專利名稱：坐標(biāo)檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種坐標(biāo)檢測裝置。
背景技術(shù)：
觸摸面板例如已經(jīng)用作用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的輸入裝置。安裝在顯示 器上的觸摸面板可檢測顯示器上的坐標(biāo)位置，并且得到與坐標(biāo)位置相 對(duì)應(yīng)的檢測信號(hào)。觸摸面板允許數(shù)據(jù)的直接、容易、及直觀輸入。
已經(jīng)提出有各種類型的觸摸面板，如電阻型、光學(xué)型、及電容耦 合型觸摸面板。主要使用具有簡單結(jié)構(gòu)和控制系統(tǒng)的電阻觸摸面板。 作為電阻觸摸面板，依據(jù)在電阻膜上電極的排列，有四-導(dǎo)線型、五-導(dǎo)線型、八-導(dǎo)線型觸摸面板等。
在這些中，在五-導(dǎo)線型觸摸面板中，在操作表面?zhèn)壬咸峁┑捻?部基片的導(dǎo)電膜被簡單地只用于讀出電位，這與四-導(dǎo)線型和八-導(dǎo)線 型電阻觸摸面板不同。因而，五-導(dǎo)線型觸摸面板不具有邊緣滑動(dòng)的問 題，邊緣滑動(dòng)是四-導(dǎo)線型和八-導(dǎo)線型觸摸面板的缺陷。因此，五-導(dǎo) 線型觸摸面板已經(jīng)用于在嚴(yán)酷使用環(huán)境中或長時(shí)間上要求耐久性的 市場中。
圖12是五-導(dǎo)線型電阻觸摸面板的構(gòu)造圖。五-導(dǎo)線型電阻觸摸 面板1由頂部基片11和底部基片12形成。作為底部基片12，透明電 阻膜22形成在玻璃基片21的整個(gè)表面上。在透明電阻膜22上，形 成X-軸坐標(biāo)檢測電極23和24、和Y-軸坐標(biāo)檢測電極25和26。作為 頂部基片11，透明電阻膜32形成在膜基片31上。坐標(biāo)檢測電極33 形成在透明電阻膜32上。
首先，通過將電壓施加到X-軸坐標(biāo)檢測電極23和24上，在底 部基片12的透明電阻膜22的X-軸方向上產(chǎn)生電位分布。在這時(shí)，通過檢測底部基片12的透明電阻膜22的電位，可檢測底部基片12與 頂部基片11的接觸位置的X-坐標(biāo)。其次，通過將電壓施加到Y(jié)-軸坐 標(biāo)檢測電極25和26上，在底部基片12的透明電阻膜22中Y-軸方向 上產(chǎn)生電位分布。在這時(shí)，通過檢測底部基片12的透明電阻膜22的 電位，可檢測底部基片12與頂部基片11的接觸位置的Y-坐標(biāo)。
在這種情況下，在這樣一種類型的觸摸面板中，有在底部基片 12的透明電阻膜22中如何產(chǎn)生均勻電位分布的問題。為了在底部基 片12的透明電阻膜22中產(chǎn)生均勻電位分布， 一種在周緣中提供多級(jí) 電位分布校正圖案的方法公開在專利文件1中。
另外，專利文件2公開了一種將共用電極提供成圍繞輸入表面的 周緣的方法。專利文件3公開了 一種在透明電阻膜上提供的絕緣膜中 形成開口和通過開口施加電位的方法。
專利文件1:日本專利申請(qǐng)公報(bào)No. 10-83251 專利文件2:日本專利申請(qǐng)公報(bào)No. 2001-125724 專利文件3:日本專利申請(qǐng)公報(bào)No. 2007-25904 響應(yīng)坐標(biāo)輸入裝置安裝到其上的裝置的尺寸減小等，要求坐標(biāo)輸 入裝置在框架尺寸方面較窄。然而， 一直難以用較窄框架形成專利文 件l中公開的坐標(biāo)輸入裝置，因?yàn)樵谥芫壷斜仨毺峁┒嗉?jí)電位分布圖 案。
況且，通過如專利文件2中公開的那樣提供圍繞輸入表面周緣的 共用電極的方法，已經(jīng)有如下問題透明電阻膜的電位分布成為不均 勻的，除非增大在透明電阻膜與圖案電阻之間的電阻比值。
