一個所述實際缺陷
的位置的設計的部分是實質上相同的。 在一個實施方案中，在無需使用者介入的情況下實行該方法。在一些實施方案中，藉由對晶片上的層的檢驗來檢測所述實際缺陷，并且所述隨機產生缺陷對用于該晶片上的層的檢驗工藝配置被產生一次而且用于對使用該檢驗工藝配置在多個晶片的層上檢測到CN 101785009 A
的缺陷實行該方法。 在一個實施方案中，該確定步驟包括若組中實際缺陷數(shù)目大于組中隨機產生缺陷數(shù)目，則確定該組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷；而且若組中實際缺陷數(shù)目并非大于組中隨機產生缺陷數(shù)目，則確定該組中的實際缺陷是潛在隨機缺陷。 在另一實施方案中，該確定步驟包括若組中實際缺陷數(shù)目在統(tǒng)計上大于組中隨機產生缺陷數(shù)目，則確定該組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷；并且若組中實際缺陷數(shù)目并非在統(tǒng)計上大于組中隨機產生缺陷數(shù)目，則確定該組中的實際缺陷是潛在隨機缺陷。
在一實施方案中，在該比較步驟之前，該方法包括基于在該晶片上檢測的實際缺陷的總數(shù)目以及隨機產生缺陷的總數(shù)目來將組中隨機產生缺陷數(shù)目歸一化(normalize)為組中實際缺陷數(shù)目。 在另一實施方案中，該方法包括將該組中的實際缺陷的數(shù)目與不同組中的不同隨
機產生缺陷的數(shù)目進行比較。接近于該組中的每一個所述實際缺陷的位置以及該不同組中
的每一個所述不同隨機產生缺陷的位置的設計的部分是實質上相同的。單獨地產生所述隨
機產生缺陷以及所述不同隨機產生缺陷。在一些此類實施方案中，該確定步驟包括基于對
組中實際缺陷數(shù)目與組中隨機產生缺陷數(shù)目以及該組中的不同隨機產生缺陷的數(shù)目進行
比較的結果來確定該組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。 可如本文中描述的那樣進一步實行以上描述的方法的每一個步驟。另外，以上描
述的方法的每一個實施方案可包括本文中描述的任何其他方法的任何其他步驟。此外，可
藉由本文中描述的任一個系統(tǒng)實行以上描述的方法的每一個實施方案。 另一實施方案是關于建立隨機產生缺陷組的集合以供用于確定實際缺陷的組是
潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算機實現(xiàn)的方法。該方法包括橫跨與晶片的至少部
分的受檢驗區(qū)域對應的一區(qū)域在不同位置處隨機產生缺陷集。該方法還包括將隨機產生缺
陷的該集入容器到組，以便該晶片上接近于每個所述組中隨機產生缺陷的位置的設計的部
分是實質上相同的。另外，該方法包括確定每個所述組中隨機產生缺陷的數(shù)目?？蓪⑺?br> 組中的隨機產生缺陷的數(shù)目與對應組中的實際缺陷的數(shù)目進行比較，以確定對應組中的實
際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。 在一個實施方案中，實行該方法一次以上以確定不同的隨機產生缺陷集的額外數(shù)目。在一個這樣的實施方案中，可將所述數(shù)目及所述額外數(shù)目與對應組中的實際缺陷的數(shù)目進行比較，以確定對應組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。在另一個這樣的實施方案中，該方法包括使用額外數(shù)目來驗證隨機產生步驟。 在一實施方案中，隨機產生該缺陷集的操作包括使用機率模擬來隨機產生缺陷的該集。在另一實施方案中，隨機產生缺陷的該集的操作包括橫跨該區(qū)域在設置為格柵的位置處隨機產生缺陷。在一額外實施方案中，隨機產生缺陷的該集的操作包括橫跨該區(qū)域在具有實質上均勻分布的位置處隨機產生缺陷。在另一實施方案中，這樣實行隨機產生缺陷的該集的操作，即使得每個所述組中隨機產生缺陷的頻率近似等于橫跨該區(qū)域接接近于每個所述組中隨機產生缺陷的位置的該設計的該部分的頻率。 在一個實施方案中，該晶片的至少部分的受檢驗區(qū)域近似等于該晶片上管芯的受檢驗區(qū)域。在另一實施方案中，該方法包括產生隨機產生缺陷的該集的帕累托圖。在一個這樣的實施方案中，可藉由將隨機產生缺陷的該集的帕累托圖與實際缺陷的帕累托圖進行
6比較來比較隨機產生缺陷的數(shù)目與對應組中的實際缺陷的數(shù)目。 可如本文中描述的那樣進一步實行以上描述的方法的每一個步驟。另外，以上描
述的方法的每一個實施方案可包括本文中描述的任何其他方法的任何其他步驟。此外，可
藉由本文中描述的任一個系統(tǒng)來實行以上描述的方法的每一個實施方案。 —額外實施方案是關于建立隨機產生缺陷組的歸一化集以供用于確定實際缺陷
的對應組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算機實現(xiàn)的方法。該方法包括確定在晶
片的層上檢測的所有實際缺陷的總數(shù)目。該方法還包括基于在該晶片上檢測的全部實際缺
陷的總數(shù)目來將組中的隨機產生缺陷的數(shù)目歸一化為對應組中的實際缺陷的數(shù)目。該晶片
上接近于每個所述組中隨機產生缺陷的位置的設計的部分是實質上相同的?？杀容^所述組
中的隨機產生缺陷的歸一化數(shù)目與對應組中的實際缺陷的數(shù)目，以確定實際缺陷的對應組
是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。 可如本文中描述的那樣進一步實行以上描述的方法的每一個步驟。另外，以上描 述的方法的實施方案可包括本文中描述的任何其他方法的任何其他步驟。此外，可藉由本 文中描述的任一個系統(tǒng)來實行以上描述的方法的實施方案。
附圖描述 得益于對較佳實施方案的以下詳細描述并在參考附圖之后，本領域技術人員可明 白本發(fā)明的另外的優(yōu)點，在所述附圖中

圖1是圖示管芯堆疊結果的一實施例的管芯分布圖(die m即)，示出在晶片上檢 測的實際缺陷； 圖2是圖示橫跨與晶片至少一部分的檢驗區(qū)域對應的一區(qū)域在不同位置處隨機 產生缺陷集的一個實施方案的結果的一個實施例的管芯分布圖； 圖3是隨機產生的缺陷集的帕累托圖，其是依據(jù)本文中描述的實施方案配置并產 生的； 圖4是在一晶片上檢測的實際缺陷的帕累托圖，其是依據(jù)本文中描述的實施方案 配置并產生的； 圖5是依據(jù)本文中描述的實施方案配置并產生的帕累托圖，其示出將為實際缺陷
產生的一帕累托圖與為隨機產生缺陷產生的一帕累托圖進行比較的結果； 圖6是依據(jù)本文中描述的實施方案配置并產生的帕累托圖，其示出將為實際缺陷
產生的一帕累托圖與為二個不同的隨機產生缺陷集產生的二個帕累托圖進行比較的結果；
以及 圖7是一示意圖，其圖示包括可在一計算機系統(tǒng)上執(zhí)行以實行本文中描述的一個 或更多個計算機實現(xiàn)的方法的一個或更多個實施方案的程序指令的計算機可讀介質的一 個實施方案，以及被配置來實行本文中描述的一個或更多個計算機實現(xiàn)的方法的系統(tǒng)的一 個實施方案的側視圖。 雖然本發(fā)明允許有各種修改及替代形式，但是其特定實施方案以實施例的方式示 出在附圖中并在本文中加以詳細描述。所述附圖可能并未按比例繪制。然而，應該了解，所 述附圖及其詳細描述并不預計將本發(fā)明限于所公開的特定形式，而相反，本發(fā)明涵蓋落入 如所附權利要求書所定義的本發(fā)明的精神及范疇內的全部修改、等同方案及替代方案。
具體實施例方式
本文中所用的術語"實際缺陷"指晶片上檢測到的實際缺陷。因此，術語"實際缺 陷"并不指可能出現(xiàn)在晶片上但尚未在該晶片上被檢測到的實際缺陷。 本文中使用的術語"晶片"一般指由半導體或非半導體材料形成的基底。此半導 體或非半導體材料的實施例包括(但不限于)單晶硅、砷化鎵以及磷化銦。此類基底通常 可在半導體制造設施中找到和/或處理。 —晶片可包括形成于一基底上的一個或更多個層。例如，此類層可包括(但不限
于) 一抗蝕劑、一介電材料、一導電材料以及一半導體材料。許多不同類型的此類層在本領
域中已為人所知，而且本文中所用的術語晶片是預計包含包括此類層的所有類型的晶片。 形成于一晶片上的一個或更多個層可以是圖形化或未圖形化的。例如，一晶片可
