專利名稱：非接觸ic標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有呈現(xiàn)光學(xué)性視覺效果的光學(xué)可變器件，并能夠非接觸地在與外部的數(shù)據(jù)讀取裝置之間進(jìn)行數(shù)據(jù)收發(fā)的非接觸IC標(biāo)簽。本申請基于2008年11月14日在日本申請的特愿2008-292522號主張優(yōu)先權(quán)，這里援引其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
以往，在小賣店、租賃店等的商品管理中，使用具有IC芯片和天線的非接觸IC標(biāo)簽。該商品管理是指，將要管理的商品作為被粘接體來安裝非接觸IC標(biāo)簽，利用專用的數(shù)據(jù)讀寫裝置對IC芯片中存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫，進(jìn)行商品的出入庫管理、庫存管理、借出管理等。由于具有IC芯片，因此不僅能夠管理商品代碼，而且對于進(jìn)貨日、負(fù)責(zé)人等豐富的信息也能夠與商品一并進(jìn)行管理。特別地，與利用了靜電耦合或電磁感應(yīng)的器件相比，通信距離為Im至ail、較長，所以在物品管理等中多利用采用了微波的非接觸IC標(biāo)簽。另外，隨著非接觸IC標(biāo)簽的普及，期待在非接觸IC標(biāo)簽中組合光學(xué)可變器件 (optical variable device 以下稱為“OVD”)。所謂的0VD，是能夠利用光的干涉來呈現(xiàn)立體圖像或特殊的裝飾圖像的全息圖、衍射光柵、通過層疊光學(xué)特性不同的薄膜使顏色根據(jù)視覺角度而變化的多層薄膜的總稱。這些OVD提供立體圖像或顏色變化等獨(dú)特的印象， 因此，具有良好的裝飾效果，利用于各種包裝材料、圖畫書、產(chǎn)品目錄等一般的印刷品中。進(jìn)而，因?yàn)镺VD需要高超的制造技術(shù)，所以作為防偽手段也利用于信用卡、有價證券、證明文件等中。若將上述的非接觸IC標(biāo)簽和OVD組合，則將非接觸IC標(biāo)簽的數(shù)據(jù)讀寫功能及OVD 的防偽功能和裝飾效果組合起來，由此具有以下優(yōu)點(diǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)更高等級的防偽效果，或能夠構(gòu)成兼具有防偽效果或裝飾效果和商品管理功能的標(biāo)簽等。作為一個例子，提出了以下的非接觸型數(shù)據(jù)收發(fā)體對配置有導(dǎo)電性金屬層的金屬薄板的所需要的位置實(shí)施全息圖加工，從而將所述導(dǎo)電性金屬層作為天線圖案(例如， 參照專利文獻(xiàn)1)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)(專利文獻(xiàn))專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-42088號公報。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題在專利文獻(xiàn)1所記載的非接觸型數(shù)據(jù)收發(fā)體中，為了進(jìn)一步增加美感并在安裝到物品等上時發(fā)揮圖案設(shè)計(jì)效果，期望能夠使金屬性導(dǎo)電層形成為蝴蝶、花等所期望的平面形狀。但是，若導(dǎo)電層的平面形狀變化，則其阻抗也變化。因此，往往產(chǎn)生與安裝的IC芯片的內(nèi)部阻抗之間的不匹配。在這種情況下，若僅僅簡單地將導(dǎo)電層和IC芯片連接起來，則存在以下問題通信距離變短，或變得完全不能通信，從而難以確保所期望的通信特性。本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，提供即使使導(dǎo)電層形成為所期望的形狀也能夠良好地保持通信特性的非接觸IC標(biāo)簽。用于解決問題的手段本發(fā)明的第一方式的非接觸IC標(biāo)簽，是具有IC芯片且能夠非接觸地與外部的讀取裝置進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的非接觸IC標(biāo)簽，包括透明的標(biāo)簽基材；光學(xué)可變器件，其設(shè)置在所述標(biāo)簽基材的下表面上；導(dǎo)電層，其設(shè)置成與所述光學(xué)可變器件的下表面接合，發(fā)揮作為所述IC芯片的天線的功能；連接層，其與所述IC芯片電連接；絕緣層，其設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層之間，用于使所述導(dǎo)電層和所述連接層電耦合；以及阻抗調(diào)節(jié)部，其至少設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層中的所述連接層上，用于調(diào)節(jié)所述導(dǎo)電層和所述IC芯片的阻抗。另外，所謂“下表面”，是指非接觸IC標(biāo)簽粘貼在物品等被粘接體上時，與該被粘接體相對一側(cè)的面。根據(jù)本發(fā)明的非接觸IC標(biāo)簽，通過阻抗調(diào)節(jié)部能夠消除IC芯片和導(dǎo)電層的不匹配，所以無論導(dǎo)電層的形狀如何，都能夠?qū)⒎墙佑|IC標(biāo)簽的通信特性保持在規(guī)定等級。所述阻抗調(diào)節(jié)部，可由第一環(huán)形電路構(gòu)成，該第一環(huán)形電路由設(shè)置在所述連接層上的切口形成。此時，通過變更切口的形狀，能夠容易地對應(yīng)導(dǎo)電層的形狀變化。所述阻抗調(diào)節(jié)部也可以由所述連接層、所述導(dǎo)電層和電容耦合部形成，該電容耦合部用于使所述連接層和所述導(dǎo)電層電連接。所述第二環(huán)形電路的長度可以為所述第一環(huán)路的長度以上。根據(jù)本發(fā)明的非接觸IC標(biāo)簽還可以具有絕緣性的隱蔽層，該隱蔽層設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層之間，并用于在可見光下不能使所述連接層從所述標(biāo)簽基材上辨認(rèn)出。此時，連接層不會損壞導(dǎo)電層的外觀，能夠進(jìn)一步提高非接觸IC標(biāo)簽的外觀。所述IC芯片中可以記錄有不能改寫的識別代碼。此時，能夠進(jìn)一步提高安全性。本發(fā)明的非接觸IC標(biāo)簽還可以具有剝離層，該剝離層設(shè)置在所述標(biāo)簽基材和所述光學(xué)可變器件之間?？梢岳媚蜔釡囟葹?80度以上的材料作為所述隱蔽層。所述導(dǎo)電層的厚度可以為IOnm以上且小于Ιμπι，所述連接層的厚度可以為Ιμπι 以上20μπι以下。