專利名稱：無(wú)線ic器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無(wú)線ICantegrated Circuit)器件，特別涉及用于RFID(feidio Frequency Identification)系統(tǒng)的具有無(wú)線IC的無(wú)線IC器件。
背景技術(shù)：
作為用于室內(nèi)進(jìn)出管理、定期票、信用卡等的無(wú)線IC器件，已知有例如專利文獻(xiàn)1 中記載的RFID標(biāo)簽。圖14是專利文獻(xiàn)1中記載的RFID標(biāo)簽500的分解立體圖。
圖14所示的RFID標(biāo)簽500包括天線基板502 (502a 502d)、芯片連接端子506a、 506b、IC芯片508、密封樹脂510、以及天線線圈L。如圖14所示，天線線圈L包括天線圖案 504(504a 504d)以及通孔 b501 b504。
天線基板502是長(zhǎng)方形的絕緣體層。天線圖案50 504d是成螺旋狀的線狀導(dǎo) 體，分別設(shè)置在天線基板50 502d上。通孔b501連接在天線圖案5(Ma、504b之間。通 孔b502連接在天線圖案504b、5(Mc之間。通孔b503連接在天線圖案5(Mc、504d之間。通 孔1^504連接在天線圖案504a、504d之間。
芯片連接端子506a設(shè)置于天線基板50 ，與天線圖案50 連接。芯片連接端子 506b設(shè)置于天線基板502a，與通孔b504電連接。IC芯片508安裝于芯片連接端子506a、 50乩。而且，IC芯片508被密封樹脂510覆蓋而受保護(hù)。
在如上所述的RFID標(biāo)簽500中，天線線圈L與IC芯片508相連接。而且，RFID標(biāo) 簽500與未圖示的讀寫器之間進(jìn)行信號(hào)的交換。
然而，在專利文獻(xiàn)1記載的RFID標(biāo)簽500中，通孔b501與通孔b502 b504平行 地延伸。所以，在通孔1^504與通孔1^501 1^503之間分別產(chǎn)生寄生電容。這種寄生電容的 產(chǎn)生成為RFID標(biāo)簽500的諧振頻率偏離所希望的值的原因。
專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2007-102348號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制諧振頻率偏離所希望的值的無(wú)線IC 器件。
本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的無(wú)線IC器件，其特征在于，包括層疊體，該層疊體 由多個(gè)絕緣體層層疊而成；天線線圈，該天線線圈通過(guò)連接多個(gè)導(dǎo)體層和多個(gè)過(guò)孔導(dǎo)體而 構(gòu)成螺旋狀，具有位于在層疊方向的最下側(cè)設(shè)置的所述導(dǎo)體層的第一端部、和位于在層疊 方向的最上側(cè)設(shè)置的所述導(dǎo)體層的第二端部；無(wú)線IC，該無(wú)線IC與所述第一端部和所述 第二端部電連接；以及貫穿過(guò)孔導(dǎo)體，該貫穿過(guò)孔導(dǎo)體設(shè)置在所述第一端部和所述無(wú)線IC 之間，且貫穿多個(gè)所述絕緣體層，所述多個(gè)過(guò)孔導(dǎo)體包含第一過(guò)孔導(dǎo)體，在所述天線線圈 中的所述多個(gè)過(guò)孔導(dǎo)體內(nèi)，該第一過(guò)孔導(dǎo)體設(shè)置成從所述第二端部起的電流通路的長(zhǎng)度最 短；以及所述第一過(guò)孔導(dǎo)體以外的第二過(guò)孔導(dǎo)體，當(dāng)沿層疊方向俯視時(shí)，所述貫穿過(guò)孔導(dǎo)體 與所述第一過(guò)孔導(dǎo)體的之間距離大于該貫穿過(guò)孔導(dǎo)體與所述第二過(guò)孔導(dǎo)體之間的距離。3
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的無(wú)線IC器件，能抑制諧振頻率偏離所希望的值。


圖1是第1實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件的分解立體圖。
圖2(a)是沿ζ軸方向俯視圖1所示的無(wú)線IC器件的圖。圖2 (b)是圖2(a)所示 的無(wú)線IC器件沿A-A的剖視結(jié)構(gòu)圖。
圖3是圖1所示的無(wú)線IC器件的等效電路圖。
圖4是第2實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件的分解立體圖。
圖5是圖4所示的無(wú)線IC器件在zy平面的剖視結(jié)構(gòu)圖。
圖6是第3實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件的分解立體圖。
圖7是圖6所示的無(wú)線IC器件在zy平面的剖視結(jié)構(gòu)圖。
圖8是第4實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件的分解立體圖。
圖9是圖8所示的無(wú)線IC器件的電磁耦合組件附近在XZ平面的剖視結(jié)構(gòu)圖
圖10是供電電路基板的分解立體圖。
圖11是第5實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件的分解立體圖。
圖12是第6實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件的分解立體圖。
圖13是無(wú)線IC卡的分解立體圖。
圖14是專利文獻(xiàn)1記載的RFID標(biāo)簽的分解立體圖。
具體實(shí)施方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的無(wú)線IC器件進(jìn)行說(shuō)明。另外，在各圖 中，對(duì)共用的零部件、部分標(biāo)記相同的參考標(biāo)號(hào)，省略重復(fù)說(shuō)明。
(第1實(shí)施方式)
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件進(jìn)行說(shuō)明。圖1是 第1實(shí)施方式涉及的無(wú)線IC器件IOa的分解立體圖。在圖1中，X軸是無(wú)線IC器件IOa 的長(zhǎng)邊方向，y軸是無(wú)線IC器件IOa的短邊方向，ζ軸是無(wú)線IC器件IOa的層疊方向。圖 2(a)是沿ζ軸方向俯視無(wú)線IC器件IOa的圖。圖2 (b)是圖2(a)所示的無(wú)線IC器件沿 A-A的剖視結(jié)構(gòu)圖。圖3是圖1所示的無(wú)線IC器件IOa的等效電路圖。
