国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      高壓磁控式并聯(lián)電抗器的雙向等值反雙曲微分控制器設(shè)計方法

      文檔序號:6585253閱讀:193來源:國知局
      專利名稱:高壓磁控式并聯(lián)電抗器的雙向等值反雙曲微分控制器設(shè)計方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種高壓磁控式并聯(lián)電抗器的雙向等值反雙曲微分控制器設(shè)計方法,
      屬于數(shù)字仿真建模方法領(lǐng)域,可應(yīng)用于飽和磁路元件的控制器設(shè)計,特別是磁控式并聯(lián)電 抗器的控制器設(shè)計。
      背景技術(shù)
      隨著三峽水利樞紐電站,酒泉千萬千瓦級風(fēng)電基地、青海/甘肅大規(guī)模光伏電站
      的相繼啟動建設(shè),為解決煤炭、水利等一次能源與負荷中心分布極不平衡的問題,我國交流 電力系統(tǒng)骨干網(wǎng)架宜采用超/特高壓緊湊型線路實現(xiàn)遠距離、大容量的輸電,充分發(fā)揮電
      網(wǎng)大范圍優(yōu)化能源資源配置的重要作用;促進一次能源的高效集約開發(fā)和利用;有利于促
      進電網(wǎng)、電源協(xié)調(diào)發(fā)展;統(tǒng)籌利用環(huán)境容量,緩解能源和環(huán)境對國民經(jīng)濟發(fā)展的制約。 超/特高壓交流輸電線路的容性充電功率巨大、潮流變化劇烈以及有限的絕緣裕
      度給系統(tǒng)的無功調(diào)節(jié)、過電壓抑制造成了巨大的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的無功補償裝置如普通高壓并
      聯(lián)電抗器、可投切低壓并聯(lián)電容器和電抗器組、發(fā)電機進相運行和靜止無功補償器(static
      varcompensator, SVC)等大都無法同時滿足無功調(diào)節(jié)和過電壓抑制的需要。 可控并聯(lián)電抗器(controllable shunt reactor, CSR)能夠簡化超/特高壓電網(wǎng)
      中的系統(tǒng)無功電壓控制、抑制工頻過電壓和操作過電壓、消除發(fā)電機自勵磁、動態(tài)補償線路
      充電功率、抑制潛供電流、阻尼系統(tǒng)諧振等,能滿足系統(tǒng)多方面需求,因而具有非常廣闊的
      應(yīng)用前景。 2007年9月首套500kV高壓磁控式并聯(lián)電抗器(magnetically controlled shunt reactor)在湖北江陵(荊州)換流站投運成功,在系統(tǒng)運行中發(fā)揮了重要作用,為我國特高 壓可控電抗器的研制、運行與維護積累了寶貴經(jīng)驗。 高壓磁控式并聯(lián)電抗器具有容量可大范圍連續(xù)調(diào)節(jié)(從空載到滿載的調(diào)節(jié)率均 可達到90%以上)、高次諧波和有功損耗較小、可靠性高、應(yīng)用較少的電力電子器件,結(jié)構(gòu) 簡單、綜合成本低的顯著特點,技術(shù)比較成熟,國內(nèi)目前研究和工程應(yīng)用的主要類型。
      關(guān)于高壓磁控式并聯(lián)電抗器的數(shù)學(xué)建模方面的理論研究,目前已有的技術(shù)中只有 中國專利申請200810056973. 1公開了一種磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)字仿真建模方法,其特征 在于它包括等效磁路的分解方法,根據(jù)磁路定律和電路定律,將磁控式并聯(lián)電抗器模型等 效成多個飽和變壓器和飽和電抗器模型;其利用現(xiàn)有仿真軟件中的飽和變壓器和飽和電抗 器模型,構(gòu)建磁控式并聯(lián)電抗器仿真模型可集成于現(xiàn)有的仿真軟件中,擴展相應(yīng)的仿真功 能;可檢驗系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)控制方法和暫態(tài)控制方法。