專利名稱：Ic標簽的安裝方法
技術領域：
本發(fā)明是涉及IC標簽的安裝方法，該IC標簽具有防止在某種物體 上安裝的IC標簽中記錄的信息被濫用的功能。
背景技術：
IC標簽作為取代條型碼的下一代識別技術受到關注，在以制造、流
通為首的多個領域中有望它的利用。另外，也有望作為即將到來的信息
無處不在的社會的基礎技術。但是，隨著IC標簽使用的發(fā)展，泄露在IC 標簽上所記錄的信息、及更換IC標簽等不法行為很有可能增加。
作為對IC標簽不法使用的防犯技術，己知當揭下粘貼在被安裝物上 的IC標簽就不能再使用的IC標簽結構(參照日本特開2003-346121號公 報)。該IC標簽結構在基板上除了天線和通信電路之外，通過促使層間 剝離的剝離破壞層構成了短路部，基板的表面隔著剝離性保護層由保護 膜覆蓋。當剝?nèi)ド鲜霰Ｗo膜時，由剝離破壞層產(chǎn)生層間剝離而破壞上述 短路部，與保護膜一起被去除，成為通信電路不工作的狀態(tài)。
但是，雖然通過剝離來停止IC標簽的功能，但內(nèi)置存儲信息的存儲 器的IC芯片部分被殘留，因此，有可能從IC芯片盜走記錄在存儲器中 的信息，濫用該IC芯片。在抹去記錄在IC芯片中的信息時，需要利用 讀/寫裝置抹去被記錄的信息、或者通過標志操作使讀取功能停止，但是， 只限于存在相對應的讀/寫裝置的情況，所以提出了對IC芯片進行機械破 壞的IC標簽結構的方案(參照日本特開2000-293658號公報)。
上述IC標簽結構采用如下結構在成為構成IC芯片的半導體基體 電路的面的相反側(cè)形成槽狀的薄壁部，從外部對上述半導體基體施加力時，在上述薄壁部使IC芯片機械破壞。在將具有該IC芯片的IC標簽貼 在被安裝物上時，若施加要剝離IC的力，則IC芯片被機械地破壞，所
以不會讀取記錄在ic芯片上的信息。
但是，隨著IC標簽的微小化發(fā)展，IC芯片也成為一邊小于lmm的 極微小的器件。利用剝離微小的IC芯片等的作用產(chǎn)生的力來從薄壁部使 微小的IC芯片破壞極其困難，在破壞IC標簽的可靠性上有困難。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有的問題，其目的在于提供一種IC標簽的 安裝方法，設置將IC芯片電、或熱破壞的裝置，確實地防止記錄信息的泄漏。
為了達到上述目的，本申請的第1發(fā)明所涉及的IC標簽的安裝方法， 在具有IC芯片及天線的IC標簽的上述IC芯片中，設置對其進行熱破壞
的熱破壞裝置，并且，設置由外力起動后向上述熱破壞裝置傳送破壞信 號的破壞起動裝置，根據(jù)需要使上述破壞起動裝置起動。
根據(jù)上述結構，當安裝在被安裝物上的ic標簽使用完畢時、及進行
了不法處理的情況下，通過從破壞起動裝置對熱破壞裝置傳送破壞信號，
熱破壞裝置溫度上升，構成IC標簽的IC芯片被熱破壞。從而，可以應 付從被安裝物取出IC標簽而濫用它、或者讀出記錄在IC芯片上的信息
的不法行為。
在上述結構中，熱破壞裝置構成為通過施加電流而發(fā)熱的發(fā)熱體， 破壞起動裝置構成為將從電流發(fā)生源輸出的電流作為破壞信號與發(fā)熱體 連接的連接幵閉裝置，這樣當閉合連接開閉裝置，從構成電流發(fā)生源的 電池或其他電源對發(fā)熱體短時間施加電流，則發(fā)熱體溫度上升，熱容量
小的IC芯片被熱破壞。
另外，為了達到上述目的，本申請的第2發(fā)明所涉及的IC標簽的安 裝方法，在具有IC芯片及天線的IC標簽的上述IC芯片中，設置對其內(nèi)
部電路進行電破壞的電破壞裝置，并且，設置向上述電破壞裝置傳送破 壞信號的破壞起動裝置，根據(jù)需要使上述破壞起動裝置起動。
根據(jù)上述結構，當安裝在被安裝物上的ic標簽使用完畢時，和被不法處理的情況下，通過從破壞起動裝置向電破壞裝置傳送破壞信號，構
成IC標簽的IC芯片被電破壞。從而，可以應付從被安裝物上取出IC標 簽而濫它、或讀取記錄在IC芯片上的信息的不法行為。
在上述結構中，電破壞裝置構成為與IC芯片的內(nèi)部電路連接的電壓
施加端子，破壞起動裝置做成輸出高電壓作為破壞信號的高電壓發(fā)生裝 置，這樣可以將從高電壓發(fā)生裝置輸出的高電壓從電壓施加端子施加到
IC芯片的內(nèi)部電路來破壞電路。
另外，電破壞裝置構成為與IC芯片的內(nèi)部電路連接的電壓施加端子，
