專利名稱：集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于集成電路的檢查方法與其裝置，尤其是關(guān)于集成電路的天線效應(yīng)的 檢查方法及其裝置。
背景技術(shù)：
集成電路制造技術(shù)的不斷進(jìn)步使得集成電路芯片的最小尺寸也一直下降。然于， 在此縮小芯片尺寸趨勢(shì)的物理設(shè)計(jì)中，更需要考慮制造能力(manufacturability)對(duì)集成 電路芯片所造成合格率(yield)和可靠性(reliability)的影響。為達(dá)到縮小芯片尺寸的 目的，現(xiàn)今集成電路芯片的制程多依賴以等離子為基礎(chǔ)的制程。然而，所述以等離子為基 礎(chǔ)的制程會(huì)使集成電路芯片的各層金屬層累積電荷，進(jìn)而造成集成電路芯片內(nèi)各元件的損 傷，如此效應(yīng)稱的為等離子引起的柵極氧化物損傷(plasma-induced gateoxide damage), 或簡(jiǎn)稱為天線效應(yīng)(antenna effect)。圖1顯示一集成電路芯片的局部剖面圖。如圖1所示，所述集成電路芯片100包 含一第一柵極102及一第二柵極104。所述第一柵極102是經(jīng)由一第一層金屬層連線Ml及 一第二層金屬層連線M2連接至所述第二柵極104。在所述集成電路芯片100的制程過(guò)程 中，所述集成電路芯片100的各層金屬層是由下往上逐層構(gòu)建。在所述金屬層的構(gòu)建過(guò)程 中，各尚未連接的金屬層連線是如同電容般作用。換言之，所述尚未連接的金屬層連線在其 制程過(guò)程中累積電荷。所述累積電荷會(huì)于稍后的制程過(guò)程中釋放。然而，所述累積電荷的 釋放將會(huì)對(duì)所述集成電路芯片100的元件造成損傷。若所述制程過(guò)程為蝕刻制程，則所述 損傷是正比于所述尚未連接的金屬層連線的周長(zhǎng)。若所述制程過(guò)程為拋光制程，則所述損 傷是正比于所述尚未連接的金屬層連線的面積。圖2顯示所述集成電路芯片100于構(gòu)建完所述第一層金屬層連線Ml的局部剖面 圖。如圖2所示，所述連接于所述第二柵極104的第一層金屬層連線Ml會(huì)累積電荷，且所 述累積的電荷若超過(guò)一臨界值，會(huì)對(duì)所述第二柵極104造成損傷，其中所述損傷稱的為柵 極氧化物崩潰，亦即為所述第二柵極104的崩潰所造成的損傷。根據(jù)所述集成電路芯片100 的制程，所述損傷是正比于所述第一層金屬層連線Ml的面積除以所述第二柵極104的柵極 面積。據(jù)此，集成電路芯片的制程亦發(fā)展出各種方式克服天線效應(yīng)。其中一種方式為將 過(guò)長(zhǎng)的金屬層連線打斷，并經(jīng)由一跨接線(jumper)及上層金屬層連接所述打斷的金屬層 連線。因此，此方法可減少所述尚未連接的金屬層連線的周長(zhǎng)或面積。另一種方法為增加 二極管以保護(hù)所述可能遭受損傷的元件。又一種方法為調(diào)換所述金屬層的順序以減低可能 遭受損傷的元件。除了積極的在集成電路芯片的制程過(guò)程以各種方法克服天線效應(yīng)。在集成電路芯 片的驗(yàn)證階段亦包含檢查所述集成電路芯片是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則的步驟。此處的 天線效應(yīng)檢查規(guī)則是代表若不符合所述天線效應(yīng)檢查規(guī)則，則所述集成電路的天線效應(yīng)可 能會(huì)對(duì)其元件造成損傷。圖3顯示現(xiàn)有的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法的流程圖。在步驟302，計(jì)算一集成電路的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各元件所造成的天線效應(yīng)值， 并進(jìn)入步驟304。在步驟304，針對(duì)每一金屬層的各節(jié)點(diǎn)檢查其對(duì)所述集成電路的各元件是 否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。根據(jù)圖3所示的現(xiàn)有的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法，在檢查每一節(jié)點(diǎn)時(shí)皆須 針對(duì)所述集成電路的各元件是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則進(jìn)行判斷。因此，同一元件將會(huì) 被在對(duì)不同節(jié)點(diǎn)進(jìn)行檢查時(shí)重復(fù)檢驗(yàn)無(wú)數(shù)次。如此反復(fù)的檢驗(yàn)動(dòng)作將大量耗費(fèi)所述檢查方 法所需的時(shí)間。圖4顯示一集成電路芯片的局部剖面圖的示意圖。如圖4所示，所述集成電路芯 片400包含一第一層金屬層、一第二層金屬層、一第三層金屬層及若干個(gè)元件P1至P25。所 述第一層金屬層包含若干個(gè)節(jié)點(diǎn)Nlil至Nli25，其中各節(jié)點(diǎn)皆連接至一元件。所述第二層金 屬層包含若干個(gè)節(jié)點(diǎn)N2a至N2,5，其中N2a連接至節(jié)點(diǎn)Nlil至Nli5，N2,2連接至節(jié)點(diǎn)Nli6至N1, 1Q，并依此類推。所述第三層金屬層包含一節(jié)點(diǎn)N3，1，其是連接至所述節(jié)點(diǎn)^i1至N2,5。若應(yīng)用圖3所示的現(xiàn)有集成電路的天線效應(yīng)檢查方法于圖4的集成電路芯片，則 在檢查Nlil是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則時(shí)，所述元件P1會(huì)被檢驗(yàn)一次。在檢查N2,工是否 符合所述天線效應(yīng)檢查規(guī)則，所述元件P1又會(huì)被檢驗(yàn)一次。在檢查N3,工是否符合所述天線 效應(yīng)檢查規(guī)則，所述元件P1將再次被檢驗(yàn)一次。如此反復(fù)的檢驗(yàn)動(dòng)作對(duì)于追求時(shí)效及成本 的電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)而言，實(shí)不符使用需求。