無(wú)線IC器件IOa具有13. 56MHz的諧振頻率，通過(guò)電磁感應(yīng)方式與讀寫器之間傳 送收發(fā)信號(hào)。如圖ι所示，無(wú)線IC器件IOa包括絕緣體層1 12d、連接部16、無(wú)線IC18、 天線線圈L、以及過(guò)孔導(dǎo)體bll bl3。此外，天線線圈L通過(guò)將線圈導(dǎo)體(導(dǎo)體層)1 14d、連接部(導(dǎo)體層)20a、20d、以及過(guò)孔導(dǎo)體bl b3連接，盤旋地沿ζ軸方向行進(jìn)而成螺 旋狀。下面，當(dāng)表示個(gè)別的構(gòu)成要素時(shí)，在參考標(biāo)號(hào)的后面標(biāo)記字母、數(shù)字，當(dāng)對(duì)構(gòu)成要素統(tǒng) 稱時(shí)，省略參考標(biāo)號(hào)后面的字母、數(shù)字。
絕緣體層12是由絕緣性材料形成的長(zhǎng)方形片材，例如用LCP (液晶聚合物)、聚對(duì) 苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂片材制作。
線圈導(dǎo)體14a 14d具有相同線寬，分別由銅箔、鋁箔等金屬箔形成于絕緣體層 12a 12d上。更詳細(xì)而言，線圈導(dǎo)體14將沿絕緣體層12的各邊延伸的四根線狀導(dǎo)體連 接，具有環(huán)狀(長(zhǎng)方形)的一部分被切除的形狀。即，線圈導(dǎo)體14以不到一圈的長(zhǎng)度圍繞在天線線圈L的線圈軸的周圍。而且，如圖2(a)所示，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體1 14d相互重疊而構(gòu)成一個(gè)長(zhǎng)方形的環(huán)狀軌道R。
過(guò)孔導(dǎo)體bl是貫穿絕緣體層1 而形成的連接導(dǎo)體，將線圈導(dǎo)體1 和線圈導(dǎo)體 14b連接。過(guò)孔導(dǎo)體Μ是貫穿絕緣體層12b而形成的連接導(dǎo)體，將線圈導(dǎo)體14b和線圈導(dǎo) 體14c連接。過(guò)孔導(dǎo)體b3是貫穿絕緣體層12c而形成的連接導(dǎo)體，將線圈導(dǎo)體Hc和線圈 導(dǎo)體14d連接。另外，如圖1所示，過(guò)孔導(dǎo)體bl b3優(yōu)選設(shè)置在當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)與線 圈導(dǎo)體14a、14d重疊的位置。
連接部16是位于ζ軸方向最上側(cè)的絕緣體層1 上、由金屬箔形成在線圈導(dǎo)體14 所構(gòu)成的長(zhǎng)方形的環(huán)狀軌道內(nèi)的線狀導(dǎo)體。連接部16的一端構(gòu)成焊盤導(dǎo)體17a。
連接部20a是位于ζ軸方向最上側(cè)的絕緣體層1 上由金屬箔形成的線狀導(dǎo)體。 連接部20a的一端與線圈導(dǎo)體14a的未連接過(guò)孔導(dǎo)體bl的端部連接。連接部20a的另一 端構(gòu)成天線線圈L的端部t2，并且構(gòu)成焊盤導(dǎo)體17b。
連接部20d是位于ζ軸方向最下側(cè)的絕緣體層12d上由金屬箔形成的線狀導(dǎo)體。 連接部20d的一端與線圈導(dǎo)體14d的未連接過(guò)孔導(dǎo)體b3的端部連接。當(dāng)沿ζ軸方向俯視 時(shí)，連接部20d的另一端與連接部16重疊，構(gòu)成天線線圈L的端部tl。
無(wú)線IC18與焊盤導(dǎo)體17a、17b電連接，是用于處理與讀寫器之間進(jìn)行交換的收發(fā) 信號(hào)的集成電路。無(wú)線IC18通過(guò)焊料等直接安裝在焊盤導(dǎo)體17a、17b上。在無(wú)線IC器件 IOa用作為定期票的情況下，無(wú)線IC18存儲(chǔ)與可利用定期票的區(qū)間有關(guān)的信息、與定期票 的持有者有關(guān)的信息。這些信息也可以改寫，而且，也可以具有包括讀寫器及無(wú)線IC器件 IOa的RFID系統(tǒng)以外的信息處理功能。
過(guò)孔導(dǎo)體bl 1 bl3構(gòu)成一根過(guò)孔導(dǎo)體(貫穿過(guò)孔導(dǎo)體)B，設(shè)置在端部tl與無(wú)線 IC18之間。具體而言，過(guò)孔導(dǎo)體bll bl3分別是設(shè)置成貫穿絕緣體層1 12c的連接 導(dǎo)體，將連接部16和連接部20d的端部tl連接。因此，過(guò)孔導(dǎo)體bll bl3將設(shè)置于ζ軸 方向的最正方向側(cè)的導(dǎo)體層即連接部16和設(shè)置在ζ軸方向的最負(fù)方向側(cè)的導(dǎo)體層即連接 部20d連接。
通過(guò)將圖1所示的多個(gè)絕緣體層1 12d層疊，構(gòu)成無(wú)線IC器件10a。由此，無(wú) 線IC器件IOa構(gòu)成圖3所示的等效電路。更詳細(xì)而言，在天線線圈L的電感LlOa與無(wú)線 IC18的電阻RlOa之間，并聯(lián)連接有線圈導(dǎo)體14的電容ClOa。另夕卜，在圖3中，省略了無(wú)線 IC18具有的寄生電容。
無(wú)線IC器件IOa具有用于抑制諧振頻率偏離所希望的值的結(jié)構(gòu)。下面，參照?qǐng)D 2(a)對(duì)有關(guān)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
對(duì)于無(wú)線IC器件10a，在天線線圈L中，過(guò)孔導(dǎo)體bl、b2、b3的從端部t2起的電 流通路依次變長(zhǎng)。電流通路的長(zhǎng)度是指從端部t2到過(guò)孔導(dǎo)體bl、b2、b3之間存在的天線線 圈L的長(zhǎng)度。而且，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，如圖2 (a)所示，過(guò)孔導(dǎo)體B與過(guò)孔導(dǎo)體bl之間 的距離Dl大于過(guò)孔導(dǎo)體B與其它過(guò)孔導(dǎo)體l32、b3之間的距離D2、D3。而且，在本實(shí)施方式 中，距離D2大于距離D3。
而且，在無(wú)線IC器件IOa中，如圖2(a)所示，過(guò)孔導(dǎo)體B設(shè)置成比過(guò)孔導(dǎo)體bl b3更靠近無(wú)線IC18。
(效果)5\
根據(jù)如上所述的無(wú)線IC器件10a，像下面所說(shuō)明的那樣，能抑制諧振頻率偏離所 希望的值。
更詳細(xì)而言，現(xiàn)有的圖14所示的天線圖案504設(shè)置于多個(gè)天線基板502，通過(guò)通孔 b501 b504相互連接。通孔b504由于將天線圖案5(Ma、504d之間連接，因此與通孔b501 平行地延伸。而且，通孔b501連接在IC芯片508的一個(gè)端子附近，通孔b504連接在IC芯 片508的另一個(gè)端子附近。在RFID標(biāo)簽500內(nèi)，電阻值最高的是IC芯片508。因此，通孔 b501與通孔1^504之間的電位差大于通孔1^501與其它通孔1^502、b503之間的電位差。
這里，通孔b501與通孔b502 b504之間分別產(chǎn)生寄生電容。因此，通孔b501與 通孔1^502 1^504之間因電位差而分別產(chǎn)生電荷的充放電。特別是在產(chǎn)生最大電位差的通 孔1^501與通孔1^504之間，容易產(chǎn)生大量電荷的充放電。這樣，若產(chǎn)生電荷的充放電，則通 孔1^501和通孔1^504起到電容器的作用，天線線圈L的諧振頻率發(fā)生偏離。因此，希望盡可 能地減小在產(chǎn)生大電位差的通孔1^501與通孔1^504之間產(chǎn)生的寄生電容。