破壞起動裝置做成產(chǎn)生與內(nèi)部電路要求的電壓正負相反的電壓作為破壞 信號的反電壓發(fā)生裝置，這樣通過從電壓施加端子施加的正負相反電壓
在IC芯片中破壞電路。
本發(fā)明的上述及其以外的目的和特征，若參照以下的詳細說明和附 圖就會更加清楚。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式的電池盒的結構的分解斜視圖。
圖2是表示第1實施方式的IC標簽的結構的俯視圖。
圖3是表示高電壓發(fā)生裝置的結構例的模式圖。
圖4是表示第2實施方式的IC標簽的結構的俯視圖。
具體實施例方式
下面參照圖1 圖4對本發(fā)明的實施方式進行說明。并且，以下所示 的實施方式是將本發(fā)明具體化的1個例子，并不是限定本發(fā)明的技術范 圍。
圖1是表示應用本發(fā)明的第1實施方式所涉及的IC標簽的安裝方法 的電池盒A。電池盒A具有如下結構將二次電池6、構成其保護電路 及控制電路的電路板7收容在接合上殼8和下殼9的盒殼10內(nèi)，在盒殼 10的側(cè)面形成的端子窗l(fā)la向外部露出形成在電路基板電路基板7上的 外部連接端子ll。
在該電池盒A的盒殼10內(nèi)安裝有IC標簽1，在構成IC標簽1的IC芯片上記錄有識別電池盒A的品種的識別信息。電池盒A在其外部連接 端子11上連接以該電池盒A為電池電源進行工作的負載裝置、及對電池 盒A的二次電池6進行充電的充電裝置，所以電池盒A必須構成為電適 合于負載裝置和充電裝置。但是，市場上銷售采用粗劣二次電池等的仿 造電池盒的事件很多，報道了很多由該仿造電池盒產(chǎn)生的故障和事故的 事例。因此，負載裝置和充電裝置需要能夠識別電池盒A是否具有正規(guī) 的結構，在上述IC標簽1上記錄識別信息，當負載裝置或充電裝置連接 電池盒A時，從IC標簽1讀取識別信息，在核對是正規(guī)產(chǎn)品的基礎上才 允許電連接。
另外，電池盒A必須設計制造成使二次電池6和電路基板7適合而 得到預定的性能及可靠性，并且構成為二次電池6及電路基板7不會通 過分解改造而變更。另外，如果不能防止為了生產(chǎn)仿造電池盒而分解電 池盒A后讀取記錄在IC標簽1上的識別信息、或仿造IC標簽1，那么 識別正規(guī)產(chǎn)品的功能就無意義。因此，在本實施方式所涉及的電池盒A 中設有在分解電池盒A那樣的情況下破壞IC標簽1的功能。
如圖2所示，IC標簽1構成為非接觸IC標簽，該非接觸IC標簽包 括構成記錄了識別信息的存儲器等的IC芯片15;及天線16，從作為在 上述負載裝置或充電裝置上設置的識別信息的讀取裝置、或仿造品對策 而構成的讀/寫器接收存取電波，來生成上述IC芯片15的工作功率，并 且將識別信息發(fā)送到讀取裝置或讀/寫器。此外，當對電池盒A進行了分 解等不法處理時，為了對IC芯片15進行電破壞，與IC芯片15內(nèi)部電 路連接而設有破壞電壓施加端子(電破壞裝置)17。該破壞電壓施加端 子17為了與天線16連接，可以是設置在IC芯片15上的天線連接端子。
另外，在盒殼10內(nèi)設置有破壞電壓發(fā)生裝置(破壞起動裝置)18， 該破壞電壓發(fā)生裝置18在上殼8和下殼9之間的接合被剝離分解時、及 要拆下二次電池6或電路基板7的情況下，對上述破壞電壓施加端子17 施加破壞IC芯片15的內(nèi)部電路的電壓。上述破壞電壓發(fā)生裝置18可以 構成為通過施加機械打擊而產(chǎn)生高電壓的壓電元件(高電壓發(fā)生裝置)、 或由二次電池6得到的電壓產(chǎn)生高電壓或反電壓的破壞電壓發(fā)生電路。
圖3是表示高電壓發(fā)生裝置18的結構例，具有壓電元件20、及對其賦予機械打擊的擊打裝置21而構成。壓電元件20最好是PZT (鈦酸鋯 酸鉛)系壓電陶瓷，通過施加機械打擊可以發(fā)生能使火花產(chǎn)生的程度的 高電壓。在本結構的情況下，只是對將微細的電路元件及布線構成為集 成電路的微小IC芯片進行破壞的高電壓即可，僅從擊打裝置21對較小 的壓電元件20施加較小的打擊力就能夠得到足夠破壞內(nèi)部電路的高電 壓。如上所述，擊打裝置21的結構可以如下利用在對上殼8和下殼9 之間的接合進行剝離分解時、及要拆下二次電池6或電路基板7時的破 壞力，解除由彈簧22施力的小錘24的鎖扣23而用小錘24擊打壓電元 件20。由于壓電元件20通過由小錘24的擊打，在正負電極之間產(chǎn)生高 電壓，所以將該高電壓施加到上述破壞電壓施加端子17上。
