專利名稱：多通道Nandflash控制器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種大容量Nandflash (與非型閃存)存儲設備，特別是涉及一種多通 道Nandflash控制器。
背景技術：
Nandflash存儲器在最近幾年里得到了突飛猛進的發(fā)展，由1位/單元的技術發(fā) 展到了 2位/單元甚至3位/單元的技術，同時Nandflash存儲器的生產工藝也不斷進步。 隨著技術的發(fā)展，Nandflash存儲器容量不斷增大，單位容量的成本也大幅降低。Nandflash存儲器相對于磁存儲介質有省電、尋道時間短等優(yōu)點，因此被當作替代 現(xiàn)有磁存儲介質的最佳選擇。Nandflash存儲器目前主要應用于U盤、MP3、MP4、數(shù)碼相機 等領域，這類應用需要的數(shù)據(jù)傳輸帶寬都不是很大，單通道Nandflash控制器的數(shù)據(jù)傳輸 帶寬就能滿足應用。但是當Nandflash存儲器應用于固態(tài)存儲盤(SSD)以替代傳統(tǒng)硬盤的 時候，單通道Nandflash控制器的數(shù)據(jù)傳輸帶寬就不能滿足需求了?，F(xiàn)有的SSD解決方案 都采用增加Nandflash控制器的通道數(shù)來增加SSD的數(shù)據(jù)傳輸帶寬。隨著Nandflash控制器上連接的Nandflash存儲器越來越多，其管腳數(shù)量也越來 越多。在有些情況下，管腳數(shù)量已成為決定Nandflash控制器芯片面積的重要因素。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種多通道Nandflash控制器，能夠對 Nandflash存儲器的片使能信號CE#先進行編碼后進行譯碼，有效減少多通道Nandf lash控 制器的管腳數(shù)量。為解決上述技術問題，本發(fā)明的多通道Nandflash控制器包括微控制器，負責對片使能信號CE#進行編碼；寄存器，其輸入端與微控制器相連接，輸出端直接連接到Nandflash控制器芯片 的管腳端，用于寄存已編碼片使能信號；譯碼器，與寄存器相連接，用于對已編碼片使能信號進行譯碼；多個反相器，其輸入端分別連接在所述譯碼器的輸出端，其輸出端分別連接到相 應Nandflash存儲器的片使能信號輸入端，負責對譯碼器的輸出進行取反。采用本發(fā)明的多通道Nandflash控制器，充分利用多通道Nandflash控制器存 儲架構中每個通道最多只有一片Nandflash存儲器被選中的特性，對每個通道的多個 Nandflash存儲器片使能信號CE#進行編碼，有效地降低了整個芯片的管腳數(shù)量。


下面結合附圖與具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明圖1是本發(fā)明的一實施例結構圖；圖2是本發(fā)明的另一實施例結構圖。
具體實施例方式參見圖1所示，在一個具體實施例中，所述多通道Nandflash控制器6芯片外部連 接8個Nandflash存儲器5。每個Nandflash存儲器5均有自己獨立的片使能信號CE#和 就緒/忙信號R/B#,其它信號則8個Nandflash存儲器5共享。采用這種連接方案，在任一 時刻，最多只有一片Nandflash存儲器5被選中。在Nandflash控制器6芯片內，片使能信號CE#的選擇由微控制器1通過對寄存 器2寫4位寬的已編碼片使能信號CE來實現(xiàn)。在Nandflash控制器6芯片外，通過一個4_16位的譯碼器3和8個反相器4實現(xiàn) 對已編碼片使能信號CE的譯碼。在多通道Nandflash控制器6芯片內對片使能信號CE#進行編碼時，對于每個通 道，若片使能信號CE#信號數(shù)量大于等于2"-1但小于2n(n為大于等于1的整數(shù))，則其可以 編碼為η位寬的新已編碼片使能信號CE[n-l:0]。在多通道Nandflash控制器6芯片外對經過編碼的新已編碼片使能信號 CE[n-l:0]進行譯碼時，需要在芯片外采用一個η到2η的譯碼器；因為CE#是低有效的信 號，CE[n-l:0]在經過譯碼后，還需要進行反相，才能連接到Nandflash存儲器5上。表1說明了 CE[3:0]和片使能信號CE#的對應關系。表1
CE[3:0]CEOttCElttCE2#CE3#CE4#CE5#CE6#CE7#'h001111111‘hi10111111'h211011111'h311101111'h411110111'h511111011'h611111101'h711111110其它值11111111 結合圖2所示。在實際應用中，當多通道Nandflash控制器6每個通道上連接的片 使能信號CE#不大于CE的位數(shù)時，例如圖1所示的Nandflash控制器6連接的Nandflash 存儲器5數(shù)量不大于4，可以不對片使能信號CE#進行先編碼后譯碼的處理，CE[3:0]可以 直接連接到Nandflash存儲器5的片使能信號CE#輸入端上，以簡化多通道Nandflash控制器6和Nandflash存儲器5的連接。表2表示了圖2所示連接方案中，CE[3:0]和片使能信號CE#的對應關系。表權利要求
1.一種多通道Nandflash控制器，其特征在于，包括 微控制器，負責對片使能信號CE#進行編碼；寄存器，其輸入端與微控制器相連接，輸出端直接連接到Nandflash控制器芯片的管 腳端，用于寄存已編碼片使能信號；譯碼器，與寄存器相連接，用于對已編碼片使能信號進行譯碼； 多個反相器，其輸入端分別連接在所述譯碼器的輸出端，其輸出端分別連接到相應 Nandflash存儲器的片使能信號輸入端，負責對譯碼器的輸出進行取反。
2.如權利要求1所述的多通道Nandflash控制器，其特征在于若片使能信號CE#信 號數(shù)量大于等于2114但小于2n，則編碼為η位寬的已編碼片使能信號，其中，η為大于等于1 的整數(shù)；在Nandflash控制器芯片內，片使能信號CE#的選擇由微控制器通過對寄存器寫η 位寬的已編碼片使能信號來實現(xiàn)。
3.如權利要求1所述的多通道Nandflash控制器，其特征在于在Nandflash控制器 芯片外對已編碼片使能信號進行譯碼時，需要在芯片外采用一個η到2η位的譯碼器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多通道Nandflash控制器，包括微控制器，負責對片使能信號CE#進行編碼；寄存器，其輸入端與微控制器相連接，輸出端直接連接到Nandflash控制器芯片的管腳端，用于寄存已編碼片使能信號；譯碼器，與寄存器相連接，用于對已編碼片使能信號進行譯碼；多個反相器，其輸入端分別連接在所述譯碼器的輸出端，其輸出端分別連接到相應Nandflash存儲器的片使能信號輸入端，負責對譯碼器的輸出進行取反。本發(fā)明能夠對Nandflash存儲器的片使能信號CE#先進行編碼后進行譯碼，有效減少多通道Nandflash控制器的管腳數(shù)量。
文檔編號G06F13/20GK102087636SQ200910201899
公開日2011年6月8日 申請日期2009年12月8日 優(yōu)先權日2009年12月8日
發(fā)明者遲志剛 申請人:上海華虹集成電路有限責任公司