所以，在無(wú)線IC器件IOa中，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，如圖2 (a)所示，過(guò)孔導(dǎo)體B與 過(guò)孔導(dǎo)體bl之間的距離Dl大于過(guò)孔導(dǎo)體B與其它過(guò)孔導(dǎo)體l32、b3之間的距離D2、D3。由 此，在過(guò)孔導(dǎo)體B與過(guò)孔導(dǎo)體bl之間產(chǎn)生的寄生電容小于過(guò)孔導(dǎo)體B與其它過(guò)孔導(dǎo)體b2、 b3之間產(chǎn)生的寄生電容。S卩，在無(wú)線IC器件IOa中，使會(huì)產(chǎn)生最大電位差的過(guò)孔導(dǎo)體B與 過(guò)孔導(dǎo)體bl之間所產(chǎn)生的寄生電容小于過(guò)孔導(dǎo)體B與其它過(guò)孔導(dǎo)體b2、b3之間所產(chǎn)生的 寄生電容。因此，過(guò)孔導(dǎo)體B與過(guò)孔導(dǎo)體bl之間大量電荷的充放電得到抑制。其結(jié)果是， 抑制過(guò)孔導(dǎo)體B和過(guò)孔導(dǎo)體bl起到電容器的作用，抑制天線線圈L的諧振頻率偏離所希望 的值。
根據(jù)如上所述的無(wú)線IC器件10a，像下面所說(shuō)明的那樣，能降低諧振頻率因使用 狀況的不同而產(chǎn)生的偏差。
更詳細(xì)而言，在無(wú)線IC器件IOa中，如圖2(a)所示，線圈電極14a 14d在ζ軸 方向相互重合。因而，若在天線線圈L中有電流流過(guò)，則如圖2(b)所示，在彼此相對(duì)的線圈 電極14之間(在圖2 (b)中的線圈電極1 與線圈電極14b之間)，產(chǎn)生有利于形成圖3的 電容ClOa的電力線ElOa。即，在線圈電極14a的ζ軸方向上側(cè)不會(huì)產(chǎn)生電力線ElOa。其 結(jié)果是，如圖2(b)所示，即使人手Finl靠近線圈電極14a，也不會(huì)有電力線ElOa通過(guò)人手 Finl。因此，電容ClOa不會(huì)因無(wú)線IC器件IOa的手持方式不同而產(chǎn)生偏差，從而抑制無(wú)線 IC器件IOa的諧振頻率因使用狀況的不同而產(chǎn)生偏差。
此外，在無(wú)線IC器件IOa中，如圖2(a)所示，過(guò)孔導(dǎo)體B設(shè)置得比過(guò)孔導(dǎo)體bl b3更靠近無(wú)線IC18。因此，將過(guò)孔導(dǎo)體B和無(wú)線IC18連接的連接部16的長(zhǎng)度較短即可。 當(dāng)從ζ軸方向俯視時(shí)，由于連接部16設(shè)置在天線線圈L內(nèi)，因此會(huì)妨礙天線線圈L產(chǎn)生的 磁通。因此，像無(wú)線IC器件IOa那樣，通過(guò)將連接部16變短，抑制連接部16對(duì)天線線圈L 的磁通的妨礙。其結(jié)果是，能使天線線圈L的電感值變大。
此外，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體1 14d重合。由此，抑制線圈導(dǎo)體Ha 14d產(chǎn)生的磁通從線圈導(dǎo)體1 14d在ζ軸方向上夾著的空間泄漏。S卩，抑制線圈導(dǎo)體 14a 14d產(chǎn)生的磁通泄漏到無(wú)線IC器件IOa外。其結(jié)果是，即使因人手觸碰到無(wú)線IC器 件10而導(dǎo)致無(wú)線IC器件IOa周圍的介電常數(shù)發(fā)生變化，磁通也不會(huì)通過(guò)人手，因此在線圈 導(dǎo)體1 14d之間產(chǎn)生的寄生電容不會(huì)發(fā)生變化。如上所述，對(duì)于無(wú)線IC器件10a，在使\用時(shí)，因線圈導(dǎo)體Ha 14d之間的寄生電容發(fā)生變化而引起的天線線圈L的諧振頻率變 動(dòng)得到抑制。
此外，在無(wú)線IC器件IOa中，設(shè)置于ζ軸方向的最負(fù)方向側(cè)的線圈導(dǎo)體14d以不 到一圈的長(zhǎng)度圍繞在天線線圈L的線圈軸的周圍。因此，過(guò)孔導(dǎo)體B與過(guò)孔導(dǎo)體b3之間的 電位差變小。從而，像無(wú)線IC器件IOa那樣，即使將過(guò)孔導(dǎo)體B和過(guò)孔導(dǎo)體b3靠近，天線 線圈L的諧振頻率也難以變動(dòng)。
另外，流過(guò)過(guò)孔導(dǎo)體B的電流的流向與流過(guò)過(guò)孔導(dǎo)體bl b3的電流的流向相反。 因此，在天線線圈L中，因過(guò)孔導(dǎo)體B與過(guò)孔導(dǎo)體bl b3的磁耦合而產(chǎn)生的電感值變得容 易產(chǎn)生變化。因此，希望過(guò)孔導(dǎo)體B與過(guò)孔導(dǎo)體bl b3之間的距離盡可能地大。
(第2實(shí)施方式)
下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件進(jìn)行說(shuō)明。圖4是 第2實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件IOb的分解立體圖。在圖4中，χ軸是無(wú)線IC器件IOb 的長(zhǎng)邊方向，y軸是無(wú)線IC器件IOb的短邊方向，ζ軸是無(wú)線IC器件IOb的層疊方向。圖 5是無(wú)線IC器件IOb在zy平面的剖視結(jié)構(gòu)圖。另夕卜，在圖4和圖5中，對(duì)與圖1和圖2(a) 相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記相同的參考標(biāo)號(hào)。
無(wú)線IC器件IOa與無(wú)線IC器件IOb的不同點(diǎn)在于，線圈導(dǎo)體14a、14d被替換成 線圈導(dǎo)體Ma、Md。更詳細(xì)而言，線圈導(dǎo)體Ma、24d的線寬形成得比線圈導(dǎo)體14b、14c的線 寬要寬。由此，位于ζ軸方向兩端的線圈導(dǎo)體Ma、Md具有比其它線圈導(dǎo)體14b、14c更寬 的線寬。
而且，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體Ma 在線寬方向上遮蓋了其它線圈導(dǎo)體 14b、14c的至少一部分。作為一個(gè)示例，對(duì)線圈導(dǎo)體2 和線圈導(dǎo)體14b進(jìn)行說(shuō)明。如圖5 所示，線圈導(dǎo)體14b設(shè)置成在線寬方向上其兩端收在線圈導(dǎo)體Ma內(nèi)而不露出。由此，當(dāng)沿 ζ軸方向俯視時(shí)，在線圈導(dǎo)體2 與線圈導(dǎo)體14b之間產(chǎn)生的電力線ElOb變得難以泄漏到 線圈導(dǎo)體2 外。其結(jié)果是，在手持無(wú)線IC器件IOb時(shí)，電力線ElOb變得難以通過(guò)人手。 其結(jié)果是，能夠更有效地抑制因無(wú)線IC器件IOb的使用狀況不同而引起的諧振頻率的偏 差。