本發(fā)明的第二方式的物品，粘接有非接觸IC標(biāo)簽，該非接觸IC標(biāo)簽具有透明的標(biāo)簽基材；光學(xué)可變器件，其設(shè)置在所述標(biāo)簽基材的下表面上；導(dǎo)電層，其設(shè)置成與所述光學(xué)可變器件的下表面接合，發(fā)揮作為所述IC芯片的天線的功能；連接層，其與所述IC芯片電連接；絕緣層，其設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層之間，用于使所述導(dǎo)電層和所述連接層電耦合；以及阻抗調(diào)節(jié)部，其至少設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層中的所述連接層上，用于調(diào)節(jié)所述導(dǎo)電層和所述IC芯片的阻抗。根據(jù)本發(fā)明的物品，通過非接觸IC標(biāo)簽可賦予較高的圖案設(shè)計(jì)效果，并且無論導(dǎo)電層的形狀如何都能夠確保良好的通信特性。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的非接觸IC標(biāo)簽，即使使導(dǎo)電層形成為所期望的形狀，也能夠良好地保持通信特性。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的非接觸IC標(biāo)簽的俯視圖。圖2是圖1的非接觸IC標(biāo)簽的仰視圖。圖3是圖1的A-A線的剖面圖。圖4是圖1的非接觸IC標(biāo)簽的連接層和IC芯片的放大圖。圖5是圖1的連接層的IC芯片安裝部位周邊的放大圖。圖6是表示圖1的非接觸IC標(biāo)簽的實(shí)施例的圖。圖7是表示利用本發(fā)明的實(shí)施例和比較例時的結(jié)果的表。圖8是本發(fā)明變形例的非接觸IC標(biāo)簽中的連接層的IC芯片安裝部位周邊的放大圖。圖9是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的非接觸IC標(biāo)簽的A-A線的剖面圖。圖IOA是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖IOB是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖IOC是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖IOD是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖IlA是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖IlB是表示本發(fā)明的第八實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖12A是表示本發(fā)明的第九實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖12B是表示本發(fā)明的第十實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖12C是表示本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖12D是表示本發(fā)明的第十二實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖12E是表示本發(fā)明的第十三實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖12F是表示本發(fā)明的第十四實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖13是本發(fā)明的第十五實(shí)施方式的IC標(biāo)簽的說明圖。圖14A是表示本發(fā)明的第十六實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖14B是表示本發(fā)明的第十七實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。圖15是表示隱蔽層的制造方法的一個例子的圖。圖16是表示利用規(guī)定的樹脂作為隱蔽層8時的耐熱溫度、粘接性、有無全息圖白化及基材收縮的圖表。
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施方式)以下，參照圖1至圖8，說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的非接觸IC標(biāo)簽(以下簡稱為 “IC標(biāo)簽”)。圖1是表示本實(shí)施方式的IC標(biāo)簽1的俯視圖，圖2是IC標(biāo)簽1的仰視圖。如圖 1和圖2所示，IC標(biāo)簽1具有標(biāo)簽基材2、導(dǎo)電層3、連接層4、IC芯片5。標(biāo)簽基材2是設(shè)置在IC標(biāo)簽1的上表面上的透明的基材。
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導(dǎo)電層3設(shè)置在標(biāo)簽基材2的下表面?zhèn)?。另外，所謂的下表面，是指將IC標(biāo)簽1 粘貼在被粘接體上時，與該被粘接體相對的面，以下，對于各層中的同樣的表面稱為“下表面”。導(dǎo)電層3發(fā)揮作為偶極天線或環(huán)形天線的放射元件的功能。連接層4設(shè)置在導(dǎo)電層3的下表面?zhèn)取?dǎo)電層3比通常的天線薄，因此利用連接層4。連接層4通過印刷含有導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性油墨而形成，或通過形成在PET或PEN等薄膜上的銅、鋁等導(dǎo)體而形成，或者對銅、鋁等導(dǎo)體進(jìn)行沖壓或粘接預(yù)先形成在PET或紙等基材上的銅、鋁等導(dǎo)體而形成。IC芯片5安裝在連接層4上。與IC芯片5電連接的連接層4單體也具有作為標(biāo)簽的功能，但通過層疊導(dǎo)電層3，能夠進(jìn)一步提高通信性能(通信距離)。標(biāo)簽基材2由透明的樹脂等構(gòu)成，以能夠辨認(rèn)出導(dǎo)電層3。具體而言，可優(yōu)選采用例如由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚氯乙烯(PVC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚合成樹脂(ABQ等樹脂等構(gòu)成的透明的片狀材料。另外，標(biāo)簽基材2并非一定是無色，只要能夠辨認(rèn)出下方的導(dǎo)電層3即可，也可以由具有透明性的有色材料形成。圖3是圖1的A-A線的剖面圖。在與標(biāo)簽基材2的導(dǎo)電層3相對的面上，形成有發(fā)揮作為OVD功能的功能層6。功能層6是呈現(xiàn)立體圖像或產(chǎn)生顏色變換的層狀結(jié)構(gòu)，所述顏色變換是指根據(jù)觀察角度不同顏色發(fā)生變化。功能層6通過適當(dāng)選擇以下圖像并利用公知的方法形成浮雕型或體積型的全息圖、多種衍射光柵作為像素而配置的分級圖像 (grading image)、像素圖(pixel gram)等衍射光柵圖像、產(chǎn)生顏色變換的陶瓷或金屬材料的薄膜層疊體等。在上述圖像中，若考慮量產(chǎn)性、成本，則優(yōu)選浮雕型全息圖(衍射光柵)、多層薄膜方式。