專利名稱：資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法及裝置、存儲設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及資料儲存型閃存(NAND Flash)，特別涉及一種資料儲存型閃存的數(shù)據(jù) 更新方法及裝置、存儲設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著U盤、數(shù)碼相機、mp3音樂播放器等移動設(shè)備的廣泛應(yīng)用，閃存(FLASH)存儲 器已經(jīng)逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中主要數(shù)據(jù)和程序的載體。NAND FLASH是一種可在線多次擦除的非易失性存儲器，其結(jié)構(gòu)提供了極高的單元密度，可以達到 數(shù)據(jù)的高密度存儲，并且寫入和擦除的速度也很快，所以NAND FLASH是高密度數(shù)據(jù)存儲的 理想解決方案。 和磁盤類似，NAND Flash讀寫數(shù)據(jù)的基本粒度為頁(page)。此外，F(xiàn)lash不允許數(shù) 據(jù)的直接覆蓋寫，必須首先擦除舊有數(shù)據(jù)才能寫入新的，而擦除的粒度為塊(block)，通常 一個塊包含有64個頁。NAND Flash的寫入機制不像其它的FLASH器件，NAND Flash要求 在寫入數(shù)據(jù)時，首先必須進行數(shù)據(jù)的擦除。因此我們在寫數(shù)據(jù)的時候，先把將要被寫入的數(shù) 據(jù)塊的內(nèi)容讀出到塊緩存，然后再把要寫入NAND Flash的數(shù)據(jù)以頁為單位的形式寫入塊緩 存(Block Buffer)中的對應(yīng)地址。接著把以前存放數(shù)據(jù)的塊進行擦除操作，最后把更新的 數(shù)據(jù)寫到NAND Flash去。經(jīng)過這一系列的操作，實現(xiàn)了 NAND Flash數(shù)據(jù)的邏輯寫入。NAND Flash還有一種有操作，叫做copyback，當(dāng)某個頁的數(shù)據(jù)需要被復(fù)制到新的位置時，只需將 其讀取到塊緩存中，然后根據(jù)接收到的目標(biāo)地址將該頁的數(shù)據(jù)寫入到NAND Flash上新的位 置。而一般情況下NAND數(shù)據(jù)的寫入地址并不連續(xù)(通常情況下NAND Flash的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)包 括文件分配表(FAT， File Allocation Table)、文件目錄表(FDT， FileDirectory Table) 以及數(shù)據(jù)(DATA)區(qū)，三種數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)分別存儲FAT、 FDT以及DATA數(shù)據(jù)，圖1示出了現(xiàn)有的 NAND Flash寫操作的具體流程 步驟S10，將舊塊BOLCKA的上部分?jǐn)?shù)據(jù)復(fù)制(copy)到新塊BLOCKA'中；
步驟Sll，將從外部接收的對舊塊BLOCKA的更新數(shù)據(jù)寫入到新塊BLOCKA'中；
步驟S12，保存當(dāng)前存儲位置； 步驟S13，如果下次接收的數(shù)據(jù)的存儲地址與當(dāng)前保存地址連續(xù)，接著保存位置進 行存儲；如果數(shù)據(jù)地址不連續(xù)，將舊塊BOLCKA的下部分?jǐn)?shù)據(jù)copy到新塊BLOCKA'中；后重 復(fù)執(zhí)行步驟S10-S13。 由上述的流程可知，現(xiàn)有技術(shù)中由于NAND Flash接收數(shù)據(jù)的寫地址隨時發(fā)生變 化，使每次從USB接口接收到數(shù)據(jù)需對NAND Flash進行更新時，寫操作都需要先經(jīng)歷從舊 塊到新塊的copy操作之后，才能向新塊寫入更新后的數(shù)據(jù)，增加了對NAND Flash進行寫與 擦除的操作的次數(shù)，減少了 NAND Flash的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為提供一種資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法及裝置、存儲設(shè)備，可
4以減少對NAND Flash進行寫與擦除的操作的次數(shù)。 本發(fā)明提供一種資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法，包括步驟 接收更新數(shù)據(jù)； 判斷所述更新數(shù)據(jù)需寫入的地址是否與前一次寫操作的存儲地址連續(xù)； 如果所述更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址連續(xù)，緊接所述存儲