包括多個管芯，每一個管芯具有可重復的圖形化特征。此類材料層的形成及處理可最終導
致完成的裝置。許多不同類型的器件(例如集成電路(IC))可形成于晶片上，而且本文中
所用的術語晶片是意欲包含上面正被制造本領域中已知的任何類型器件的晶片。 盡管本文中關于晶片描述實施方案，但是應了解所述實施方案可用于另一樣品，
例如掩模版，其亦可通常稱為掩?；蚬庋谀?。許多不同類型的掩模版在本領域中已為人所
知，而且本文中所用的術語"掩模版"、"掩模"及"光掩模"是意欲包含本領域中已知的掩模
版的所有類型。 現(xiàn)在參考附圖，應注意所述圖并非按比例繪制。具體來說，在很大程度上夸大所述 圖中一些部件的比例以強調所述部件的特性。亦應注意所述圖并非按相同比例繪制。已使 用相同參考數(shù)字來指示在一個以上的圖中所示出的可以同樣配置的部件。
—般地，本文中描述的實施方案是關于區(qū)分潛在系統(tǒng)性缺陷及潛在隨機缺陷。"潛 在系統(tǒng)性缺陷"在本文中定義為很可能包含與隨機缺陷相反的系統(tǒng)性缺陷的缺陷組(或容 器)中的實際缺陷(盡管可使用一個或更多個其他方法(例如，缺陷審查)更明確地確認 或確定該組是否包含系統(tǒng)性缺陷)。"潛在隨機缺陷"是在本文中定義為很可能包含與系統(tǒng) 性缺陷相反的隨機缺陷的組(或容器)中的實際缺陷(盡管可使用一個或更多個其他方法 (例如，缺陷審查)以更明確的方式確認或確定該組是否包含隨機缺陷)。
—實施方案是關于建立這樣的隨機產生缺陷組的集合的計算機實現(xiàn)的方法，所述 隨機產生缺陷組的集合用于確定實際缺陷組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的隨機 產生缺陷。所述實際缺陷是在晶片上檢測的缺陷。具體來說，可在一圖形化晶片上檢測所 述實際缺陷以便能基于設計來分組所述缺陷，如本文中進一步描述的那樣。隨機產生缺陷 組的集合可用以確定實際缺陷組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷，如本文中進一步描 述的。具體來說，隨機產生缺陷組的集合可在用以確定實際缺陷是本文中進一步描述的潛 在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的方法的實施方案中。 該方法包括橫跨與晶片至少一部分的檢驗區(qū)域對應的區(qū)域中在不同位置處隨機 產生缺陷集。例如，可在代表該晶片受檢驗部分(即管芯的受檢驗區(qū)域乘以受檢驗的管芯 數(shù)目)的設計上隨機產生缺陷集。以此方式，可采用與檢測缺陷實質上相同的缺陷密度產 生隨機產生缺陷。在一實施方案中，隨機產生缺陷集的操作包括使用機率模擬(例如，以某 方式為非確定性的模擬，與確定性相反)隨機產生缺陷集。例如，可使用任何適當機率模擬 方法、系統(tǒng)、算法、技術等(例如，蒙地卡羅(Monte Carlo)模擬)來模擬隨機產生的缺陷。6/ 以此方式，該隨機產生缺陷集可包括真實隨機產生的缺陷。 在另一實施方案中，隨機產生缺陷集的操作包括在橫跨該區(qū)域設置為一格柵中的 位置處隨機產生缺陷。例如，所述缺陷可橫跨該區(qū)域取向為一規(guī)則格柵。在一額外實施方 案中，隨機產生缺陷集的操作包括橫跨該區(qū)域在具有實質上均勻分布的位置處的隨機產生 缺陷。(以一規(guī)則格柵定向的隨機產生缺陷亦可橫跨該區(qū)域具有實質上均勻的分布。)在 一些此類實施方案中，隨機產生缺陷集的操作可包括從檢驗結果移除通過對晶片上的層進 行檢驗所檢測到的實際缺陷，并采用隨機產生缺陷取代所述實際缺陷以便隨機產生缺陷實 質上橫跨該區(qū)域均勻地分布。檢驗結果可包括任何適當檢驗結果(例如KLARF)，而且可采 用類似文件格式將隨機產生缺陷集儲存在不同文件(例如，不同KLARF)中。因此，產生的 文件可本質上為該晶片的層上隨機缺陷的結果看起來的快照。 圖1中示出藉由對晶片上的層的檢驗產生的檢驗結果的一個實施例，其可用以隨 機產生缺陷集。具體來說，圖1示出管芯堆疊結果的管芯分布圖io，所述管芯堆疊結果是藉 由檢驗晶片的65nm多晶硅層產生的。具體來說，管芯分布圖10示出在藉由管芯堆疊彼此 覆蓋的多晶硅層上的多個管芯中檢測到的實際缺陷12的位置?？梢匀魏芜m當方式產生管 芯堆疊結果。管芯映射10的KLARF包括10， 000個缺陷。管芯映射10的KLARF是用以藉 由下列方式為隨機產生缺陷產生另一KLARF :從管芯映射IO移除藉由檢驗所檢測到的實際 缺陷，并采用隨機產生的缺陷取代實際缺陷以便隨機產生缺陷橫跨該區(qū)域實質上均勻地分 布。具體來說，管芯分布圖IO是用以產生圖2中所示的管芯映射14，其示出橫跨該區(qū)域的 隨機產生缺陷16的位置。隨機產生缺陷16包括橫跨該晶片的層上管芯的區(qū)域、以100缺 陷乘以100缺陷的格柵(或二維陣列)設置的10， 000個缺陷。 可以如本文中進一步描述的那樣基于設計入容器二個KLARF中的缺陷，并且可如 本文中進一步描述的那樣比較對應組中的實際與隨機產生缺陷的數(shù)目，以確定每一實際缺 陷組包括潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。以此方式，可以逐個組為基礎來比較對實際 缺陷及隨機產生缺陷的以設計為基礎進行分組的結果，以確定實際缺陷組包括潛在系統(tǒng)性 缺陷還是潛在隨機缺陷。 在另一實施方案中，實行隨機產生缺陷集的操作，以便每個組中隨機產生缺陷的 頻率近似等于該設計在橫跨該區(qū)域的每個組中隨機產生缺陷的位置附近的部分的頻率。例 如，可隨機產生所述缺陷，以便隨機產生缺陷具有的頻率近似等于該設計內的某些結構的 隨機缺陷的預期頻率。盡管隨機缺陷率(defectivity)能在晶片間廣泛地變化，但是某些 結構越頻繁地出現(xiàn)在設計中，在所述結構中一般檢測到越多的隨機缺陷。以此方式，對于該 設計以較高頻率橫跨該晶片出現(xiàn)的部分，可隨機產生較多缺陷，因而較佳地接近可在該設 計不同部分中的晶片上檢測的隨機缺陷的數(shù)目。這樣，隨機產生缺陷可展現(xiàn)與設計片段橫 跨晶片的分布實質上相同的橫跨晶片的分布，因而較佳地接近可實際上在該晶片上檢測的 隨機缺陷的分布。 在一些實施方案中，該晶片的至少部分的受檢驗區(qū)域近似等于該晶片上的管芯的 受檢驗區(qū)域。以此方式，不必橫跨與整個晶片受檢驗區(qū)域相對應的一區(qū)域在不同位置處產 生隨機產生缺陷。相反，可為該晶片的整個受檢驗區(qū)域的僅一部分(例如，該晶片上的一管 芯的受檢驗區(qū)域)產生隨機產生缺陷，而且基于橫跨該晶片的整個受檢驗區(qū)域檢測到的實 際缺陷的總數(shù)目、為其產生隨機產生缺陷的整個受檢驗區(qū)域的部分、以及該晶片的整個受
9檢驗區(qū)域，可如本文中進一步描述的那樣歸一化每一個所述組中的隨機產生缺陷的數(shù)目。 另外，取代于橫跨該晶片隨機產生缺陷，可橫跨管芯的受檢驗區(qū)域隨機產生缺陷集(其等 效于橫跨晶片進行模擬并接著堆疊所述缺陷)。此外，如本文中進一步描述的，隨機產生缺 陷計數(shù)能被歸一化以與檢測的缺陷計數(shù)匹配。 該方法還包括將隨機產生缺陷集入容器(bin)到組，以便該晶片上接近于每個所 述組中的隨機產生缺陷的位置的設計的部分是實質上相同的。以此方式，隨機產生缺陷組 的每一個對應于該設計的不同部分，而且每個所述組中隨機產生缺陷是定位為接近于該 設計的實質上相同部分。這樣，可基于設計(例如，設計片段)將隨機產生缺陷分成組。 可如下列專利申請中描述的那樣實行基于設計將隨機產生缺陷集入容器到組的操作由 Kulkarni等人提供的共同擁有美國專利申請第11/561， 735號，其于2007年7月5日公開 為美國專利申請公開案2007/0156379號；以及由Zafar等人提供的第11/561， 659號，其于 2007年12月13日公開為美國專利申請公開案2007/0288219號，二者于2006年11月20 日提出申請，而且二者是全部以引用方式并入本文中。本文中描述的的實施方案可包括這 些專利申請中描述的任何方法的任何步驟。 該方法進一步包括確定每個所述組中隨機產生缺陷的數(shù)目?？蓪⑺鼋M中的隨機 產生缺陷的數(shù)目與對應組中的實際缺陷的數(shù)目進行比較以確定對應組中的實際缺陷是潛 在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。能以任何適當方式確定所述組中的隨機產生缺陷的數(shù)目 (例如，缺陷計數(shù))。依據(jù)本文中描述的實施方案的任一個，可比較所述組中隨機產生缺陷 的數(shù)目與對應組中的實際缺陷的數(shù)目。另外，依據(jù)本文中描述的任一個實施方案，可基于比 較的結果來實行所述確定組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的操作。