據(jù)此，業(yè)界所需要的是一種方法及其裝置，其可大幅度壓縮檢查集成電路的天線 效應(yīng)時(shí)所耗費(fèi)的時(shí)間，以使得整個(gè)電路設(shè)計(jì)流程能更有效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是藉由統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件所造成的累積天線效應(yīng)值的最大值，達(dá)到減 少每一元件被檢驗(yàn)次數(shù)的目的。據(jù)此可大幅度縮減檢查各節(jié)點(diǎn)是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī) 則時(shí)所需的時(shí)間，而達(dá)到加速檢查集成電路的天線效應(yīng)的目的。本發(fā)明提供一種修正電路布局的方法，包含下列步驟計(jì)算一集成電路的各金屬 層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各元件所造成的天線效應(yīng)值；統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件所造成的 累積天線效應(yīng)值的最大值；以及若存在一節(jié)點(diǎn)，其累積天線效應(yīng)值的最大值小于一臨界值， 則定義所述節(jié)點(diǎn)符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。本發(fā)明提供一種用于修正電路布局的裝置，所述裝置包含一計(jì)算單元、一統(tǒng)計(jì)單 元和一檢查單元。所述計(jì)算單元是計(jì)算一集成電路的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各 元件所造成的天線效應(yīng)值。所述統(tǒng)計(jì)單元是根據(jù)所述計(jì)算單元的計(jì)算結(jié)果統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)的累 積天線效應(yīng)值的最大值。所述檢查單元是根據(jù)所述統(tǒng)計(jì)單元的統(tǒng)計(jì)結(jié)果檢查各節(jié)點(diǎn)是否符 合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。上文已經(jīng)概略地?cái)⑹霰景l(fā)明的技術(shù)特征，俾使下文的詳細(xì)描述得以獲得較佳了 解。構(gòu)成本發(fā)明的權(quán)利要求書的其它技術(shù)特征將描述于下文。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有 普通技術(shù)人員應(yīng)可了解，下文揭示的概念與特定實(shí)施例可作為基礎(chǔ)而相當(dāng)輕易地予以修改 或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或制程而實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有普通技術(shù) 人員亦應(yīng)可了解，這類等效的構(gòu)建并無(wú)法脫離后附的權(quán)利要求書所提出的本發(fā)明的精神和 范圍。


圖1顯示一集成電路芯片的局部剖面圖；圖2顯示一集成電路芯片于制程過(guò)程中的局部剖面圖；圖3顯示現(xiàn)有的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法的流程圖；圖4顯示一集成電路芯片的局部剖面圖的示意圖；圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法的流程圖；圖6顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法的流程圖； 及圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的集成電路的天線效應(yīng)的檢查裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明在此所探討的方向?yàn)橐环N集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法及其裝置。為了 能徹底地了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳盡的步驟及組成。顯然地，本發(fā)明的施行并 未限定于電路設(shè)計(jì)的技術(shù)人員所熟悉的特殊細(xì)節(jié)。另一方面，眾所周知的組成或步驟并未 描述于細(xì)節(jié)中，以避免造成本揭露不必要的限制。本發(fā)明的較佳實(shí)施例會(huì)詳細(xì)描述如下，然 而除了這些詳細(xì)描述之外，本發(fā)明還可以廣泛地施行在其它的實(shí)施例中，且本發(fā)明的范圍 不受限定，其以之后的權(quán)利要求書為準(zhǔn)。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所提供的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法及其裝置，是藉 由統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件所造成的累積天線效應(yīng)值的最大值，達(dá)到減少每一元件被檢驗(yàn)次 數(shù)的目的。據(jù)此可大幅縮減檢查各節(jié)點(diǎn)是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則時(shí)所需的時(shí)間，而達(dá) 到加速檢查集成電路的天線效應(yīng)的目的。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所提供的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法及其裝置，是進(jìn) 一步統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件所造成的累積天線效應(yīng)值的最小值，以使得所述檢查方法所報(bào) 告的不符合所述天線效應(yīng)檢查規(guī)則的節(jié)點(diǎn)下所有連接的節(jié)點(diǎn)皆不符合所述天線效應(yīng)檢查 規(guī)則。據(jù)此，可使得電路設(shè)計(jì)人員能更方便根據(jù)本發(fā)明所提供的報(bào)告修正所述集成電路。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法的流程圖。