該發(fā)明的主要原理是用現(xiàn)有的飽和變壓 器和電抗器拼接來模擬磁控式并聯(lián)電抗器的特性,對高壓磁控式并聯(lián)電抗器的進一步研究 有重要的參考價值,但只是一種離線數(shù)字仿真搭建方法,并未建立反應(yīng)磁控式并聯(lián)電抗器 的連續(xù)飽和磁路特性的準(zhǔn)確數(shù)學(xué)模型(數(shù)字仿真和數(shù)學(xué)模型是兩個不同的概念),而且其 采用了補償法和分段線性化方法,補償法不僅需要反復(fù)迭代,對實時/超實時電磁暫態(tài)仿真造成障礙,而且規(guī)格化的①-I磁化曲線與實際勵磁特性的差別,造成模型的計算誤差很 大;分段線性化方法雖然計算簡單,但是不同分段之間不可避免的引起數(shù)值震蕩,而且超/ 特高壓磁控式并聯(lián)電抗器不是一般的非線性元件在小范圍內(nèi)微調(diào),而是大范圍的連續(xù)光滑 調(diào)節(jié),高壓磁控式并聯(lián)電抗器作為智能電網(wǎng)高壓柔性輸電的組成部分,若采用分段線性化
      方法既不能滿足其大范圍調(diào)節(jié)的計算精度,也不能反應(yīng)其連續(xù)光滑調(diào)節(jié)的智能柔性特征, 抹掉了本體元件的諸多優(yōu)點和特征,損害了數(shù)學(xué)模型的精確性;不但無法描述了磁控式并
      聯(lián)電抗器的連續(xù)光滑調(diào)節(jié)特性,而且仿真精度誤差很大,無法滿足電力系統(tǒng)電磁暫態(tài)仿真 的需要。 以往的研究主要針對穩(wěn)態(tài)穩(wěn)態(tài)進行分析,對于暫態(tài)調(diào)節(jié)這種比較棘手的問題,尚 未有文獻研究見著報道。 尚未有實用化的高壓磁控式并聯(lián)電抗器控制器設(shè)計見諸文獻,本發(fā)明創(chuàng)新性的 提出了磁路電路雙向等值算法,并以此為控制系統(tǒng)的設(shè)計思路,把復(fù)雜耦合的非線性磁路 和微分電路方程組解耦,以解析解形式直接求出控制需要的勵磁電流,減少了迭代調(diào)節(jié)過 程,避免了常規(guī)控制系統(tǒng)中微積分環(huán)節(jié)的時間延遲,節(jié)省了計算時間和內(nèi)存,增強了控制 可靠性。有利于提高高壓磁控式并聯(lián)電抗器在超特高壓電網(wǎng)中應(yīng)對工頻和操作過電壓的 整體反應(yīng)速度。已在電力系統(tǒng)全數(shù)字實時仿真裝置(Advanced Digital Power System Simulator-ADPSS)中編程實現(xiàn)了控制模塊的工程化應(yīng)用。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供了一種高壓磁控式并聯(lián)電抗器的雙向等值反雙曲微分控制器設(shè)計方
      法。本發(fā)明提出并利用磁路電路雙向等值算法,以反雙曲函數(shù)描述飽和磁路特性,從復(fù)雜耦 合的非線性磁路和微分電路方程組中,以解析解形式求出控制系統(tǒng)需要的勵磁電流,算法 直接、計算精確。具有創(chuàng)新性強,跟蹤迅速、控制可靠等優(yōu)點。已在電力系統(tǒng)全數(shù)字實時仿 真裝置中編程實現(xiàn)了控制模塊的工程化應(yīng)用。為超/特高壓磁控式并聯(lián)電抗器及其控制系 統(tǒng)的實時電磁暫態(tài)仿真提供了必要的仿真工具,也為電力系統(tǒng)非線性元件控制系統(tǒng)的設(shè)計 開創(chuàng)了新的思路。 本發(fā)明提出了一種高壓磁控式并聯(lián)電抗器的雙向等值反雙曲微分控制器設(shè)計方
      法,其特征在于利用磁路電路雙向等值算法,以反雙曲函數(shù)描述飽和磁路特性,從復(fù)雜耦合 的非線性磁路和微分電路方程組中,以解析解形式求出控制系統(tǒng)需要的勵磁電流。
      本發(fā)明的方法,包括以下步驟 (1)設(shè)計的高壓磁控式并聯(lián)電抗器是利用交直流混合勵磁的特性來改變鐵心的 飽和程度的,其磁路電路接線方式為主磁路心柱中包括兩個繞組,A、U2是交流網(wǎng)側(cè)繞組, Udl、Ud2是直流繞組電壓,由于不同磁路的磁導(dǎo)率不同,磁通^、 ^所在的兩個主磁路的磁阻 承擔(dān)整個系統(tǒng)中主要的勵磁磁動勢。電阻為r,電流為i,H是磁場強度,是磁導(dǎo)率,小是 交流電壓初相位。各個變量的下標(biāo)1, 2分別表示左心柱和右心柱繞組側(cè),3, 4, 5表示旁軛磁 路,d表示直流量; (2)根據(jù)基本磁路原理進行如下推導(dǎo),忽略漏抗,由法拉第電磁感應(yīng)定律有