此外，盡管上述兩個(gè)問題可通過如專利文件3中公開的那樣在形 成的絕緣膜中提供開口的方法而解決，但制造過程在這種情況下變得 復(fù)雜。具體地說，已經(jīng)有如下一些情形在制造過程中引起的材料和 電阻值的變化，成為降低希望產(chǎn)品性能的生產(chǎn)率的因素。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上情況已經(jīng)形成本發(fā)明，并且本發(fā)明可以提供一種坐標(biāo)檢測裝置，該坐標(biāo)檢測裝置能夠形成有較窄框架，并且改進(jìn)坐標(biāo)位置的 檢測精度。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，坐標(biāo)檢測裝置包括電阻膜，形成在基 片上；和共用電極，形成在電阻膜上，用來將電壓施加到電阻膜上。 坐標(biāo)檢測裝置構(gòu)造成通過將電壓從共用電極施加到電阻膜上而在電 阻膜中產(chǎn)生電位分布，并且構(gòu)造成通過檢測電阻膜接觸位置的電位而 檢測電阻膜接觸位置的坐標(biāo)。基片由正方形形狀的絕緣體形成。共用 電極沿基片的邊緣部分形成。在共用電極下方的電阻膜具有其中電阻 膜不存在的一個(gè)或多個(gè)電阻膜缺少區(qū)域(更好的是，將這些叫做"無 電阻膜區(qū)域")。其中電阻膜不存在的L形電阻膜缺少區(qū)域提供在基 片的正方形形狀的一個(gè)或多個(gè)角部中，并且在共用電極的與其中基片 中心位于的側(cè)相同的側(cè)上。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，坐標(biāo)檢測裝置包括電阻膜，形成在 基片上；和共用電極，形成在電阻膜上，用來將電壓施加到電阻膜上。 坐標(biāo)檢測裝置構(gòu)造成通過將電壓從共用電極施加到電阻膜上而在電 阻膜中產(chǎn)生電位分布，并且構(gòu)造成通過檢測電阻膜接觸位置的電位而 檢測電阻膜接觸位置的坐標(biāo)?；烧叫涡螤畹慕^緣體形成。共用 電極沿基片的邊緣部分形成。其中電阻膜不存在的第一電阻膜缺少區(qū) 域提供成與共用電極相鄰，并且在共用電極的與其中基片中心位于的 側(cè)相同的側(cè)上。在共用電極和第一電阻膜缺少區(qū)域的相鄰側(cè)之間的空 隙是0 mm至5 mm。 L形第二電阻膜缺少區(qū)域提供在基片的正方形 形狀的一個(gè)或多個(gè)角部中，并且在共用電極的與其中基片中心位于的 側(cè)相同的側(cè)上。


圖l是坐標(biāo)檢測裝置的系統(tǒng)構(gòu)造圖； 圖2A至2E是面板單元111的構(gòu)造圖3A和3B是平面圖，每個(gè)表示第一電阻膜缺少區(qū)域133的實(shí) 質(zhì)部分；
6圖4A至4C是每個(gè)表示L形電阻膜缺少區(qū)域(第二電阻膜缺少 區(qū)域)233的圖5A和5B是頂部基片122的構(gòu)造圖； 圖6是接口板112的處理流程圖7A和7B是每個(gè)表示底部基片121的電位分布的狀態(tài)的圖； 圖8A至8F是表示底部基片121的制造步驟的圖； 圖9A至9E是第二實(shí)施例的面板單元的構(gòu)造圖； 圖10是平面圖，表示第二電阻膜缺少區(qū)域233的實(shí)質(zhì)部分； 圖IIA至IIC是表示第二實(shí)施例的L形電阻膜缺少區(qū)域(第二 電阻膜缺少區(qū)域)233的圖；及
圖12是五-線型電阻觸摸面板的構(gòu)造圖。
具體實(shí)施例方式
其次，下面描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。 [第一實(shí)施例]
描述本發(fā)明的第 一 實(shí)施例。這個(gè)實(shí)施例涉及坐標(biāo)檢測裝置。 (系統(tǒng)構(gòu)造)
圖1表示這個(gè)實(shí)施例的坐標(biāo)檢測裝置的系統(tǒng)構(gòu)造。在這個(gè)實(shí)施例 中，所謂的五-導(dǎo)線型模擬電阻觸摸面板被描述為坐標(biāo)輸入系統(tǒng)100。 這個(gè)實(shí)施例的坐標(biāo)輸入系統(tǒng)100由面板單元111和接口板112形成。
面板單元111包括底部基片121、頂部基片122、墊片123、及 FPC電纜124。底部基片121和頂部基片122被粘合在一起，使墊片 123插入在它們之間。由絕緣雙面帶等形成的墊片123粘合底部基片 121和頂部基片122，同時(shí)在底部基片121與頂部基片122之間提供 預(yù)定空隙。而且，F(xiàn)PC電纜124由在柔性印刷基片上形成的第一至第 五導(dǎo)線形成。FPC電纜124例如通過由熱壓而接合各向異性導(dǎo)電膜等 被連接到底部基片121上。 (底部基片121)