在一個實施方案中，該方法包括產生隨機產生缺陷集的帕累托圖。此"隨機帕累托 圖"能使用本文中描述的隨機產生缺陷的任一個(例如，真實隨機產生缺陷或橫跨該區(qū)域 取向為一規(guī)則格柵的缺陷)加以構造。例如，如本文中進一步描述的，隨機產生缺陷集可基 于設計(例如，設計片段)被入容器到不同組，并且可使用入容器的結果為隨機產生缺陷的 該集而產生帕累托圖。這樣，所述組的任一個中的缺陷將全部定位成接近于該設計的相同 (或實質上相同)部分。因此，隨機產生缺陷的帕累托圖將示出入容器到不同組的缺陷的數(shù) 目，每個組對應于該設計的不同部分。 圖3中示出這樣的帕累托圖的一個實施方案。具體來說，如圖3中所示，為隨機產 生缺陷集產生的帕累托圖示出沿x軸的GDS圖形組ID以及沿y軸的缺陷計數(shù)。這樣，該帕 累托圖以圖解方式圖示入容器到每個不同組的缺陷的數(shù)目，每個組對應于該GDS圖形的一 不同部分。以此方式，藉由將隨機產生缺陷集的帕累托圖與實際缺陷的帕累托圖進行比較， 可如本文中進一步描述的那樣將隨機產生缺陷的數(shù)目與對應組中實際缺陷的數(shù)目進行比 較。具體來說，使用所述帕累托圖，具有相同GDS圖形組ID并因此為對應組的組中的隨機 產生缺陷及實際缺陷的數(shù)目可以進行比較。 可實行多趟隨機產生缺陷集的操作以從受限樣本提供總隨機分布的統(tǒng)計上更明 顯的近似值。例如，在一個實施方案中，實行該方法一次以上以確定不同的隨機產生缺陷 集的額外數(shù)目。該方法可實行一次以上以便可單獨地隨機產生所述不同的隨機產生缺陷 集。可以相同或不同方式隨機產生每一個不同的隨機產生缺陷集(例如，依據(jù)本文中描述 的任一個實施方案)。依據(jù)本文中描述的任一個實施方案，可確定不同的隨機產生缺陷集
10的額外數(shù)目。可將所述數(shù)目及所述額外數(shù)目與對應組中實際缺陷的數(shù)目進行比較，以確定對應組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。依據(jù)本文中描述的任一個實施方案，可將所述組中不同的隨機產生缺陷集的數(shù)目與對應組中的實際缺陷的數(shù)目進行比較。另外，基于依據(jù)本文中描述的任一個實施方案，可比較不同的隨機產生缺陷集的數(shù)目來實行確定對應組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的操作。在一些此類實施方案中，該方法可包括在統(tǒng)計上組合來自隨機產生缺陷的多個集的結果，以確定每一容器的計數(shù)的置信區(qū)間(confidence interval)。此置信區(qū)間能用以指派一給定容器是潛在系統(tǒng)性的可能性，或能用以設定一閾值(例如，將指示若計數(shù)大于90%的置信區(qū)間，則入容器為潛在系統(tǒng)性的)。以此方式，可在統(tǒng)計上重復隨機產生步驟以改良隨機產生族群(population)代表實際族群的置信性。 在另一實施方案中，實行該方法一次以上以確定不同的隨機產生缺陷集的額外數(shù)目，而且該方法包括使用該額外數(shù)目來驗證隨機產生步驟(其中產生第一隨機產生缺陷集)。例如，能多次產生隨機產生缺陷集(以及隨機帕累托圖)以驗證隨機化過程的穩(wěn)定性。具體來說，該方法可實行一次以上以便可單獨地隨機產生不同的隨機產生缺陷集。在此實施方案中，優(yōu)選以相同方式隨機產生每一個不同的隨機產生缺陷集(例如，依據(jù)本文中描述的任一個實施方案)。依據(jù)本文中描述的任一個實施方案，可確定不同的隨機產生缺陷集的額外數(shù)目。對隨機產生步驟進行驗證的操作可包括比較不同的隨機產生缺陷集的數(shù)目。依據(jù)本文中描述的任一個實施方案，能以逐個組為基礎來比較所述組中不同的隨機產生缺陷集的數(shù)目。另外，對隨機產生步驟進行驗證的操作可包括確定不同的隨機產生缺陷集的數(shù)目是否是足夠類似而被視為在統(tǒng)計上相同。可以任何適當方式實行確定所述數(shù)目是否是足夠類似而被視為在統(tǒng)計上相同的操作。 以上描述的方法的實施方案可包括本文中描述的任何其他方法的任何其他步驟。另外，可藉由任一個本文中描述的系統(tǒng)來實行以上描述的方法的實施方案。
另一實施方案是關于建立這樣的隨機產生缺陷組的歸一化集的計算機實現(xiàn)的方法，所述歸一化集用于確定實際缺陷的對應組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。該方法包括確定在晶片的層上檢測到的所有實際缺陷的總數(shù)目?？倲?shù)目中包括的實際缺陷優(yōu)選不包括公害缺陷(nuisance defect)。具體來說，優(yōu)選在確定總數(shù)目前以任何適當方式從檢驗結果移除公害缺陷。實際缺陷可包括在圖形化晶片的層上檢測的缺陷。另外，該方法可以包括或可以不包括如本文中進一步描述的那樣檢測該晶片的層上實際缺陷的操作。此外，該方法可以包括或可以不包括從檢驗結果移除公害缺陷的操作(例如，若藉由另一方法檢驗該晶片，則該方法可包括從檢驗結果移除公害缺陷，并因此不必藉由本文中描述的方法從檢驗結果移除公害缺陷)?？梢匀魏芜m當方式實行確定在該層上檢測的全部實際缺陷總數(shù)目的操作。 該方法還包括基于在該晶片上檢測的全部實際缺陷的總數(shù)目來將組中隨機產生缺陷的數(shù)目歸一化為對應組中的實際缺陷的數(shù)目。接近于每一個所述組中隨機產生缺陷的位置的晶片上設計的部分是實質上相同的。因此，藉由設計(例如，藉由設計片段)來分組隨機產生缺陷，而且可基于在該晶片上檢測的實際缺陷的總數(shù)目來歸一化每個所述組中隨機產生缺陷的數(shù)目。可以任何適當方式實行歸一化每個所述組中隨機產生缺陷的數(shù)目(例如，將每一組中隨機產生缺陷的數(shù)目乘以某因子以便全部所述組中的隨機產生缺陷的總數(shù)
11目近似等于在該晶片上檢測的實際缺陷的總數(shù)目)。 在該晶片上檢測的實際缺陷的總數(shù)目可橫跨晶片劇烈變化(例如，由于用以制造 晶片的一個或更多個工藝中的變化和/或由于晶片本身中的變化)。這樣，如本文中進一步 描述的，歸一化每個所述組中隨機產生缺陷的數(shù)目的操作可增加能從潛在隨機缺陷區(qū)分潛 在系統(tǒng)性缺陷的精度。另外，基于在任一給定晶片上檢測的實際缺陷的總數(shù)目來歸一化每 個所述組中隨機產生缺陷的數(shù)目的操作會增加隨機產生缺陷集的效用(例如，能以相對高 的精度將一個隨機產生缺陷集用于多個晶片而不管不同晶片的實際缺陷率)。另外，將每個 所述組中隨機產生缺陷的數(shù)目歸一化為缺陷密度，這允許數(shù)據(jù)在用于同一器件的檢驗工藝 配置(recipe)間加以比較。此歸一化對監(jiān)控可能是特別有利。 可將所述組中隨機產生缺陷的歸一化數(shù)目與對應組中實際缺陷的數(shù)目進行比較 以確定對應的實際缺陷組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。依據(jù)本文中描述的任何實 施方案，可將所述組中隨機產生缺陷的歸一化數(shù)目與對應組中實際缺陷的數(shù)目進行比較。 此類比較的結果可用以依據(jù)本文中描述的任何實施方案來確定實際缺陷的對應組是潛在 系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。 以上描述的方法的實施方案可包括本文中描述的任何其他方法的任何其他步驟。 另外，可藉由本文中描述的系統(tǒng)的任一個來實行以上描述的方法的實施方案。