      t/,sin—+ A) = "+JVV~:^
      (1)
      6








      必2

      (2)
      卻i
      WJ2 = _。2。2
      #2
      (3)
      (4)
      由導(dǎo)磁媒質(zhì)的安培環(huán)路定律有 H山+叫=Nli1+Ndlidl (5) H212+H414 = N2i2-Nd2id2 (6) H313 = H414+H515 (7) 由磁路基爾霍夫第一定律有
      A = % + % 外U A
      由導(dǎo)磁媒質(zhì)的飽和磁化特性有
      由導(dǎo)磁媒質(zhì)的不飽和特化特性有 A =萬3^ = // 3
      % == //4//4S4
      (8)
      (9)
      (10)
      (11)
      (12)
      (13)
      (14)
      上述是微分方程組、線性方程組和非線性方程組構(gòu)成的混合方程組; (3)磁路電路的雙向等值控制算法
      為解耦計算上述復(fù)雜的磁路電路非線性方程組,以高壓磁控式并聯(lián)電抗器解耦等 值磁通差電磁暫態(tài)模型為基礎(chǔ),充分考慮每相各繞組之間的磁耦合,以及網(wǎng)側(cè)電氣并聯(lián)和 勵磁電路的反向串聯(lián)關(guān)系,提出了磁路電路雙向等值控制算法 高壓磁控式并聯(lián)電抗器的磁路結(jié)構(gòu)為交直流混合勵磁磁動勢Fml和Fm2在主磁路 1, 2上產(chǎn)生,同時也造成了主磁路1, 2的磁飽和,磁路磁阻分別為Rml和Rm2,根據(jù)磁通連續(xù)定 律,飽和磁通A在a點分解為%和% ,磁路磁阻分別為Rm3和Rm5 ;飽和磁通化在b點分解為^和 % ,磁路磁阻分別為Rm4和Rm5 ;
      根據(jù)磁阻定義有 丄
      - (15)
      7
      由于Rml " Rm2處于飽和狀態(tài),磁導(dǎo)率顯著減少,其磁阻遠大于Rm3 " IU,消耗了主
      要的磁動勢Fml和Fm2,根據(jù)磁路回路方程有
      + Km3% = M。 + (工6 )
      因為勵磁支路中直流勵磁id 口交流勵磁i。,所以直流勵磁磁動勢消耗在主磁路
      上。




      以反雙曲函數(shù)描述H-B飽和磁化曲線,并由主磁路安培環(huán)路定律可得
      2
      (17)
      其中,
      可推導(dǎo)出磁感應(yīng)強度為
      (18)
      A", / . A'
      i)
      (19)
      于是可求出磁鏈解析表達式為

      A,
      、2
      + 1)
      (20)
      由磁路電磁感應(yīng)定律,可求出磁路等值電感為 r — ,_《a 1
      — "JT — 。1 。2 . ;, z " =^
      其中,
      f w上 《1 =
      & =
      (21)
      (22)
      (23) (4)設(shè)系統(tǒng)中高壓磁控式并聯(lián)電抗器連接節(jié)點的目標(biāo)調(diào)節(jié)電壓為Up,由瞬時相:
      原理,可求出每一時步計算的等值相量電流Ih,由電路中的戴維南定律
      (24) 可推導(dǎo)出電路等值電感為 (Z —/ ) 4<j=^~"^
      " (25) 按照高壓磁控式并聯(lián)電抗器的磁路電路結(jié)構(gòu),磁路等值電感和電路等值電感應(yīng)該 一致,即 Lmd = Lcd (26) 于是控制系統(tǒng)中磁路等值電感Lmd已知,由公式(21)可推導(dǎo)出目標(biāo)電壓下需加入 的控制系統(tǒng)中勵磁電流解析式為<formula>formula see original document page 9</formula>
      由上述步驟求得的解析式(30)可以直接求出投入目標(biāo)電抗值所需要的直流勵磁
      <formula>formula see original document page 9</formula>電流。 本發(fā)明的方法還可使用包括以下的連續(xù)函數(shù)及其各種形式的組合來描述高壓磁 控式并聯(lián)電抗器的非線性磁路飽和特性,從而進行仿真建模和控制器設(shè)計
