專利名稱：傳感基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例涉及觸控裝置的結(jié)構(gòu)技術(shù)，尤其涉及一種傳感基板及其制造方法。

背景技術(shù)：
現(xiàn)有的觸控面板，又稱觸摸面板，通?？梢园娮枋?、電容式和電感式等，其所 基于的檢測(cè)原理不同，但通常觸控面板的主要部件傳感基板上均需要設(shè)置至少兩個(gè)方向的 電極線，一般是包括相互垂直的X向電極線和Y向電極線。為了滿足觸控面板大型化、快速 響應(yīng)以及高解析度等要求，目前通常采用構(gòu)圖工藝來形成電極線和配線的圖案，所謂構(gòu)圖 工藝即曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。以靜電容量式這種電容式傳感基板為例，目前的制造技術(shù)方案一般有兩種。一種 方案是將X向電極線和Y向電極線分別制備在襯底基板的兩側(cè)表面上，而后分別以配線在 襯底基板的邊緣處連接各個(gè)電極線至控制裝置中，以便控制裝置識(shí)別傳感基板上的被觸控 位置。另一種方案是將X向電極線和Y向電極線均制備在襯底基板一側(cè)的表面上，以絕緣 層相互隔離。配線均設(shè)置在絕緣層上，可通過絕緣層上的過孔與絕緣層下的電極線連接。在進(jìn)行本發(fā)明的研究過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在如下缺陷X向電極線、Y 向電極線、配線以及絕緣層上過孔的圖案均需要獨(dú)立的構(gòu)圖工藝步驟來形成，因此導(dǎo)致傳 感基板的制造工藝復(fù)雜，生產(chǎn)效率低、產(chǎn)品成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種傳感基板及其制造方法，以簡(jiǎn)化傳感基板的制造 工藝，提高生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品成本。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種傳感基板的制造方法，包括在所述襯底基板一側(cè)表面上沉積第一向電極線的材料薄膜；采用單色調(diào)掩膜板對(duì)所述第一向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括第一 向電極線的圖案；在形成第一向電極線的襯底基板上沉積絕緣層；采用單色調(diào)掩膜板對(duì)所述絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成過孔，所述過孔對(duì)應(yīng)所述第 一向電極線的位置；在所述絕緣層上沉積第二向電極線的材料薄膜；在所述第二向電極線的材料薄膜上沉積配線的材料薄膜；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述配線的材料薄膜和第二向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖 工藝，形成包括第二向電極線、第一配線和第二配線的圖案，第一配線通過所述絕緣層上的 過孔與第一向電極線相連，第二配線與第二向電極線相連，所述第一配線和第二配線的圖 案形成在第二向電極線的材料薄膜之上。本發(fā)明實(shí)施例還提供了另一種傳感基板的制造方法，包括在襯底基板一側(cè)表面上沉積第一向電極線的材料薄膜；
在所述第一向電極線的材料薄膜上沉積第一配線的材料薄膜；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述第一配線的材料薄膜和第一向電極線的材料薄膜進(jìn)行 構(gòu)圖工藝，形成包括第一向電極線和第一配線的圖案，第一配線與第一向電極線相連，且所 述第一配線的圖案形成在第一向電極線的材料薄膜之上；在所述襯底基板另一側(cè)表面上沉積第二向電極線的材料薄膜；在所述第二向電極線的材料薄膜上沉積第二配線的材料薄膜；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述第二配線的材料薄膜和第二向電極線的材料薄膜進(jìn)行 構(gòu)圖工藝，形成包括第二向電極線和第二配線的圖案，第二配線與第二向電極線相連，且所 述第二配線的圖案形成在第二向電極線的材料薄膜之上。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種傳感基板，包括襯底基板，所述襯底基板一側(cè)表面上形 成有第一向電極線和第二向電極線；所述第一向電極線和第二向電極線之間形成有絕緣 層；第一配線通過所述絕緣層上的過孔與第一向電極線相連，第二配線與第二向電極線相 連，其中所述第一配線和第二配線的圖案形成在所述第二向電極線的材料薄膜之上。本發(fā)明實(shí)施例還提供了另一種傳感基板，包括襯底基板，所述襯底基板兩側(cè)表面 上分別形成有第一向電極線和第二向電極線；所述襯底基板兩側(cè)表面上分別形成有第一配 線和第二配線，第一配線與第一向電極線相連，第二配線與第二向電極線相連，其中所述 第一配線的圖案形成在所述第一向電極線的材料薄膜之上，和/或所述第二配線的圖案形 成在所述第二向電極線的材料薄膜之上。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明采用雙色調(diào)掩膜板同時(shí)完成一個(gè)方向電極線和配線 的圖案，減少了掩膜曝光的工序，簡(jiǎn)化了傳感基板的制造工藝，提高了生產(chǎn)效率，降低了產(chǎn) 品成本。