另外，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體Ma、24d遮蓋了其它線圈導(dǎo)體14b、14c的至 少一部分，對(duì)此已做了說(shuō)明。“遮蓋至少一部分”意味著例如，由于在線圈導(dǎo)體14b的ζ軸 方向上側(cè)存在未設(shè)置線圈導(dǎo)體Ma的部分(圖4的α部分)，因此線圈導(dǎo)體2 也可以不 完全遮蓋線圈導(dǎo)體14b。
另外，對(duì)于無(wú)線IC器件IOb的其他結(jié)構(gòu)，由于與無(wú)線IC器件IOa相同，因此省略 說(shuō)明。
(第3實(shí)施方式)
下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件進(jìn)行說(shuō)明。圖6 是第3實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件IOc的分解立體圖。在圖6中，χ軸是無(wú)線IC器件 IOc的長(zhǎng)邊方向，y軸是無(wú)線IC器件IOc的短邊方向，ζ軸是無(wú)線IC器件IOc的層疊方向。 圖7是無(wú)線IC器件IOc在zy平面的剖視結(jié)構(gòu)圖。另外，在圖6和圖7中，對(duì)與圖4和圖5 相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記相同的參考標(biāo)號(hào)。
無(wú)線IC器件IOb與無(wú)線IC器件IOc的不同點(diǎn)在于，未設(shè)置絕緣體層12c，以及線圈導(dǎo)體14b被替換成線圈導(dǎo)體1Mb。
更詳細(xì)而言，無(wú)線IC器件IOb是重疊四層絕緣體層12而構(gòu)成的，而無(wú)線IC器件 IOc如圖6所示，是重疊三層絕緣體層12重疊而構(gòu)成的。因此，在無(wú)線IC器件IOc中，線圈 導(dǎo)體M、34的數(shù)目比無(wú)線IC器件IOb少一個(gè)。所以，在無(wú)線IC器件IOc中，通過(guò)使線圈導(dǎo) 體34b的長(zhǎng)度為兩圈的量，使無(wú)線IC器件IOc的天線線圈L的匝數(shù)與無(wú)線IC器件IOb的 天線線圈L的匝數(shù)相等。
另外，對(duì)于無(wú)線IC器件IOc的其他結(jié)構(gòu)，由于與無(wú)線IC器件IOb相同，因此省略 說(shuō)明。
根據(jù)無(wú)線IC器件10c，與無(wú)線IC器件IOa同樣，可抑制天線線圈L的諧振頻率偏 離所希望的值。
此外，只要位于ζ軸方向兩端的線圈導(dǎo)體Ma 以不到一圈的長(zhǎng)度圍繞在天線 線圈L的線圈軸的周圍，線圈導(dǎo)體Ma、Md以外的線圈導(dǎo)體34b就可以以一圈以上的長(zhǎng)度 圍繞在天線線圈L的線圈軸的周圍。通過(guò)使無(wú)線IC器件IOc具有如上所述的結(jié)構(gòu)，像下面 所說(shuō)明的那樣，能降低諧振頻率因使用狀況的不同而產(chǎn)生的偏差，并且，即使層疊數(shù)較少， 也可以使天線線圈L的匝數(shù)較多。
更詳細(xì)而言，由于線圈導(dǎo)體34b如圖6所示的那樣在線圈軸的周圍圍繞多圈，因 此，線圈導(dǎo)體34b彼此如圖7所示的那樣以接近的狀態(tài)排列在絕緣體層12b上。因此，若有 電流流過(guò)天線線圈L，則在線圈導(dǎo)體34b的ζ軸方向的上下方向產(chǎn)生電力線ElOc。
然而，由于線圈導(dǎo)體34b不是位于ζ軸方向兩端的線圈導(dǎo)體，因此，從線圈導(dǎo)體34b 起到無(wú)線IC器件IOc外為止有足夠的距離。所以，如圖7所示，在線圈導(dǎo)體34b之間產(chǎn)生 的電力線ElOc幾乎不會(huì)從無(wú)線IC器件IOc泄漏。因此，在人手手持無(wú)線IC器件IOc的情 況下，因電力線ElOc通過(guò)人手而引起天線線圈L的電容變化得到抑制。
特別地，如圖7所示，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體Ma、24d在線寬方向遮蓋其 它線圈導(dǎo)體34b的至少一部分，由此能更有效地抑制因無(wú)線IC器件IOc的使用狀況不同而 引起的諧振頻率的偏差。更詳細(xì)而言，如圖7所示，線圈導(dǎo)體34b設(shè)置成在線寬方向上其兩 端收在線圈導(dǎo)體Ma、Md(圖7中未圖示線圈導(dǎo)體Md)內(nèi)而不露出。由此，線圈導(dǎo)體Ma、 24d將電力線ElOc屏蔽，更有效地抑制該電力線向無(wú)線IC器件IOc外泄漏。其結(jié)果是，能 夠更有效地抑制因無(wú)線IC器件IOc的手持狀態(tài)不同而引起的諧振頻率的偏差。另外，雖然 在線圈導(dǎo)體2 與線圈導(dǎo)體34b之間也產(chǎn)生電力線，但由于與第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方 式同樣地難以泄漏到線圈導(dǎo)體2 外，因此能抑制諧振頻率的偏差。
(第4實(shí)施方式)
下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第4實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件進(jìn)行說(shuō)明。圖8 是第4實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件IOd的分解立體圖。在圖8中，χ軸是無(wú)線IC器件 IOd的長(zhǎng)邊方向，y軸是無(wú)線IC器件IOd的短邊方向，ζ軸是無(wú)線IC器件IOd的層疊方向。 圖9是無(wú)線IC器件IOd的電磁耦合組件60附近在xz平面的剖視結(jié)構(gòu)圖。另外，在圖8和 圖9中，對(duì)與圖1和圖2(a)相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記相同的參考標(biāo)號(hào)。
在無(wú)線IC器件IOa中，無(wú)線IC18直接與連接部16、20a的焊盤導(dǎo)體17a、17b連接， 而在無(wú)線IC器件IOd中，如圖8所示，無(wú)線IC18通過(guò)供電電路基板70與連接部16、20a的 焊盤導(dǎo)體17a、17b電連接。在無(wú)線IC器件IOd中，無(wú)線IC18和供電電路基板70構(gòu)成電磁8耦合組件60。
更詳細(xì)而言，如圖9所示，在無(wú)線IC18的下表面設(shè)置有連接用電極58。無(wú)線IC18 通過(guò)該連接用電極58安裝于供電電路基板70。供電電路基板70包含與無(wú)線IC18連接的 電感元件，在其下表面具有外部電極79a、79b。外部電極79a、79b分別與連接部16、20a的 焊盤導(dǎo)體17a、17b連接。
接下來(lái)，參照?qǐng)D10，對(duì)供電電路基板70的細(xì)節(jié)進(jìn)行說(shuō)明。圖10是供電電路基板 70的分解立體圖。