另外，上述破壞電壓發(fā)生電路可以通過如下的電路結構來實現(xiàn)，艮P， 利用二次電池6的功率來生成可以破壞IC芯片15的內(nèi)部電路的電壓而 施加在破壞電壓施加端子17上的電路結構，或者將與IC芯片15的工作 電壓的正負反電位的反電壓施加在破壞電壓施加端子17的電路結構。由 于該破壞電壓發(fā)生電路可以用短時間的施加電壓來破壞IC芯片15，所以 不會大量消耗二次電池6的功率，但是在IC芯片15被破壞時也是電池 盒A的功能停止的時候，所以如果構成為按原樣施加電池電壓作為反電 壓，則作為電路結構只要從二次電池6與IC芯片15布線連接即可。
圖4表示本發(fā)明的第2實施方式涉及的IC標簽2的結構，與第l實 施方式所示的IC標簽1 一樣構成為非接觸IC標簽，該非接觸IC標簽包 括構成記錄了電池盒A的識別信息的存儲器等的IC芯片25;及天線26， 從作為在上述負載裝置或充電裝置上設置的識別信息的讀取裝置或仿造 品對策而構成的讀/寫器接收存取電波后生成上述IC芯片25工作功率， 并且將識別信息發(fā)送給讀取裝置或讀/寫器。
在上述IC芯片25的表面安裝有發(fā)熱體27，發(fā)熱體27的兩端通過連 接開閉結構(破壞起動裝置)28與構成電池盒A的二次電池6相連接。 連接開閉結構28利用在對上殼8和下殼9之間的接合進行剝離分解時、 及要拆下二次電池6或電路基板7時的破壞力，解除彈簧施力的鎖扣， 閉合二次電池6和發(fā)熱體27間的連接電路。
當連接開閉結構28閉合時，在發(fā)熱體27中流過來自二次電池6的
7電流，所以通過將發(fā)熱體27構成為具有預定的電阻值的電阻發(fā)熱體，流 過由二次電池6的電壓決定的電流，所以發(fā)熱體27發(fā)熱，IC芯片25被 熱破壞。由于可以預定估計可以對IC芯片25進行熱破壞的溫度，所以 通過設定能得到該發(fā)熱溫度的發(fā)熱體27的材質(zhì)、及達到發(fā)熱溫度的電流 值，就可以在短時間內(nèi)破壞IC芯片15。由于IC芯片15被破壞時，也是 電池盒A的功能停止的時候，所以取出二次電池6成為過放電狀態(tài)的電 流也沒有關系。
在以上說明的實施方式中，示出電池盒A作為安裝IC標簽1、 2的 被安裝物的例子，但是，在使用電池電源及AC電源的電設備中，可以 使用由施加電壓或電流產(chǎn)生的IC芯片破壞，在不使用電源的被安裝物的 情況下，可以使用由施加來自壓電元件的高電壓而產(chǎn)生的IC芯片破壞。
根據(jù)以上說明的本發(fā)明，在被安裝物上安裝的IC標簽使用完畢時， 以及分解、改造或拆下IC標簽進行濫用那樣的不法行為時，IC標簽由于 構成它的IC芯片被破壞，所以可以預先防止將IC標簽安裝在其他被安 裝物上惡意使用、以及讀取記錄在IC芯片中的信息的不法行為。
以上說明的本發(fā)明的具體實施方式
，意圖在于明確本發(fā)明的技術內(nèi) 容，而不是限定技術范圍，在以下的權利要求事項所述的范圍內(nèi)可以進 行多種變更來實施。
權利要求
1、一種IC標簽的安裝方法，其特征在于，在具有IC芯片及天線的IC標簽的上述IC芯片中，設置對其進行熱破壞的熱破壞裝置，并且，設置由外力起動后向上述熱破壞裝置傳送破壞信號的破壞起動裝置，根據(jù)需要使上述破壞起動裝置起動。
2、 如權利要求1所述的IC標簽的安裝方法，其特征在于， 熱破壞裝置是通過施加電流而發(fā)熱的發(fā)熱體，破壞起動裝置是將從電流發(fā)生源輸出的電流作為破壞信號、與發(fā)熱體連接的連接開閉裝置。
全文摘要
本發(fā)明的IC標簽的安裝方法，在構成IC標簽的IC芯片中與其內(nèi)部電路連接設置電壓施加端子，在進行不法處理時通過將高電壓或反電壓施加到電壓施加端子上，對IC芯片進行電破壞，這樣防止安裝在被安裝物上的IC標簽在使用完畢后、拆下后濫用。
文檔編號G06K19/073GK101661566SQ200910176378
公開日2010年3月3日 申請日期2006年6月7日 優(yōu)先權日2005年6月7日
發(fā)明者原口和典, 大尾文夫 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社