      B = 、 H+k2 arctan (H/k3);
      B = 、 arctan (H/k3);<formula>formula see original document page 9</formula><formula>formula see original document page 9</formula> 本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明以可調(diào)反雙曲函數(shù)描述超/特高壓磁控式并聯(lián)電抗 器的非線性磁路飽和特性,具有連續(xù)可導(dǎo)且無截斷誤差的優(yōu)點,為解決由此帶來的非線性 和微分方程組的求解困難,以及充分考慮每相各繞組之間的磁耦合,本發(fā)明創(chuàng)新性的提出 了磁路電路雙向等值算法,并以此為控制系統(tǒng)的設(shè)計思路,把復(fù)雜耦合的非線性磁路和微 分電路方程組解耦,以解析解形式直接求出控制需要的勵磁電流,節(jié)省了計算時間和內(nèi)存, 增強了控制可靠性。有利于提高高壓磁控式并聯(lián)電抗器在超特高壓電網(wǎng)中應(yīng)對工頻和操作 過電壓的整體反應(yīng)速度。 該控制系統(tǒng)創(chuàng)新性強,算法直接、計算精確,跟蹤迅速、控制可靠。為超/特高壓磁 控式并聯(lián)電抗器及其控制系統(tǒng)的實時電磁暫態(tài)仿真提供了必要的仿真工具,也為電力系統(tǒng) 非線性元件控制系統(tǒng)的設(shè)計開創(chuàng)了新的思路。


      下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進一步說明。 圖1是依據(jù)本發(fā)明方法的高壓磁控式并聯(lián)電抗器各物理量正方向和磁路電路接 線方式示意圖; 圖2是依據(jù)本發(fā)明方法的高壓磁控式并聯(lián)電抗器磁路示意圖。
      具體實施例方式1高壓磁控式并聯(lián)電抗器基本磁路電路原理 高壓磁控式并聯(lián)電抗器是利用交直流混合勵磁的特性來改變鐵心的飽和程度的,其磁路電路接線方式如圖1所示,主磁路心柱中包括兩個繞組,U^U2是交流網(wǎng)側(cè)繞組,Udl、 Ud2是直流繞組電壓,由于不同磁路的磁導(dǎo)率不同,磁通^ 、 ^所在的兩個主磁路的磁阻承 擔(dān)整個系統(tǒng)中主要的勵磁磁動勢。電阻為r,電流為i,H是磁場強度,是磁導(dǎo)率,小是交 流電壓初相位。各個變量下標(biāo)1,2分別表示左心柱和右心柱繞組側(cè),3,4,5是旁軛磁路,d
      表示直流量。 根據(jù)基本磁路原理可以進行如下推導(dǎo),忽略漏抗,由法拉第電磁感應(yīng)定律有







      <formula>formula see original document page 10</formula>由導(dǎo)磁媒質(zhì)的安培環(huán)路定律有 H山+叫=Nli1+Ndlidl (5) H212+H414 = N2i2-Nd2id2 (6) H313 = H414+H515 (7) 由磁路基爾霍夫第一定律有
      A = % + %
      外U % 由導(dǎo)磁媒質(zhì)的飽和磁化特性有
      巧=扁
      "2=/2(爐2) 由導(dǎo)磁媒質(zhì)的不飽和特化特性有
      外=《& = // 3
      卻2
      (3)
      (4)
      (8)
      (9)
      (10)
      (11)
      (12)
      (13)
      (14) 上述是微分方程組、線性方程組和非線性方程組構(gòu)成的混合方程組。
      2雙向等值控制算法 為解耦計算上述復(fù)雜的磁路電路非線性方程組,本發(fā)明以高壓磁控式并聯(lián)電抗器 解耦等值磁通差電磁暫態(tài)模型為基礎(chǔ),充分考慮每相各繞組之間的磁耦合,以及網(wǎng)側(cè)電氣并聯(lián)和勵磁電路的反向串聯(lián)關(guān)系,提出了磁路電路雙向等值算法。高壓磁控式并聯(lián)電抗器 的磁路結(jié)構(gòu)如圖2所示交直流混合勵磁磁動勢F^和Fm2在主磁路1, 2上產(chǎn)生,同時也造成 了主磁路1, 2的磁飽和,磁路磁阻分別為Rml和Rm2,根據(jù)磁通連續(xù)定律,飽和磁通^在a點分 解為外和A ,磁路磁阻分別為Rm3和Rm5 ;飽和磁通伊2在b點分解為伊4和% ,磁路磁阻分別為Rm4