地址寫入所述更新數(shù)據(jù)； 如果所述更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址不連續(xù)，判斷所述更 新數(shù)據(jù)的長度是否大于預(yù)設(shè)值；如果所述更新數(shù)據(jù)的長度大于所述預(yù)設(shè)值，將前一次寫操 作所執(zhí)行塊中的下半部分以及上半部分?jǐn)?shù)據(jù)復(fù)制到所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊中，將所述 更新數(shù)據(jù)寫入所述新塊；如果所述更新數(shù)據(jù)的長度小于或等于所述預(yù)設(shè)值，將所述更新數(shù) 據(jù)寫入資料儲存型閃存中用于暫存數(shù)據(jù)的緩存塊，所述緩存塊與至少一個邏輯塊對應(yīng)，所 述緩存塊所包括的頁與所述邏輯塊所包括的頁對應(yīng)。 優(yōu)選的，所述將所述更新數(shù)據(jù)寫入資料儲存型閃存中用于暫存數(shù)據(jù)的緩存塊具體 包括步驟 為所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配緩存塊；
將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述緩存塊。
優(yōu)選的，為所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配緩存塊前進一步包括
判斷是否有與所述新快對應(yīng)的緩存塊； 如果沒有與所述新快對應(yīng)的緩存塊，執(zhí)行所述為所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配 緩存塊的步驟； 如果有與所述新快對應(yīng)的緩存塊，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述與所述新快對應(yīng)的緩 存塊。 優(yōu)選的，如果有與所述新快對應(yīng)的緩存塊，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述與所述新快 對應(yīng)的緩存塊前進一步包括 判斷所述與所述新快對應(yīng)的緩存塊是否有足夠的空間； 如果有足夠的空間，執(zhí)行所述將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述與所述新快對應(yīng)的緩存塊 的步驟； 如果沒有足夠的空間，選擇一個緩存塊進行回收，回收后為所述新快分配新緩存 塊，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述新緩存塊。 優(yōu)選的，所述為所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配緩存塊具體包括步驟
判斷是否有未使用的緩存塊； 如果有未使用的緩存塊，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述未使用的緩存塊； 如果沒有未使用的緩存塊，選擇一個緩存塊進行回收，回收后為所述新快分配新
緩存塊，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述新緩存塊。 優(yōu)選的，所述選擇一個緩存塊進行回收具體包括步驟
判斷是否有長時間未使用的緩存塊； 如果有長時間未使用的緩存塊，對所述長時間未使用的緩存塊進行回收。
優(yōu)選的，如果沒有長時間未使用的緩存塊，該方法還包括
獲取各個緩存塊的使用情況；
根據(jù)所述各個緩存塊的使用情況選擇一個緩存塊并回收。 優(yōu)選的，所述緩存塊的使用情況包括 緩存塊的使用頁數(shù)、對應(yīng)關(guān)系、對應(yīng)塊數(shù)。 本發(fā)明提供一種資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新裝置，包括 接收單元，用于接收更新數(shù)據(jù)； 判斷單元，用于判斷所述接收單元接收的更新數(shù)據(jù)需寫入的地址是否與前一次寫 操作的存儲地址連續(xù)；如果所述更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址不連 續(xù)，判斷所述更新數(shù)據(jù)的長度是否大于預(yù)設(shè)值； 寫單元，用于在所述判斷單元判斷更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲 地址連續(xù)時，緊接所述存儲地址寫入所述更新數(shù)據(jù)；在所述判斷單元判斷更新數(shù)據(jù)的長度 大于所述預(yù)設(shè)值是，將前一次寫操作所執(zhí)行塊中的下半部分以及上半部分?jǐn)?shù)據(jù)復(fù)制到所述 更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊中，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述新塊；在所述判斷單元判斷所述更新 數(shù)據(jù)的長度小于或等于所述預(yù)設(shè)值，將所述更新數(shù)據(jù)寫入資料儲存型閃存中用于暫存數(shù)據(jù) 的緩存塊，所述緩存塊與至少一個邏輯塊對應(yīng)，所述緩存塊所包括的頁與所述邏輯塊所包 括的頁對應(yīng)。 