在 步驟502，計(jì)算一集成電路的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各元件所造成的天線效應(yīng) 值，并進(jìn)入步驟504。在步驟504，自所述集成電路的最下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)開始依次往上 層的金屬層的節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件所造成的累積天線效應(yīng)值的最大值，并進(jìn)入步驟 506。在步驟506，自所述集成電路的最上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)檢 查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值，若存在一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值小于一臨 界值，則定義所述節(jié)點(diǎn)符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，任一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值為所述節(jié)點(diǎn)對(duì)所述 元件的天線效應(yīng)值加上所述節(jié)點(diǎn)于其下一層金屬層所連接的節(jié)點(diǎn)中的累積天線效應(yīng)值的 最大值中的最大者。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，任一節(jié)點(diǎn)的天線效應(yīng)值為所述節(jié)點(diǎn)的金屬 面積除以所述節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積。在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，任一節(jié)點(diǎn)的天 線效應(yīng)值為所述節(jié)點(diǎn)的金屬周長(zhǎng)除以所述節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積。在本發(fā)明的又 一實(shí)施例中，各層金屬層的節(jié)點(diǎn)相應(yīng)于不同的臨界值。
若應(yīng)用圖5所示的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法于圖4的集成電路芯片，在步 驟502，計(jì)算所述集成電路芯片400的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路芯片400的各元件所 造成的天線效應(yīng)值。在本實(shí)施例中，任一節(jié)點(diǎn)的天線效應(yīng)值為所述節(jié)點(diǎn)的金屬面積除以所 述節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積，且任一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值為所述節(jié)點(diǎn)對(duì) 所述元件的天線效應(yīng)值加上所述節(jié)點(diǎn)于其下一層金屬層所連接的節(jié)點(diǎn)中的累積天線效應(yīng) 值的最大值中的最大者。據(jù)此，節(jié)點(diǎn)Nlil的天線效應(yīng)值為所述節(jié)點(diǎn)Nlil的金屬連接線面積除 以所述元件P1的柵極面積。節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工的天線效應(yīng)值為所述節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工的金屬連接線面積除以 所述元件P1至P5的柵極面積和。依此類推，其余節(jié)點(diǎn)的面積皆可加以計(jì)算。步驟504，自所述集成電路芯片400的最下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)Nlil至Nli25開始依 次往上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件P1至P25所造成的累積天線效應(yīng)值的最大 值。由于節(jié)點(diǎn)Nu至Nu5并無(wú)下層的金屬層，故節(jié)點(diǎn)Nu至Nu5的累積天線效應(yīng)值的最大 值即等于其天線效應(yīng)值。在第二層金屬層，節(jié)點(diǎn)N2,工的累積天線效應(yīng)值的最大值為節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工的天線效應(yīng)值 加上節(jié)點(diǎn)Nlil至Nli5中的累積天線效應(yīng)值的最大值中的最大者。在本實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)Nlil的 累積天線效應(yīng)值的最大值大于節(jié)點(diǎn)N1,2、N1,3、Nu4和Nli5的累積天線效應(yīng)值的最大值，故節(jié) 點(diǎn)N2,工的累積天線效應(yīng)值的最大值即為節(jié)點(diǎn)N2,工的天線效應(yīng)值加上節(jié)點(diǎn)Nlil的累積天線效 應(yīng)值的最大值。依此類推，其余節(jié)點(diǎn)隊(duì),2至隊(duì),5的累積天線效應(yīng)值的最大值皆可加以計(jì)算。在第三層金屬層，節(jié)點(diǎn)N3il的累積天線效應(yīng)值的最大值為節(jié)點(diǎn)N3,i的天線效應(yīng)值 加上節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工至N2,5中的累積天線效應(yīng)值的最大值中的最大者。在本實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)N2,工的 累積天線效應(yīng)值的最大值大于節(jié)點(diǎn)N2,2、N2,3、N2,4和N2,5的累積天線效應(yīng)值的最大值，故節(jié) 點(diǎn)N3,工的累積天線效應(yīng)值的最大值即為節(jié)點(diǎn)N3,工的天線效應(yīng)值加上節(jié)點(diǎn)N2,工的累積天線效 應(yīng)值的最大值。