導(dǎo)電層3是通過在功能層6上蒸鍍鋁等金屬而形成為蒸鍍膜。以由聚酰胺酰亞胺等構(gòu)成的所期望形狀的掩模層(絕緣層)7覆蓋導(dǎo)電層3，并實(shí)施部分除去金屬蒸鍍的去金屬化(demetallized)處理，由此形成所期望的形狀并提高圖案設(shè)計(jì)性。在本實(shí)施方式的IC 標(biāo)簽1中，如圖1和圖2所示，作為一個例子，導(dǎo)電層3形成為蝴蝶形。導(dǎo)電層3隔著掩模層7與連接層4電耦合，其結(jié)果，導(dǎo)電層3和IC芯片5電連接， 從而可實(shí)現(xiàn)IC芯片5的非接觸通信，并且提高功能層6發(fā)揮的視覺效果。另外，在本申請的說明書中，電耦合包括靜電電容耦合、磁場耦合、直接耦合。直接耦合例如可通過導(dǎo)電性粘接劑、導(dǎo)電性膏、超音波熔接、電阻焊、激光焊接等來實(shí)現(xiàn)。即使導(dǎo)電層3未配置在下方也能夠大致辨認(rèn)功能層6的視覺效果。特別地，當(dāng)功能層6為浮雕全息圖或衍射光柵等時，通過在功能層6的下方配置導(dǎo)電層3，能夠增強(qiáng)上述的視覺效果。由此能夠得到美麗的圖案并且對防偽也發(fā)揮作用。在掩模層7的下表面和標(biāo)簽基材2的下表面中的未形成有導(dǎo)電層3的區(qū)域上，設(shè)置有隱蔽層8，該隱蔽層8用于在從上方觀察IC標(biāo)簽1時(俯視)，使連接層4在可見光下不能辨認(rèn)。作為隱蔽層8，可優(yōu)選采用黑色的所謂墨印刷層等，但也可以具有其他色彩。另外，若適當(dāng)選擇形成隱蔽層8的油墨等材料，則能夠良好地固定形成在隱蔽層8上的連接層 4。用于發(fā)揮OVD的圖案設(shè)計(jì)效果的金屬性導(dǎo)電層3，一般通過蒸鍍法來形成。在利用蒸鍍法形成導(dǎo)電層3時，導(dǎo)電層3是厚度為幾十nm至幾百nm左右的薄膜。若在這種薄膜
7上安裝IC芯片5，由于安裝時施加的壓力，有時凸塊等IC芯片5的連接部分將沖破薄膜，從而未實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通而發(fā)生斷路。如本發(fā)明的實(shí)施方式，利用具有某種程度厚度的導(dǎo)電性連接層4，并使該連接層4 與IC芯片5相連接，從而將連接層4和金屬性的導(dǎo)電層3電連接，由此能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的連接。導(dǎo)電層3的厚度優(yōu)選為IOnm以上且小于1 μ m，更優(yōu)選為20nm以上200nm以下。連接層4的厚度優(yōu)選為ιμπι以上20μπι以下，更優(yōu)選為2μπι以上IOym以下。圖4是連接層4和IC芯片5的放大圖。用于電連接IC芯片5和導(dǎo)電層3的連接層4，是利用含有導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性墨水并以公知的方法印刷在隱蔽層8的下表面，由此形成為如圖2所示的帶狀。作為導(dǎo)電性油墨，可優(yōu)選使用銀膏等。如圖2所示，連接層4的端部形成為俯視時與導(dǎo)電層3重疊，且連接層4的IC芯片安裝部和阻抗調(diào)整部11形成為俯視時不與導(dǎo)電層3重疊。IC芯片5由硅的單晶體等形成，并如圖3所示地，利用各向異性導(dǎo)電性粘接劑 (ACP) 18等加熱加壓來粘接凸塊9，由此IC芯片5與連接層4電連接并被安裝在連接層4 上。也可以通過超音波安裝等將IC芯片5安裝在連接層4上，以代替利用ACP18的安裝。導(dǎo)電層3和連接層4將位于兩者之間的絕緣性掩模層7和隱蔽層8作為電介體進(jìn)行靜電電容耦合而電連接，IC芯片5與外部的讀取裝置能夠進(jìn)行電波方式的非接觸數(shù)據(jù)通信。在IC芯片5與外部的讀取裝置之間的通信中能夠使用的頻率為微波段(2. 45GHz以上)和UHF波段(850MHz至950MHz)，但若使用微波段的頻率，能夠進(jìn)一步縮小連接層4和導(dǎo)電層3的尺寸，能夠使IC標(biāo)簽1進(jìn)一步小型化。如圖4所示，在帶狀的連接層4的下表面上，在長度方向中心附近的區(qū)域Rl安裝有IC芯片5，向IC芯片5的兩側(cè)延伸的連接層4的長度大致相同。并且，在IC芯片5的周圍設(shè)置有阻抗調(diào)節(jié)部11，該阻抗調(diào)節(jié)部11用于進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得導(dǎo)電層3的阻抗和IC芯片5 的內(nèi)部阻抗相等。另外，在本申請的說明書中，對阻抗而言，僅敘述虛部的阻抗。如圖5的進(jìn)一步放大顯示，阻抗調(diào)節(jié)部11由在連接層4的寬度方向延伸的第一狹縫12和在連接層4的長度方向延伸的第二狹縫13的兩條狹縫形成。另外，在圖5中，為了易于觀察圖，去掉了 IC芯片來進(jìn)行表示。第一狹縫12從連接層4的寬度方向的一個端部起向連接層4的寬度方向延伸，并且在另一個端部之前的任意位置終止，從而不會將連接層4分成兩部分。第二狹縫13形成為與第一狹縫12連通。并且，IC芯片5以凸塊9隔著第一狹縫12位于兩側(cè)的方式安裝在連接層4上。在這樣安裝后的IC芯片5和連接層4中，如在圖5中用箭頭Dl所示，與安裝后的 IC芯片相比更接近第二狹縫13側(cè)的連接層形成線圈狀的環(huán)路，并形成從一個凸塊9經(jīng)由該環(huán)路流到另一個凸塊9的電流的環(huán)路。由該電流所產(chǎn)生的電抗是根據(jù)阻抗調(diào)節(jié)部11的形狀而變化，因此，通過適當(dāng)改變阻抗調(diào)節(jié)部11的形狀，可進(jìn)行導(dǎo)電部3的阻抗和IC芯片 5的阻抗的匹配。由于導(dǎo)電層3的阻抗根據(jù)其形狀而變化，因此，阻抗調(diào)節(jié)部11的形狀也需要隨之適當(dāng)變更。具體而言，在適當(dāng)變更第一狹縫12的長度Li、第二狹縫13的長度L2和寬度W1、 以及IC芯片5在第一狹縫12的長度方向上的安裝位置等參數(shù)的同時，測量與外部讀取裝置之間能夠進(jìn)行通信的距離，由此，確定能夠確保所期望的通信特性的各參數(shù)值，從而能夠決定阻抗調(diào)節(jié)部11的形狀。此外，IC標(biāo)簽1的通信特性也根據(jù)粘貼IC標(biāo)簽1的被粘接體的介電常數(shù)、連接層 4相對于導(dǎo)電層3的位置關(guān)系而變化。因此，在決定阻抗調(diào)節(jié)部11的形狀時，優(yōu)選在IC標(biāo)簽1實(shí)際粘貼在被粘接體上的狀態(tài)下，改變阻抗調(diào)節(jié)部11的形狀或改變連接層4和導(dǎo)電層 3的位置關(guān)系，并進(jìn)行上述試驗(yàn)來決定阻抗調(diào)節(jié)部11的形狀。另外，作為IC芯片5，可以利用不可改寫地記錄有各不相同的識別代碼(唯一 ID， 以下稱為“UID”)的芯片。若利用這種IC芯片，則通過讀取并利用UID，能夠確保該IC芯片(或貼有該IC芯片的IC標(biāo)簽)的示蹤能力(traceability)，并能夠提高安全性。作為這種IC芯片，可優(yōu)選采用微芯片(商品名mu-chip，(株)日立制作所制造)。 微芯片使用2. 