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的傳感基板的制造方法流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中傳感基板形成第一向電極線后的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中的A-A向側(cè)視剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一中傳感基板形成絕緣層和過孔后的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4中的B-B向側(cè)視剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例一中雙色調(diào)掩膜板構(gòu)圖工藝的流程圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例一中傳感基板上光刻膠顯影后的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7中沿C-C線的側(cè)視剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例一中傳感基板上形成第二向電極線圖案后的側(cè)視剖面結(jié)構(gòu) 示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例一中傳感基板上形成配線圖案后的側(cè)視剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例二提供的傳感基板的制造方法的流程圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例二所形成的傳感基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為圖12中傳感基板的仰視結(jié)構(gòu)示意圖；圖14為圖12中的D-D向側(cè)視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的傳感基板的制造方法流程圖，該方法包括步驟101、在襯底基板1 一側(cè)表面上沉積第一向電極線的材料薄膜，襯底基板1 一 般可以采用玻璃板；步驟102、采用單色調(diào)掩膜板對(duì)第一向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括 第一向電極線2的圖案，如圖2所示，圖3為圖2中的A-A向剖面結(jié)構(gòu)示意圖，將第一向電極 線2的形狀設(shè)計(jì)為串連的四邊形，可以有效增大電極線的面積，提高對(duì)觸摸物的識(shí)別精度；步驟103、在形成第一向電極線2的襯底基板1上沉積絕緣層3，圖2等后續(xù)俯視 圖中不示出絕緣層3;步驟104、采用單色調(diào)掩膜板對(duì)絕緣層3進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成過孔4，各過孔4分別 對(duì)應(yīng)邊緣處第一向電極線2的位置；步驟105、在絕緣層3上沉積第二向電極線的材料薄膜50 ；步驟106、在第二向電極線的材料薄膜50上沉積配線的材料薄膜；步驟107、采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)配線的材料薄膜和第二向電極線的材料薄膜50進(jìn) 行構(gòu)圖工藝，形成包括第二向電極線5、第一配線61和第二配線62的圖案，第一配線61通 過絕緣層3上的過孔4與第一向電極線2相連，第二配線62與第二向電極線5相連，第一 配線61和第二配線62的圖案形成在第二向電極線的材料薄膜50之上，如圖4所示，圖5 為圖4中的B-B向剖面結(jié)構(gòu)示意圖。上述第一向電極線和第二向電極線的材料通常為透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物 (Indium Tin Oxides ；以下簡(jiǎn)稱ΙΤ0)，當(dāng)傳感基板與顯示器重疊設(shè)置時(shí)，不遮擋顯示器出 射光。第一向電極線和第二向電極線通常即為在一個(gè)平面內(nèi)且相互垂直的X向電極線和Y 向電極線。第一配線和第二配線可以采用透明導(dǎo)電材料也可以采用非透明導(dǎo)電材料形成在 襯底基板的邊緣，例如銀(Ag)，保持與電極線相連。在本實(shí)施例中，步驟107中的雙色調(diào)掩膜板構(gòu)圖工藝的實(shí)現(xiàn)形式可以有多種，其 中一種具體實(shí)施方式
包括如圖6所示的步驟步驟601、在配線的材料薄膜60上涂覆光刻膠7 ；步驟602、采用半色調(diào)掩膜板9或灰色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠7進(jìn)行曝光顯影工藝，形 成包括半保留區(qū)域81、完全保留區(qū)域82和非保留區(qū)域83的圖案，半保留區(qū)域81的光刻膠 7厚度小于完全保留區(qū)域82的光刻膠7厚度，優(yōu)選的是控制半保留區(qū)域81的光刻膠7厚度 為完全保留區(qū)域82的光刻膠7厚度的30% 70%，其中，以正性光刻膠為例，完全保留區(qū) 域82對(duì)應(yīng)掩膜板9上的完全光透過區(qū)域92，半保留區(qū)域81對(duì)應(yīng)掩膜板9上的部分光透過 區(qū)域91，該區(qū)域可以為灰色調(diào)區(qū)域或刻有透光柵孔的區(qū)域，非保留區(qū)域83對(duì)應(yīng)掩膜板9上 