專利名稱：掩膜版制作方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種掩膜版制作方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI，Ultra Large Scale htegration)的飛速發(fā)展，集成電路制造工藝變得越來越復(fù)雜和精細(xì)。在0. 13um以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵層次中，如TO(有源區(qū)層次)、GT (柵氧層次)以及An (金屬連線層次)等關(guān)鍵層次的CD (關(guān)鍵尺寸)越來越小，某些關(guān)鍵層次的CD已經(jīng)接近甚至小于光刻工藝中所使用的光波的波長248nm，因此在光刻中的曝光過程中，由于光的干涉和衍射現(xiàn)象，實際產(chǎn)品晶片上得到的光刻圖形與掩膜版圖形之間存在一定的變形和偏差，光刻中的這種誤差直接影響電路性能和生產(chǎn)成品率?，F(xiàn)有技術(shù)中為了消除上述誤差，通常使用OPC(光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正)方法對設(shè)計圖進(jìn)行一定的修正?，F(xiàn)有的采用OPC方法對設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行處理的過程如圖1所示，包括以下步驟步驟SlOl 確定光刻工藝條件，并收集所述光刻工藝條件對應(yīng)的OPC數(shù)據(jù)；步驟S102 根據(jù)所述OPC數(shù)據(jù)創(chuàng)建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；步驟S103 提供設(shè)計圖形數(shù)據(jù)，根據(jù)所述OPC程序，對所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行OPC
運(yùn)算；步驟S104 驗證所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶的差值是否在誤差允許范圍內(nèi)，如果否，返回步驟S102，如果是，進(jìn)入步驟S105 ；步驟S105 按照所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)制作掩膜版。將原始設(shè)計圖形數(shù)據(jù)經(jīng)過上述OPC方法處理后制作的掩膜版，可以消除光刻過程中因光的干涉和衍射而產(chǎn)生的光刻圖形與掩膜版圖形之間的變形和偏差，但是，在生產(chǎn)實際過程中，隨著設(shè)計圖的越來越復(fù)雜，采用傳統(tǒng)的OPC方法對設(shè)計圖進(jìn)行多次修正之后，經(jīng)過仿真運(yùn)算得出的CD與產(chǎn)品的目標(biāo)CD仍然相差很大，不能滿足實際生產(chǎn)的需要。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，上述出現(xiàn)問題的設(shè)計圖中往往都存在很多不符合設(shè)計規(guī)則的圖形，對于這些不符合設(shè)計規(guī)則的圖形，采用傳統(tǒng)的OPC方法進(jìn)行修正時，OPC的修正量不能完全補(bǔ)償設(shè)計的不足，進(jìn)而影響OPC修正的準(zhǔn)確度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種掩膜版制作方法及系統(tǒng)，可使經(jīng)OPC修正后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)的CD與目標(biāo)CD的誤差在生產(chǎn)允許的范圍內(nèi)，以滿足實際生產(chǎn)的需要。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案一種掩膜版制作方法，包括a)確定光刻工藝條件，并收集所述光刻工藝條件對應(yīng)的OPC數(shù)據(jù)；b)根據(jù)所述OPC數(shù)據(jù)創(chuàng)建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；c)提供設(shè)計圖形數(shù)據(jù)，按照設(shè)計規(guī)則對所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，將所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為符合設(shè)計規(guī)則的圖形數(shù)據(jù)；d)根據(jù)所述OPC程序，對所述預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行OPC運(yùn)算；e)驗證所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶的差值是否在誤差允許范圍內(nèi)，如果否，返回步驟b)，如果是，按照所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)制作掩膜版。優(yōu)選的，所述預(yù)處理過程包括當(dāng)所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的凸出部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，清除所述凸出部分。優(yōu)選的，所述預(yù)處理過程包括當(dāng)所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，填補(bǔ)所述缺口部分。優(yōu)選的，所述預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)滿足產(chǎn)品制造工藝要求和電學(xué)特性要求。優(yōu)選的，所述驗證的過程包括對所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行仿真，得出所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶；將所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶進(jìn)行比較，得出二者間的差值；判斷所述差值是否在誤差允許的范圍內(nèi)。本發(fā)明實施例還公開了一種掩膜版制作系統(tǒng)，包括程序創(chuàng)建單元，用于根據(jù)確定的光刻工藝條件，收集所述光刻工藝條件對應(yīng)的OPC數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述OPC數(shù)據(jù)創(chuàng)建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；處理單元，用于按照設(shè)計規(guī)則對設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，將所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為符合設(shè)計規(guī)則的圖形數(shù)據(jù)；運(yùn)算單元，用于根據(jù)所述OPC程序，對所述預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行OPC運(yùn)算；驗證單元，用于驗證所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶的差值是否在誤差允許范圍內(nèi)；制版單元，用于當(dāng)所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD與目標(biāo)CD的差值在誤差允許范圍內(nèi)時，按照所述OPC運(yùn)算后的圖形制作掩膜版。