      和Rm5 ;根據(jù)磁阻定義有<formula>formula see original document page 11</formula>0103] 由于Rml " Rm2處于飽和狀態(tài),磁導(dǎo)率顯著減少,其磁阻遠大于Rm3 " IU,消耗了主
      要的磁動勢Fml和Fm2,根據(jù)磁路回路方程有<formula>formula see original document page 11</formula>
      因為勵磁支路中直流勵磁id 口交流勵磁i。,所以直流勵磁磁動勢消耗在主磁路
      以反雙曲函數(shù)描述H-B飽和磁化曲線,并由主磁路安培環(huán)路定律可得<formula>formula see original document page 11</formula>其中,
      <formula>formula see original document page 11</formula>可推導(dǎo)出磁感應(yīng)強度為<formula>formula see original document page 11</formula>于是可求出磁鏈解析表達式為
      <formula>formula see original document page 11</formula>
      由磁路電磁感應(yīng)定律,可求出磁路等值電感為 <formula>formula see original document page 11</formula>其中,<formula>formula see original document page 11</formula>
      0119] 設(shè)系統(tǒng)中高壓磁控式并聯(lián)電抗器連接節(jié)點的目標(biāo)調(diào)節(jié)電壓為Up,由瞬時相量原 里,可求出每一時步計算的等值相量電流Ih,由電路中的戴維南定律
      <formula>formula see original document page 11</formula>
      可推導(dǎo)出電路等值電感為
      <formula>formula see original document page 12</formula>
      , (25) 按照高壓磁控式并聯(lián)電抗器的磁路電路結(jié)構(gòu),磁路等值電感和電路等值電感應(yīng)該 一致,即 Lmd = Lcd (26) 于是控制系統(tǒng)中磁路等值電感Lmd已知,由公式(21)可推導(dǎo)出目標(biāo)電壓下需加入 的控制系統(tǒng)中勵磁電流解析式為

      式中,
      <formula>formula see original document page 12</formula>(27)
      <formula>formula see original document page 12</formula>
      (28)<formula>formula see original document page 12</formula>(29)
      <formula>formula see original document page 12</formula>
      (30) 由上述步驟求得的解析式可以直接求出投入目標(biāo)電抗值所需要的直流勵磁電流'
      需要說明的是依據(jù)本發(fā)明的高壓磁控式并聯(lián)電抗器的雙向等值反雙曲微分控制 器設(shè)計方法,其特征在于使用了磁路電路雙向等值算法(公式15-30),并以此為控制系統(tǒng) 的設(shè)計思路或稍加修改,把復(fù)雜耦合的非線性磁路和微分電路方程組解耦,以解析解形式 直接求出控制需要的勵磁電流,以此為核心思想并類比變通的高壓磁控式并聯(lián)電抗器控制 系統(tǒng)設(shè)計和仿真建模都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。 