專利名稱：觸控面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸控面板，特定來說涉及一種電容式觸控面板。
背景技術(shù)：
圖IA顯示傳統(tǒng)電容式觸控面板100，除液晶、彩色濾光片以外，觸控電路還需要有額外至少一玻璃襯底101，在所述玻璃襯底兩側(cè)具有作為感測單元及驅(qū)動單元的銦錫氧化物102、103，其中上層銦錫氧化物102與下層銦錫氧化物103呈垂直布置，而玻璃襯底101 與面板104之間布置有UV膜光學(xué)膠105，再利用真空方式將玻璃襯底101與面板104貼合。 圖IB是顯示此傳統(tǒng)電容式觸控面板的截面圖。由于電子裝置輕薄短小的需求，許多掌上型電子裝置為了方便攜帶，進(jìn)一步要求整體厚度更為輕薄。而在傳統(tǒng)的觸控面板中，面板與觸控電路的襯底各自獨(dú)立，從而增加了電子裝置的整體厚度。此外，由于觸控面板表面需要承受來自面板外部的壓觸，因此如果將觸控電路直接形成于前述面板104上，那么來自外部壓觸的應(yīng)力可能造成電路的電性影響，而面板104 經(jīng)多次壓觸的應(yīng)力施加，可能會使面板產(chǎn)生裂痕，甚至造成內(nèi)部電路的損壞。因此，急需一種能夠集成元件襯底的結(jié)構(gòu)與工藝，并提高觸控面板強(qiáng)度。

發(fā)明內(nèi)容
為有效減少電子裝置的襯底數(shù)目，本發(fā)明將觸控面板的觸控電路集成到面板上并提高觸控面板強(qiáng)度，以減少需要貼合的襯底數(shù)目，借此可減少襯底貼合所造成的問題并有效減小觸控面板整體厚度。本發(fā)明的實(shí)施例揭示一種形成觸控面板的方法，其包含通過化學(xué)方法強(qiáng)化玻璃襯底，其中所述玻璃襯底包含堿金屬氧化物；所述玻璃襯底下方形成銦錫氧化物層；及在所述銦錫氧化物層上形成感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路。本發(fā)明的另一實(shí)施例揭示一種觸控面板，其包含經(jīng)化學(xué)方法強(qiáng)化的玻璃襯底，所述玻璃襯底包含60 丨％到80wt%的氧化硅、1 丨％到15wt%的氧化鋁及0. Iwt %到15wt% 的堿金屬氧化物(M2O)；及銦錫氧化物層，其形成于所述玻璃襯底下方，所述銦錫氧化物層上形成有感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路。


圖IA顯示傳統(tǒng)電容式觸控面板；圖IB顯示傳統(tǒng)電容式觸控面板的截面圖；圖2顯示本發(fā)明的形成觸控面板的方法的實(shí)施例；及圖3顯示四點(diǎn)彎曲測試方法。
具體實(shí)施方式
圖2揭示本發(fā)明所揭示的一種形成觸控面板的方法及流程圖。首先提供玻璃襯底，所述玻璃襯底包含堿金屬氧化物(M2O)，利用化學(xué)方法對玻璃襯底進(jìn)行強(qiáng)化處理，經(jīng)過化學(xué)方法強(qiáng)化處理的玻璃襯底將在襯底的上下表面上形成壓應(yīng)力。在玻璃襯底的下方形成銦錫氧化物層，并使所形成的銦錫氧化物層與上述經(jīng)化學(xué)方法強(qiáng)化處理的玻璃表面應(yīng)力大約一致，從而形成為壓應(yīng)力的銦錫氧化物層，以維持經(jīng)強(qiáng)化處理的玻璃表面。接著在銦錫氧化物層上形成觸控面板的感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路。在優(yōu)選實(shí)施例中，所提供的玻璃襯底具有重量百分比為60%到80%的氧化硅、 到15wt%的氧化鋁及0. 到15wt%的堿金屬氧化物。在另一優(yōu)選實(shí)施例中，玻璃
襯底進(jìn)一步另包含下列各項(xiàng)中的至少一者氧化鈣、氧化鎂、氧化鐵、氧化硼及氧化硫以及其類似物，其中玻璃襯底中的氧化鈣含量最多可達(dá)13wt %，氧化鎂最多可達(dá)13wt %，而氧化鐵、氧化硼及氧化硫分別最多可達(dá)lwt%。在優(yōu)選實(shí)施例中，其中玻璃襯底中的堿金屬氧化物是氧化鋰(Li2O)、氧化納 (Na2O)。在另一優(yōu)選實(shí)施例中，將玻璃襯底浸入高溫的亞硝酸或硝酸溶液中，利用亞硝酸或硝酸溶液與玻璃襯底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行對玻璃襯底的強(qiáng)化處理。