專利名稱：一種具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及電子安全標簽技術(shù)領域，特別是一種具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的發(fā)展，具有安全防偽功能的電子標簽逐漸走入到我們的生活中， 它還同時具有靈敏度高、體積小、成本低等優(yōu)點。如中國發(fā)明專利說明書(授權(quán)公告號CN100423026C)公開了一種高精度射頻軟 標簽。該標簽的基層由一絕緣膜層和在絕緣膜層正面和背面分別貼設的導電層構(gòu)成，所述 的導電層上具有由電容、導線和解碼點構(gòu)成的解碼電路，該電容位于由導線構(gòu)成的線圈外 圍，其特征在于該電容導線和線圈導線的寬度由外向內(nèi)逐漸減小。該解碼電路上的電容導 線的寬度大于線圈導線的寬度，有利于增加電容區(qū)的容量，有利于提高標簽的精度。該線圈 導線寬度由外向內(nèi)逐漸減小，有利于增加線圈的繞線圈數(shù)，進而增長了線圈導線，使線圈的 電感量得到很大的提高，也有利于提高標簽的精度。但是，現(xiàn)有的這種電子標簽確具有如下 缺點JC現(xiàn)有的上述電子標簽依靠其解碼電路，只具有較簡單的防偽識別功能，簡而言之， 這種標簽只具有“0”或“ 1 ”，“是”或“非”的判斷功能，并不具備諸如信息存儲和復雜的信 息識別功能。另外，上述現(xiàn)有的電子標簽只適用于8. 2MHz的低頻段，也就是說該電子標簽 只能配合低頻段的解碼設備使用由此可見，現(xiàn)有電子標簽仍有很大的改進余地。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，解決現(xiàn)有電子標 簽依靠其解碼電路，只具有較簡單的防偽識別功能的技術(shù)問題，且只能適用于8. 2MHz低頻 段環(huán)境(解碼設備)的技術(shù)問題，它不但具有更復雜信息的處理能力，而且還拓展了信息的
存儲量。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的—種具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，該標簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層 上貼設的導電層構(gòu)成；其特征在于所述的導電層由設置于中間的8. 2MHz的RF低頻標簽 線路和設置于低頻標簽線路外圍的860-950MHZ超高頻RFID標簽線路構(gòu)成；所述的低頻標 簽線路由解碼點、低頻線圈和電容構(gòu)成；所述的超高頻標簽線路由高頻線圈和綁定超高頻 芯片的芯片綁定電路構(gòu)成。所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述的低頻標簽線路中 的電容位于低頻線圈內(nèi)。所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述絕緣膜層是PET或 PTN。所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述絕緣膜層的厚度是1-100 μ m。所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述的構(gòu)成電路的導電材料為鋁箔。所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述的鋁箔厚度為 1-100 μ HIo藉由上述結(jié)構(gòu)使得本發(fā)明具有如下優(yōu)點1、本發(fā)明與現(xiàn)有電子標簽相比增加了位于低頻電子標簽電路外圍的超高頻電子標簽電路，超高頻電子標簽電路的芯片綁定區(qū)和芯片的結(jié)構(gòu)，使產(chǎn)品的性能達到很大提升， 標簽可具有讀寫操作能力，且具有更大的信息能力，還具有一定的數(shù)據(jù)處理能力。2、本發(fā)明電子標簽的使用領域從原有的防偽識別領域可以擴展的其它應用領域(如電子支付等)，使本產(chǎn)品可應用于超市和大賣場，而且可以分別對應于低頻和超高頻 電子標簽解碼設備使用。


圖1是本發(fā)明的正面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式請參閱圖1-2，它們是本發(fā)明一種具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示該標簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層上貼設的導電層構(gòu)成。所述的導電層 由設置于中間的8. 2MHz低頻標簽線路和設置于低頻標簽線路外圍的860-950MHZ超高頻標 簽線路構(gòu)成；所述的低頻標簽線路由解碼點1、6，低頻線圈4和電容2、7構(gòu)成；所述的超高 頻標簽線路由高頻線圈3和綁定超高頻芯片5的芯片綁定電路構(gòu)成。所述的低頻標簽線路 中的電容2位于低頻線圈4內(nèi)。所述絕緣膜層是PET或PTN，絕緣膜層的厚度是1-100 μ m。所述的構(gòu)成電路的導電材料為鋁箔，鋁箔厚度為1-100 μ m。所述的超高頻芯片可選用如超高頻Gen 2標簽芯片Monza3等，所述超高頻芯片的頻率在860到950MHz之間(如美國為915MHz，歐洲為868MHz,日本為950MHz)。使用時，外圍超高頻電子標簽線路上所設置的芯片可以對更復雜的信息進行讀寫、運算和存儲操作，它進一步拓展了電子標簽的性能。除了應用在原有的防偽識別領域之 夕卜，它還能應用于其它更廣泛的領域中(如電子支付等)。而位于中間的低頻電子標簽線 路用于普通的編解碼功能。綜上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明的實施范圍。即凡依本發(fā)明申請專利范圍的內(nèi)容所作的等效變化與修飾，都應為本發(fā)明的技術(shù)范疇。
權(quán)利要求
一種具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，該標簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層上貼設的導電層構(gòu)成；其特征在于所述的導電層由設置于中間的8.2MHz的RF低頻標簽線路和設置于低頻標簽線路外圍的860-950MHz超高頻RFID標簽線路構(gòu)成；所述的低頻標簽線路由解碼點(1、6)、低頻線圈(4)和電容(2、7)構(gòu)成；所述的超高頻標簽線路由高頻線圈(3)和綁定超高頻芯片(5)的芯片綁定電路構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述的低 頻標簽線路中的電容(2)位于低頻線圈(4)內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述 絕緣膜層是PET或PTN。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述絕緣 膜層的厚度是1-100 iim。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述 的構(gòu)成電路的導電材料為鋁箔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽，其特征在于所述的鋁 箔厚度為1-100 iim。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子安全標簽技術(shù)領域，特別是一種具有低頻和超高頻的雙頻電子標簽。該標簽的基層由一絕緣膜層和絕緣膜層上貼設的導電層構(gòu)成；其特征在于所述的導電層由設置于中間的8.2MHz低頻標簽線路和設置于低頻標簽線路外圍的860-950MHz超高頻標簽線路構(gòu)成；所述的低頻標簽線路由解碼點、低頻線圈和電容構(gòu)成；所述的超高頻標簽線路由高頻線圈和綁定超高頻芯片的芯片綁定電路構(gòu)成。它解決現(xiàn)有電子標簽依靠其解碼電路，只具有較簡單的防偽識別功能的技術(shù)問題，且只能適用于8.2MHz低頻段環(huán)境(解碼設備)的技術(shù)問題，它不但具有更復雜信息的處理能力，而且還拓展了信息的存儲量。
文檔編號G06K19/077GK101799884SQ20101013311
公開日2010年8月11日 申請日期2010年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者黃佳佳 申請人:黃佳佳