的不透光區(qū)域93，如圖7所示，圖8為圖7中沿C-C線的側(cè)視剖面結(jié)構(gòu)示意圖；步驟603、進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉非保留區(qū)域81對(duì)應(yīng)的配線的材料薄膜60和第二向電極線的材料薄膜50，形成包括第二向電極線5的圖案，如圖9所示；步驟604、灰化去除半保留區(qū)域81的光刻膠7厚度，由于完全保留區(qū)域82的光刻 膠7比半保留區(qū)域81的光刻膠7厚度大，所以在去除半保留區(qū)域81的光刻膠7厚度時(shí)，完 全保留區(qū)域82的光刻膠7會(huì)有剩余；步驟605、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域81對(duì)應(yīng)的配線的材料薄膜60，形成 包括第一配線61和第二配線62的圖案，由于此時(shí)半保留區(qū)域81已經(jīng)沒有光刻膠7的保護(hù)， 所以該區(qū)域下方的材料被刻蝕掉，如圖10所示。灰化去除光刻膠7后的俯視圖如圖4所示。采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，可以采用一次掩模、曝光和顯影工藝和兩次刻蝕工藝 同時(shí)完成第一配線、第二配線和第二向電極線的圖案，能夠簡(jiǎn)化工藝流程，提高生產(chǎn)效率， 降低產(chǎn)品成本。另外，由于第二配線下為第二向電極線的圖案，所以能夠可靠地保證第二配 線與第二向電極線的接觸，以及提高第二配線和第二向電極線布設(shè)的精密度，減少錯(cuò)位現(xiàn) 象的發(fā)生，能夠提高產(chǎn)品的觸摸識(shí)別精度和解析度。實(shí)施例二圖11為本發(fā)明實(shí)施例二提供的傳感基板的制造方法的流程圖，該方法包括如下 步驟步驟1101、在襯底基板1 一側(cè)表面上沉積第一向電極線的材料薄膜20 ；步驟1102、在第一向電極線的材料薄膜20上沉積第一配線61的材料薄膜；步驟1103、采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)第一配線61的材料薄膜和第一向電極線的材料 薄膜20進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括第一向電極線2和第一配線61的圖案，第一配線61與第 一向電極線2相連，且第一配線61的圖案形成在第一向電極線的材料薄膜20之上；步驟1104、在襯底基板1另一側(cè)表面上沉積第二向電極線的材料薄膜50 ；步驟1105、在第二向電極線的材料薄膜50上沉積第二配線62的材料薄膜；步驟1106、采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)第二配線62的材料薄膜和第二向電極線的材料 薄膜50進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括第二向電極線5和第二配線62的圖案，第二配線62與第 二向電極線5相連，且第二配線62的圖案形成在第二向電極線的材料薄膜50之上，所形成 的傳感基板如圖12、13和14所示。步驟1103采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝的步驟類似于步驟107，具體包括如下 步驟在第一配線的材料薄膜上涂覆光刻膠；采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影工藝，形成包括半保留 區(qū)域、完全保留區(qū)域和非保留區(qū)域的圖案，半保留區(qū)域的光刻膠厚度小于完全保留區(qū)域的 光刻膠厚度，半保留區(qū)域的光刻膠厚度優(yōu)選為完全保留區(qū)域的光刻膠厚度的30% 70% ；進(jìn)行刻蝕，刻蝕掉非保留區(qū)域?qū)?yīng)的第一配線的材料薄膜和第一向電極線的材料 薄膜，形成包括第一向電極線的圖案；灰化去除半保留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域?qū)?yīng)的第一配線的材料薄膜，形成包括第一配線的 圖案。步驟1106采用雙色調(diào)掩膜板進(jìn)行構(gòu)圖工藝的步驟類似于步驟107，具體包括如下 步驟
在第二配線的材料薄膜上涂覆光刻膠；采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影工藝，形成包括半保留 區(qū)域、完全保留區(qū)域和非保留區(qū)域的圖案，半保留區(qū)域的光刻膠厚度小于完全保留區(qū)域的 光刻膠厚度，半保留區(qū)域的光刻膠厚度優(yōu)選為完全保留區(qū)域的光刻膠厚度的30% 70% ；進(jìn)行刻蝕，刻蝕掉非保留區(qū)域?qū)?yīng)的第二配線的材料薄膜和第二向電極線的材料 薄膜，形成包括第二向電極線的圖案；灰化去除半保留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域?qū)?yīng)的第二配線的材料薄膜，形成包括第二配線的 圖案。采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，可以采用兩次掩模、曝光、顯影工藝和四次刻蝕工藝完 成襯底基板兩側(cè)的電極線和配線圖案，能夠簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，提高生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品成本。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例三提供的傳感基板可參見圖4和圖5所示。