在步驟506，自所述集成電路芯片400的最上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的 金屬層的節(jié)點(diǎn)檢查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值，若存在一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的 最大值小于一臨界值，則定義所述節(jié)點(diǎn)符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。在本實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)N2il 的累積天線效應(yīng)值的最大值小于一臨界值，故定義節(jié)點(diǎn)N2,工符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。相較于圖3所示現(xiàn)有的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法，根據(jù)圖5的實(shí)施例的集 成電路的天線效應(yīng)的檢查方法，每一元件被檢驗(yàn)次數(shù)是顯著減少。當(dāng)在步驟506檢查出一 節(jié)點(diǎn)，其累積天線效應(yīng)值的最大值小于一臨界值，即代表所述節(jié)點(diǎn)以下的所有節(jié)點(diǎn)皆符合 一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。據(jù)此，即不需進(jìn)一步檢驗(yàn)所述節(jié)點(diǎn)以下的所有節(jié)點(diǎn)，而達(dá)到節(jié)省時(shí)間 的目的。換言之，不需于對(duì)不同節(jié)點(diǎn)進(jìn)行檢查時(shí)大量重復(fù)檢驗(yàn)所述元件，故可節(jié)省檢查集成 電路的天線效應(yīng)時(shí)所耗費(fèi)的時(shí)間。圖6顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法的流程圖。 在步驟602，計(jì)算一集成電路的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各元件所造成的天線效 應(yīng)值，并進(jìn)入步驟604。在步驟604，自所述集成電路的最下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)開始依次往 上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件所造成的累積天線效應(yīng)值的最大值及最小值， 并進(jìn)入步驟606。在步驟606，自所述集成電路的最上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的金 屬層的節(jié)點(diǎn)檢查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值，若存在一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最 大值大于一臨界值，則定義所述節(jié)點(diǎn)不符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則，并進(jìn)入步驟608。在步驟608，若所定義不符合所述天線效應(yīng)檢查規(guī)則的所述節(jié)點(diǎn)內(nèi)存在一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值 的最小值大于所述臨界值，則回報(bào)所述節(jié)點(diǎn)不符合所述天線效應(yīng)檢查規(guī)則。若應(yīng)用圖6所示的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法于圖4的集成電路芯片，在步 驟602，計(jì)算所述集成電路芯片400的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路芯片400的各元件所 造成的天線效應(yīng)值。在本實(shí)施例中，任一節(jié)點(diǎn)的天線效應(yīng)值為所述節(jié)點(diǎn)的金屬面積除以所 述節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積，且任一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值為所述節(jié)點(diǎn)對(duì) 所述元件的天線效應(yīng)值加上所述節(jié)點(diǎn)于其下一層金屬層所連接的節(jié)點(diǎn)中的累積天線效應(yīng) 值的最大值中的最大者。據(jù)此，節(jié)點(diǎn)Nlil的天線效應(yīng)值為所述節(jié)點(diǎn)Nlil的金屬連接線面積除 以所述元件P1的柵極面積。節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工的天線效應(yīng)值為所述節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工的金屬連接線面積除以 所述元件P1至P5的柵極面積和。依此類推，其余節(jié)點(diǎn)的面積皆可加以計(jì)算。在步驟604，自所述集成電路芯片400的最下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)Nlil至Nli25開始 依次往上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件P1至P25所造成的累積天線效應(yīng)值的最 大值及最小值。由于節(jié)點(diǎn)Nu至Nu5并無(wú)下層的金屬層，故節(jié)點(diǎn)Nu至Nu5的累積天線效 應(yīng)值的最大值及最小值即等于其天線效應(yīng)值。在第二層金屬層，節(jié)點(diǎn)N2,工的累積天線效應(yīng)值的最大值為節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工的天線效應(yīng)值 加上節(jié)點(diǎn)Nlil至Nu中的累積天線效應(yīng)值的最大值中的最大者，而節(jié)點(diǎn)N2,工的累積天線效應(yīng) 值的最小值為節(jié)點(diǎn)N2,工的天線效應(yīng)值加上節(jié)點(diǎn)Nu至Nli5中的累積天線效應(yīng)值的最大值中 的最小值。