—額外實施方案是關于確定實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計 算機實現(xiàn)的方法。在一晶片上檢測實際缺陷。具體來說，如本文中進一步描述的，可在圖形 化晶片上檢測實際缺陷，以便可基于設計來分組所述實際缺陷。本文中描述的所述方法可 以包括或可以不包括檢測該晶片上的實際缺陷。例如，本文中描述的方法可包括使用任何 適當?shù)臋z驗方法、系統(tǒng)和/或技術(例如，藉由以光掃描該晶片、在掃描期間檢測從該晶片 散射的光、以及使用響應該檢測光的輸出來檢測該晶片上的缺陷)來檢驗該晶片。或者，本 文中描述的方法可包括從另一系統(tǒng)(例如，檢驗系統(tǒng))、另一方法(例如，實行以檢測該晶片 上的缺陷的方法)、儲存介質(例如，制造數(shù)據(jù)庫)等獲得檢驗結果。 接近于組中每個實際缺陷以及對應組中每個隨機產生缺陷位置的晶片上設計的 部分是實質上相同的。具體來說，如本文中進一步描述的，基于接近于每個缺陷的位置的設 計的部分，可將實際缺陷及隨機產生缺陷入容器到組。以此方式，接近于組中缺陷位置的設 計的部分可以是實質上相同的。另外，實際缺陷的不同組對應于設計的不同部分，而且隨機 產生缺陷的不同組對應于設計的不同部分。 在一個實施方案中，設計的部分對應于設計片段。本文中使用的術語"片段"指設 計布局的相對小的部分。例如，術語"片段"能一般定義為缺陷周圍的設計中的區(qū)域，而且 能視為該缺陷的相鄰者(neighborhood)。另外，多邊形定義該片段內的圖形，但是所述多邊 形能部分延伸至超出該片段。因此，每個組可對應于該設計的一不同部分，而且該設計的不 同部分可包括該設計中的不同結構。這樣，可基于設計片段將實際缺陷分成組，而且可基于 設計片段將隨機產生缺陷分成組。以此方式，如本文中進一步描述的，可將對應于相同設計 片段分成組的實際及隨機產生缺陷的數(shù)目進行比較。以類似方式，基于設計并使用缺陷的 修補圖像(patch image)，可將實際及隨機產生缺陷分成組。修補圖像可以任何適當方式 來獲得并可包括任何適當?shù)拇祟悎D像。可基于設計(以及設計片段和/或修補圖像)將實 際及隨機產生缺陷分成組，如在Kulkarni等人及Zafar等人提供的上述專利申請中所描述
12的，所述申請全文以引用方式并入本文中。 在一些實施方案中，在本文中進一步描述的比較步驟前，該方法包括基于在該晶 片上檢測的實際缺陷的總數(shù)目以及隨機產生缺陷的總數(shù)目來將組中隨機產生缺陷數(shù)目歸 一化為組中實際缺陷數(shù)目。例如，可在隨機帕累托圖已歸一化為為實際缺陷產生的帕累托 圖后，實行本文中進一步描述的比較，以考慮隨機產生缺陷與實際缺陷的間的總缺陷計數(shù) 差異。依據(jù)本文中描述的任一個實施方案，所述組中隨機產生缺陷的數(shù)目可歸一化為一對 應組中實際缺陷的數(shù)目。 該方法包括將組中實際缺陷的數(shù)目與組中隨機產生缺陷數(shù)目進行比較。以此方 式，該方法可包括將實際缺陷樣本與隨機缺陷樣本進行比較。另外，比較一個組中實際缺陷 的數(shù)目與對應組中隨機產生缺陷的數(shù)目。具體來說，彼此對應的實際缺陷及隨機產生缺陷 組可包括這樣的組，所述組包括接近于該設計的相同(或實質上相同)部分的缺陷。以此方 式，定位成接近于設計的一個部分的實際缺陷的數(shù)目可與定位成接近于該設計的相同(或 實質上相同)部分的隨機產生缺陷的數(shù)目進行比較。這樣，可以逐個組為基礎并因此以逐 個設計為基礎來比較實際缺陷與隨機產生缺陷的數(shù)目。依據(jù)本文中描述的任一實施方案， 可以逐個組為基礎實行比較對應組中所實際缺陷與隨機產生缺陷的數(shù)目的操作。
在一個實施方案中，該比較步驟包括將為所述實際缺陷產生的帕累托圖與為所述 隨機產生缺陷產生的帕累托圖進行比較。以此方式，比較步驟可包括將隨機產生缺陷橫跨 圖形組的分布與實際缺陷橫跨圖形組的分布進行比較。具體來說，該方法可包括將為所述 實際檢測缺陷產生的設計片段帕累托圖(實際帕累托圖)與為所述隨機產生缺陷產生的設 計片段帕累托圖(隨機帕累托圖)進行比較。 圖4中示出依據(jù)本文中描述的實施方案為實際缺陷產生的帕累托圖的一個實施 例。具體來說，如圖4中所示，為實際缺陷產生的帕累托圖示出沿x軸的GDS圖形組ID以 及沿y軸的缺陷計數(shù)。這樣，該帕累托圖以圖解方式圖示入容器到每一個不同組的實際缺 陷的數(shù)目，每個組對應于該GDS圖形的一不同部分。因此，該帕累托示針對在晶片上檢 測的實際缺陷實行的以設計為基礎的分組的結果。 以此方式，如本文中進一步描述的，藉由比較實際缺陷的帕累托圖與隨機產生缺 陷的帕累托圖，可比較組中實際缺陷的數(shù)目與對應組中隨機產生缺陷的數(shù)目。例如，實際缺 陷及隨機產生缺陷的對應組可以為具有相同GDS圖形組ID的組。因此，具有相同GDS圖形 組ID的實際缺陷及隨機產生缺陷組可彼此比較以確定實際缺陷組的任一個是否是潛在系 統(tǒng)性缺陷。 圖5圖示為實際缺陷產生的帕累托圖與為隨機產生缺陷產生的帕累托圖的比較 結果的一實施方案。具體來說，如圖5中所示，為對應組中實際缺陷及隨機產生缺陷的數(shù)目 的比較而產生的帕累托圖示出沿x軸的GDS圖形組ID以及沿y軸的實際缺陷及隨機產生 缺陷兩者的缺陷計數(shù)。這樣，圖5中所示的帕累托圖以圖解方式圖示入容器到不同組的實 際缺陷及隨機產生缺陷的數(shù)目，每個組對應于該GDS圖形的不同部分。
以此方式，圖5中所示的帕累托圖示出如何將不同組中實際缺陷的數(shù)目與對應組 中隨機產生缺陷的數(shù)目進行比較。以此方式，藉由圖5中所示的帕累托圖所圖示的比較的 結果能如本文中進一步描述的那樣用以確定實際缺陷的組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨 機缺陷。具體來說，入容器到組2、3、4及10的實際缺陷可基于圖5的帕累托圖中所示的比較結果被確定為潛在系統(tǒng)性缺陷，而入容器到組0、5、7及9的實際缺陷可基于圖5的帕累 托圖中所示的比較結果被確定為潛在隨機缺陷。 在另一實施方案中，比較步驟包括確定組中實際缺陷的數(shù)目與該組中隨機產生缺 陷的數(shù)目的一比率?？梢匀魏芜m當方式確定該組中的所述實際缺陷的數(shù)目與該組中的所述 隨機產生缺陷的數(shù)目的該比率。另外，該比率可以為相對比率，其亦可以任何適當方式加以 確定。以此方式，可確定對應于設計相同(或實質上相同)部分的組中實際缺陷的數(shù)目與 隨機產生缺陷的數(shù)目的比率，其提供對應于該設計相同(或實質上相同)部分的實際缺陷 與隨機產生缺陷的數(shù)目之間差異的量度。因此，如本文中進一步描述的，該比率能用以確定 實際缺陷組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。 該方法還包括基于該比較步驟的結果確定該組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷 還是潛在隨機缺陷。例如，若組中實際缺陷的數(shù)目與一對應組中隨機產生缺陷的數(shù)目間 存在明顯差異，則可確定該組中的實際缺陷為潛在系統(tǒng)性缺陷?？稍诮y(tǒng)計上定義明顯差異 (例如，一明顯差異可以為一統(tǒng)計上明顯的差異)。例如，幾乎所有對應的實際缺陷及隨機 產生缺陷組可包括不同數(shù)目的實際缺陷及隨機產生缺陷(例如，由于對所述晶片實行的工 藝中的自然可變性和/或由于晶片本身中的自然變化)。因此，該方法可包括確定對應組中 實際缺陷及隨機產生缺陷的數(shù)目間的差異是否是統(tǒng)計上明顯差異的，此可以任何適當方式 加以實行。 在另一實施例中，組中實際缺陷數(shù)目與組中隨機產生缺陷數(shù)目的比率(其可如以 上描述的那樣確定)可用以確定該組中的實際缺陷是否很可能為系統(tǒng)性缺陷。例如，若組 中實際缺陷數(shù)目與組中隨機產生缺陷數(shù)目的比率是1或統(tǒng)計上接近于l，則可確定該組中 的實際缺陷為潛在隨機缺陷。然而，若組中實際缺陷數(shù)目與組中隨機產生缺陷數(shù)目的比率 是統(tǒng)計上大于1的，則可確定該組中的實際缺陷為潛在系統(tǒng)性缺陷，因為系統(tǒng)性缺陷組可 以為具有的實際缺陷計數(shù)與隨機產生缺陷計數(shù)比率相對高的缺陷組。可以任何適當方式實 行確定該比率是否是統(tǒng)計上大于1的操作。 用以確定該比率的組中隨機產生缺陷數(shù)目可以為該組中隨機產生缺陷的歸一化 數(shù)目，因為可以管芯為基礎產生所述隨機產生缺陷，而組中實際缺陷數(shù)目可以以晶片為基 礎(例如，基于橫跨該晶片檢測的實際缺陷的數(shù)目)或基于檢驗計劃(例如，基于在該晶片 上檢驗的區(qū)域)。