其次，參照?qǐng)D2A至2E描述底部基片121的構(gòu)造。圖2A是底部基片121的平面圖，圖2B是沿在圖2A中的線A-A得到的橫截面圖， 圖2C是沿在圖2A中的線B-B得到的橫截面圖，圖2D是沿在圖2A 中的線C-C得到的橫截面圖，及圖2E是沿在圖2A中的線D-D得到 的橫截面圖。
底部基片121由玻璃基片131、透明電阻膜132、電阻膜缺少區(qū) 域133、共用電極134、第一絕緣膜135、導(dǎo)線136、及第二絕緣膜137 形成。透明電阻膜132形成在玻璃基片131的幾乎整個(gè)表面上。透明 電阻膜132通過諸如真空鍍積之類的方法由例如ITO (銦錫氧化物) 形成。透明電阻膜132透射在光i普的可見區(qū)域中的光，并且具有預(yù)定 電阻。注意，在電阻膜缺少區(qū)域133中不是除去透明電阻膜132的全 部。通過除去電阻膜缺少區(qū)域133的邊緣部分的透明電阻膜132，在 電阻膜缺少區(qū)域133中剩余的透明電阻膜132和在電阻膜缺少區(qū)域 133外的透明電阻膜132纟皮電氣絕緣。以這種方式，通過絕緣在電阻 膜缺少區(qū)域133中的透明電阻膜132和在電阻膜缺少區(qū)域133外的透 明電阻膜132 ，可得到與在電阻膜缺少區(qū)域133中除去透明電阻膜132 的全部的情形相似的效果。作為結(jié)果，可改進(jìn)生產(chǎn)率，因?yàn)橛休^少透 明電阻膜132被除去。注意，在圖2A中僅除去在電阻膜缺少區(qū)域133 的邊緣部分中的透明電阻膜132。由于電壓從在電阻膜缺少區(qū)域133 外的共用電極134施加，所以在電阻膜缺少區(qū)域133的邊緣部分內(nèi)的 透明電阻膜132對(duì)于電壓分布沒有影響。 (電阻膜缺少區(qū)域133)
用作第一電阻膜缺少區(qū)域的電阻膜缺少區(qū)域133提供在玻璃基 片131的周緣邊緣部分中、和在其中形成共用電極134的區(qū)域中。明 確地說，共用電極134形成在透明電阻膜132上，在該透明電阻膜132 中形成電阻膜缺少區(qū)域133。作為結(jié)果，共用電極134和在相鄰電阻 膜缺少區(qū)域133之間的透明電阻膜132被連接，以形成電位施加區(qū)域。 在這個(gè)實(shí)施例中，如圖3A中所示，在相互相鄰電阻膜缺少區(qū)域133 之間的空隙W,就是說，在相鄰電阻膜缺少區(qū)域133之間形成的電位 施加區(qū)域的寬度形成為具有相同寬度，如下面描述的那樣。在面板單元111的第一側(cè)171-1、第二側(cè)171-2、第三側(cè)171-3、及第四側(cè)171-4 的相對(duì)端部的周緣中，電阻膜缺少區(qū)域133形成有寬節(jié)距，并且節(jié)距 向每側(cè)的中央部分變窄。明確地說，電阻膜缺少區(qū)域133的節(jié)距P1、 P2、 P3、 P4、…從相對(duì)端部向中央部分形成為具有P1>P2>P3>P4... 的關(guān)系。
(L形電阻膜缺少區(qū)域233)
用作第二電阻膜缺少區(qū)域的L形電阻膜缺少區(qū)域233以L形形 成在由共用電極134的四側(cè)形成的正方形的四個(gè)角部處，并且在電阻 膜缺少區(qū)域133內(nèi)，就是說，在電阻膜缺少區(qū)域133的與其中基片中 心位于的側(cè)相同的側(cè)上。下面參照?qǐng)D4簡短地描述用來形成L形電阻 膜缺少區(qū)域233的原因。
當(dāng)不形成L形電阻膜缺少區(qū)域233時(shí)，僅形成電阻膜缺少區(qū)域 133。在這種情況下，電位分布容易在由共用電極134的四側(cè)形成的 正方形的四個(gè)角部處變得不均勻。
當(dāng)電阻膜缺少區(qū)域133如圖4A中所示在四個(gè)角部處彼此接觸 時(shí)，在四個(gè)角部處不從共用電極134施加電位。因此，電位分布成為 由線Dl所表示的那樣，這是沒有角部的倒圓形狀的不均勻電位分布。
而且，當(dāng)電阻膜缺少區(qū)域133如圖4B中所示在四個(gè)角部處彼此 分開時(shí)，電位在四個(gè)角部處從共用電極134施加。因此，電位分布成 為由線D2所表示的那樣，這是延伸到四個(gè)角部的形狀的不均勻電位 分布。