在本實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)Nu的累積天線效應(yīng)值的最大值大于節(jié)點(diǎn)N1,2、N1,3、Nli4和 Nli5的累積天線效應(yīng)值的最大值，而Nu的累積天線效應(yīng)值的最小值小于節(jié)點(diǎn)N1,ρ N1,3、N1, 4和Nli5的累積天線效應(yīng)值的最小值。據(jù)此，節(jié)點(diǎn)N2,工的累積天線效應(yīng)值的最大值即為節(jié)點(diǎn) N2a的天線效應(yīng)值加上節(jié)點(diǎn)Nlil的累積天線效應(yīng)值的最大值，而節(jié)點(diǎn)N2,工的累積天線效應(yīng)值 的最小值即為節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工的天線效應(yīng)值加上節(jié)點(diǎn)Nli2的累積天線效應(yīng)值的最小值。依此類推， 其余節(jié)點(diǎn)隊(duì),2至隊(duì),5的累積天線效應(yīng)值的最大值及最小值皆可加以計(jì)算。在第三層金屬層，節(jié)點(diǎn)N3il的累積天線效應(yīng)值的最大值為節(jié)點(diǎn)N3,i的天線效應(yīng)值 加上節(jié)點(diǎn)N2,工至N2,5中的累積天線效應(yīng)值的最大值中的最大者，而節(jié)點(diǎn)N3,工的累積天線效應(yīng) 值的最小值為節(jié)點(diǎn)N3il的天線效應(yīng)值加上節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工至N2,5中的累積天線效應(yīng)值的最小值中 的最小者。在本實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)N2il的累積天線效應(yīng)值的最大值大于節(jié)點(diǎn)N2,2、N2,3、N2,4和 N2,5的累積天線效應(yīng)值的最大值，而節(jié)點(diǎn)N2,2的累積天線效應(yīng)值的最小值小于節(jié)點(diǎn)N2,i、N2,3、 N2,4和N2,55的累積天線效應(yīng)值的最小值。據(jù)此，故節(jié)點(diǎn)N3,工的累積天線效應(yīng)值的最大值即為 節(jié)點(diǎn)N3,工的天線效應(yīng)值加上節(jié)點(diǎn)N2,工的累積天線效應(yīng)值的最大值，而故節(jié)點(diǎn)N3，1的累積天 線效應(yīng)值的最小值即為節(jié)點(diǎn)N3,工的天線效應(yīng)值加上節(jié)點(diǎn)N2,2的累積天線效應(yīng)值的最小值。在步驟606，自所述集成電路芯片400的最上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的 金屬層的節(jié)點(diǎn)檢查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值，若存在一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的 最大值大于一臨界值，則定義所述節(jié)點(diǎn)不符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。在本實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)隊(duì)， ！及節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工的累積天線效應(yīng)值的最大值皆大于一臨界值，故定義隊(duì)，工及節(jié)點(diǎn)隊(duì)，工皆不符合 一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。在步驟608，若所定義不符合所述天線效應(yīng)檢查規(guī)則的所述節(jié)點(diǎn)N3,工及節(jié)點(diǎn)N2,工內(nèi) 存在一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最小值大于所述臨界值，則回報(bào)所述節(jié)點(diǎn)不符合所述天線 效應(yīng)檢查規(guī)則。在本實(shí)施例中，由于節(jié)點(diǎn)N3il的累積天線效應(yīng)值的最小值為節(jié)點(diǎn)N3,工的天線效應(yīng)值加上節(jié)點(diǎn)N2,2的累積天線效應(yīng)值的最小值，其并未大于所述臨界值，故不回報(bào)節(jié)點(diǎn) N3ao另一方面，由于節(jié)點(diǎn)N2,工的累積天線效應(yīng)值的最小值為節(jié)點(diǎn)N2,工的天線效應(yīng)值加上節(jié) 點(diǎn)Nu的累積天線效應(yīng)值的最小值，其已大于所述臨界值，故回報(bào)節(jié)點(diǎn)N2,lt)在本發(fā)明的一實(shí)施例中，步驟606及608是以遞歸方式(recursive)執(zhí)行，亦即 若在步驟606時(shí)發(fā)現(xiàn)一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值大于一臨界值，且所述節(jié)點(diǎn)的累積 天線效應(yīng)值的最小值小于所述臨界值，則繼續(xù)檢驗(yàn)所述節(jié)點(diǎn)的下層節(jié)點(diǎn)，直到滿足步驟608 時(shí)發(fā)現(xiàn)一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最小值大于所述臨界值時(shí)回報(bào)所述節(jié)點(diǎn)。值得注意的 是，在此遞歸方式中由一節(jié)點(diǎn)往下檢驗(yàn)其下層節(jié)點(diǎn)時(shí)，累積天線效應(yīng)值需減去所述節(jié)點(diǎn)的 貢獻(xiàn)值。如上述實(shí)施例所示，根據(jù)圖6所提供的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法所報(bào)告的 節(jié)點(diǎn)，其下層的所有節(jié)點(diǎn)亦不符合所述天線效應(yīng)檢查規(guī)則。據(jù)此，電路設(shè)計(jì)人員能更方便根 據(jù)其所提供的報(bào)告修正檢查的集成電路。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，圖5及圖6所示的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法是 根據(jù)動(dòng)態(tài)規(guī)劃算法(dynamic programming)操作的。