45GHz以上的微波段作為通信頻率，因此，在使IC標(biāo)簽1小型化的方面也是適合的。返回到圖3的說明，在包括IC芯片5和連接層4的隱蔽層8的下表面?zhèn)?，隔著粘接?5設(shè)置有樹脂片16。并且，在樹脂片16的下方設(shè)置有粘接層17，從而能夠使IC標(biāo)簽 1的下表面粘接在各種物品等的被粘接體上。根據(jù)需要，在粘接層17上設(shè)置有剝離紙等隔離部件，從而可以在粘貼到被粘接體上之前保護(hù)粘接層17。例如用如下的步驟能夠制造出如上述構(gòu)成的IC標(biāo)簽1。S卩，在標(biāo)簽基材2的下表面上形成功能層6，并且在功能層6的下表面上設(shè)置用于形成導(dǎo)電層3的金屬蒸鍍膜。接下來，利用掩模層7，將導(dǎo)電層3形成為所期望的形狀，并且通過印刷在導(dǎo)電層3的下表面依次設(shè)置隱蔽層8和連接層4，將IC芯片5安裝在連接層4上。最后，通過設(shè)置粘接層15、樹脂片16和粘接層17來完成IC標(biāo)簽1。另外，就隱蔽層8和連接層4而言，例如首先利用多色絲網(wǎng)印刷機(jī)來印刷隱蔽層8， 接著印刷連接層4，并在該印刷結(jié)束之后立即進(jìn)入到干燥工序，由此能夠有效地制造隱蔽層 8和連接層4。利用實(shí)施例和比較例進(jìn)一步說明以上說明的本實(shí)施方式的IC標(biāo)簽1。(實(shí)施例1)使用厚度為50微米(μ m)的PET制片材作為標(biāo)簽基材2。在標(biāo)簽基材2的下表面形成功能層6之后，利用蒸鍍和掩模層7，如圖1所示地形成薄膜狀的導(dǎo)電層3，該薄膜狀的導(dǎo)電層3由形成為縱向尺寸約為沈毫米(mm)的蝴蝶形(以下稱為“圖案Z1”)的鋁構(gòu)成。 以覆蓋功能層6和導(dǎo)電層3的整個下表面的方式，通過印刷來形成厚度為4 μ m的墨印刷構(gòu)成的隱蔽層8。并且，利用銀膏并通過印刷，形成長度方向的尺寸為15mm、寬度方向的尺寸為 4mm、厚度為6μπι的連接層4。阻抗調(diào)節(jié)部11的尺寸是基于預(yù)先進(jìn)行的試驗(yàn)，將第一狹縫 12的長度Li、第二狹縫13的長度L2和寬度Wl分別設(shè)定為2. 5mm,5. 0mm、0. 3mm。第二狹縫 13設(shè)定為長度方向的中央與第一狹縫12相連接。在形成連接層4之后，利用各向異性導(dǎo)電材料，將上述微芯片作為IC芯片5安裝在連接層4的下表面上。IC芯片5的安裝位置是距離第一狹縫12的開口(與連接層4的寬度方向端部相連通的部分)側(cè)的端部2. Omm的位置。并且隔著厚度為20 μ m的粘接層
915，安裝厚度為10 μ m的PET制薄膜作為樹脂片16，進(jìn)而設(shè)置厚度為20 μ m的粘接層17，從而獲得本實(shí)施例的IC標(biāo)簽1A。(比較例1)通過與上述實(shí)施例1基本相同的步驟制成比較例1的IC標(biāo)簽，但在連接層4上未設(shè)置阻抗調(diào)節(jié)部11。IC芯片5的安裝位置與實(shí)施例1相同。(實(shí)施例2)通過與實(shí)施例1的IC標(biāo)簽1大致相同的步驟制成實(shí)施例2的IC標(biāo)簽1B，但導(dǎo)電層3B的形狀是如圖6所示的以螺旋(卷具)為主的形狀(以下稱為“圖案Z2”)。導(dǎo)電層 :3B在圖6中的縱向尺寸約為30mm。隨著導(dǎo)電層的形狀從圖案Zl變化為圖案Z2，導(dǎo)電層的阻抗發(fā)生變化，因此，阻抗調(diào)節(jié)部11的形狀設(shè)計(jì)為與實(shí)施例1不同。具體而言，基于預(yù)先進(jìn)行的試驗(yàn)結(jié)果，將第一狹縫12的長度Li、第二狹縫13的長度L2和寬度Wl分別設(shè)定為2. 5mm、4. 0mm、0. 3mm。另外， 利用ACP18 (未圖示)將IC芯片5 (未圖示)安裝在連接層4上，其安裝位置為離第一狹縫 12的開口側(cè)端部2. Omm的位置。(比較例2)比較例2的IC標(biāo)簽除了未設(shè)置阻抗調(diào)節(jié)部11的點(diǎn)以外，通過與實(shí)施例2同樣的步驟制成。分別針對如上所述制成的實(shí)施例1、實(shí)施例2、比較例1和比較例2，探討通信特性。 作為閱讀器(讀取裝置)，利用便攜式的閱讀器(商品名為R001M 日本精工株式會社制)， 通過游標(biāo)高度尺來測定進(jìn)行100次讀取全部成功的(讀取率100% )通信距離，并將該距離作為通信距離。另外，通信特性的探討，是對未將IC標(biāo)簽1粘貼在被粘接體上的情況、分別以厚度為1.2mm的玻璃(介電常數(shù)為4. 5)、厚度為2mm的PET片材(介電常數(shù)為2. 9)作為被粘接體的情況的三個圖案進(jìn)行的。將結(jié)果示于圖7中。如圖7的表所示，圖案Zl的實(shí)施例1和圖案Z2的實(shí)施例2中的任一個與不具有阻抗調(diào)節(jié)部11的對應(yīng)比較例相比，其通信距離長，確認(rèn)通信特性得以提高。另外，雖然其效果根據(jù)被粘接體的種類有少許差別，但對任一圖案都發(fā)揮了該效果。特別地，當(dāng)被粘接體為玻璃時，在比較例2中不能通信(通信距離為Omm)，但在實(shí)施例2中可進(jìn)行通信，能夠確認(rèn)其效果顯著。根據(jù)本實(shí)施方式的IC標(biāo)簽1，因?yàn)樵谶B接層4上設(shè)置有阻抗調(diào)節(jié)部11，所以，即使為了增強(qiáng)圖案設(shè)計(jì)效果將導(dǎo)電層3設(shè)計(jì)成任何形狀，也都能夠?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)電層3的阻抗和IC芯片5的阻抗的匹配。因此，能夠保持所期望的通信特性，并且能夠形成美觀且圖案設(shè)計(jì)效果強(qiáng)的IC標(biāo)簽，通過粘貼在對象物品等上，能夠賦予對象物品高安全性和高示蹤能力等。另外，阻抗調(diào)節(jié)部11由第一狹縫12和第二狹縫13這兩條狹縫構(gòu)成，所以，通過適當(dāng)變更各狹縫12、13的長度、寬度等，能夠容易地進(jìn)行阻抗的調(diào)節(jié)。另外，使用含有銀膏等導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性油墨并通過印刷，形成連接層4。因此， 若在通過試驗(yàn)等確定了阻抗調(diào)節(jié)部11的形狀后，制造與該形狀相對應(yīng)的連接層4的印刷版，則能夠高效且大量地形成同一形狀的連接層。因此，能夠提高IC標(biāo)簽1的制造效率和降低制造成本。另外，不破壞連接層4和IC芯片5的情況下難以從導(dǎo)電層3分離，所以能夠形成難以進(jìn)行偽造等不正當(dāng)行為的IC標(biāo)簽。