供電電路基板70是將由介質(zhì)形成的陶瓷片材71A 71H層疊、壓接、燒制而成的， 在片材71A上形成有連接用電極72a、72b、電極72c、72d以及過(guò)孔導(dǎo)體73a、73b，在陶瓷片 材71B上形成有電容器電極78a、導(dǎo)體圖案75a、75b以及過(guò)孔導(dǎo)體73c 73e，在陶瓷片材 71C上形成有電容器電極78b以及過(guò)孔導(dǎo)體73d 73f。而且，在陶瓷片材71D上形成有導(dǎo) 體圖案76a、76b以及過(guò)孔導(dǎo)體73e、73f、74a、74b、74d，在陶瓷片材71E上形成有導(dǎo)體圖案 76a,76b以及過(guò)孔導(dǎo)體73e、73f、74a、74c、74e，在陶瓷片材71F上形成有電容器電極77、導(dǎo) 體圖案76a、76b以及過(guò)孔導(dǎo)體73e、73f、74f、74g，在陶瓷片材71G上形成有導(dǎo)體圖案76a、 76b以及過(guò)孔導(dǎo)體73e、73f、74f、74g，在陶瓷片材71H上形成有導(dǎo)體圖案76a、76b以及過(guò)孔 導(dǎo)體73f。
通過(guò)將以上陶瓷片材71A 71H層疊，由用過(guò)孔導(dǎo)體74c、74d、74g螺旋狀地連接 的導(dǎo)體圖案76a構(gòu)成電感元件Li，由用過(guò)孔導(dǎo)體74b、7^、74f螺旋狀地連接的導(dǎo)體圖案 76b構(gòu)成電感元件L2，由電容器電極78a、78b構(gòu)成電容元件Cl，由電容器電極78b、77構(gòu)成 電容元件C2。
電感元件Ll的一端通過(guò)過(guò)孔導(dǎo)體73d、導(dǎo)體圖案75a、過(guò)孔導(dǎo)體73c與電容器電極 78b連接，電感元件L2的一端通過(guò)過(guò)孔導(dǎo)體7 與電容器電極77連接。此外，電感元件Li、 L2的另一端在陶瓷片材71H上合二為一，通過(guò)過(guò)孔導(dǎo)體73e、導(dǎo)體圖案75b、過(guò)孔導(dǎo)體73a與 連接用電極7 連接。而且，電容器電極78a通過(guò)過(guò)孔導(dǎo)體7 與連接用電極72b電連接。
此外，連接用電極72a 72d通過(guò)連接用電極58與無(wú)線IC18連接。
此外，在供電電路基板70的下表面通過(guò)涂敷導(dǎo)體糊料等設(shè)置外部電極79a、79b， 外部電極79a通過(guò)磁場(chǎng)與電感元件Ll、L2耦合，外部電極79b通過(guò)過(guò)孔導(dǎo)體73f與電容器 電極78b電連接。
另外，在此諧振電路中，電感元件L1、L2采用并排地配置兩條導(dǎo)體圖案76a、76b的 結(jié)構(gòu)。兩條導(dǎo)體圖案76a、76b的線路長(zhǎng)度各不相同，從而能使諧振頻率不同，能使無(wú)線IC 器件適用于寬頻帶。
此外，各陶瓷片材71A 71H也可以是由磁性體的陶瓷材料形成的片材，供電電路 基板70可通過(guò)以往使用的片材層疊法、厚膜印刷法等多層基板制作工序容易地獲得。
此外，也可以將所述陶瓷片材71A 71H形成作為例如由聚酰亞胺、液晶聚合物等 介質(zhì)形成的柔性片材，在該片材上用厚膜形成法等形成電極、導(dǎo)體，將這些片材層疊并用熱 壓接等形成層疊體，并且內(nèi)置電感元件Li、L2和電容元件Cl、C2。
在所述供電電路基板70中，將電感元件L1、L2和電容元件C1、C2設(shè)置于平面透視 下不同的位置，通過(guò)電感元件Ll、L2與外部電極79a進(jìn)行磁耦合，外部電極79b成為構(gòu)成電 容元件Cl的一個(gè)電極。
因而，在供電電路基板70上裝載了所述無(wú)線IC18的電磁耦合組件60通過(guò)天線線 圈L接收來(lái)自未圖示的讀寫器的高頻信號(hào)，使得通過(guò)天線線圈L與外部電極79a、79b進(jìn)行 磁耦合的諧振電路諧振，僅將預(yù)定頻帶的接收信號(hào)提供給無(wú)線IC18。另一方面，從該接收信 號(hào)中取出預(yù)定的能量，將該能量作為驅(qū)動(dòng)源，在利用諧振電路調(diào)整到預(yù)定頻率后，將存儲(chǔ)于 無(wú)線IC18中的信息通過(guò)外部電極79a、79b及天線線圈L發(fā)送、傳輸?shù)阶x寫器。
在供電電路基板70中，由電感元件L1、L2和電容元件C1、C2所構(gòu)成的諧振電路決 定諧振頻率特性。來(lái)自天線線圈L的信號(hào)的頻率實(shí)質(zhì)上取決于諧振電路自身的諧振頻率。
另外，對(duì)于無(wú)線IC器件IOd的其他結(jié)構(gòu)，由于與無(wú)線IC器件IOa相同，因此省略 說(shuō)明。此外，供電電路基板70也可以適用于無(wú)線IC器件IOa以外的無(wú)線IC器件10b、10c。
根據(jù)如上所述的無(wú)線IC器件10d，與無(wú)線IC器件IOa同樣，也能降低諧振頻率因 使用狀況的不同而產(chǎn)生的偏差。
(第5實(shí)施方式)
下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第5實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件進(jìn)行說(shuō)明。圖11 是第5實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件IOe的分解立體圖。在圖11中，χ軸是無(wú)線IC器件 IOe的長(zhǎng)邊方向，y軸是無(wú)線IC器件IOe的短邊方向，ζ軸是無(wú)線IC器件IOe的層疊方向。
無(wú)線IC器件IOa與無(wú)線IC器件IOe的第一個(gè)不同點(diǎn)在于，在無(wú)線IC器件IOa中， 線圈導(dǎo)體14a 14d以不到一圈的長(zhǎng)度圍繞在天線線圈L的線圈軸的周圍，而在無(wú)線IC器 件IOe中，線圈導(dǎo)體114b、114c以7/4圈的長(zhǎng)度圍繞在天線線圈L的線圈軸的周圍。此外， 無(wú)線IC器件IOa與無(wú)線IC器件IOe的第二個(gè)不同點(diǎn)在于，在無(wú)線IC器件IOa中，在設(shè)置 于ζ軸方向的最正方向側(cè)的絕緣體層1 設(shè)置有線圈導(dǎo)體14a，而在無(wú)線IC器件IOe中，在 設(shè)置于ζ軸方向的最正方向側(cè)的絕緣體層11 未設(shè)置線圈導(dǎo)體114。下面，對(duì)無(wú)線IC器件 IOe的細(xì)節(jié)進(jìn)行說(shuō)明。
如圖11所示，無(wú)線IC器件IOe包括絕緣體層11 112c、焊盤導(dǎo)體17a、19a、 19b、無(wú)線IC18、天線線圈L、以及過(guò)孔導(dǎo)體b31、b32。此外，天線線圈L通過(guò)將焊盤導(dǎo)體17b、 線圈導(dǎo)體(導(dǎo)體層)114b、114c、以及過(guò)孔導(dǎo)體Ml、b22連接，盤旋地沿ζ軸方向行進(jìn)而成 螺旋狀。下面，當(dāng)表示個(gè)別的構(gòu)成要素時(shí)，在參考標(biāo)號(hào)的后面標(biāo)記字母、數(shù)字，當(dāng)對(duì)構(gòu)成要素 統(tǒng)稱時(shí)，省略參考標(biāo)號(hào)后面的字母、數(shù)字。