溶液中的鉀離子進(jìn)入玻璃襯底中，將玻璃襯底中的堿金屬離子置換出來。例如，玻璃襯底中具有氧化鋰及/或氧化納，鉀離子與鋰離子及/或鈉離子交換，與鋰離子及鈉離子相比，由于鉀離子的離子半徑較大，因此其進(jìn)入玻璃襯底中，將玻璃襯底表面的氧化鋰及/或氧化納置換為氧化鉀，從而將形成玻璃襯底表面的壓應(yīng)力。在實(shí)施例中，在玻璃襯底經(jīng)上述化學(xué)方法強(qiáng)化處理之后，利用四點(diǎn)彎曲測試 (4point-bending test)，可知玻璃襯底表面壓應(yīng)力為大于8GPa，在優(yōu)選實(shí)施例中，玻璃襯底表面為約9GPa。四點(diǎn)彎曲測試方法如圖3所示，對玻璃襯底301進(jìn)行化學(xué)方法強(qiáng)化處理，將其放置于兩個支撐杠302上，并對其進(jìn)行調(diào)整以使支撐杠與玻璃襯底301邊緣的距離dl為約9mm。 將兩個負(fù)載杠303放置于玻璃襯底301上方，并使兩個負(fù)載杠303的間距d3為約32mm。而玻璃襯底左右兩邊的負(fù)載杠303與支撐杠302的間距d2為約16mm。在兩個負(fù)載杠303處以速度Vb (其中速度Vb為lOmm/min)對玻璃襯底301逐漸施加應(yīng)力冊，10%積累破壞，并以韋伯(Weibull)分析得知玻璃表面應(yīng)力。測試所用的玻璃襯底的厚度為0.55mm。在優(yōu)選實(shí)施例中，形成觸控面板上的感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路進(jìn)一步包含利用激光刻印的方式圖案化玻璃襯底下方形成的銦錫氧化物層。在優(yōu)選實(shí)施例中，圖案化銦錫氧化物層的激光刻印過程所利用的激光條件是輻射波長為355nm的Q切換連續(xù)波激光的紫外光輻射，線性掃描速度為約lOOOmm/sec，能量小于 31在另一優(yōu)選實(shí)施例中，圖案化銦錫氧化物層的激光刻印過程所利用的激光條件是輻射波長為532nm的脈沖紫外光輻射，線性掃描速度為約120mm/sec，能量小于120mW。在又一優(yōu)選實(shí)施例中，圖案化銦錫氧化物層的激光刻印過程所利用的激光條件是紅外線輻射，波長為約1064nm，頻率為20kHZ，線性掃描速度為約100mm/sec到500mm/sec， 能量為約IOOmW到800mW。在優(yōu)選實(shí)施例中，玻璃襯底本身對圖案化銦錫氧化物層所使用的輻射光的吸收率為約15%。在另一優(yōu)選實(shí)施例中，形成于玻璃襯底上的銦錫氧化物層對輻射光的吸收率為約8%到約10%。以厚度為0. 55mm的玻璃襯底為例，控制輻射條件，使得輻射照射區(qū)域局部溫度提高在2. 4K以內(nèi)，從而不會破壞玻璃襯底在經(jīng)強(qiáng)化處理后所形成的壓應(yīng)力。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，在銦錫氧化物層上形成感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路是利用噴墨方式將導(dǎo)電油墨印刷到所述玻璃襯底上。在優(yōu)選實(shí)施例中，在以噴墨方式形成電路之后，再對觸控面板進(jìn)行退火處理，而退火溫度不超過205攝氏度。對于經(jīng)上述激光刻印或噴墨方式形成感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路的觸控面板，經(jīng)前述四點(diǎn)彎曲測試可知觸控面板表面仍維持壓應(yīng)力，且與在經(jīng)化學(xué)方式強(qiáng)化處理之后的壓應(yīng)力大約相當(dāng)，可知上述激光刻印或噴墨方式不會破壞玻璃襯底表面的經(jīng)強(qiáng)化處理的壓應(yīng)力，而是維持玻璃襯底的強(qiáng)度。因此，經(jīng)本發(fā)明形成的觸控面板具有可靠的強(qiáng)度，從而使觸控面板在使用過程中保護(hù)玻璃襯底下方的感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路，使來自玻璃襯底另一側(cè)的壓力不會影響感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路的電性，甚至造成電路損壞。雖然本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容與特征為如上所述，然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可在不背離本發(fā)明的教示與揭示內(nèi)容的情況下進(jìn)行許多變化與修改。因此，本發(fā)明的范圍并不限定于已揭示的實(shí)施例，而是包含不背離本發(fā)明的其它變化與修改，其為如所附權(quán)利要求書所涵蓋的范圍。