優(yōu)選的，所述寫單元包括 分配單元，用于為所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配緩存塊； 寫操作單元，用于將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述分配單元分配的緩存塊。 優(yōu)選的，所述分配單元包括 緩存塊回收單元，用于在沒有未使用的緩存塊和與所述更新數(shù)據(jù)所需寫入的新快 對應(yīng)的緩存塊沒有足夠的空間時，選擇一個緩存塊進行回收； 緩存塊分配單元，用于在所述緩存塊回收單元選擇一個緩存塊進行回收后為所述 新快分配新緩存塊。 本發(fā)明提供一種存儲設(shè)備，包括資料儲存型閃存和本發(fā)明提供的資料儲存型閃存 的數(shù)據(jù)更新裝置。 本發(fā)明所述瀏覽器歷史記錄的整理方法、裝置以及瀏覽器，在更新數(shù)據(jù)小于預(yù)設(shè) 值時，可以將更新數(shù)據(jù)寫入NAND Flash中用于暫存數(shù)據(jù)的Cache塊，從而在更新數(shù)據(jù)小于 預(yù)設(shè)值時，可以減少對NAND Flash進行寫與擦除的操作的次數(shù)，提高NAND Flash的使用壽


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中NAND Flash的數(shù)據(jù)更新方法流程示意圖； 圖2是本發(fā)明NAND Flash的數(shù)據(jù)更新方法的流程示意圖； 圖3是本發(fā)明Cache塊與Logic塊關(guān)系示意圖； 圖4是本發(fā)明NAND Flash的數(shù)據(jù)更新裝置實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5是本發(fā)明NAND Flash的數(shù)據(jù)更新裝置實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6是本發(fā)明NAND Flash的數(shù)據(jù)更新裝置實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。 本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進一步說明。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了NAND Flash的數(shù)據(jù)更新方法及裝置、存儲設(shè)備，可以減少對NAND
Flash進行寫與擦除的操作的次數(shù)，從而提高NAND Flash的使用壽命。 先介紹本發(fā)明提供的NAND Flash的數(shù)據(jù)更新方法，圖2描述了 NANDFlash的數(shù)據(jù)
更新方法實施例一的流程，包括 步驟s21、接收更新數(shù)據(jù)； 可以通過通用串行總線(USB Universal Serial Bus)接口或其他接口接收更新 數(shù)據(jù)； 步驟s22、判斷更新數(shù)據(jù)需寫入的地址是否與前一次寫操作的存儲地址連續(xù)；如 果更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址連續(xù)，進入步驟s23 ;如果更新數(shù)據(jù) 需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址不連續(xù)，進入步驟s24 ;
步驟s23、緊接存儲地址寫入更新數(shù)據(jù)； 緊接存儲地址寫入更新數(shù)據(jù)后，保存寫入更新數(shù)據(jù)后的存儲地址，等待下一次更 新數(shù)據(jù)； 步驟s24、判斷更新數(shù)據(jù)的長度是否大于預(yù)設(shè)值；如果更新數(shù)據(jù)的長度大于預(yù)設(shè) 值，進入s25 ;如果更新數(shù)據(jù)的長度小于或等于預(yù)設(shè)值，進入s26 ; 預(yù)設(shè)值可以根據(jù)不同的nand flash的規(guī)格進行設(shè)置，例如可以設(shè)置為0x10。
步驟s25、將前一次寫操作所執(zhí)行塊中的下半部分以及上半部分?jǐn)?shù)據(jù)復(fù)制到更新 數(shù)據(jù)需寫入的新塊中，將更新數(shù)據(jù)寫入新塊； 步驟s26、將更新數(shù)據(jù)寫入NAND Flash中用于暫存數(shù)據(jù)的緩存(Cache)塊。
在本發(fā)明的一個實施例中，步驟s26具體可以包括為更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分 配Cache塊；將更新數(shù)據(jù)寫入Cache塊。 將更新數(shù)據(jù)寫入Cache塊后，恢復(fù)保存位置的存儲地址，，等待下一次更新數(shù)據(jù)；