并且，在透明的標(biāo)簽基材2和連接層4之間設(shè)置有隱蔽層8，因此，當(dāng)IC標(biāo)簽1粘接在被粘接體上時，則不能從IC標(biāo)簽1的上面辨認(rèn)出連接層4。即，使用者能夠辨認(rèn)的是 專門形成為所期望的形狀的導(dǎo)電層3和設(shè)置在導(dǎo)電層3的上表面上的作為OVD的功能層6。 因此，連接層4不損害導(dǎo)電層3及功能層6的圖案設(shè)計(jì)性和美觀，能夠構(gòu)成同時具有高等級的圖案設(shè)計(jì)性和安全性的IC標(biāo)簽。例如，在上述各實(shí)施方式中，說明了在第二狹縫13長度方向的大致中央處第一狹縫12和第二狹縫13連接，從而阻抗調(diào)節(jié)部11形成為大致T字型的例子，但阻抗調(diào)節(jié)部11 的形狀并不限定于此。作為一個例子，如圖8所示，可以是第一狹縫12的端部與第二狹縫 13的端部相連接，從而阻抗調(diào)節(jié)部11形成為大致L字型。另外，第一狹縫12和第二狹縫 13也并非必須相互垂直。(第二實(shí)施方式)接下來說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。對第二實(shí)施方式中與第一實(shí)施方式相同的部分省略說明。第二實(shí)施方式的非接觸IC標(biāo)簽與第一實(shí)施方式的非接觸IC標(biāo)簽1(圖1)具有相同的構(gòu)成。圖9是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的非接觸IC標(biāo)簽的A-A線的剖面圖。第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式(圖3)的不同點(diǎn)在于，在標(biāo)簽基材2和功能層6之間設(shè)置有剝離層110。剝離層是從支撐體剝離的層，作為所使用的材料，是熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、 紫外線或電子束固化性樹脂等有機(jī)高分子樹脂，例如，可單獨(dú)使用或復(fù)合使用以下的樹脂 丙烯酸類樹脂、環(huán)氧類樹脂、纖維素類樹脂、乙烯類樹脂等熱塑性樹脂；在具有反應(yīng)性羥基的丙烯酸多元醇(acryl polyols)、聚酯多元醇等中添加聚異氰酸酯作為交聯(lián)劑而交聯(lián)后的聚氨酯樹脂、三聚氰胺類樹脂、苯酚類樹脂等熱固化樹脂；環(huán)氧(甲基)丙烯酸、尿烷(甲基)丙烯酸酯等電離放射線(紫外線或電子束)固化樹脂。另外，即使是上述物質(zhì)以外的物質(zhì)，只要是可從標(biāo)簽基材剝離的透明的樹脂，就能夠適當(dāng)使用。這些樹脂通過凹版涂布、 熱熔性涂布等公知的各種涂布法而形成為1 μ m至20 μ m左右。(第三實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式。圖IOA是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的IC 標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖IOA中，在連接層如的中央部形成有矩形狀的切口 13a。另外，形成有從切口 13a上邊的中央部到連接層如上邊的中央部的狹縫狀的切口 12a。IC芯片5以跨越切口 1 的方式配置在區(qū)域IOOa上?；趫DIOA的切口 Ila(切口 1 和切口 13a)處的箭頭IOla所示的環(huán)路的阻抗和IC芯片5的阻抗，決定切口 Ila的形狀。例如，以使切口 Ila 處的用箭頭IOla所示的第二環(huán)路的阻抗與IC芯片5的阻抗達(dá)到相等的方式，決定切口 Ila 的形狀。(第四實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式。圖IOB是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的IC 標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖IOB中，在連接層4b的中央部形成有矩形狀的切口 13b。另外，形成有從切口 1 上邊的左端到連接層4b上邊的狹縫狀的切口 12b。IC芯片5以跨越切口 12b的方式配置在區(qū)域100b?；趫DIOB的切口 lib(切口 1 和切口 13b)處的箭頭IOlb所示的環(huán)路的阻抗和IC芯片5的阻抗，決定切口 lib的形狀。例如，以使切口 lib處的箭頭IOlb 所示的環(huán)路的阻抗與IC芯片5的阻抗達(dá)到相等的方式，決定切口 lib的形狀。(第五實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第五實(shí)施方式。圖IOC是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的IC 標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖IOC中，在連接層如的中央部形成有狹縫狀的切口 13c。IC芯片5以跨越切口 13c的方式配置在區(qū)域IOOc中?；趫DIOC的切口 13c中的箭頭IOlc-I和101c_2所示的第一環(huán)路和第二環(huán)路所合成阻抗值以及IC芯片5的阻抗，決定切口 13c的形狀。例如， 以使切口 13c中的箭頭IOlcl和lOlc-2所示的第一環(huán)路和第二環(huán)路所合成的阻抗值與IC 芯片5的阻抗達(dá)到相等的方式，決定切口 13c的形狀。(第六實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第六實(shí)施方式。圖IOD是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的IC 標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖IOD中，在連接層4d的上部和下部形成有矩形狀的切口 13d-l和13d_2。另外，形成有從切口 13d-l下邊的中央部到切口 13d-2上邊的中央部的狹縫狀的切口 12d。IC 芯片5以跨越切口 12d的方式配置在區(qū)域IOOd中?；趫DIOD的切口 Ild(切口 12d、切口 13d-l和13dD的箭頭IOOd-I和100d-2所示的第一環(huán)路和第二環(huán)路所合成的阻抗值以及IC芯片5的阻抗，決定切口 Ild的形狀。例如，以使切口 Ild的箭頭IOOd-I和100d-2 所示的第一環(huán)路和第二環(huán)路所合成的阻抗值與IC芯片5的阻抗達(dá)到相等的方式，決定切口 Ild的形狀。(第七實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第七實(shí)施方式。圖IlA是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的IC 標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖IlA中，在連接層如的左右方向上形成有狹縫狀的切口 13e。另外，形成有從切口 1 上邊的中央部到連接層如上邊的中央部的狹縫狀的切口 12e。另外，在連接層 4e上，隔著隱蔽層(省略圖示)、絕緣層(省略圖示)形成有U字狀的導(dǎo)電層!Be。連接層 4e的兩端和導(dǎo)電層3e的兩端在俯視時分別重疊，并進(jìn)行靜電耦合。IC芯片5以跨越切口 12e的方式配置在區(qū)域IOOe中。