在這個(gè)實(shí)施例中，如圖4C中所示，電阻膜缺少區(qū)域133在四個(gè) 角部處形成為彼此分開，并且在電阻膜缺少區(qū)域133內(nèi)，就是說在電 阻膜缺少區(qū)域133的與其中基片中心位于的側(cè)相同的側(cè)上，提供的電 阻膜132以L形被除去，以形成L形電阻膜缺少區(qū)域233。作為結(jié)果， 電位分布成為由線D3所表示的那樣，這是具有保持四個(gè)角部的幾乎 理想的均勻電位分布。
以上所描述的L形電阻膜缺少區(qū)域233形成在這個(gè)實(shí)施例的坐 標(biāo)檢測裝置的底部基片121中。注意，這個(gè)L形電阻膜缺少區(qū)域233
9與電阻膜缺少區(qū)域133同時(shí)形成。因此，在制造過程中幾乎不產(chǎn)生額
外負(fù)荷。
(電位施加區(qū)域)
電位施加區(qū)域形成在共用電極134和在相鄰電阻膜缺少區(qū)域133 之間的透明電阻膜132的接觸區(qū)域中。在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)參照?qǐng)D3B 明確地描述時(shí)，電位施加區(qū)域在面板單元111的第一側(cè)171-1、第二 側(cè)171-2、第三側(cè)171-3、及第四側(cè)171-4的相對(duì)端部的周緣中形成有 寬節(jié)距，并且節(jié)距向每一側(cè)的中央部分變窄。借助于這樣一種構(gòu)造， 可減少在第一側(cè)171-1、第二側(cè)171-2、第三側(cè)171-3、及第四側(cè)171-4 處(在該處電位分布往往大大地向內(nèi)扭曲)引起的電位分布的失真。 況且，可使在透明電阻膜132中的電位分布均勻。因此，可正確地檢 測坐標(biāo)位置。
注意，電位施加區(qū)域的形狀不限于在圖3B中表示的形狀。通過 除去透明電阻膜132的一部分，其中透明電阻膜132和共用電極134 接觸的區(qū)域可以形成有向面板單元111的第一側(cè)171-1、第二側(cè)171-2、 第三側(cè)171-3、及第四側(cè)171-4的相對(duì)端部變窄的節(jié)距，并且形成有 向中央部分變寬的節(jié)距。 (共用電極134)
共用電極134在電阻膜缺少區(qū)域133和在電阻膜缺少區(qū)域133 之間的透明電阻膜132上由例如Ag-C形成。 (第一絕緣膜135)
第一絕緣膜135堆積在電阻膜缺少區(qū)域133上，以覆蓋共用電極 134。在第一絕緣膜135中，第一至第四通孔151-1至151-4形成在底 部基片121的四個(gè)角部處。第一至第四通孔151-1至151-4形成驅(qū)動(dòng) 電壓施加部分。
(第一至第四導(dǎo)線136-1至136-4)
第一導(dǎo)線136-1由例如諸如Ag之類的低電阻材料形成。第一導(dǎo) 線136-1在第一絕緣膜135上沿底部基片121的第一側(cè)171-1形成。 在這種情況下，第一導(dǎo)線136-1形成為，填充在第一絕緣膜135中形
10成的第一通孔151-1。而且，第一導(dǎo)線136-1連接到FPC電纜124的 第一導(dǎo)線上。
第二導(dǎo)線136-2由例如諸如Ag之類的低電阻材料形成。第二導(dǎo) 線136-2在第一絕緣膜135上沿與底部基片121的第一側(cè)171-1相對(duì) 的第二側(cè)171-2形成。在這種情況下，第二導(dǎo)線136-2形成為，填充 在第一絕緣膜135中形成的第二通孔151-2。第二導(dǎo)線136-2連接到 FPC電纜124的第二導(dǎo)線上。
第三導(dǎo)線136-3由例如諸如Ag之類的低電阻材料形成。第三導(dǎo) 線136-3在第一絕緣膜135上沿第三側(cè)171-3在第二側(cè)171-2側(cè)上的 半部形成。第三側(cè)171-3垂直地跨過底部基片121的第一側(cè)171-1和 第二側(cè)171-2。第三導(dǎo)線136-3形成為，填充在第一絕緣膜135中形 成的第三通孔151-3。而且，第三導(dǎo)線136-3連接到FPC電纜124的 第三導(dǎo)線上。