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的集成電路的天線效應(yīng)的檢查裝置的示意圖。如 圖 所示，所述裝置700包含一計(jì)算單元702、一統(tǒng)計(jì)單元704、一檢查單元706和一控制單 元708。所述計(jì)算單元702是計(jì)算一集成電路的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各元件 所造成的天線效應(yīng)值。所述統(tǒng)計(jì)單元704是根據(jù)所述計(jì)算單元702的計(jì)算結(jié)果統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn) 的累積天線效應(yīng)值的最大值。所述檢查單元706是根據(jù)所述統(tǒng)計(jì)單元704的統(tǒng)計(jì)結(jié)果檢查 各節(jié)點(diǎn)是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。所述控制單元708是根據(jù)動(dòng)態(tài)規(guī)劃算法控制所述計(jì) 算單元702、所述統(tǒng)計(jì)單元704及所述檢查單元706。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述統(tǒng)計(jì)單元704是根據(jù)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件的天線效應(yīng) 值加上所述各節(jié)點(diǎn)于其下一層金屬層所連接的節(jié)點(diǎn)中的累積天線效應(yīng)值的最大值中的最 大者統(tǒng)計(jì)所述各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，所述計(jì)算單 元702是根據(jù)各節(jié)點(diǎn)的金屬面積除以所述各節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積計(jì)算所述各 節(jié)點(diǎn)的天線效應(yīng)值。在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，所述計(jì)算單元702是根據(jù)各節(jié)點(diǎn)的金屬周 長(zhǎng)除以所述各節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積計(jì)算所述各節(jié)點(diǎn)的天線效應(yīng)值。在本發(fā)明的 再一實(shí)施例中，所述檢查單元706是自最上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的金屬層的節(jié)點(diǎn) 檢查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值。在本發(fā)明的再一實(shí)施例中，所述統(tǒng)計(jì)單元704是 另根據(jù)所述計(jì)算單元702的計(jì)算結(jié)果統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最小值。在本發(fā)明的 再一實(shí)施例中，所述檢查單元706是自最上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的金屬層的節(jié)點(diǎn) 檢查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最小值。所述統(tǒng)計(jì)單元704是根據(jù)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件的天 線效應(yīng)值加上所述各節(jié)點(diǎn)于其下一層金屬層所連接的節(jié)點(diǎn)中的累積天線效應(yīng)值的最小值 中的最小者統(tǒng)計(jì)所述各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最小值。在本發(fā)明的再一實(shí)施例中，所述 統(tǒng)計(jì)單元704是由最下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)開始依次往上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)的 累積天線效應(yīng)值的最大值及最小值。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，不同層金屬層的節(jié)點(diǎn)相應(yīng) 于不同的臨界值。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述計(jì)算單元702是計(jì)算完一集成電路的各金屬層的節(jié) 點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各元件所造成的天線效應(yīng)值，再將計(jì)算結(jié)果交予所述統(tǒng)計(jì)單元704。所述統(tǒng)計(jì)單元704是統(tǒng)計(jì)完各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值及最小值，再將統(tǒng)計(jì)結(jié)果交予 所述檢查單元706。所述檢查單元706遂檢查所述各節(jié)點(diǎn)是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，所述計(jì)算單元702是計(jì)算完一集成電路的一單一節(jié)點(diǎn) 其涵蓋的元件所造成的天線效應(yīng)值，即將計(jì)算結(jié)果交予所述統(tǒng)計(jì)單元704。所述統(tǒng)計(jì)單元 704是統(tǒng)計(jì)所述單一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值及最小值，再將統(tǒng)計(jì)結(jié)果交予所述檢 查單元706。所述檢查單元706遂檢查所述節(jié)點(diǎn)是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，所述計(jì)算單元702是計(jì)算完一集成電路的局部節(jié)點(diǎn)所 涵蓋的元件所造成的天線效應(yīng)值，即將計(jì)算結(jié)果交予所述統(tǒng)計(jì)單元704。