基于將圖IlA的切口 lie(切口 1 和切口 13e)中的箭頭 IOle-I所示的環(huán)路的阻抗和導(dǎo)電層3e中的箭頭101e_2所示的環(huán)路的阻抗合成后的值、以及IC芯片5的阻抗，決定切口 lie的形狀。例如，以使將切口 lie中的箭頭IOle-I所示的環(huán)路的阻抗和導(dǎo)電層3e中的箭頭lOle-2的阻抗合成而得到的值與IC芯片5的阻抗達(dá)到相等的方式，決定切口 lie的形狀。(第八實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第八實(shí)施方式。圖IlB是表示本發(fā)明的第八實(shí)施方式的IC 標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖IlB中，形成有從連接層4f的下邊的中央部到達(dá)連接層4f的上邊的中央部的狹縫狀的切口 12f。另外，在連接層4f上，隔著隱蔽層(省略圖示)或絕緣層(省略圖示)，形成有U字狀的導(dǎo)電層3f。連接層4f的兩端和導(dǎo)電層3f的兩端在俯視時分別重疊， 并進(jìn)行靜電耦合。IC芯片5以跨越切口 12f的方式形成在區(qū)域IOOf中。基于圖IlB的切
12口 12f處的箭頭IOlf所示的環(huán)路的阻抗和IC芯片5的阻抗，決定切口 Ilf的形狀。例如， 以使切口 Ilf中箭頭IOlf所示的環(huán)路的阻抗和IC芯片5的阻抗達(dá)到相等的方式，決定切口 Ilf的形狀。另外，切口 Ilf是在由導(dǎo)電層3和連接層4所包圍的區(qū)域追加切口 12f的切口。(第九實(shí)施方式)接著，說明本發(fā)明的第九實(shí)施方式。圖12A是表示本發(fā)明的第九實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖12A中，在連接層4g的中央部形成有矩形狀的切口 13g。另外，形成有從切口 13g上邊的中央部到達(dá)連接層4g上邊的中央部的狹縫狀的切口 12g。另外，在連接層4g的左側(cè)區(qū)域上，隔著隱蔽層(省略圖示)、絕緣層(省略圖示)形成有I字狀的導(dǎo)電層3g。連接層4g的兩個點(diǎn)和導(dǎo)電層3g的兩端在俯視時分別重疊，并進(jìn)行靜電耦合。IC芯片5以跨越切口 12g的方式配置在區(qū)域IOOf中。在本實(shí)施方式中，與連接層4g中電流以環(huán)狀流動的路徑相比，在俯視時連接層4g 和導(dǎo)電層3g重疊時電流流過的路徑較短。在第九實(shí)施方式中，通過重疊有導(dǎo)電層3，環(huán)路電流的路徑變短，容易發(fā)生阻抗不匹配，但通過與后述的第十五實(shí)施方式組合，能夠提高通信特性。(第十實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第十實(shí)施方式。圖12B是表示本發(fā)明的第十實(shí)施方式的IC 標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖12B中，在連接層4h的中央部形成有矩形狀的切口 13h。另外，形成有從切口 1 上邊的中央部到達(dá)連接層4h上邊的中央部的狹縫狀的切口 12h。另外，在連接層4h的區(qū)域內(nèi)，隔著隱蔽層(省略圖示)、絕緣層(省略圖示)形成有U字狀的導(dǎo)電層池。連接層 4h的兩個點(diǎn)和導(dǎo)電層池的兩端在俯視時分別重疊，并進(jìn)行靜電耦合。IC芯片5以跨越切口 12h的方式配置在區(qū)域IOOh中。在本實(shí)施方式中，與在連接層4h中電流以環(huán)狀流動的路徑相比，在俯視時連接層 4h和導(dǎo)電層池重疊時電流流過的路徑較短。在第十實(shí)施方式中，通過重疊有導(dǎo)電層3，環(huán)路電流的路徑變短，容易發(fā)生阻抗不匹配，但通過與后述的第十五實(shí)施方式組合，能夠提高通信特性。(第十一實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第十一實(shí)施方式。圖12C是表示本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖12C中，在連接層4i的中央部形成有矩形狀的切口 13i。另外，形成有從切口 13i上邊的中央部到達(dá)連接層4i上邊的中央部的狹縫狀的切口 12i。另外，在連接層4左上部的區(qū)域，隔著隱蔽層(省略圖示)、絕緣層(省略圖示)形成有矩形狀的導(dǎo)電層3i。在俯視時連接層4i和導(dǎo)電層3i重疊的區(qū)域進(jìn)行靜電耦合。IC芯片5以跨越切口 12i的方式配置在區(qū)域IOOi中。在本實(shí)施方式中，與在連接層4i中電流以環(huán)狀流動的路徑相比，在俯視時將連接層4i和導(dǎo)電層3i重疊時電流流過的路徑較短。在第十一實(shí)施方式中，通過重疊導(dǎo)電層3，環(huán)路電流的路徑變短，容易產(chǎn)生阻抗不匹配，但通過與后述的第十五實(shí)施方式組合，能夠提高通信特性。(第十二實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第十二實(shí)施方式。圖12D是表示本發(fā)明的第十二實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖12D中，在連接層4j的中央部形成有矩形狀的切口 13j。另外，形成有從切口 13j上邊的中央部到達(dá)連接層4j上邊的中央部的狹縫狀的切口 12j。另外，在連接層4j的兩側(cè)，隔著隱蔽層(省略圖示)、絕緣層(省略圖示)形成有U字狀的導(dǎo)電層3j。俯視時連接層4j和導(dǎo)電層3j重疊的區(qū)域進(jìn)行靜電耦合。IC芯片5以跨越切口 12j的方式配置在區(qū)域IOOj中。在本實(shí)施方式中，與連接層4j上的環(huán)狀流動的路徑相比，經(jīng)由導(dǎo)電層3j流動的路徑變長，并且導(dǎo)電層非常薄且電阻較高，連接層4j上的環(huán)狀流動的路徑占主導(dǎo)地位，因此， 即使重疊有導(dǎo)電層，也難以發(fā)生阻抗的不匹配。(第十三實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第十三實(shí)施方式。圖12E是表示本發(fā)明的第十三實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖12E中，在連接層4k的中央部形成有矩形狀的切口 13k。另外，形成有從切口 13k上邊的中央部到達(dá)連接層4k上邊的中央部的狹縫狀的切口 12k。另外，在連接層4k 內(nèi)的左側(cè)區(qū)域，隔著隱蔽層(省略圖示)、絕緣層(省略圖示)形成有點(diǎn)狀的導(dǎo)電層3k。IC 芯片5以跨越切口 12k的方式配置在區(qū)域IOOk中。在本實(shí)施方式中，連接層4k上以環(huán)狀流動的電流的路徑與俯視時連接層4k和導(dǎo)電層3k重疊的情況下的電流流過的路徑相同，通信特性良好。(第十四實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第十四實(shí)施方式。