權(quán)利要求
1.一種形成觸控面板的方法，其包含通過化學(xué)方法強(qiáng)化玻璃襯底，其中所述玻璃襯底包含堿金屬氧化物，在所述玻璃襯底下方形成銦錫氧化物層；及在所述銦錫氧化物層上形成感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述化學(xué)方法包含將所述玻璃襯底浸入高溫亞硝酸或硝酸溶液中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過激光刻印形成所述形成感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述感測電路是通過噴墨方式將導(dǎo)電油墨印刷到所述玻璃襯底上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其進(jìn)一步包含退火處理，所述溫度小于205攝氏度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述激光刻印的條件是輻射波長為355nm的Q切換連續(xù)波激光的紫外光輻射，線性掃描速度為約lOOOmm/sec，能量為小于3W。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述激光刻印的條件是輻射波長為532nm的脈沖紫外光輻射，線性掃描速度為約120mm/sec，能量為小于120mW。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述輻射是紅外線輻射，波長為約1064nm，頻率為 20kHZ，線性掃描速度為約100mm/sec到500mm/sec，能量為約IOOmW到800mW。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述玻璃襯底在經(jīng)過所述化學(xué)方法強(qiáng)化之后具有大于8Gpa的表面應(yīng)力。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述玻璃襯底具有約9Gpa的表面應(yīng)力。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述玻璃襯底具有氧化鋁，且所述堿金屬氧化物包含下列各項(xiàng)中的至少一者氧化鋰(Li2O)、氧化鈉(Na2O)。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述玻璃襯底對所述輻射的光吸收率為約15%。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述銦錫氧化物對所述輻射的光吸收率的范圍為約8%到約10%。
14.一種觸控面板，其包含經(jīng)化學(xué)方法強(qiáng)化的玻璃襯底，所述玻璃襯底包含60wt%到SOwt %的氧化硅、Iwt %到 15wt%的氧化鋁及0. Iwt %到15wt%的堿金屬氧化物；及銦錫氧化物層，其形成于所述玻璃襯底下方，所述銦錫氧化物層上形成有感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的觸控面板，其中所述玻璃襯底另外包含下列各項(xiàng)中的至少一者氧化鈣、氧化鎂、氧化鐵、氧化硼及氧化硫以及其類似物。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種觸控面板及其制造方法。本發(fā)明所揭示的形成觸控面板的方法包含通過化學(xué)方法強(qiáng)化玻璃襯底，其中所述玻璃襯底包含堿金屬氧化物；在所述玻璃襯底下方形成銦錫氧化物層；及在所述銦錫氧化物層上形成感測電路、驅(qū)動電路及其之間的互連電路。
文檔編號G06F3/044GK102243546SQ201010180388
公開日2011年11月16日 申請日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月13日
發(fā)明者陳少揚(yáng) 申請人:永恒科技有限公司