本發(fā)明以連續(xù)函數(shù)-可調(diào)反雙曲函數(shù)描述高壓磁控式并聯(lián)電抗器的非線性磁路 飽和特性,并以其導(dǎo)數(shù)的解析形式來表述等效電感,以其他連續(xù)函數(shù)描述高壓磁控式并聯(lián) 電抗器的非線性磁路飽和特性,并用類似方法以導(dǎo)數(shù)的解析形式來描述等效電感的思路和 方法,都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。 本發(fā)明以磁路的等值電感和電路的等值電感相等的設(shè)計思想用于高壓磁控式并 聯(lián)電抗器的控制器設(shè)計,以此為設(shè)計思路的高壓磁控式并聯(lián)電抗器數(shù)學(xué)建模及其控制器設(shè) 計都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。 對本發(fā)明所述的方法進行類比更換,然后重新組合、進行簡化或稍提高精度的建 模方法及控制器算法也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。 應(yīng)用本發(fā)明的方法或者稍加修改,對其他非線性磁路飽和元件如(勵磁調(diào)節(jié)器、 非線性電抗等,以及可控電抗器的其他種類)進行類似的電磁暫態(tài)建模方法及控制器算法 也在本發(fā)明的保護之內(nèi)。 應(yīng)用本發(fā)明的方法或者類似推導(dǎo)的方法建立的電磁暫態(tài)模型可以應(yīng)用于實時、非 實時、電磁、機電暫態(tài)的仿真建模和計算中,以及控制系統(tǒng)的設(shè)計方法中,都在本發(fā)明的保 護范圍。 此處已經(jīng)根據(jù)特定的示例性實施例對本發(fā)明進行了描述。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說在不脫離本發(fā)明的范圍下進行適當(dāng)?shù)奶鎿Q或修改將是顯而易見的。示例性的實施例僅僅 是例證性的,而不是對本發(fā)明的范圍的限制,本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求定義。
      權(quán)利要求
      一種高壓磁控式并聯(lián)電抗器的雙向等值反雙曲微分控制器設(shè)計方法,其特征在于利用磁路電路雙向等值算法,以反雙曲函數(shù)描述飽和磁路特性,從復(fù)雜耦合的非線性磁路和微分電路方程組中,以解析解形式求出控制系統(tǒng)需要的勵磁電流。
      2. 如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于包括以下步驟(1) 設(shè)計的高壓磁控式并聯(lián)電抗器是利用交直流混合勵磁的特性來改變鐵心的飽和程 度的,其磁路電路接線方式為主磁路心柱中包括兩個繞組,仏、U2是交流網(wǎng)側(cè)繞組,Udl、 Ud2 是直流繞組電壓,由于不同磁路的磁導(dǎo)率不同,磁通A、 ^所在的兩個主磁路的磁阻承擔(dān)整個系統(tǒng)中主要的勵磁磁動勢。電阻為r,電流為i,H是磁場強度,是磁導(dǎo)率,小是交流 電壓初相位。各個變量的下標(biāo)1, 2分別表示左心柱和右心柱繞組側(cè),3, 4, 5表示旁軛磁路, d表示直流量;(2) 根據(jù)基本磁路原理進行如下推導(dǎo),忽略漏抗,由法拉第電磁感應(yīng)定律有<formula>formula see original document page 2</formula>由導(dǎo)磁媒質(zhì)的安培環(huán)路定律有 H山+H山=N山+N丄 (5) H212+H414 = N2i2-Nd2id2 (6) H313 = H414+H515 (7)由磁路基爾霍夫第一定律有 仍=% + A+ %由導(dǎo)磁媒質(zhì)的飽和磁化特性有 由導(dǎo)磁媒質(zhì)的不飽和特化特性有<formula>formula see original document page 2</formula>上述是微分方程組、線性方程組和非線性方程組構(gòu)成的混合方程組; (3)磁路電路的雙向等值控制算法為解耦計算上述復(fù)雜的磁路電路非線性方程組,以高壓磁控式并聯(lián)電抗器解耦等值磁 通差電磁暫態(tài)模型為基礎(chǔ),充分考慮每相各繞組之間的磁耦合,以及網(wǎng)側(cè)電氣并聯(lián)和勵磁 