圖12F是表示本發(fā)明的第十四實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖12F中，在連接層41的中央部形成有矩形狀的切口 131。另外，形成有從切口 131上邊的中央部到達(dá)連接層41上邊的中央部的狹縫狀的切口 121。另外，以與連接層4j 的下邊相交的方式，隔著隱蔽層(省略圖示)、絕緣層(省略圖示)形成有I字狀的導(dǎo)電層 31。在俯視時連接層41和導(dǎo)電層31重疊的區(qū)域進(jìn)行靜電耦合。IC芯片5以跨越切口 121 的方式形成在區(qū)域IOOj中。在本實(shí)施方式中，連接層41上的電流以環(huán)狀流動的路徑與俯視時連接層41和導(dǎo)電層31重疊的情況下電流流過的路徑相同，通信特性良好。(第十五實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第十五實(shí)施方式。圖13是本發(fā)明的第十五實(shí)施方式的IC 標(biāo)簽的說明圖。在圖13中，在連接層^!的中央部形成有矩形狀的切口 13m。另外，形成有從切口 1 !上邊的中央部到達(dá)連接層^!上邊的中央部的狹縫狀的切口 12m。以跨越切口 12m的方式配置IC芯片5。在本實(shí)施方式中，在決定切口 iaii和切口 13m的形狀時，使網(wǎng)絡(luò)分析儀102的高頻探頭10 和102b分別接觸到連接層細(xì)的兩端，從而測量連接層細(xì)的電抗X。當(dāng)將IC芯
14片5的虛部輸入阻抗作為-X'時，以滿足0.9X' < X的關(guān)系的方式，決定切口 1 !和切口 13m的形狀。另外，在第九實(shí)施方式至第十一實(shí)施方式中，若相對于在重疊導(dǎo)電層的狀態(tài)下實(shí)施同樣的測定時得到的環(huán)路電抗X，滿足前面所述的條件0.9X' < X的關(guān)系，則獲得更適宜的通信特性。(第十六實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第十六實(shí)施方式。圖14A是表示本發(fā)明的第十六實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖14A中，連接層如的環(huán)形電路配置在由導(dǎo)電層3η所形成的環(huán)狀放射元件的外側(cè)。在圖14Α中，在連接層如的中央部形成有矩形狀的切口 13η。另外，形成有從切口 13η上邊的中央部到達(dá)連接層如上邊的中央部的狹縫狀的切口 12η。另外，在連接層如上，隔著隱蔽層(省略圖示)、絕緣層(省略圖示)形成有0字狀的導(dǎo)電層3η。連接層如的下邊和導(dǎo)電層3η的下邊在俯視時重疊并進(jìn)行靜電耦合。在本實(shí)施方式中，若在連接層如中流動逆時針方向的電流，則在導(dǎo)電層3η中流動順時針方向的電流。因?yàn)檫B接層如和導(dǎo)電層3η的電流路徑不是互相包含的關(guān)系，所以兩者形成的磁場不會互相抵消，而是廣泛地擴(kuò)展，通信特性良好。(第十七實(shí)施方式)接下來，說明本發(fā)明的第十七實(shí)施方式。圖14Β是表示本發(fā)明的第十七實(shí)施方式的IC標(biāo)簽構(gòu)成的概略的俯視圖。在圖14Β中，在連接層4ο的中央部形成有矩形狀的切口 13ο。另外，形成有從切口 13ο上邊的中央部到達(dá)連接層4ο的上邊中央部的狹縫狀的切口 12ο。另外，在連接層4ο 上，隔著隱蔽層(省略圖示)、絕緣層(省略圖示)，形成有O字狀的導(dǎo)電層3ο。連接層4ο 的上邊和導(dǎo)電層3ο的下邊在俯視時重疊并進(jìn)行靜電耦合。在本實(shí)施方式中，若連接層4ο中流動逆時針方向的電流，則在導(dǎo)電層3ο中流動順時針方向的電流。導(dǎo)電層3ο的電流路徑完全包含連接層4ο的路徑，兩者形成的磁場互相抵消，通信特性降低。另外，在上述的各實(shí)施方式中，作為隱蔽層8(圖3)，利用不顯示導(dǎo)電性的有機(jī)高分子樹脂，但特別地，根據(jù)以下的(I)至(III)，可利用耐熱性高的TglSO度以上的材料(樹脂)。(I)在可見光下不能辨認(rèn)出連接層的隱蔽效果由此，從表面僅能辨認(rèn)出OVD功能層6，因此能夠提高圖案設(shè)計(jì)性，并且還可提高導(dǎo)電層3的圖案的隨意度，因此可望提高通信特性。作為隱蔽層8的材料，只要著色材料即可，可采用通常的油墨，但優(yōu)選印刷由耐熱性、耐光性高的顏料、碳黑等著色的油墨。(II) IC芯片的接合強(qiáng)度提高 特別地，在ACP接合的情況下，若將IC芯片安裝在連接層4上，則在安裝時的加工中，180°C以上的熱及75gf左右的壓力施加在比IC芯片5大的金屬蓋(head) 120上數(shù)十秒鐘(參照圖15)。因此，隱蔽層8的耐熱性變得重要。在無耐熱性時，隱蔽層8將會熔融， 由此在隱蔽層8內(nèi)發(fā)生凝集破壞，并降低IC芯片5的粘貼性。另一方面，當(dāng)采用耐熱性高 (Tgl80°C以上)的樹脂時，隱蔽層8不會熔融，在隱蔽層8內(nèi)不會發(fā)生凝集破壞，因此隱蔽層8內(nèi)的凝集破壞得以抑制。由此，提高IC芯片5的接合強(qiáng)度。
(III)防止OVD圖像的白濁和標(biāo)簽基材的收縮特別地，當(dāng)ACP接合時，若將IC芯片5安裝在連接層4上，則在安裝時的加工中， 180°c以上的熱及75gf左右的壓力施加在比IC芯片5大的金屬蓋120上數(shù)十秒鐘(參照圖15)。因此，優(yōu)選對該隱蔽層8賦予耐熱性。在無耐熱性時，OVD功能層因安裝加工時的熱而發(fā)生變形(熔融)，因此OVD圖像將發(fā)生白色渾濁。另外，標(biāo)簽基材2的熱收縮也將變大，標(biāo)簽本身也會歪斜。另一方面，當(dāng)使用耐熱性高的(Tgl80°C以上)樹脂時，熱傳導(dǎo)在隱蔽層8中被抑制，因此也能夠抑制OVD功能層6的變形，并且也能夠抑制基材收縮，由此能夠最大限度地發(fā)揮OVD功能層6的視覺效果。以上，作為考慮了⑴至(III)作用的材料(有機(jī)高分子樹脂)，例如，可列舉出聚芳酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂等Tg高的熱塑性樹脂；交聯(lián)的聚氨酯樹脂、 環(huán)氧樹脂、三聚氰胺類樹脂、酚醛類樹脂等熱固化樹脂；環(huán)氧(甲基)丙烯酸、尿烷(甲基) 丙烯酸酯等電離放射線(紫外線或電子束)固化樹脂。圖16是表示使用規(guī)定的樹脂作為隱蔽層8時的耐熱溫度、粘貼性、有無全息圖白化及基材收縮的表。另外，作為絕緣層的作用，是指使導(dǎo)電層3和連接層4電容耦合，只要是不顯示導(dǎo)電性的材料即可。例如，作為絕緣層，可以考慮以下的⑴至⑶的構(gòu)成。(1)僅有掩模層7，(2)僅有隱蔽層8，(3)掩模層7+隱蔽層8另外，在該O)的情況下，通過水溶性樹脂(沖洗水溶性樹脂部分的方法)， 激光去金屬(利用激光局部破壞導(dǎo)電性薄膜的方法)等，可進(jìn)行無掩模層的去金屬化 (demetallized)處理。另外，也可以通過掩模層和隱蔽層來形成絕緣層。其中，對絕緣層而言，僅僅層疊在阻抗調(diào)整部上的部分顯示非導(dǎo)電性即可，其他的部分也可以顯示導(dǎo)電性。