絕緣體層112是由絕緣性材料形成的長(zhǎng)方形片材，例如用LCP (液晶聚合物)、聚對(duì) 苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂片材制作。
焊盤導(dǎo)體17a、17b、19a、19b由銅箔、鋁箔等金屬箔形成于絕緣體層11 上。焊盤 導(dǎo)體17b構(gòu)成天線線圈L的端部t2。此外，焊盤導(dǎo)體19a、19b是未與天線線圈L電連接的 虛設(shè)導(dǎo)體。
線圈導(dǎo)體114b、lHc具有相同線寬，分別由銅箔、鋁箔等金屬箔形成于絕緣體層 112b、112c上。線圈導(dǎo)體114以7/4圈的長(zhǎng)度圍繞在天線線圈L的線圈軸的周圍。而且，如 圖11所示，當(dāng)從ζ軸方向俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體114b、IHc相互重疊。
過(guò)孔導(dǎo)體b21是貫穿絕緣體層11 而形成的連接導(dǎo)體，將焊盤導(dǎo)體17b和線圈導(dǎo) 體114b連接。過(guò)孔導(dǎo)體b22是貫穿絕緣體層112b而形成的連接導(dǎo)體，將線圈導(dǎo)體114b和 線圈導(dǎo)體IHc連接。
無(wú)線IC18與焊盤導(dǎo)體17a、17b電連接，是用于處理與讀寫器之間進(jìn)行交換的收發(fā)信號(hào)的集成電路。無(wú)線IC18通過(guò)焊料等直接安裝在焊盤導(dǎo)體17a、17b、19a、19b上。在無(wú) 線IC器件IOe用作為定期票的情況下，無(wú)線IC18存儲(chǔ)與可利用定期票的區(qū)間有關(guān)的信息、 與定期票的持有者有關(guān)的信息。這些信息也可以改寫，而且，也可以具有包括讀寫器及無(wú)線 IC器件IOe的RFID系統(tǒng)以外的信息處理功能。
過(guò)孔導(dǎo)體b31、b32構(gòu)成一根過(guò)孔導(dǎo)體(貫穿過(guò)孔導(dǎo)體)B，設(shè)置在端部tl與無(wú)線 IC18之間。具體而言，過(guò)孔導(dǎo)體b31、b32分別是設(shè)置成貫穿絕緣體層112a、112b的連接導(dǎo) 體，將焊盤導(dǎo)體17a和線圈導(dǎo)體IHc的端部tl連接。因此，過(guò)孔導(dǎo)體b31、b32將設(shè)置于ζ 軸方向的最正方向側(cè)的導(dǎo)體層即焊盤導(dǎo)體17a和設(shè)置在ζ軸方向的最負(fù)方向側(cè)的導(dǎo)體層即 線圈導(dǎo)體IHc連接。
通過(guò)將圖11所示的多個(gè)絕緣體層11 112c層疊，構(gòu)成無(wú)線IC器件10e。
與無(wú)線IC器件IOa同樣，無(wú)線IC器件IOe具有用于抑制諧振頻率偏離所希望的 值的結(jié)構(gòu)。具體而言，對(duì)于無(wú)線IC器件10e，在天線線圈L中，過(guò)孔導(dǎo)體Id21、1322的從端部 t2起的電流通路依次變長(zhǎng)。而且，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，如圖11所示，過(guò)孔導(dǎo)體B與過(guò)孔導(dǎo) 體b21之間的距離Dll大于過(guò)孔導(dǎo)體B與過(guò)孔導(dǎo)體b22之間的距離D12。
在如上所述的無(wú)線IC器件IOe中，與無(wú)線IC器件IOa同樣地，也能抑制諧振頻率 偏離所希望的值。
此外，無(wú)線IC器件IOa的線圈導(dǎo)體14以一圈的長(zhǎng)度圍繞在天線線圈L的線圈軸 的周圍，而無(wú)線IC器件IOe的線圈導(dǎo)體114以7/4圈的長(zhǎng)度圍繞在天線線圈L的線圈軸的 周圍。所以，在無(wú)線IC器件IOe中，通過(guò)比無(wú)線IC器件IOa要少的線圈導(dǎo)體114，能獲得與 無(wú)線IC器件IOe相同的電感值。其結(jié)果是，在無(wú)線IC器件IOe中，與無(wú)線IC器件IOa相 比，能降低ζ軸方向的厚度。
(第6實(shí)施方式)
下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的第6實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件進(jìn)行說(shuō)明。圖12 是第6實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件IOf的分解立體圖。在圖12中，χ軸是無(wú)線IC器件 IOf的長(zhǎng)邊方向，y軸是無(wú)線IC器件IOf的短邊方向，ζ軸是無(wú)線IC器件IOf的層疊方向。
無(wú)線IC器件IOe與無(wú)線IC器件IOf的第一個(gè)不同點(diǎn)在于，在無(wú)線IC器件IOe中， 過(guò)孔導(dǎo)體B在天線線圈L的內(nèi)部沿ζ軸方向延伸，而在無(wú)線IC器件IOf中，過(guò)孔導(dǎo)體B在 天線線圈L的外部沿ζ軸方向延伸。無(wú)線IC器件IOe與無(wú)線IC器件IOf的第二個(gè)不同點(diǎn) 在于，在無(wú)線IC器件IOe中，過(guò)孔導(dǎo)體B直接與焊盤導(dǎo)體17a連接，而在無(wú)線IC器件IOf 中，過(guò)孔導(dǎo)體B未直接與焊盤導(dǎo)體17a連接。下面，對(duì)無(wú)線IC器件IOf的細(xì)節(jié)進(jìn)行說(shuō)明。
如圖12所示，無(wú)線IC器件IOf包括絕緣體層21 212e、焊盤導(dǎo)體17a、19a、 19b、無(wú)線IC18、連接部120、天線線圈L、以及過(guò)孔導(dǎo)體b31 b33、b41。此外，天線線圈L 通過(guò)將焊盤導(dǎo)體17b、線圈導(dǎo)體(導(dǎo)體層)214c 214e、以及過(guò)孔導(dǎo)體b21 bM連接，盤 旋地沿ζ軸方向行進(jìn)而成螺旋狀。下面，當(dāng)表示個(gè)別的構(gòu)成要素時(shí)，在參考標(biāo)號(hào)的后面標(biāo)記 字母、數(shù)字，當(dāng)對(duì)構(gòu)成要素統(tǒng)稱時(shí)，省略參考標(biāo)號(hào)后面的字母、數(shù)字。
絕緣體層212是由絕緣性材料形成的長(zhǎng)方形片材，例如用LCP (液晶聚合物)、聚對(duì) 苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂片材制作。
焊盤導(dǎo)體17a、17b、19a、19b由銅箔、鋁箔等金屬箔形成于絕緣體層21 上。焊盤 導(dǎo)體17b構(gòu)成天線線圈L的端部t2。此外，焊盤導(dǎo)體19a、19b是未與天線線圈L電連接的11虛設(shè)導(dǎo)體。