因此，歸一化可考慮產生隨機產生缺陷而且檢測實際缺陷所橫跨的不同區(qū) 域，因而增加確定實際缺陷是否很可能為系統(tǒng)性缺陷的精度。 可如本文中進一步描述的那樣實行歸一化。顯然，若用以確定該比率的組中隨機 產生缺陷數(shù)目是歸一化數(shù)目，則在確定該比率前實行此歸一化。亦可在本文中描述的任何 其他比較之前實行此歸一化。如本文中進一步描述的，可實行歸一化，因為缺陷的總數(shù)目可 以是不同的。例如，除非隨機產生缺陷及實際缺陷具有粗略相同的數(shù)目，否則比率l(或每 趟的任何固定數(shù)目)可用以識別潛在系統(tǒng)性缺陷。在一個這樣的實施例中，一隨機產生缺 陷族群可被產生為具有與實際缺陷族群實質上相同的計數(shù)，或者隨機產生缺陷的預定族群 可歸一化為實際缺陷。觀察此點的另一方式為基于每一個所述族群的總族群計數(shù)來歸一化 所述容器，以便我們能將其彼此比較。 在一個實施方案中，該確定步驟包括若組中實際缺陷數(shù)目大于組中隨機產生缺 陷數(shù)目，則確定該組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷；并且若組中實際缺陷數(shù)目并非大于組中隨機產生缺陷數(shù)目，則確定該組中的實際缺陷是潛在隨機缺陷。例如，若實際帕累托圖 中設計片段組的出現(xiàn)明顯高于隨機帕累托圖中對應的設計片段組，則實際缺陷的設計片段 組可入容器為潛在系統(tǒng)性的。此確定中比較的數(shù)目可包括絕對缺陷計數(shù)或相對缺陷計數(shù)。 可以此方式識別潛在系統(tǒng)性缺陷，因為系統(tǒng)性缺陷傾向于比僅偶然引起的缺陷更頻繁地出 現(xiàn)。因此，若任何組中實際缺陷數(shù)目明顯大于對應組中隨機產生缺陷數(shù)目，則該組中的實際 缺陷很可能為系統(tǒng)性缺陷，而且能藉由本文中描述的實施方案這樣加以確定。另外，此類實 施方案可包括匹配(或歸一化)二個組中的缺陷密度，此可如本文中進一步描述的那樣加 以實行。此匹配或歸一化可能是有利的，因為若存在二個組，即組a及組b，而且組b中缺陷 數(shù)目是低的(例如，由于較低捕獲率)，則組a中缺陷數(shù)目始終為足夠高以使其為潛在系統(tǒng) 性的，即使其可能是潛在隨機的。 在另一實施方案中，該確定步驟包括若組中實際缺陷數(shù)目在統(tǒng)計上大于組中隨 機產生缺陷數(shù)目，則確定該組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷；并且若組中實際缺陷數(shù)目 并非在統(tǒng)計上大于組中隨機產生缺陷數(shù)目，則確定該組中的實際缺陷是潛在隨機缺陷。以 此方式，該方法可包括在潛在隨機與潛在系統(tǒng)性缺陷之間進行統(tǒng)計上的區(qū)分。這樣，所述方 法可包括在統(tǒng)計上識別晶片上設計中圖形的邊緣(marginality)。具體來說，該方法可包括 使用統(tǒng)計邊緣，藉由將其與缺陷的隨機分布進行比較來識別潛在系統(tǒng)性缺陷。例如，該方法 可包括實行對比較結果的統(tǒng)計測試，以確定組中的實際缺陷與對應組中的隨機產生缺陷間 是否存在明顯差異。若存在明顯差異，則可確定該組中的實際缺陷為潛在系統(tǒng)性缺陷。此 確定中比較的數(shù)目可包括絕對缺陷計數(shù)或相對缺陷計數(shù)。 在一個實施方案中，針對在該晶片上檢測的實際缺陷的不同組單獨地實行該方 法，而且晶片上的設計這樣的部分是實質上相同的，所述部分接近于每個不同組中每個實 際缺陷的位置。例如，可如本文中進一步描述的那樣比較實際及隨機帕累托圖，而且因為實 際及隨機帕累托圖包括被分入基于設計的組(例如，設計片段組)的缺陷，所以每個所述組 中的實際缺陷能藉由比較所述帕累托圖而被單獨地入容器為很可能包括系統(tǒng)性缺陷或隨 機缺陷。如本文中進一步描述的，可使用所述帕累托圖的比較結果來識別很可能的系統(tǒng)性 設計片段組。 在另一實施方案中，針對在該晶片上檢測的實際缺陷的所有組單獨地實行該方 法，而且晶片上的設計這樣的部分是實質上相同的，所述部分接近于全部組中每一個組中 每個實際缺陷的位置。以此方式，該方法能確定潛在系統(tǒng)性缺陷是否出現(xiàn)在為實際缺陷產 生的帕累托圖上的任何處。另外，該方法能實質上精確地識別出現(xiàn)在實際帕累托圖上任何 處的潛在系統(tǒng)性缺陷。例如，帕累托圖可包括基于設計入容器的數(shù)千個不同缺陷組，但是本 文中描述的實施方案能輕易、迅速且實質上精確地確定該數(shù)千不同組的每一個很可能包括 系統(tǒng)性或隨機缺陷。以此方式，該方法并不需要了解在該帕累托圖中何處(或該帕累托圖 中的哪些組)尋找潛在系統(tǒng)性缺陷，因為能測試所有組。
該方法亦可為晶片上的不同區(qū)域單獨地加以實行。 在另一實施方案中，該方法包括將組中實際缺陷數(shù)目與不同組中不同的隨機產生 缺陷的數(shù)目進行比較。設計的這樣的部分是實質上相同的，所述部分接近于該組中每一個 所述實際缺陷的位置以及該不同組中每一個所述不同隨機產生缺陷的位置。單獨地產生所 述隨機產生缺陷以及所述不同隨機產生缺陷。在一個這樣的實施方案中，確定步驟包括基
15于將組中實際缺陷數(shù)目與組中隨機產生缺陷數(shù)目以及該組中不同的隨機產生缺陷的數(shù)目 進行比較的結果來確定該組中的實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。
以此方式，該方法可包括將實際缺陷組與單獨隨機產生缺陷的多個組進行比較以 確定實際缺陷組包括潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷?？梢罁?jù)本文中描述的任一個實施 方案來實行此類比較。例如，可使用帕累托圖實行此類比較。圖6中示出帕累托圖的一個 實施方案，該帕累托圖示出將為實際缺陷產生的帕累托圖與為二個不同的隨機產生缺陷集 產生的二個帕累托圖進行比較的結果。具體來說，如圖6中所示，為實際缺陷以及二個不同 的單獨隨機產生缺陷集的數(shù)目進行比較產生的帕累托圖示出沿x軸的GDS圖形組ID，以及 沿y軸的實際缺陷和不同的隨機產生缺陷集的缺陷計數(shù)。這樣，該帕累托圖以圖解方式圖 示入容器到所述不同組的實際缺陷及單獨隨機產生缺陷的數(shù)目，所述不同組的每一個對應 于該GDS圖形的不同部分。以此方式，圖6中所示的帕累托圖示出如何將不同組中實際缺 陷數(shù)目與對應組中單獨隨機產生缺陷數(shù)目進行比較。 如本文中進一步描述的，藉由圖6中所示的帕累托圖所圖示的比較結果因此能用 以確定實際缺陷組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。具體來說，入容器到組2、3、4及 10的實際缺陷可基于圖6的帕累托圖中所示的比較結果被確定為潛在系統(tǒng)性缺陷，而入容 器到組0、5、7及9的實際缺陷可基于圖6的帕累托圖中所示的比較結果被確定為潛在隨機 缺陷。圖5及6的帕累托圖中具有相同ID的組對應于設計的相同部分。因此，圖6中所示 的結果確認圖5中所示的結果，因而確認使用隨機產生缺陷集來區(qū)別在晶片上檢測的潛在 系統(tǒng)性與潛在隨機缺陷的有效性。另外，盡管如以上描述的可將不同組中實際缺陷數(shù)目與 對應組中不同隨機產生缺陷集的數(shù)目進行比較，但是不同的隨機產生缺陷集的數(shù)據(jù)可被組 合并接著與不同組中實際缺陷的數(shù)目進行比較以改良統(tǒng)計。 在一些實施方案中，藉由對晶片上的層的檢驗來檢測實際缺陷，并且對用于晶片 上層的檢驗工藝配置產生(并分組)隨機產生缺陷一次(因為不同檢驗工藝配置可檢驗該 晶片上的不同區(qū)域)而且所述隨機產生缺陷用于對使用該檢驗工藝配置在多個晶片的層 上檢測到的缺陷實行該方法。例如，隨機帕累托圖能為工藝配置產生一次而且每次使用該 檢驗工藝配置為任一晶片的層實行檢驗時加以儲存并用于比較。依據(jù)本文中描述的任何實 施方案，可實行每次為任一晶片的層實行檢驗時所實行的比較(例如，包括諸如隨機產生 缺陷的歸一化步驟)。以此方式，每次使用檢驗工藝配置檢驗一晶片并且產生實際缺陷設計 片段帕累托圖時，可實施該方法。隨機帕累托圖可如本文中描述的那樣產生并如本文中描 述的那樣使用。 在另一實施方案中，在無需使用者介入的情況下實行該方法。因為不需要使用者 介入，所以該方法可以是自動化的。以此方式，可自動地實行該方法。這樣，該方法提供確 定藉由設計(例如，設計片段)分組的給定缺陷集合本質上是潛在系統(tǒng)性還是潛在隨機的 自動化方法。 可以若干不同方式使用本文中描述的實施方案。例如，當使用缺陷計數(shù)時，使用以 設計為基礎的入容器操作來進行系統(tǒng)性發(fā)現(xiàn)與監(jiān)控，并不擅長于區(qū)分潛在系統(tǒng)性容器與潛 在隨機容器。 一種建議的方法包括使用基于模擬隨機缺陷設計的分組(DBG)容器分布來確 定哪些容器是潛在系統(tǒng)性的。此方法假定容器間恒定的捕獲率，其可以為實質上的限制假