另外，在上述的各實(shí)施方式中，說明了導(dǎo)電層3直接設(shè)置在標(biāo)簽基材2上的例子， 但取而代之地，也可以通過在薄膜狀的基材上形成所期望形狀的金屬蒸鍍膜并與標(biāo)簽基材 2相接合來形成導(dǎo)電層。此時，不僅金屬蒸鍍膜形成于基材上，而且OVD功能層6也形成于基材上，由此可得到保持OVD功能效果的標(biāo)簽。并且，也可以在由片狀的絕緣性材料構(gòu)成的基材的一個面上，通過濺射或蒸鍍來形成金屬薄膜，或利用導(dǎo)電性膏等并通過印刷等方法形成導(dǎo)電層作為連接層，并在該連接層上安裝IC芯片來形成插入物(inlet)，并與隱蔽層8的下表面?zhèn)冉雍?，由此形成IC標(biāo)簽， 以此來代替將連接層4直接形成在導(dǎo)電層3的下表面的情形。其中，若通過印刷在導(dǎo)電層的下表面直接形成連接層，則從IC標(biāo)簽上僅僅取下作為插入物的連接層和IC芯片是困難的，因此，IC標(biāo)簽的偽造等變得更困難，能夠提高安全性，因此是優(yōu)選的。并且，在上述的各實(shí)施方式中，說明了隱蔽層8設(shè)置在標(biāo)簽基材2的整個下表面上的例子，但取而代之地，也可以以僅僅覆蓋連接層4和IC芯片5的方式來局部性地設(shè)置。以上，說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實(shí)施方式， 在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更。附圖標(biāo)記說明
1、1A、1B非接觸IC標(biāo)簽；
2標(biāo)簽基材；
3、:3B導(dǎo)電層；
4連接層；
5IC芯片；
6功能層(光學(xué)可變器件)；
7掩模層(絕緣層)；
8隱蔽層；
11阻抗調(diào)節(jié)部；
12第一狹縫；
13第二狹縫。
權(quán)利要求
1.一種非接觸IC標(biāo)簽，具有IC芯片且能夠非接觸地與外部的讀取裝置進(jìn)行數(shù)據(jù)通信， 其特征在于，包括透明的標(biāo)簽基材；光學(xué)可變器件，其設(shè)置在所述標(biāo)簽基材的下表面；導(dǎo)電層，其設(shè)置成與所述光學(xué)可變器件的下表面接合，發(fā)揮作為所述IC芯片的天線的功能；連接層，其與所述IC芯片電連接；絕緣層，其設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層之間，用于使所述導(dǎo)電層和所述連接層電耦合；以及阻抗調(diào)節(jié)部，其至少設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層中的所述連接層上，用于調(diào)節(jié)所述導(dǎo)電層和所述IC芯片的阻抗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸IC標(biāo)簽，其特征在于，所述阻抗調(diào)節(jié)部由第一環(huán)形電路構(gòu)成，該第一環(huán)形電路通過設(shè)置在所述連接層的切口來形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非接觸IC標(biāo)簽，其特征在于，所述阻抗調(diào)節(jié)部具有第二環(huán)形電路，該第二環(huán)形電路由所述連接層、所述導(dǎo)電層和電容耦合部構(gòu)成，該電容耦合部用于將所述連接層和所述導(dǎo)電層電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非接觸IC標(biāo)簽，其特征在于，所述第二環(huán)形電路的長度為所述第一環(huán)形電路的長度以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸IC標(biāo)簽，其特征在于，還具有絕緣性隱蔽層，該隱蔽層設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層之間，并用于在可見光下不能使所述連接層從所述標(biāo)簽基材上辨認(rèn)出。。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸IC標(biāo)簽，其特征在于，所述IC芯片中記錄有不能改寫的識別代碼。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸IC標(biāo)簽，其特征在于，還具有剝離層，該剝離層設(shè)置在所述標(biāo)簽基材和所述光學(xué)可變器件之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非接觸IC標(biāo)簽，其特征在于，作為所述隱蔽層，使用耐熱溫度為180度以上的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸IC標(biāo)簽，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度為IOnm以上且小于1 μ m，所述連接層的厚度為1 μ m以上20 μ m以下。
10.一種物品，其特征在于，粘接有非接觸IC標(biāo)簽，該非接觸IC標(biāo)簽具有透明的標(biāo)簽基材；光學(xué)可變器件，其設(shè)置在所述標(biāo)簽基材的下表面；導(dǎo)電層，其設(shè)置成與所述光學(xué)可變器件的下表面接合，發(fā)揮作為所述IC芯片的天線的功能；連接層，其與所述IC芯片電連接；絕緣層，其設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層之間，用于使所述導(dǎo)電層和所述連接層電耦合；以及阻抗調(diào)節(jié)部，其至少設(shè)置在所述導(dǎo)電層和所述連接層中的所述連接層上，用于調(diào)節(jié)所述導(dǎo)電層和所述IC芯片的阻抗。
全文摘要
提供一種具有IC芯片并且能夠非接觸地與外部的讀取裝置進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的非接觸IC標(biāo)簽，該IC標(biāo)簽具有透明的標(biāo)簽基材；光學(xué)可變器件，其設(shè)置在標(biāo)簽基材的下表面；導(dǎo)電層，其設(shè)置成與光學(xué)可變器件的下表面接合，發(fā)揮作為所述IC芯片的天線的功能；連接層，其與所述IC芯片電連接；絕緣層，其設(shè)置在導(dǎo)電層和連接層之間，用于使導(dǎo)電層和粘接層電耦合；以及阻抗調(diào)節(jié)部，其至少設(shè)置在導(dǎo)電層和連接層中的所述連接層上，用于調(diào)節(jié)導(dǎo)電層和所述IC芯片的阻抗。
文檔編號G06K19/07GK102217136SQ200980145470
公開日2011年10月12日 申請日期2009年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者中島英實(shí), 古市梢, 小澤達(dá)郎, 片岡慎, 神藤英彥 申請人:凸版印刷株式會社, 株式會社日立制作所