第四導(dǎo)線136-4由例如諸如Ag之類的低電阻材料形成。第四導(dǎo) 線136-4在第一絕緣膜135上沿第三側(cè)171-3在第一側(cè)171-1側(cè)上的 半部形成。第三側(cè)171-3垂直地跨過底部基片121的第一側(cè)171-1和 第二側(cè)171-2。第四導(dǎo)線136-4形成為，填充在第一絕緣膜135中形 成的第四通孔151-4。而且，第四導(dǎo)線136-4連接到FPC電纜124的 笫四導(dǎo)線上。
第二絕緣膜137形成在第一絕緣膜135上，以覆蓋第一導(dǎo)線 136-1、第二導(dǎo)線136-2、第三導(dǎo)線136-3、及第四導(dǎo)線136-4。而且， 將頂部基片122粘合到第二絕緣膜137上，使墊片123插入在它們之 間。
(頂部基片122)
以后，參照?qǐng)D5A和5B描述頂部基片122的構(gòu)造。圖5A是頂部 基片122的俯視圖，并且圖5B是頂部基片122的橫截面視圖。頂部 基片122包括膜基片211、透明電阻膜212、及電極213。膜基片211 由例如柔性樹脂膜，如PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)，形成。在膜 基片211的面對(duì)底部基片121的側(cè)的整個(gè)表面上，形成透明電阻膜
ii212。透明電阻膜212由諸如ITO之類的透明導(dǎo)電材料形成。電極213 提供在頂部基片122的透明電阻膜212上在XI方向上的端部部分處。 電極213通過未表示的觸點(diǎn)連接到FPC電纜124的第五導(dǎo)線上，該 FPC電纜124連接到底部基片121上。通過由接口板112通過將頂部 基片122用作檢測針而檢測底部基片121的電位，檢測坐標(biāo)位置。 (檢測順序)
其次，描述在這個(gè)實(shí)施例的坐標(biāo)檢測裝置中檢測坐標(biāo)位置的順 序。圖6表示接口板112的處理流程圖，并且圖7A和7B每個(gè)表示底 部基片121的電位分布。圖7A表示在檢測X-坐標(biāo)時(shí)的電位分布，并 且圖7B表示在檢測Y-坐標(biāo)時(shí)的電位分布。
接口板112在步驟Sl-l中，將電壓Vx施加到第一導(dǎo)線136-1和 第二導(dǎo)線136-2上，并且將第三導(dǎo)線136-3和第四導(dǎo)線136-4接地。 作為結(jié)果，在透明電阻膜132中可產(chǎn)生由在圖7A中的虛線所表示的 均勻電場分布。注意，傳統(tǒng)電位分布如由在圖7A中的交替長和短劃 線(點(diǎn)劃線)表示的那樣已經(jīng)失真。因此，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，可正確 地檢測X-坐標(biāo)。
其次，接口板112在步驟Sl-2中檢測底部基片121的電位，并 且在步驟Sl-3中檢測與底部基片121的電位相對(duì)應(yīng)的X-坐標(biāo)。
以后，接口板112在步驟Sl-4中，將電壓Vy施加到第一導(dǎo)線 136-1和第四導(dǎo)線136-4上，并且將第二導(dǎo)線136-2和第三導(dǎo)線136-3 接地。作為結(jié)果，在透明電阻膜132中可產(chǎn)生由在圖7B中的虛線所 表示的均勻電場分布。注意，傳統(tǒng)電位分布如由在圖7B中的交替長 和短劃線表示的那樣已經(jīng)失真。因此，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，可正確地檢 測Y-坐標(biāo)。
其次，接口板112在步驟Sl-5中檢測底部基片121的電位，并 且在步驟Sl-6中檢測與底部基片121的電位相對(duì)應(yīng)的Y-坐標(biāo)。
根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，由于導(dǎo)線136-1至136-4堆積在共用電極134 上，所以面板單元111可形成有較窄框架。況且，當(dāng)檢測X-軸坐標(biāo)或 Y-軸坐標(biāo)時(shí)由電位施加區(qū)域施加到底部基片121的透明電阻膜132上
12的電位在檢測區(qū)域中可均勻地分布。因此，可正確地檢測坐標(biāo)。 (制造方法)