定。因此，對容器進行優(yōu)先級化并確定切割線的更佳方式是合乎期望的。理想地，此類方法
16對橫跨容器的捕獲率差異不靈敏。 然而，本文中描述的實施方案可用于系統(tǒng)性發(fā)現(xiàn)。在一個這樣的實施例中，確定為包括潛在系統(tǒng)性缺陷的容器可從最有可能為系統(tǒng)性的被優(yōu)先級化為最不可能為系統(tǒng)性的。例如，可藉由本文中進一步描述的比率來對DBG組進行優(yōu)先級化。在一個這樣的實施例中，能基于比率對計數(shù)重新制作帕累托圖。比率越高，組越可能為潛在系統(tǒng)性的。接著可以優(yōu)先權的順序(從最有可能包括系統(tǒng)性缺陷至最不可能包括系統(tǒng)性缺陷)來審查所述容器。
在另一實施例中，本文中描述的實施方案可用于監(jiān)控。具體來說，本文中描述的實施方案可用于以與潛在隨機缺陷分離的方式監(jiān)控潛在系統(tǒng)性缺陷。若全部或至少一個容器內的系統(tǒng)計數(shù)太高，則結果能用以保持用于工程分析的批次(lot)(例如，系統(tǒng)性發(fā)現(xiàn)用途的情況)。 在另一實施例中，本文中描述的方法能用于基于設計的分類(DBC)用途的情況?？扇缬蒏ulkarni等人及Zafar等人提供的專利申請中所描述的那樣實行DBC，所述專利申請以上以引用方式并入本文中。例如，具有實質數(shù)目的隨機缺陷的晶片批將增加DBC容器中的計數(shù)，尤其是橫跨晶片具有相對多的區(qū)域的容器。因為所有DBC容器的缺陷計數(shù)除由于隨機成分以外不太可能按比例增加，所以可檢查總缺陷族群以確定隨機缺陷的最佳配合。接著，基于感興趣圖形(POI)的大小，缺陷密度容器可被確定并與此隨機缺陷密度比較。接著能基于隨機分布來校正DBC容器計數(shù)。 另夕卜，若POI或POI集已知沒有系統(tǒng)性缺陷，則在該POI或POI集中檢測的缺陷能用作代用品或代用物來測量隨機缺陷密度。該隨機密度接著可從DBC容器減去并用以優(yōu)先級化DBG容器。 在一些此類實施例中，將潛在隨機缺陷容器與潛在系統(tǒng)性缺陷容器分離的操作可包括設定(setup)為按最普通的DBG容器確定等效面積。按最普通的DBG容器確定等效面積的操作可包括，在工藝配置建立時在檢驗區(qū)域中隨機使缺陷降至預定義缺陷密度，實行DBG，而且對于每一容器，濾出相對低計數(shù)的容器(若在這些圖形上存在系統(tǒng)性信號，則所述圖形將易于認出)并基于計數(shù)及預定義缺陷密度來確定該容器的等效面積。例如，容器1的等效面積E~可確定為(容器1計數(shù))/(缺陷密度)?？刹捎霉に嚺渲脕韮Υ娴刃娣e信息及"種子(seed)"片段。 設定亦可包括選擇一DBC容器來監(jiān)控隨機缺陷。例如，可選擇一個或更多個不太可能具有任何系統(tǒng)性缺陷(例如，空白片段或簡單圖形)的感興趣圖形。這些DBC容器能用以監(jiān)控隨機缺陷?？蓮哪M的數(shù)據(jù)確定圖形的有效區(qū)域。例如，可確定用于覆蓋延伸界定框(extending bounding box, EBB)的圖形區(qū)域加上邊界?？蔀闃擞涬S機監(jiān)控設計實施例，并且有效區(qū)域(EA》可與DBC設計實施例一起儲存。 將潛在隨機缺陷容器與潛在系統(tǒng)性缺陷容器分離的操作亦可包括使用DBC來估計WPP期間的隨機缺陷密度。例如，使用DBC來估計隨機缺陷密度的操作可包括從此容器檢驗到的缺陷計數(shù)以及面積估計隨機缺陷密度。若存在隨機缺陷偏移(excursion)，則其由監(jiān)控器加以檢測。監(jiān)控器計數(shù)可用以估計隨機缺陷密度DDr二 (檢驗Birir計數(shù))/EAr)。另外，可對多個監(jiān)控器求平均。 將潛在隨機缺陷容器與潛在系統(tǒng)性缺陷容器分離的操作亦可包括校正DBC容器計數(shù)。例如，若存在隨機缺陷偏移，則其由監(jiān)控器加以檢測。這樣，監(jiān)控器計數(shù)可用以確定隨機缺陷密度。對于每一DBC容器，可基于POI區(qū)域加上EBB(例如，DDn= (Birin計數(shù))/ (EAn))將計數(shù)轉換為缺陷密度。對于每一DBC容器，可減去估計的隨機缺陷密度，以估計用 于監(jiān)控的真實系統(tǒng)性計數(shù)(例如，(Bin。計數(shù))^二 (DDn-DD》*(EAn))。大于約0的系統(tǒng)性 容器計數(shù)是潛在系統(tǒng)性的。系統(tǒng)性容器計數(shù)越高，該容器越可能具有系統(tǒng)性問題。
將潛在隨機缺陷容器與潛在系統(tǒng)性缺陷容器分離的操作可進一步包括校正DBG 容器計數(shù)。例如，對于每一DBG容器，可使用等效面積將計數(shù)轉換為缺陷密度(例如，DDn二 (Binn計數(shù))/(EA》)。接著可減去估計的隨機缺陷密度(基于EBB的區(qū)域)。結果是推測 的系統(tǒng)性缺陷計數(shù)(例如，(Birin計數(shù))sys二 (DDn-DDr)*(EAn))。大于約0的系統(tǒng)性容器計 數(shù)是潛在系統(tǒng)性的。系統(tǒng)性容器計數(shù)越高，該容器越可能具有系統(tǒng)性問題。
此類方法的一明顯優(yōu)點是藉由使用DBC監(jiān)控器，亦能監(jiān)控隨機缺陷分布的捕獲 率，而且假定其在監(jiān)控器上為真實隨機的，我們能精確地減去這些隨機缺陷。具體來說，隨 機缺陷校正基于測量的隨機缺陷捕獲率。更佳的是假定隨機缺陷捕獲率為恒定的，而非捕 獲率在組之間是恒定的。捕獲率仍可藉由圖形密度而變化。因為組平均來說具有不同圖形 密度，所以仍可存在某固有錯誤。若監(jiān)控的是跨越各種圖形密度的DBC容器，而且采用內插 DDr來校正容器，則補償是可能的。此外，基于隨機監(jiān)控器計數(shù)，自動系統(tǒng)性閾值有利地為動 態(tài)的。 在一個實施方案中，該方法的結果(例如，入容器的潛在系統(tǒng)性缺陷)可用于分 析。該分析可包括任何適當分析(例如，對工藝和/或晶片的分析)。 本文中描述的全部方法可包括將所述方法實施方案的一個或更多個步驟的結果 儲存在一儲存介質中。所述結果可包括本文中描述的任一結果并可以本領域中已知的任何 方式加以儲存。該儲存介質可包括本文中描述的任一儲存介質或本領域中已知的任何其他 適當儲存介質。在所述結果已被儲存的后，所述結果可在該儲存介質中被本文中描述的方 法或系統(tǒng)實施方案的任一個訪問并使用，被格式化以顯示給用戶，被另一軟件模塊、方法或 系統(tǒng)等使用。例如，在以上描述的方法建立隨機產生缺陷組的集合之后，該方法可包括將關 于所述隨機產生缺陷組的集合的信息儲存在儲存介質中。另外，本文中描述的實施方案的 結果或輸出可由一檢驗系統(tǒng)加以儲存并訪問，以便檢驗系統(tǒng)能使用所述結果(例如，隨機 產生缺陷集的帕累托圖)來區(qū)別在晶片的層上檢測的潛在系統(tǒng)性及潛在隨機缺陷。此外， 可"永久地"、"半永久地"、臨時地或在某時間周期內儲存所述結果。例如，儲存介質可以為 隨機訪問存儲器(RAM)，而且所述結果并非必須無限期地保留在該儲存介質中。