其中，在為更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配Cache塊前可以進一步包括判斷是否有 與新塊對應(yīng)的Cache塊；如果沒有與新塊對應(yīng)的Cache塊，才執(zhí)行為更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊 分配Cache塊的步驟；如果有與新塊對應(yīng)的Cache塊，且與新塊對應(yīng)的Cache塊有足夠的空 間，才將更新數(shù)據(jù)寫入與新塊對應(yīng)的Cache塊，否則需要選擇一個Cache塊進行回收，回收 后為新塊分配新Cache塊，然后將更新數(shù)據(jù)寫入新Cache塊。 其中，為更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配Cache塊具體包括步驟判斷是否有未使用 的Cache塊；如果有未使用的Cache塊，將則更新數(shù)據(jù)寫入未使用的Cache塊；如果沒有未 使用的Cache塊，選擇一個Cache塊進行回收，回收后為新塊分配新Cache塊，將更新數(shù)據(jù) 寫入新Cache塊。 從上可知，本實施例在更新數(shù)據(jù)小于預(yù)設(shè)值時，可以將更新數(shù)據(jù)寫入NAND Flash 中用于暫存數(shù)據(jù)的Cache塊，從而在更新數(shù)據(jù)小于預(yù)設(shè)值時，可以減少對NAND Flash進行 寫與擦除的操作的次數(shù)，提高NAND Flash的使用壽命。 其中，本發(fā)明實施例中Cache塊與至少一個邏輯塊對應(yīng)，Cache塊所包括的頁與 邏輯塊所包括的頁對應(yīng)，本發(fā)明提供的一種緩存塊與邏輯(Logic)塊的對應(yīng)關(guān)系如圖3所 示Cache塊與Logic塊A和Logic塊B對應(yīng)，Logic塊A包括A塊頁1和A塊頁30，Logic塊B包括B塊頁1、B塊頁2和B塊頁3 ;Logic塊A和Logic塊B所包括的頁與Cache 塊所包括的頁對應(yīng)。本來寫的數(shù)據(jù)應(yīng)該寫在Logic塊A和Logic塊B當(dāng)中，但是引入Cache 塊管理后寫小數(shù)據(jù)實際寫入Cache塊中，本來寫的數(shù)據(jù)應(yīng)該寫在LogicB塊中，實際寫在 Cache塊中。 為了對Cache進行管理，需要限制一個Cache塊最大能記錄Logic塊，在Cache塊 與Logic塊的對應(yīng)關(guān)系不夠時，需要回收Logic塊A?；厥盏倪^程如下，Logic塊A與Cache 塊中屬于Logic塊A的內(nèi)容合并到一個新Logic塊Al，回收后，Cache塊中對Logic塊A中 頁的對應(yīng)關(guān)系是無效的，所以可以不管理Cache塊中對應(yīng)Logic塊A的部分，因為在邏輯上 Logic塊A的頁已經(jīng)回收到了 Logic塊A1中，即在Cache塊物理不回收，形成邏輯上回收而 物理上不回收，Cache塊中未使用的頁可以接著分配給其它的Logic塊繼續(xù)使用；只有當(dāng)用 完了個整個Cache塊的所有頁時，需要對Cache塊中對應(yīng)的所有Logic塊進行回收后，才做 物理上的擦除回收Cache塊所包括的頁。從而減少Logic塊需要回收的操作的次數(shù)。
本發(fā)明實施例中，可以采用如下準(zhǔn)則選擇一個緩存塊進行回收優(yōu)先選擇長時間 未使用的緩存塊，其中多長時間可以回收可以根據(jù)需要進行設(shè)置。在沒有長時間未使用的 緩存塊時，則獲取各個Cache塊的使用情況后，根據(jù)所述各個Cache塊的使用情況選擇一個 Cache塊并回收，具體可以獲取各個緩存塊的使用頁數(shù)、對應(yīng)關(guān)系、對應(yīng)塊數(shù)等信息。
再介紹本發(fā)明實施例提供的NAND Flash的數(shù)據(jù)更新裝置，圖4描述了 NAND Flash
的數(shù)據(jù)更新裝置實施例一的結(jié)構(gòu)，包括
接收單元401，用于接收更新數(shù)據(jù)； 判斷單元402，用于判斷接收單元401接收的更新數(shù)據(jù)需寫入的地址是否與前一 次寫操作的存儲地址連續(xù)；如果更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址不連 續(xù)，判斷更新數(shù)據(jù)的長度是否大于預(yù)設(shè)值； 寫單元403，用于在判斷單元402判斷更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的 存儲地址連續(xù)時，緊接存儲地址寫入更新數(shù)據(jù)；在判斷單元402判斷更新數(shù)據(jù)的長度大于 預(yù)設(shè)值時，將前一次寫操作所執(zhí)行塊中的下半部分以及上半部分?jǐn)?shù)據(jù)復(fù)制到更新數(shù)據(jù)需寫 入的新塊中，將更新數(shù)據(jù)寫入新塊；在判斷單元402判斷更新數(shù)據(jù)的長度小于或等于預(yù)設(shè) 值時，將更新數(shù)據(jù)寫入NANDFlash中用于暫存數(shù)據(jù)的Cache塊，Cache塊與至少一個邏輯塊 對應(yīng)，Cache塊所包括的頁與邏輯塊所包括的頁對應(yīng)。 從上可知，本實施例在更新數(shù)據(jù)小于預(yù)設(shè)值時，可以將更新數(shù)據(jù)寫入NAND Flash 中用于暫存數(shù)據(jù)的Cache塊，從而在更新數(shù)據(jù)小于預(yù)設(shè)值時，可以減少對NAND Flash進行 寫與擦除的操作的次數(shù)，提高NAND Flash的使用壽命。 圖5描述了本發(fā)明數(shù)據(jù)更新裝置實施例二的結(jié)構(gòu)，與數(shù)據(jù)更新裝置實施例一的不 同之處在于寫單元403包括分配單元4031，用于為更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配Cache塊； 寫操作單元4032，用于將更新數(shù)據(jù)寫入分配單元4031分配的Cache塊。