其次，描述根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的坐標(biāo)檢測裝置的制造方法。明確地
說，這個(gè)實(shí)施例涉及底部基片121的制造方法。這個(gè)實(shí)施例參照?qǐng)D8A 至8F描述。
首先，如圖8A中所示，通過濺射、真空鍍積或類似方式，將諸 如ITO之類的透明電阻膜132形成在玻璃基片131上。
隨后，如圖8B中所示，在透明電阻膜132中形成電阻膜缺少區(qū) 域133和未表示的L形電阻膜缺少區(qū)域233。明確地說，通過用紫外 (UV)射線激光或紅外激光照射待除去的透明電阻膜132的區(qū)域， 通過燒蝕除去或通過加熱蒸發(fā)在這個(gè)區(qū)域中的透明電阻膜132。可選 擇地，在形成覆蓋除透明電阻膜132的電阻膜缺少區(qū)域133和L形電 阻膜缺少區(qū)域233之外的區(qū)域的光致抗蝕圖案之后，通過使用鹽酸或 磷酸的化學(xué)蝕刻，可以蝕刻透明電阻膜132。
隨后，如圖8C中所示，在透明電阻膜132上形成由Ag-C形成 的共用電極134。明確地說，在通過絲網(wǎng)印刷而印刷包括Ag-C的糊 劑之后，將糊劑烘烤，以形成共用電極134。作為結(jié)果，電位施加區(qū) 域形成在透明電阻膜132上在相鄰電阻膜缺少區(qū)域133之間。
隨后，如圖8D中所示，形成包括第一至第四通孔151-1至151-4 的第一絕緣膜135。明確地說，在通過絲網(wǎng)印刷方法印刷絕緣糊劑的 圖案之后，將絕緣糊劑烘烤，以形成第一絕緣膜135。
隨后，如圖8E中所示，在第一絕緣膜135上形成由Ag形成的 第一至第四導(dǎo)線136-1至136-4。明確地說，在通過絲網(wǎng)印刷方法印 刷包括Ag的導(dǎo)電糊劑的圖案之后，將導(dǎo)電糊劑烘烤，以形成第一至 第四導(dǎo)線136-1至136-4。
隨后，如圖8F中所示，形成第二絕緣膜137。明確地說，在通 過絲網(wǎng)印刷方法印刷絕緣糊劑的圖案之后，將絕緣糊劑烘烤，以形成 第二絕緣膜137。
按以上描述的方式，可制造底部基片121。注意，在這個(gè)實(shí)施例中已經(jīng)描述了五-導(dǎo)線電阻模擬觸摸面板， 然而，本發(fā)明不限于此，并且可應(yīng)用于其它觸摸面板，如四-導(dǎo)線或七 -導(dǎo)線電阻觸摸面板。
第二實(shí)施例
接下來，描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。在這個(gè)實(shí)施例中，描述一種
坐標(biāo)檢測裝置，在該坐標(biāo)檢測裝置中，電阻膜缺少區(qū)域133形成在共 用電極134內(nèi)，就是說在共用電極134的與其中基々中心位于的側(cè)相 同的側(cè)上。
下面描述這個(gè)實(shí)施例的坐標(biāo)檢測裝置的底部基片121。 (底部基片121)
下面，參照?qǐng)D9A至9E描述底部基片121的構(gòu)造。圖9A是底部 基片121的平面圖，圖9B是沿在圖9A中的線A-A得到的橫截面圖， 圖9C是沿在圖9A中的線B-B得到的橫截面圖，圖9D是沿在圖9A 中的線C-C得到的橫截面圖，及圖9E是沿在圖9A中的線D-D得到 的橫截面圖。
底部基片121由玻璃基片131、透明電阻膜132、電阻膜缺少區(qū) 域133、共用電極134、第一絕緣膜135、導(dǎo)線136、及第二絕緣膜137 形成。透明電阻膜132形成在玻璃基片的幾乎整個(gè)表面上。透明電阻 膜132通過諸如真空鍍積之類的方法由例如ITO(銦錫氧化物)形成。 透明電阻膜132透射在光鐠的可見區(qū)域中的光，并且具有預(yù)定電阻。 (電阻膜缺少區(qū)域133)