以上描述的方法的每一個實施方案可包括本文中描述的任何其他方法的任何其 他步驟。另外，可藉由本文中描述的系統(tǒng)的任一個來實行以上描述的方法的每一個實施方 案。 本文中描述的實施方案提供優(yōu)于其他用于確定缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在 隨機缺陷的方法的若干優(yōu)點。例如，使用本文中描述的實施方案來識別潛在系統(tǒng)性及潛在 隨機缺陷的操作能在無需使用者介入及判斷的情況下實行。具體來說，不需要使用者介入， 因此整個程序能有利地被自動化(盡管使用者可審查被識別為潛在系統(tǒng)性及潛在隨機的 缺陷以確定哪些缺陷實際是系統(tǒng)性和/或隨機缺陷)。另外，本文中描述的實施方案具有高 于目前用于區(qū)分潛在系統(tǒng)性缺陷與潛在隨機缺陷的方法的精度。此外，所述方法能更精確 地確定潛在系統(tǒng)性缺陷是否出現(xiàn)在實際缺陷帕累托圖上的任何處。因此，本文中描述的實
18施方案能提供識別潛在系統(tǒng)性缺陷的精度及自動化。 另一實施方案是關于這樣的計算機可讀介質，其包括可在計算機系統(tǒng)上執(zhí)行以實 行本文中描述的一個或更多個計算機實現(xiàn)的方法的程序指令。圖7中示出此計算機可讀介 質的一個實施方案。具體來說，計算機可讀介質18包括可在計算機系統(tǒng)22上執(zhí)行以實行 本文中描述的一個或更多個計算機實現(xiàn)的方法的程序指令20。另外，藉由所述程序指令在 該計算機系統(tǒng)上執(zhí)行的計算機實現(xiàn)的方法可包括本文中描述的任何方法的任何步驟。
可在計算機可讀介質18上傳輸或儲存實施諸如本文中描述方法的程序指令20。 該計算機可讀介質可以為傳輸介質，例如線路、電纜或無線傳輸鏈路。該計算機可讀介質亦 可以為儲存介質，例如只讀存儲器、隨機訪問存儲器、磁或光盤或磁帶。
計算機系統(tǒng)22可采用各種形式，包括個人計算機系統(tǒng)、大型計算機系統(tǒng)、工作站、 圖像計算機、并行處理器，或本領域中已知的任何其他設備。 一般地，術語"計算機系統(tǒng)" 可廣義地定義為包含具有一個或更多個處理器的任何設備，其執(zhí)行來自一存儲器介質的指 令。 額外的實施方案關于被配置來實行本文中描述的一個或更多個實施方案的系統(tǒng)。 該系統(tǒng)可包括被配置來檢測晶片上實際缺陷的檢驗系統(tǒng)。圖7中示出此系統(tǒng)的一個實施方 案。例如，如圖7中所示，該系統(tǒng)包括檢驗系統(tǒng)24。檢驗系統(tǒng)24被配置來檢測晶片26上的 實際缺陷。 在一個實施方案中，檢驗系統(tǒng)24包括光源28。光源28可包括本領域中已知的任 何適當光源。光源28可被配置來將光引導至分束器30。分束器30可被配置為將來自光源 28的光以基本上垂直的入射角引導至晶片26。分束器30可包括本領域中已知的任何適當 光學部件。 從晶片26反射的光可穿過分束器30至檢測器32。檢測器32可包括本領域中已 知的任何適當檢測器。檢測器32產生的輸出可用以檢測晶片26上的實際缺陷。例如，計算 機系統(tǒng)34可被配置為使用由該檢測器產生的輸出來檢測晶片26上的實際缺陷。該計算機 系統(tǒng)可使用本領域中已知的任何方法和/或算法來檢測該晶片上的實際缺陷。該計算機系 統(tǒng)可以任何適當方式(例如，藉由圖7中所示的虛線所指示的一個或更多個傳輸介質，其可 包括本領域中已知的任何適當傳輸介質)耦合至該檢測器，以便該計算機系統(tǒng)能接收藉由 該檢測器產生的輸出。此外，若該檢驗系統(tǒng)包括一個以上檢測器(未示出)，則如以上描述 的，該計算機系統(tǒng)可耦合至每一檢測器?？扇绫疚闹忻枋龅倪M一步配置計算機系統(tǒng)34。在 檢驗期間，可將晶片26布置在臺36上。臺36可包括本領域中已知的任何適當?shù)臋C械和/ 或機器人組件。圖7中所示的檢驗系統(tǒng)亦可包括本領域中已知的任何適當部件(未示出)。
如圖7中所示，該檢驗系統(tǒng)被配置來檢測從該晶片鏡面反射的光。以此方式，將圖 7中所示的該檢驗系統(tǒng)配置為BF檢驗系統(tǒng)。然而，可由經配置為暗視野(DF)檢驗系統(tǒng)、邊 緣對比度(EC)檢驗系統(tǒng)、孔徑模式檢驗系統(tǒng)、或本領域中已知的任何其他光學檢驗系統(tǒng)的 檢驗系統(tǒng)取代該檢驗系統(tǒng)。另外，該檢驗系統(tǒng)可被配置來實行一個或更多個檢驗模式。例 如，圖7中所示的檢驗系統(tǒng)可被配置來藉由改變光引導至晶片的入射角和/或從晶片收集 光的角度來實行DF檢驗。在另一實施例中，可配置圖7中所示的檢驗系統(tǒng)，以便諸如孔徑 的一個或更多個光學部件(未示出)可定位在照明路徑和收集路徑中，以致該檢驗系統(tǒng)能 實行EC模式檢驗和/或孔徑模式檢驗。
應注意在本文中提供圖7是用以一般性地圖示可包括在本文描述的系統(tǒng)實施方 案中的檢驗系統(tǒng)的配置。顯然，本文中描述的該檢驗系統(tǒng)配置可加以改變以優(yōu)化檢驗系統(tǒng) 的性能，這通常在設計商用檢驗系統(tǒng)時加以實行。另外，本文中描述的系統(tǒng)可使用現(xiàn)有檢驗 系統(tǒng)加以實施(例如，藉由添加本文中描述的功能至一現(xiàn)有檢驗系統(tǒng))，該現(xiàn)有檢驗系統(tǒng)如 可以商業(yè)方式從加州圣荷西市KLA-Tencor公司購得的Puma 9000及9100系列工具。對于 一些此類系統(tǒng)，本文中描述的方法可被提供為該系統(tǒng)的可選功能性(例如，除該系統(tǒng)的其 他功能性以外)?；蛘撸疚闹忻枋龅南到y(tǒng)可"從頭開始"設計以提供一全新的系統(tǒng)。
在另一實施方案中，圖7中所示的光學檢驗系統(tǒng)可由電子束檢驗系統(tǒng)取代?？砂?括在圖7的系統(tǒng)中的商用電子束檢驗系統(tǒng)的實施例包括來自KLA-Tencor公司的eS25、eS30 以及eS31系統(tǒng)。 計算機系統(tǒng)22和/或計算機系統(tǒng)34可被配置來實行本文中描述的一個或更多個 計算機實現(xiàn)的方法實施方案(例如，使用由計算機系統(tǒng)34產生的檢驗結果)。在包括該檢 驗系統(tǒng)的系統(tǒng)的實施方案中，計算機系統(tǒng)22可以本領域已知的任何方式耦合至該檢驗系 統(tǒng)。例如，計算機系統(tǒng)22可耦合至檢驗系統(tǒng)24的計算機系統(tǒng)34，從而該計算機系統(tǒng)能接收 由計算機系統(tǒng)34產生的檢驗結果。另外，計算機系統(tǒng)22可接收該檢測器或計算機系統(tǒng)34 的任何其他輸出，例如圖像數(shù)據(jù)及信號。 可將以上描述的計算機系統(tǒng)22配置為一獨立系統(tǒng)，其并不形成處理、檢驗、測量、 審查或其他工具的部分。在這樣的實施方案中，計算機系統(tǒng)22可被配置為藉由可包括"有 線"和/或"無線"部分的傳輸介質從其他系統(tǒng)接收和/或獲得數(shù)據(jù)或信息(例如，來自一 檢驗系統(tǒng)的檢驗結果)。以此方式，該傳輸介質可用作該計算機系統(tǒng)與其他系統(tǒng)之間的數(shù) 據(jù)鏈路。另外，計算機系統(tǒng)22可經由傳輸介質發(fā)送數(shù)據(jù)至另一系統(tǒng)。此類數(shù)據(jù)可包括(例 如)待用于檢驗系統(tǒng)的一個或更多個參數(shù)，所述檢驗系統(tǒng)檢驗由該計算機系統(tǒng)確定的額外 晶片的層?；蛘?，計算機系統(tǒng)22可形成該檢驗系統(tǒng)的部分。在一些此類實施方案中，該系 統(tǒng)可包括圖7中所示計算機系統(tǒng)中的僅一個，其被配置來實行缺陷檢測以及本文中描述的 一個或更多個實施方案。 可如本文中描述的那樣進一步配置圖7中所示的系統(tǒng)的實施方案。另外，該系統(tǒng) 可被配置來實行本文中描述的方法任一個實施方案的任何步驟。 在查看了該描述后，本領域技術人員將清楚本發(fā)明各個方面的進一步的修改及替 代性實施方案。例如，提供了用于確定實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計 算機實現(xiàn)的方法。因此，此描述應被視為僅為圖示說明性的，而且是用于教導本領域技術人 員實行本發(fā)明的一般方式的目的。應了解本文中所示并描述的本發(fā)明的形式是視為當前較 佳的實施方案。部件及材料可代替本文中圖示并描述的部件及材料，可倒轉零件及過程，而 且可獨立地利用本發(fā)明的某些特征，本領域技術人員在得益于本發(fā)明的此描述后將明白所 有這些內容。可在本文中描述的部件中進行改變，而不偏離如所附權利要求書中描述的本 發(fā)明的精神及范疇。