該傳感基板包括襯底基 板1，襯底基板1 一側(cè)表面上形成有第一向電極線2和第二向電極線5 ；第一向電極線2和 第二向電極線5之間形成有絕緣層3 ；第一配線61通過絕緣層3上的過孔4與第一向電極 線2相連，第二配線62與第二向電極線5相連，第一配線61和第二配線62的圖案形成在 第二向電極線的材料薄膜50之上。本實(shí)施例的傳感基板可以采用本發(fā)明傳感基板的制造方法來制造，采用簡(jiǎn)化的生 產(chǎn)工藝可以有效降低產(chǎn)品的成本。本實(shí)施例在同一側(cè)形成兩個(gè)方向電極線的技術(shù)方案更有 利于兩方向電極線的精確對(duì)位，有利于提高觸摸識(shí)別的精確度和解析度。實(shí)施例四本發(fā)明實(shí)施例四提供的傳感基板可參見圖12、圖13和圖14所示。該傳感基板包 括襯底基板1，襯底基板1兩側(cè)表面上分別形成有第一向電極線2和第二向電極線5 ；襯底 基板1兩側(cè)表面上分別形成有第一配線61和第二配線62，第一配線61與第一向電極線2 相連，第二配線62與第二向電極線5相連，第一配線61的圖案形成在第一向電極線的材料 薄膜20之上，第二配線62的圖案形成在第二向電極線的材料薄膜50之上。本實(shí)施例的傳感基板可以采用本發(fā)明傳感基板的制造方法來制造，采用簡(jiǎn)化的生 產(chǎn)工藝可以有效降低產(chǎn)品的成本。電極線和配線分別設(shè)置在襯底基板的兩側(cè)，兩側(cè)的構(gòu)圖 工藝均可以采用雙色調(diào)掩膜板構(gòu)圖工藝制備，或者也可以僅一側(cè)采用雙色調(diào)掩膜板構(gòu)圖工 藝。本發(fā)明傳感基板的制造方法并不限于制造靜電容量式觸控面板中的傳感基板，還 可以適用于制造電阻式或電磁感應(yīng)式的具備至少兩個(gè)方向?qū)螂姌O線和配線的傳感基板。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種傳感基板的制造方法，其特征在于，包括在所述襯底基板一側(cè)表面上沉積第一向電極線的材料薄膜；采用單色調(diào)掩膜板對(duì)所述第一向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括第一向電 極線的圖案；在形成第一向電極線的襯底基板上沉積絕緣層；采用單色調(diào)掩膜板對(duì)所述絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成過孔，所述過孔對(duì)應(yīng)所述第一向 電極線的位置；在所述絕緣層上沉積第二向電極線的材料薄膜； 在所述第二向電極線的材料薄膜上沉積配線的材料薄膜；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述配線的材料薄膜和第二向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝， 形成包括第二向電極線、第一配線和第二配線的圖案，第一配線通過所述絕緣層上的過孔 與第一向電極線相連，第二配線與第二向電極線相連，所述第一配線和第二配線的圖案形 成在第二向電極線的材料薄膜之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感基板的制造方法，其特征在于，采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所 述配線的材料薄膜和第二向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括第二向電極線、第 一配線和第二配線的圖案包括在所述配線的材料薄膜上涂覆光刻膠；采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影工藝，形成包括半保留 區(qū)域、完全保留區(qū)域和非保留區(qū)域的圖案，所述半保留區(qū)域的光刻膠厚度小于所述完全保 留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉非保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述配線的材料薄膜和第二向電極線的材 料薄膜，形成包括第二向電極線的圖案； 灰化去除半保留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述配線的材料薄膜，形成包括第一配線 和第二配線的圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感基板的制造方法，其特征在于所述半保留區(qū)域的光刻 膠厚度為所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度的30% 70%。
4.一種傳感基板的制造方法，其特征在于，包括 在襯底基板一側(cè)表面上沉積第一向電極線的材料薄膜；在所述第一向電極線的材料薄膜上沉積第一配線的材料薄膜； 采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述第一配線的材料薄膜和第一向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖 工藝，形成包括第一向電極線和第一配線的圖案，第一配線與第一向電極線相連，且所述第 一配線的圖案形成在第一向電極線的材料薄膜之上；在所述襯底基板另一側(cè)表面上沉積第二向電極線的材料薄膜； 在所述第二向電極線的材料薄膜上沉積第二配線的材料薄膜； 