在這個(gè)實(shí)施例中用作第一電阻膜缺少區(qū)域的電阻膜缺少區(qū)域 133形成在玻璃基片131的周緣邊緣部分中并在內(nèi)側(cè)，就是說在其中 形成共用電極134的區(qū)域的、與其中基片中心位于的側(cè)相同的側(cè)上。 在共用電極134和第一電阻膜缺少區(qū)域133的相鄰側(cè)之間的空隙是0 mm至5mm。在這個(gè)實(shí)施例中，如圖10中所示，在相互相鄰電阻膜 缺少區(qū)域133之間的空隙W，就是說，在相鄰電阻膜缺少區(qū)域133之 間形成的、用來施加電位的區(qū)域的寬度，形成為具有相同寬度，如下 面描述的那樣。在面板單元111的第一側(cè)171-1、第二側(cè)171-2、第三側(cè)171-3、及第四側(cè)171-4的相對(duì)端部的周緣中，電阻膜缺少區(qū)域133 形成有寬節(jié)距，并且節(jié)距向中央部分變窄。明確地說，電阻膜缺少區(qū) 域133的節(jié)距P1、 P2、 P3、 P4、...從相對(duì)端部向中央部分形成為具 有P1〉P2〉P3〉P4…的關(guān)系。
(L形電阻膜缺少區(qū)域233)
用作第二電阻膜缺少區(qū)域的L形電阻膜缺少區(qū)域233以L形形 成在由共用電極134的四側(cè)形成的正方形的四個(gè)角部處，并且在內(nèi)側(cè)， 就是說，在電阻膜缺少區(qū)域133的、與其中基片中心位于的側(cè)相同的 側(cè)上。下面參照?qǐng)D11A至11C簡短地描述用來形成L形電阻膜缺少 區(qū)域233的原因。
當(dāng)不形成L形電阻膜缺少區(qū)域233時(shí)，僅形成電阻膜缺少區(qū)域 133。在這種情況下，電位分布容易在由共用電極134的四側(cè)形成的 正方形的四個(gè)角部處變得不均勻。
當(dāng)電阻膜缺少區(qū)域133如圖11A中所示在四個(gè)角部處彼此接觸 時(shí)，在四個(gè)角部處不從共用電極134施加電^f立。因此，電位分布成為 由線D4所表示的那樣，這是沒有角部的倒圓形狀的不均勻電位分布。
而且，當(dāng)電阻膜缺少區(qū)域133如圖11B中所示在四個(gè)角部處彼 此分開時(shí)，電位在四個(gè)角部處從共用電極134施加。因此，電位分布 成為由線D5所表示的那樣，這是延伸到四個(gè)角部的形狀的不均勻電 位分布。
在這個(gè)實(shí)施例中，如圖11C中所示，電阻膜缺少區(qū)域133在四 個(gè)角部處形成為彼此分開，并且在電阻膜缺少區(qū)域133的、與其中基 片中心位于的側(cè)相同的側(cè)上，提供的電阻膜132以L形被除去，以形 成L形電阻膜缺少區(qū)域233。作為結(jié)果，電位分布成為由線D6所表 示的那樣，這是具有保持四個(gè)角部的幾乎理想的均勻電位分布。
以上所描述的L形電阻膜缺少區(qū)域233形成在這個(gè)實(shí)施例的坐 標(biāo)檢測裝置的底部基片121中。注意，這個(gè)L形電阻膜缺少區(qū)域233 與電阻膜缺少區(qū)域133同時(shí)形成，因此，在制造過程中幾乎不產(chǎn)生額 外負(fù)荷。(電位施加區(qū)域)
用來施加電位的區(qū)域是在相互相鄰電阻膜缺少區(qū)域133之間的 透明電阻膜132的區(qū)域。電位通過這個(gè)區(qū)域施加到整個(gè)透明電阻膜132 上。在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)參照?qǐng)D10明確地描述時(shí)，用來施加電位的 區(qū)域在面板單元111的第一側(cè)171-1、第二側(cè)171-2、第三側(cè)171-3、 及第四側(cè)171-4的相對(duì)端部的周緣中形成有寬節(jié)距，并且節(jié)距向中央 部分變窄。借助于這樣一種構(gòu)造，可減少在第一側(cè)171-1、第二側(cè) 171-2、第三側(cè)171-3、及第四側(cè)171-4處(在該處電位分布往往大大 地向內(nèi)扭曲)引起的電位分布的失真。況且，可使在透明電阻膜132 中的電位分布均勻。因此，可正確地檢測坐標(biāo)位置。
注意，電阻膜缺少區(qū)域133的形狀不限于在圖10中表示的形狀。 電阻膜缺少區(qū)域133可以為任何形狀，只要透明電阻膜132的電位分 布成為均勻的。
(共用電極134)
共用電極134在電阻膜缺少區(qū)域133的外側(cè)上在透明電阻膜132 上由例如Ag-C形成。
在這個(gè)實(shí)施例中，由于共用電極134不形成在電阻膜缺少區(qū)域 133上，所以在形成共用電極134之后，可形成L形電阻膜缺少區(qū)域 233和電阻膜缺少區(qū)域133。.