線圈導(dǎo)體2Hc 2He具有相同線寬，分別由銅箔、鋁箔等金屬箔形成于絕緣體 層212c 21 上。線圈導(dǎo)體2Hc、214d以7/4圈的長(zhǎng)度圍繞在天線線圈L的線圈軸的周 圍。此外，線圈導(dǎo)體2He以兩圈的長(zhǎng)度圍繞在天線線圈L的線圈軸的周圍。而且，如圖12 所示，當(dāng)從ζ軸方向俯視時(shí)，線圈導(dǎo)體2Hc 2He相互重疊。此外，線圈導(dǎo)體2He的一端 構(gòu)成天線線圈L的端部tl。
過(guò)孔導(dǎo)體l321、b22是貫穿絕緣體層212a、212b而形成的連接導(dǎo)體，將焊盤導(dǎo)體17b 和線圈導(dǎo)體2Hc連接。過(guò)孔導(dǎo)體b23是貫穿絕緣體層212c而形成的連接導(dǎo)體，將線圈導(dǎo) 體2Hc和線圈導(dǎo)體214d連接。過(guò)孔導(dǎo)體bM是貫穿絕緣體層212d而形成的連接導(dǎo)體，將 線圈導(dǎo)體214d和線圈導(dǎo)體2He連接。
無(wú)線IC18與焊盤導(dǎo)體17a、17b電連接，是用于處理與讀寫器之間進(jìn)行交換的收發(fā) 信號(hào)的集成電路。無(wú)線IC18通過(guò)焊料等直接安裝在焊盤導(dǎo)體17a、17b、19a、19b上。在無(wú) 線IC器件IOf用作為定期票的情況下，無(wú)線IC18存儲(chǔ)與可利用定期票的區(qū)間有關(guān)的信息、 與定期票的持有者有關(guān)的信息。這些信息也可以改寫，而且，也可以具有包括讀寫器及無(wú)線 IC器件IOf的RFID系統(tǒng)以外的信息處理功能。
連接部120是由銅箔、鋁箔等金屬箔形成于絕緣體層212b上的線狀導(dǎo)體。當(dāng)沿ζ 軸方向俯視時(shí)，該連接部120的一端與焊盤導(dǎo)體17a重疊。當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，連接部 120的另一端與線圈導(dǎo)體2He重疊。
過(guò)孔導(dǎo)體b31 b33構(gòu)成一根過(guò)孔導(dǎo)體(貫穿過(guò)孔導(dǎo)體)B，設(shè)置在端部11與無(wú)線 IC18之間。具體而言，過(guò)孔導(dǎo)體b31 b33分別是設(shè)置成貫穿絕緣體層21 212d的連 接導(dǎo)體，將連接部120的另一端和線圈導(dǎo)體2He的端部tl連接。
過(guò)孔導(dǎo)體b41是設(shè)置成貫穿絕緣體層21 的連接導(dǎo)體，將焊盤導(dǎo)體17a和連接部 120的一端連接。
通過(guò)將圖12所示的多個(gè)絕緣體層21 21 層疊，構(gòu)成無(wú)線IC器件IOf。
與無(wú)線IC器件IOa同樣，無(wú)線IC器件IOf具有用于抑制諧振頻率偏離所希望的 值的結(jié)構(gòu)。具體而言，對(duì)于無(wú)線IC器件10f，在天線線圈L中，過(guò)孔導(dǎo)體1321422423424 的從端部t2起的電流通路依次變長(zhǎng)。而且，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，如圖12所示，過(guò)孔導(dǎo)體B 與過(guò)孔導(dǎo)體b21、b22之間的距離D21大于過(guò)孔導(dǎo)體B與過(guò)孔導(dǎo)體l323、bM之間的距離D22、 D23。
在如上所述的無(wú)線IC器件IOf中，與無(wú)線IC器件IOa同樣，也能抑制諧振頻率偏 離所希望的值。
(其它實(shí)施方式)
本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件并不限于第1實(shí)施方式至第6實(shí)施方式 中說(shuō)明的無(wú)線IC器件IOa 10f，在其要點(diǎn)的范圍內(nèi)可以進(jìn)行變更。
另外，線圈導(dǎo)體14不到一圈的長(zhǎng)度意味著其長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上不到一圈。所以，在無(wú)線 IC器件10的諧振頻率沒(méi)有因使用狀況不同而產(chǎn)生偏差的程度內(nèi)，允許線圈導(dǎo)體14的長(zhǎng)度 略微超過(guò)一圈。
另外，在無(wú)線IC器件IOa IOf中，線圈導(dǎo)體14、24、34、114、214設(shè)置成當(dāng)沿ζ軸 方向俯視時(shí)在線寬方向上一致。然而，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，ζ軸方向下側(cè)的線圈導(dǎo)體14、M、34、114、214也可以稍微超出ζ軸方向上側(cè)的線圈導(dǎo)體14、24、34、114、214。但是，線圈 導(dǎo)體14、24、34、114、214的超出量必須是不會(huì)給諧振頻率帶來(lái)影響的程度。
(無(wú)線IC器件的制造方法)
參照附圖，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。 下面，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的無(wú)線IC器件的一個(gè)示例，對(duì)無(wú)線IC器件IOa的 制造方法進(jìn)行說(shuō)明。同時(shí)，對(duì)應(yīng)用了無(wú)線IC器件IOa的無(wú)線IC卡80的制造方法也進(jìn)行說(shuō) 明。圖13是無(wú)線IC卡80的分解立體圖。
準(zhǔn)備玻璃環(huán)氧底座、聚酰亞胺、氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、PET_G、液晶 聚合物樹脂等絕緣體層12。在絕緣體層12分別形成圖1所示的線圈導(dǎo)體14。在線圈導(dǎo)體 14是銅箔的情況下，該線圈導(dǎo)體14通過(guò)例如蝕刻處理形成。
此外，在形成所述線圈導(dǎo)體14的同時(shí)，連接部16、20a、20d也通過(guò)例如蝕刻處理形 成。更詳細(xì)而言，在絕緣體層1 上形成與線圈導(dǎo)體Ha連接的連接部20a，并且，在與連接 部20a隔開安裝有無(wú)線IC18的區(qū)域的位置上形成連接部16。而且，在絕緣體層12d上，形 成當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)與連接部16重疊、并且與線圈導(dǎo)體14d連接的連接部20d。
另外，線圈導(dǎo)體1 14d和連接部16、20a、20d也可以通過(guò)涂敷導(dǎo)電性糊料的絲 網(wǎng)印刷法形成。
接下來(lái)，對(duì)絕緣體層1 12c的要形成過(guò)孔導(dǎo)體bl b3、bll bl3的位置，從 背面?zhèn)日丈浼す馐?，形成過(guò)孔。之后，對(duì)在絕緣體層12a 12c形成的過(guò)孔，填充以銅為主 要成分的導(dǎo)電性糊料，形成圖1所示的過(guò)孔導(dǎo)體bl b3、bll bl3。
接下來(lái)，調(diào)整多個(gè)絕緣體層12a 12d的位置進(jìn)行層疊，使得當(dāng)沿ζ軸方向俯視 時(shí)，多個(gè)線圈導(dǎo)體Ha 14d重疊而構(gòu)成一個(gè)環(huán)。這時(shí)，當(dāng)沿ζ軸方向俯視時(shí)，連接部16、 20d也相互重疊。若完成絕緣體層1 12d的層疊，則對(duì)它們進(jìn)行加熱、壓接。