其中所述局部節(jié)點(diǎn) 是于一階層關(guān)系內(nèi)的所有節(jié)點(diǎn)。所述統(tǒng)計(jì)單元704是統(tǒng)計(jì)所述局部節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值 的最大值及最小值，再將統(tǒng)計(jì)結(jié)果交予所述檢查單元706。所述檢查單元706遂檢查所述局 部節(jié)點(diǎn)是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。圖7所示的裝置可以硬件方式實(shí)現(xiàn)，亦可以軟件利 用一硬件實(shí)現(xiàn)。例如，可藉由一計(jì)算機(jī)執(zhí)行一軟件程序而實(shí)現(xiàn)所述裝置。綜上所述，本發(fā)明所提供的集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法及其裝置，是藉由統(tǒng) 計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件所造成的累積天線效應(yīng)值的最大值達(dá)到減少每一元件被檢驗(yàn)次數(shù)的 目的。據(jù)此，可大幅度縮減檢查各節(jié)點(diǎn)是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則時(shí)所需的時(shí)間，而達(dá)到 加速檢查集成電路的天線效應(yīng)的目的。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基 于本發(fā)明的教示及揭示而作種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范 圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為本專利 申請(qǐng)權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法，其特征在于包含下列步驟計(jì)算一集成電路的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各元件所造成的天線效應(yīng)值； 統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件所造成的累積天線效應(yīng)值的最大值；及 若存在一節(jié)點(diǎn)，其累積天線效應(yīng)值的最大值小于一臨界值，則定義所述節(jié)點(diǎn)符合一天 線效應(yīng)檢查規(guī)則。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于，其中任一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的 最大值為所述節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件的天線效應(yīng)值加上所述節(jié)點(diǎn)于其下一層金屬層所連接的節(jié) 點(diǎn)中的累積天線效應(yīng)值的最大值中的最大者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于，其中任一節(jié)點(diǎn)的天線效應(yīng)值為所述 節(jié)點(diǎn)的金屬面積除以所述節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于，其任一節(jié)點(diǎn)的天線效應(yīng)值為所述節(jié) 點(diǎn)的金屬周長(zhǎng)除以所述節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于，其進(jìn)一步包含下列步驟自最上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)檢查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值 的最大值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于，其進(jìn)一步包含下列步驟 統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件的累積天線效應(yīng)值的最小值；及若存在一節(jié)點(diǎn)，其累積天線效應(yīng)值的最小值大于一臨界值，則報(bào)告所述節(jié)點(diǎn)不符合所 述天線效應(yīng)檢查規(guī)則。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢查方法，其特征在于，其進(jìn)一步包含下列步驟自最上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)檢查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值 的最小值。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢查方法，其特征在于，其中任一節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的 最小值為所述節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件的天線效應(yīng)值加上所述節(jié)點(diǎn)于其下一層金屬層所連接的節(jié) 點(diǎn)中的累積天線效應(yīng)值的最小值中的最小者。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于，其中所述統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)的累積天線效 應(yīng)值的最大值的步驟是由最下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)開始依次往上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢查方法，其特征在于，其中所述統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)的累積天線效 應(yīng)值的最小值的步驟是由最下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)開始依次往上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于，其中位于不同層金屬層的節(jié)點(diǎn)相應(yīng) 于不同的臨界值。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢查方法，其特征在于，其根據(jù)動(dòng)態(tài)規(guī)劃算法操作。