電路的反向串聯(lián)關(guān)系,提出了磁路電路雙向等值控制算法高壓磁控式并聯(lián)電抗器的磁路結(jié)構(gòu)為交直流混合勵磁磁動勢Fml和Fm2在主磁路1,2上產(chǎn)生,同時也造成了主磁路1,2的磁飽和,磁路磁阻分別為Rml和R^,根據(jù)磁通連續(xù)定律, 飽和磁通A在a點分解為外和^ ,磁路磁阻分別為Rm3和Rm5 ;飽和磁通^在b點分解為^和^ ,磁路磁阻分別為Rm4和Rm"根據(jù)磁阻定義有<formula>formula see original document page 3</formula>(15)由于Rml " Rm2處于飽和狀態(tài),磁導(dǎo)率顯著減少,其磁阻遠大于Rm3 " Rm4,消耗了主要的 磁動勢Fml和Fm2,根據(jù)磁路回路方程有<formula>formula see original document page 3</formula>因為勵磁支路中直流勵磁z" D交流勵磁i。,所以直流勵磁磁動勢消耗在主磁路上。 以反雙曲函數(shù)描述H-B飽和磁化曲線,并由主磁路安培環(huán)路定律可得<formula>formula see original document page 3</formula>其中,可推導(dǎo)出磁感應(yīng)強度為<formula>formula see original document page 3</formula>于是可求出磁鏈解析表達式為<formula>formula see original document page 3</formula>由磁路電磁感應(yīng)定律,可求出磁路等值電感為 <formula>formula see original document page 3</formula>(4)設(shè)系統(tǒng)中高壓磁控式并聯(lián)電抗器連接節(jié)點的目標(biāo)調(diào)節(jié)電壓為Up,由瞬時相量原理, 可求出每一時步計算的等值相量電流Ih,由電路中的戴維南定律人(24)可推導(dǎo)出電路等值電感為, (25) 按照高壓磁控式并聯(lián)電抗器的磁路電路結(jié)構(gòu),磁路等值電感和電路等值電感應(yīng)該-致,即<formula>formula see original document page 4</formula>于是控制系統(tǒng)中磁路等值電感Lmd已知,由公式(21)可推導(dǎo)出目標(biāo)電壓下需加入的控 制系統(tǒng)中勵磁電流解析式為流c<formula>formula see original document page 4</formula>(30)由上述步驟求得的解析式(30)可以直接求出投入目標(biāo)電抗值所需要的直流勵磁電
      3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于該方法還可使用包括以下的連續(xù)函數(shù)及其各種形式的組合來描述高壓磁控式并聯(lián)電抗器的非線性磁路飽和特性,從而進行仿真建模和控制器設(shè)計 <formula>formula see original document page 4</formula>
      全文摘要
      本發(fā)明提供了一種高壓磁控式并聯(lián)電抗器的雙向等值反雙曲微分控制器設(shè)計方法。本發(fā)明提出并利用磁路電路雙向等值算法,以反雙曲函數(shù)描述飽和磁路特性,從復(fù)雜耦合的非線性磁路和微分電路方程組中,以解析解形式求出控制系統(tǒng)需要的勵磁電流,算法直接、計算精確。具有創(chuàng)新性強,跟蹤迅速、控制可靠等優(yōu)點。已在電力系統(tǒng)全數(shù)字實時仿真裝置中編程實現(xiàn)了控制模塊的工程化應(yīng)用。為超/特高壓磁控式并聯(lián)電抗器及其控制系統(tǒng)的實時電磁暫態(tài)仿真提供了必要的仿真工具,也為電力系統(tǒng)非線性元件控制系統(tǒng)的設(shè)計開創(chuàng)了新的思路。
      文檔編號G06F17/50GK101727524SQ20091024308
      公開日2010年6月9日 申請日期2009年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月24日
      發(fā)明者周孝信, 鄭偉杰 申請人:中國電力科學(xué)研究院
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1