接下來(lái)，在絕緣體層12a的連接部16、20a上安裝無(wú)線IC18。具體而言，通過(guò)使用 了各向異性導(dǎo)電薄膜(ACF)的倒裝芯片安裝法，安裝無(wú)線IC18。這時(shí)，調(diào)整無(wú)線IC18的位 置進(jìn)行臨時(shí)粘貼，以與連接部16、20a連接，之后，施加熱壓，將無(wú)線IC18進(jìn)行正式粘接。通 過(guò)以上工序，完成無(wú)線IC器件10a。
完成無(wú)線IC器件IOa之后，如圖13所示，使用粘接片材84a、84b粘貼覆蓋片材 82a、82b，制作無(wú)線IC卡80。更詳細(xì)而言，在無(wú)線IC器件IOa的ζ軸方向上側(cè)層疊粘接片 材8 和覆蓋片材82a，在無(wú)線IC器件IOa的下側(cè)層疊粘接片材84b和覆蓋片材82b。然 后，對(duì)它們進(jìn)行加熱、壓接。由此，完成無(wú)線IC卡80。
另外，在所述無(wú)線IC器件的制造方法中，對(duì)無(wú)線IC器件IOa的制造方法進(jìn)行了說(shuō) 明，但對(duì)于無(wú)線IC器件IOb IOf，也可以通過(guò)大致相同的制造方法制造。
另外，在制造無(wú)線IC器件IOd時(shí)，安裝包括無(wú)線IC18和供電電路基板70的電磁 耦合組件60，來(lái)代替無(wú)線IC18。
工業(yè)上的實(shí)用性
本發(fā)明可用于無(wú)線IC器件，特別是在能抑制諧振頻率偏離所希望的值這點(diǎn)上很 優(yōu)異。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明
bl b3、bll bl3、b21 b24、b31、b32、b33、b41 過(guò)孔導(dǎo)體
tl、t2 端部
L天線線圈
IOa IOf 無(wú)線IC器件
12a 12d、112a 112c、212a 212e 絕緣體層
14a 14d、24a、24d、34b、114b、114c、214c 214e 線圈導(dǎo)體
16、20a、20d、120 連接部
17a、17b、19a、19b 焊盤導(dǎo)體
60 電磁耦合組件
70 供電電路基板
80 無(wú)線 IC 卡
權(quán)利要求
1.一種無(wú)線IC器件，其特征在于，包括層疊體，該層疊體由多個(gè)絕緣體層層疊而成；天線線圈，該天線線圈通過(guò)連接多個(gè)導(dǎo)體層和多個(gè)過(guò)孔導(dǎo)體而構(gòu)成螺旋狀，具有位于 在層疊方向的最下側(cè)設(shè)置的所述導(dǎo)體層的第一端部、和位于在層疊方向的最上側(cè)設(shè)置的所 述導(dǎo)體層的第二端部；無(wú)線IC，該無(wú)線IC與所述第一端部和所述第二端部電連接；以及 貫穿過(guò)孔導(dǎo)體，該貫穿過(guò)孔導(dǎo)體設(shè)置在所述第一端部和所述無(wú)線IC之間，且貫穿多個(gè) 所述絕緣體層，所述多個(gè)過(guò)孔導(dǎo)體包含第一過(guò)孔導(dǎo)體，在所述天線線圈中的所述多個(gè)過(guò)孔導(dǎo)體內(nèi)，該第一過(guò)孔導(dǎo)體設(shè)置成從 所述第二端部起的電流通路的長(zhǎng)度最短；以及 所述第一過(guò)孔導(dǎo)體以外的第二過(guò)孔導(dǎo)體，當(dāng)沿層疊方向俯視時(shí)，所述貫穿過(guò)孔導(dǎo)體與所述第一過(guò)孔導(dǎo)體之間的距離大于該貫穿 過(guò)孔導(dǎo)體與所述第二過(guò)孔導(dǎo)體之間的距離。
2.如權(quán)利要求1所述的無(wú)線IC器件，其特征在于，所述貫穿過(guò)孔導(dǎo)體設(shè)置成當(dāng)沿層疊方向俯視時(shí)比所述多個(gè)過(guò)孔導(dǎo)體更靠近所述無(wú)線IC。
3.如權(quán)利要求1或2的任一項(xiàng)所述的無(wú)線IC器件，其特征在于， 當(dāng)沿層疊方向俯視時(shí)，所述多個(gè)導(dǎo)體層重疊。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的無(wú)線IC器件，其特征在于， 當(dāng)沿層疊方向俯視時(shí)，所述多個(gè)導(dǎo)體層重疊而構(gòu)成一個(gè)環(huán)狀軌道。
5.如權(quán)利要求4所述的無(wú)線IC器件，其特征在于，在層疊方向的最下側(cè)設(shè)置的所述導(dǎo)體層以不到一圈的長(zhǎng)度圍繞在所述天線線圈的線 圈軸的周圍。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的無(wú)線IC器件，其特征在于，所述貫穿過(guò)孔導(dǎo)體將在層疊方向的最上側(cè)設(shè)置的所述導(dǎo)體層和在層疊方向的最下側(cè) 設(shè)置的所述導(dǎo)體層連接。
7.如權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的無(wú)線IC器件，其特征在于， 所述第二端部是安裝所述無(wú)線IC的第一焊盤電極。
8.如權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所述的無(wú)線IC器件，其特征在于， 還包括安裝所述無(wú)線IC、且與所述貫穿過(guò)孔導(dǎo)體電連接的第二焊盤電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能抑制諧振頻率偏離所希望的值的無(wú)線IC器件。天線線圈(L)具有位于在z軸方向的最負(fù)方向側(cè)設(shè)置的連接部(20d)的端部(t1)、和位于在z軸方向的最正方向側(cè)設(shè)置的連接部(20a)的端部(t2)。無(wú)線IC(18)與端部(t1、t2)電連接。過(guò)孔導(dǎo)體(B)設(shè)置在端部(t1)與無(wú)線IC(18)之間，且貫穿多個(gè)絕緣體層(12a～12c)。在天線線圈(L)中的多個(gè)過(guò)孔導(dǎo)體(b1～b3)內(nèi)，過(guò)孔導(dǎo)體(b1)設(shè)置成從端部(t2)起的電流通路的長(zhǎng)度最短。過(guò)孔導(dǎo)體(B)與過(guò)孔導(dǎo)體(b1)的之間距離大于貫穿過(guò)孔導(dǎo)體(B)與過(guò)孔導(dǎo)體(b2、b3)之間的距離。
文檔編號(hào)G06K19/07GK102037608SQ20098011890
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2009年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月22日
發(fā)明者佐佐木純, 加藤登, 石野聰, 谷口勝己 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所