采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述第二配線的材料薄膜和第二向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖 工藝，形成包括第二向電極線和第二配線的圖案，第二配線與第二向電極線相連，且所述第 二配線的圖案形成在第二向電極線的材料薄膜之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的傳感基板的制造方法，其特征在于，采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所述第一配線的材料薄膜和第一向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括第一向電極線 和第一配線的圖案包括在所述第一配線的材料薄膜上涂覆光刻膠；采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影工藝，形成包括半保留 區(qū)域、完全保留區(qū)域和非保留區(qū)域的圖案，所述半保留區(qū)域的光刻膠厚度小于所述完全保 留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉非保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一配線的材料薄膜和第一向電極線 的材料薄膜，形成包括第一向電極線的圖案；灰化去除半保留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述第一配線的材料薄膜，形成包括第一 配線的圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的傳感基板的制造方法，其特征在于，采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)所 述第二配線的材料薄膜和第二向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括第二向電極線 和第二配線的圖案包括在所述第二配線的材料薄膜上涂覆光刻膠；采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影工藝，形成包括半保留 區(qū)域、完全保留區(qū)域和非保留區(qū)域的圖案，所述半保留區(qū)域的光刻膠厚度小于所述完全保 留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉非保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二配線的材料薄膜和第二向電極線 的材料薄膜，形成包括第二向電極線的圖案；灰化去除半保留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二配線的材料薄膜，形成包括第二 配線的圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的傳感基板的制造方法，其特征在于所述半保留區(qū)域的 光刻膠厚度為所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度的30% 70%。
8.—種傳感基板，包括襯底基板，所述襯底基板一側(cè)表面上形成有第一向電極線和第 二向電極線；所述第一向電極線和第二向電極線之間形成有絕緣層；第一配線通過所述絕 緣層上的過孔與第一向電極線相連，第二配線與第二向電極線相連，其特征在于所述第一 配線和第二配線的圖案形成在所述第二向電極線的材料薄膜之上。
9.一種傳感基板，包括襯底基板，所述襯底基板兩側(cè)表面上分別形成有第一向電極線 和第二向電極線；所述襯底基板兩側(cè)表面上分別形成有第一配線和第二配線，第一配線與 第一向電極線相連，第二配線與第二向電極線相連，其特征在于所述第一配線的圖案形成 在所述第一向電極線的材料薄膜之上，和/或所述第二配線的圖案形成在所述第二向電極 線的材料薄膜之上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種傳感基板及其制造方法。該制造方法包括在襯底基板一側(cè)表面上沉積第一向電極線的材料薄膜；采用單色調(diào)掩膜板對(duì)第一向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括第一向電極線的圖案；在形成第一向電極線的襯底基板上沉積絕緣層；采用單色調(diào)掩膜板對(duì)絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成過孔；在絕緣層上沉積第二向電極線的材料薄膜；在第二向電極線的材料薄膜上沉積配線的材料薄膜；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)配線的材料薄膜和第二向電極線的材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括第二向電極線、第一配線和第二配線的圖案。本發(fā)明采用雙色調(diào)掩膜板構(gòu)圖工藝同時(shí)完成一個(gè)方向電極線和配線的圖案，簡(jiǎn)化了工序，降低了產(chǎn)品成本。
文檔編號(hào)G06F3/041GK101995981SQ200910091170
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2009年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月11日
發(fā)明者林允植 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司