13.一種集成電路的天線效應(yīng)的檢查裝置，其特征在于包含一計(jì)算單元，計(jì)算一集成電路的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各元件所造成的天 線效應(yīng)值；一統(tǒng)計(jì)單元，根據(jù)所述計(jì)算單元的計(jì)算結(jié)果統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值;及一檢查單元，根據(jù)所述統(tǒng)計(jì)單元的統(tǒng)計(jì)結(jié)果檢查各節(jié)點(diǎn)是否符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，其中所述統(tǒng)計(jì)單元是根據(jù)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所 述元件的天線效應(yīng)值加上所述各節(jié)點(diǎn)于其下一層金屬層所連接的節(jié)點(diǎn)中的累積天線效應(yīng) 值的最大值中的最大者而統(tǒng)計(jì)所述各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，其中所述計(jì)算單元是根據(jù)各節(jié)點(diǎn)的金 屬面積除以所述各節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積計(jì)算所述各節(jié)點(diǎn)的天線效應(yīng)值。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，其中所述計(jì)算單元是根據(jù)各節(jié)點(diǎn)的金 屬周長(zhǎng)除以所述各節(jié)點(diǎn)對(duì)其相應(yīng)的元件的柵極面積計(jì)算所述各節(jié)點(diǎn)的天線效應(yīng)值。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，其中所述檢查單元是自最上層的金屬 層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)檢查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，其中所述統(tǒng)計(jì)單元是另根據(jù)所述計(jì)算 單元的計(jì)算結(jié)果統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最小值。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，其中所述檢查單元是自最上層的金屬 層的節(jié)點(diǎn)依次往下層的金屬層的節(jié)點(diǎn)檢查各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最小值。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，其中所述統(tǒng)計(jì)單元是根據(jù)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所 述元件的天線效應(yīng)值加上所述各節(jié)點(diǎn)于其下一層金屬層所連接的節(jié)點(diǎn)中的累積天線效應(yīng) 值的最小值中的最小者而統(tǒng)計(jì)所述各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最小值。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，其中所述統(tǒng)計(jì)單元是由最下層的金屬 層的節(jié)點(diǎn)開始依次往上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最大值。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，其中所述統(tǒng)計(jì)單元是由最下層的金屬 層的節(jié)點(diǎn)開始依次往上層的金屬層的節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)的累積天線效應(yīng)值的最小值。
23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，其中位于不同層金屬層的節(jié)點(diǎn)相應(yīng)于 不同的臨界值。
24.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，其進(jìn)一步包含一控制單元，其根據(jù)一動(dòng)態(tài)規(guī)劃算法控制所述計(jì)算單元、所述統(tǒng)計(jì)單元及所述檢查單元。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法與其裝置，所述集成電路的天線效應(yīng)的檢查方法包含下列步驟計(jì)算一集成電路的各金屬層的節(jié)點(diǎn)對(duì)所述集成電路的各元件所造成的天線效應(yīng)值；統(tǒng)計(jì)各節(jié)點(diǎn)對(duì)所述元件所造成的累積天線效應(yīng)值的最大值；以及若存在一節(jié)點(diǎn)，其累積天線效應(yīng)值的最大值小于一臨界值，則定義所述節(jié)點(diǎn)符合一天線效應(yīng)檢查規(guī)則。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102054083SQ20091021139
公開日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2009年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
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