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，通過除去連接到共用電極上的透明電阻膜的一 部分，可形成用來將電位施加到透明電阻膜上的電位施加部分，或者 可改變施加電位的分布。因此，可均勻地設(shè)置在透明電阻膜上的電位 分布。而且，可改進(jìn)坐標(biāo)位置的檢測精度。
盡管為了完整和清晰公開根據(jù)特定實(shí)施例已經(jīng)描述了本發(fā)明，但 本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，并且可以進(jìn)行變更和修改而不脫離本發(fā)明 的范圍。
本申請(qǐng)基于和要求在2008年5月15日提交的日本專利申請(qǐng)No. 2008-128141的優(yōu)先權(quán)利益，該專利申請(qǐng)的全部內(nèi)容通過參考由此包 括。
1權(quán)利要求
1.一種坐標(biāo)檢測裝置，包括電阻膜，形成在基片上；和共用電極，形成在電阻膜上，用來將電壓施加到電阻膜上，所述坐標(biāo)檢測裝置構(gòu)造成通過將電壓從共用電極施加到電阻膜上而在電阻膜中產(chǎn)生電位分布，并且構(gòu)造成通過檢測電阻膜接觸位置的電位而檢測電阻膜接觸位置的坐標(biāo)，其中，基片由正方形形狀的絕緣體形成；共用電極沿基片的邊緣部分形成；在共用電極下方的電阻膜具有其中電阻膜不存在的一個(gè)或多個(gè)電阻膜缺少區(qū)域；及其中電阻膜不存在的L形電阻膜缺少區(qū)域提供在基片的正方形形狀的一個(gè)或多個(gè)角部中，并且在共用電極的與其中基片中心位于的側(cè)相同的側(cè)上。
2. —種坐標(biāo)檢測裝置，包括 電阻膜，形成在基片上；和共用電極，形成在電阻膜上，用來將電壓施加到電阻膜上， 所述坐標(biāo)檢測裝置構(gòu)造成通過將電壓從共用電極施加到電阻膜上而在電阻膜中產(chǎn)生電位分布，并且構(gòu)造成通過檢測電阻膜接觸位置的電位而檢測電阻膜接觸位置的坐標(biāo)，其中，基片由正方形形狀的絕緣體形成；其中電阻膜不存在的第一電阻膜缺少區(qū)域提供成與共用電極相 鄰，并且在共用電極的與其中基片中心位于的側(cè)相同的側(cè)上；在共用電極和第一電阻膜缺少區(qū)域的相鄰側(cè)之間的空隙是0 mm 至5 mm) 及L形第二電阻膜缺少區(qū)域提供在基片的正方形形狀的一個(gè)或多 個(gè)角部中，并且在共用電極的與其中基片中心位于的側(cè)相同的側(cè)上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的坐標(biāo)檢測裝置，其中，在與共用電極的預(yù)定區(qū)域相對(duì)應(yīng)的位置處具有接觸孔的絕緣膜形成在共用電極上；并 且導(dǎo)電材料提供在接觸孔中，以形成用來通過共用電極將電壓施加到 電阻膜上的驅(qū)動(dòng)電壓施加單元。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的坐標(biāo)檢測裝置，其中，電阻膜由在光語 的可見區(qū)域中是透明的材料形成；并且通過用具有紅外區(qū)域或紫外區(qū) 域的發(fā)光波長的激光照射電阻膜，形成第二電阻膜缺少區(qū)域。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的坐標(biāo)檢測裝置，其中，第一電阻膜缺少 區(qū)域具有其中除去電阻膜的邊緣部分、和其中電阻膜保持在邊緣部分 的內(nèi)側(cè)上的內(nèi)部部分；并且內(nèi)部部分與電阻膜電氣絕緣，并提供在邊 緣部分外側(cè)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的坐標(biāo)檢測裝置，還包括堆積在共用電極 上的導(dǎo)線，使層間絕緣膜插入在它們之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的坐標(biāo)檢測裝置，還包括用來檢測坐標(biāo)位 置的電阻或靜電電容器型坐標(biāo)定位單元。
全文摘要
一種坐標(biāo)檢測裝置包括電阻膜，形成在基片上；和共用電極，形成在電阻膜上，用來將電壓施加到電阻膜上。坐標(biāo)檢測裝置通過將電壓從共用電極施加到電阻膜上而在電阻膜中產(chǎn)生電位分布，并且通過檢測電阻膜接觸位置的電位而檢測電阻膜接觸位置的坐標(biāo)?；烧叫涡螤畹慕^緣體形成。共用電極沿基片的邊緣部分形成。在共用電極下方的電阻膜具有其中電阻膜不存在的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域。其中電阻膜不存在的L形電阻膜缺少區(qū)域提供在基片的一個(gè)或多個(gè)角部中，并且在共用電極的與其中基片中心位于的側(cè)相同的側(cè)上。
文檔編號(hào)G06F3/045GK101582005SQ20091014057
公開日2009年11月18日 申請(qǐng)日期2009年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月15日
發(fā)明者近藤幸一 申請(qǐng)人:富士通電子零件有限公司