圖6描述了本發(fā)明數(shù)據(jù)更新裝置實施例三的結(jié)構(gòu)，與數(shù)據(jù)更新裝置實施例二的不 同之處在于分配單元4031包括Cache塊回收單元40311，用于在沒有未使用的Cache塊和 與更新數(shù)據(jù)所需寫入的新塊對應(yīng)的Cache塊沒有足夠的空間時，選擇一個Cache塊進行回 收；Cache塊分配單元40312，用于在Cache i央回收單元40311選擇一個Cache i央進行回收 后為新塊分配新Cache塊。
本發(fā)明還提供了存儲裝置，該存儲裝置包括NAND Flash和本發(fā)明提供的NAND Flash的數(shù)據(jù)更新裝置。 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用 本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān) 的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，包括步驟接收更新數(shù)據(jù)；判斷所述更新數(shù)據(jù)需寫入的地址是否與前一次寫操作的存儲地址連續(xù)；如果所述更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址連續(xù)，緊接所述存儲地址寫入所述更新數(shù)據(jù)；如果所述更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址不連續(xù)，判斷所述更新數(shù)據(jù)的長度是否大于預(yù)設(shè)值；如果所述更新數(shù)據(jù)的長度大于所述預(yù)設(shè)值，將前一次寫操作所執(zhí)行塊中的下半部分以及上半部分?jǐn)?shù)據(jù)復(fù)制到所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊中，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述新塊；如果所述更新數(shù)據(jù)的長度小于或等于所述預(yù)設(shè)值，將所述更新數(shù)據(jù)寫入資料儲存型閃存中用于暫存數(shù)據(jù)的緩存塊，所述緩存塊與至少一個邏輯塊對應(yīng)，所述緩存塊所包括的頁與所述邏輯塊所包括的頁對應(yīng)。
2. 如權(quán)利要求1所述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，所述將所述更 新數(shù)據(jù)寫入資料儲存型閃存中用于暫存數(shù)據(jù)的緩存塊具體包括步驟為所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配緩存塊； 將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述緩存塊。
3. 如權(quán)利要求2所述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，為所述更新數(shù) 據(jù)需寫入的新塊分配緩存塊前進一步包括判斷是否有與所述新快對應(yīng)的緩存塊；如果沒有與所述新快對應(yīng)的緩存塊，執(zhí)行所述為所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配緩存 塊的步驟；如果有與所述新快對應(yīng)的緩存塊，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述與所述新快對應(yīng)的緩存塊。
4. 如權(quán)利要求3所述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，如果有與所述 新快對應(yīng)的緩存塊，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述與所述新快對應(yīng)的緩存塊前進一步包括判斷所述與所述新快對應(yīng)的緩存塊是否有足夠的空間；如果有足夠的空間，執(zhí)行所述將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述與所述新快對應(yīng)的緩存塊的步驟；如果沒有足夠的空間，選擇一個緩存塊進行回收，回收后為所述新快分配新緩存塊，將 所述更新數(shù)據(jù)寫入所述新緩存塊。
5. 如權(quán)利要求2所述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，所述為所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配緩存塊具體包括步驟 判斷是否有未使用的緩存塊；如果有未使用的緩存塊，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述未使用的緩存塊； 如果沒有未使用的緩存塊，選擇一個緩存塊進行回收，回收后為所述新快分配新緩存 塊，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述新緩存塊。