權利要求
一種用于確定實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算機實現(xiàn)的方法，所述方法包括將組中的實際缺陷數(shù)目與組中的隨機產生缺陷數(shù)目進行比較，其中所述實際缺陷是在晶片上檢測到的，并且其中所述晶片上與所述組中每一個所述實際缺陷以及所述組中每一個所述隨機產生缺陷的位置接近的設計的部分是實質上相同的；以及基于所述比較的結果確定所述組中的所述實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。
2. 如權利要求1的方法，其中所述比較操作包括將為所述實際缺陷產生的帕累托圖與為所述隨機產生缺陷產生的帕累托圖進行比較。
3. 如權利要求1的方法，其中所述比較操作包括確定所述組中所述實際缺陷的所述數(shù)目與所述組中所述隨機產生缺陷的所述數(shù)目的比率。
4. 如權利要求l的方法，其中所述設計的所述部分對應于設計片段。
5. 如權利要求1的方法，其中對在所述晶片上檢測到的不同實際缺陷組單獨地實行所述方法，而且其中所述晶片上與每一個所述不同組中每一個所述實際缺陷的位置接近的所述設計的部分是實質上相同的。
6. 如權利要求l的方法，其中對在所述晶片上檢測到的所有實際缺陷組單獨地實行所述方法，而且其中所述晶片上與每一個所述所有組中的每一個所述實際缺陷的位置接近的所述設計的部分是實質上相同的。
7. 如權利要求l的方法，其中所述方法是在無需使用者介入的情況下實行的。
8. 如權利要求l的方法，其中藉由對所述晶片上的層的檢驗來檢測所述實際缺陷，并且其中所述隨機產生缺陷對用于所述晶片上的所述層的檢驗工藝配置產生一次，而且用于對于使用所述檢驗工藝配置在多個晶片的所述層上檢測到的缺陷實行所述方法。
9. 如權利要求1的方法，其中所述確定操作包括若所述組中的所述實際缺陷的所述數(shù)目大于所述組中的所述隨機產生缺陷的所述數(shù)目，則確定所述組中的所述實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷；并且若所述組中的所述實際缺陷的所述數(shù)目并非大于所述組中的所述隨機產生缺陷的所述數(shù)目，則確定所述組中的所述實際缺陷是潛在隨機缺陷。
10. 如權利要求1的方法，其中所述確定操作包括若所述組中的所述實際缺陷的所述數(shù)目在統(tǒng)計上大于所述組中的所述隨機產生缺陷的所述數(shù)目，則確定所述組中的所述實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷；并且若所述組中的所述實際缺陷的所述數(shù)目并非在統(tǒng)計上大于所述組中的所述隨機產生缺陷的所述數(shù)目，則確定所述組中的所述實際缺陷是潛在隨機缺陷。
11. 如權利要求1的方法，其中，在所述比較之前，所述方法進一步包括基于在所述晶片上檢測的所述實際缺陷的總數(shù)目以及所述隨機產生缺陷的總數(shù)目，將所述組中的所述隨機產生缺陷的所述數(shù)目歸一化為所述組中的所述實際缺陷的所述數(shù)目。
12. 如權利要求1的方法，還包括將所述組中的所述實際缺陷的所述數(shù)目與不同組中的不同隨機產生缺陷的數(shù)目進行比較，其中與所述組中的每一個所述實際缺陷的所述位置以及所述不同組中的每一個所述不同隨機產生缺陷的位置接近的所述設計的部分是實質上相同的，其中所述隨機產生缺陷及所述不同隨機產生缺陷是單獨產生的，而且其中所述確定操作包括基于將所述組中的所述實際缺陷的所述數(shù)目與所述組中的所述隨機產生缺陷的所述數(shù)目以及所述組中的所述不同隨機產生缺陷的所述數(shù)目進行比較的所述結果來確定所述組中的所述實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。
13. —種用于建立隨機產生缺陷組的集合以供用于確定實際缺陷組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算機實現(xiàn)的方法，所述方法包括橫跨與晶片至少部分的受檢驗區(qū)域對應的區(qū)域在不同位置處隨機產生缺陷集；將所述隨機產生缺陷集入容器到組，從而所述晶片上與每個所述組中所述隨機產生缺陷的位置接近的設計的部分是實質上相同的；以及確定每個所述組中所述隨機產生缺陷的數(shù)目，其中可以將所述組中的所述隨機產生缺陷的所述數(shù)目與對應組中的實際缺陷的數(shù)目進行比較，以確定所述對應組中的所述實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。
14. 如權利要求13的方法，其中所述方法被實行一次以上以確定不同的隨機產生缺陷集的額外數(shù)目，而且其中可以將所述數(shù)目及所述額外數(shù)目與所述對應組中的所述實際缺陷的所述數(shù)目進行比較，以確定所述對應組中的所述實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。
15. 如權利要求13的方法，其中所述方法被實行一次以上以確定不同的隨機產生缺陷集的額外數(shù)目，而且其中所述方法還包括使用所述額外數(shù)目驗證所述隨機產生操作。
16. 如權利要求13的方法，其中隨機產生所述缺陷集的操作包括使用機率模擬來隨機產生所述缺陷集。
17. 如權利要求13的方法，其中隨機產生所述缺陷集的操作包括橫跨所述區(qū)域在設置為格柵的位置處隨機產生所述缺陷。
18. 如權利要求13的方法，其中隨機產生所述缺陷集的操作包括橫跨所述區(qū)域在具有實質上均勻的分布的位置處隨機產生所述缺陷。
19. 如權利要求13的方法，其中隨機產生所述缺陷集的操作是這樣進行的，即使得每個所述組中所述隨機產生缺陷的頻率近似等于橫跨所述區(qū)域與每個所述組中所述隨機產生缺陷的所述位置接近的所述設計的所述部分的頻率。
20. 如權利要求13的方法，其中所述晶片的至少所述部分的所述受檢驗區(qū)域近似等于所述晶片上管芯的受檢驗區(qū)域。
21. 如權利要求13的方法，還包括為所述隨機產生缺陷集產生帕累托圖，其中藉由將所述隨機產生缺陷的所述集的所述帕累托圖與所述實際缺陷的帕累托圖進行比較，可以將所述隨機產生缺陷的所述數(shù)目與所述對應組中的所述實際缺陷的所述數(shù)目進行比較。
22. —種用于建立隨機產生缺陷組的歸一化集以供用于確定對應的實際缺陷組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算機實現(xiàn)的方法，所述方法包括確定在晶片的層上檢測的所有實際缺陷的總數(shù)目；以及基于在所述晶片上檢測的所述全部實際缺陷的所述總數(shù)目，將組中的隨機產生缺陷的數(shù)目歸一化為對應組中的所述實際缺陷的數(shù)目，其中所述晶片上與每個所述組中所述隨機產生缺陷的位置接近的設計的部分是實質上相同的，而且其中可以將所述組中的所述隨機產生缺陷的所述歸一化數(shù)目與所述對應組中的所述實際缺陷的數(shù)目進行比較以確定所述對應的實際缺陷組是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。
全文摘要
提供了確定實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的各種計算機實現(xiàn)的方法。一種確定實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷的計算機實現(xiàn)的方法包括比較組中的實際缺陷的數(shù)目與組中的隨機產生缺陷的數(shù)目。所述實際缺陷是在晶片上檢測到的。該晶片上與該組中的每一個所述實際缺陷以及該組中的每一個所述隨機產生缺陷的位置接近的設計的部分是實質上相同的。該方法還包括基于比較步驟的結果確定該組中的所述實際缺陷是潛在系統(tǒng)性缺陷還是潛在隨機缺陷。
文檔編號G06F17/50GK101785009SQ200880103576
公開日2010年7月21日 申請日期2008年8月20日 優(yōu)先權日2007年8月20日
發(fā)明者彼得·羅斯, 艾倫·派克, 葛林恩·佛羅倫斯 申請人:恪納騰公司