6. 如權(quán)利要求4或5所述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，所述選擇一 個緩存塊進行回收具體包括步驟判斷是否有長時間未使用的緩存塊；如果有長時間未使用的緩存塊，對所述長時間未使用的緩存塊進行回收。
7. 如權(quán)利要求6所述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，如果沒有長時間未使用的緩存塊，該方法還包括 獲取各個緩存塊的使用情況；根據(jù)所述各個緩存塊的使用情況選擇一個緩存塊并回收。
8. 如權(quán)利要求7所述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法，其特征在于，所述緩存塊的 使用情況包括緩存塊的使用頁數(shù)、對應(yīng)關(guān)系、對應(yīng)塊數(shù)。
9. 一種資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新裝置，其特征在于，包括 接收單元，用于接收更新數(shù)據(jù)；判斷單元，用于判斷所述接收單元接收的更新數(shù)據(jù)需寫入的地址是否與前一次寫操作 的存儲地址連續(xù)；如果所述更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址不連續(xù)，判 斷所述更新數(shù)據(jù)的長度是否大于預(yù)設(shè)值；寫單元，用于在所述判斷單元判斷更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址 連續(xù)時，緊接所述存儲地址寫入所述更新數(shù)據(jù)；在所述判斷單元判斷更新數(shù)據(jù)的長度大于 所述預(yù)設(shè)值是，將前一次寫操作所執(zhí)行塊中的下半部分以及上半部分?jǐn)?shù)據(jù)復(fù)制到所述更新 數(shù)據(jù)需寫入的新塊中，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述新塊；在所述判斷單元判斷所述更新數(shù)據(jù) 的長度小于或等于所述預(yù)設(shè)值，將所述更新數(shù)據(jù)寫入資料儲存型閃存中用于暫存數(shù)據(jù)的緩 存塊，所述緩存塊與至少一個邏輯塊對應(yīng)，所述緩存塊所包括的頁與所述邏輯塊所包括的 頁對應(yīng)。
10. 如權(quán)利要求9所述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新裝置，其特征在于，所述寫單元包括分配單元，用于為所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊分配緩存塊； 寫操作單元，用于將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述分配單元分配的緩存塊。
11. 如權(quán)利要求io所述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新裝置，其特征在于，所述分配單元包括緩存塊回收單元，用于在沒有未使用的緩存塊和與所述更新數(shù)據(jù)所需寫入的新快對應(yīng) 的緩存塊沒有足夠的空間時，選擇一個緩存塊進行回收；緩存塊分配單元，用于在所述緩存塊回收單元選擇一個緩存塊進行回收后為所述新快 分配新緩存塊。
12. —種存儲設(shè)備，包括資料儲存型閃存，其特征在于，包括如權(quán)利要求9至11任一所 述的資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及NAND Flash，公開了資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法及裝置、存儲設(shè)備。所述資料儲存型閃存的數(shù)據(jù)更新方法包括步驟接收更新數(shù)據(jù)；如果所述更新數(shù)據(jù)需寫入的地址與前一次寫操作的存儲地址連續(xù)，緊接所述存儲地址寫入所述更新數(shù)據(jù)；反之判斷所述更新數(shù)據(jù)的長度是否大于預(yù)設(shè)值；如果所述更新數(shù)據(jù)的長度大于所述預(yù)設(shè)值，將前一次寫操作所執(zhí)行塊中的下半部分以及上半部分?jǐn)?shù)據(jù)復(fù)制到所述更新數(shù)據(jù)需寫入的新塊中，將所述更新數(shù)據(jù)寫入所述新塊；反之將所述更新數(shù)據(jù)寫入資料儲存型閃存中用于暫存數(shù)據(jù)的緩存塊，所述緩存塊與至少一個邏輯塊對應(yīng)，所述緩存塊所包括的頁與所述邏輯塊所包括的頁對應(yīng)?？梢詼p少對NAND Flash進行寫與擦除的操作的次數(shù)。
文檔編號G06F12/08GK101794257SQ20091018925
公開日2010年8月4日 申請日期2009年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月22日
發(fā)明者張彥偉, 成曉華, 李發(fā)生, 羅勝 申請人:深圳市硅格半導(dǎo)體有限公司