優(yōu)選的，所述處理單元包括比較單元，用于將所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的凸出部分的尺寸以及缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)CD進(jìn)行比較，得出所述凸出部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值，以及所述缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)⑶的差值；第一判斷單元，用于判斷所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中凸出部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值，以及所述缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值是否大于預(yù)設(shè)閾值；修正單元，用于當(dāng)所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的凸出部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，清除所述凸出部分，且當(dāng)所述設(shè)計圖形中的缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，填補(bǔ)所述缺口部分。優(yōu)選的，所述驗證單元包括仿真單元，用于對所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行仿真，得出所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶；計算單元，用于將所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶進(jìn)行比較，得出二者
5間的差值；第二判斷單元，用于判斷所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶差值是否在誤差允許的范圍內(nèi)。優(yōu)選的，還包括存儲單元，用于存儲所述目標(biāo)CD的值、所述預(yù)設(shè)閾值和所述誤差范圍中的至少一種。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實施例通過將原始的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中不符合設(shè)計規(guī)則的部分進(jìn)行預(yù)處理， 使其滿足設(shè)計規(guī)則的要求，之后再進(jìn)行OPC運(yùn)算，驗證OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶是否滿足目標(biāo)CD的要求，如果不滿足，則重復(fù)進(jìn)行OPC模型、OPC程序的建立以及上述預(yù)處理的過程，直到OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD滿足目標(biāo)CD的要求為止，保證了以O(shè)PC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)制作出的掩膜版滿足光刻過程的需求，使光刻后在晶片上的成像更加準(zhǔn)確，減少實際晶片上得到的光刻圖形與掩膜版圖形之間的變形和偏差，提高了電路的性能和生產(chǎn)成品率。


通過附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示
出本發(fā)明的主旨。
圖1為現(xiàn)有的OPC方法的流程圖2為本發(fā)明實施例一公開的掩膜版制作方法的流程圖3為本發(fā)明實施例一舉例的設(shè)計圖形；
圖4為圖3中設(shè)計圖形的部分結(jié)構(gòu)放大圖5為圖3中設(shè)計圖形的部分結(jié)構(gòu)放大圖6為圖3中設(shè)計圖形進(jìn)行預(yù)處理后的圖形；
圖7為圖6中圖形的部分結(jié)構(gòu)放大圖8為本發(fā)明實施例二公開的掩膜版制作方法的流程圖9為圖3中設(shè)計圖形進(jìn)行OPC運(yùn)算后的圖形；
圖10為圖6中設(shè)計圖形進(jìn)行OPC運(yùn)算后的圖形；
圖11為本發(fā)明實施例三公開的掩膜版制作系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
正如背景技術(shù)部分所述，采用傳統(tǒng)的OPC方法對某些設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行多次修正后，仿真運(yùn)算得出的CD與設(shè)計中的目標(biāo)CD仍相差很大，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)這種問題的根本原因在于，這些出現(xiàn)問題的設(shè)計圖中往往都存在很多不符合設(shè)計規(guī)則的圖形，對這些不符合設(shè)計規(guī)則的圖形，采用傳統(tǒng)的OPC方法進(jìn)行修正時，不僅會增加OPC處理的運(yùn)行時間，而且由于OPC的修正量不能完全補(bǔ)償設(shè)計的不足，也會嚴(yán)重影響OPC修正的準(zhǔn)確度。實施例一基于上述問題，本實施例提供的掩膜版制作方法的流程圖如圖2所示，包括以下步驟步驟S201 確定光刻工藝條件，并收集所述光刻工藝條件對應(yīng)的OPC數(shù)據(jù)；步驟S202 根據(jù)所述OPC數(shù)據(jù)創(chuàng)建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；步驟S203 提供設(shè)計圖形數(shù)據(jù)，按照設(shè)計規(guī)則對所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，將所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為符合設(shè)計規(guī)則的圖形數(shù)據(jù)；步驟S204 根據(jù)所述OPC程序，對所述預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行OPC運(yùn)算；步驟S205 驗證所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶的差值是否在誤差允許范圍內(nèi)，如果否，返回步驟S202，如果是，進(jìn)入步驟S206 ；步驟S206 按照所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)制作掩膜版。其中，所述預(yù)處理過程除了要使原始的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)滿足設(shè)計規(guī)則的要求外，最終的目標(biāo)是使預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)能夠滿足產(chǎn)品制造工藝要求和電學(xué)特性要求，也就是要使最終制造出的產(chǎn)品符合設(shè)計的要求?？v觀眾多的原始設(shè)計圖形數(shù)據(jù)，出現(xiàn)最多的問題包括各種不規(guī)則的凸出部分或缺口部分，這些凸出部分和缺口部分的尺寸要遠(yuǎn)小于目標(biāo)CD的尺寸，在現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行OPC運(yùn)算時，系統(tǒng)也會將原始設(shè)計圖形這些參差不齊的凸起或缺口作為目標(biāo)圖形進(jìn)行OPC運(yùn)算，導(dǎo)致這些凸起或缺口在進(jìn)行OPC處理后更加失真，進(jìn)而導(dǎo)致對OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行仿真得到的CD值和目標(biāo)CD值相差非常大。因此，本發(fā)明實施例中為了徹底解決上述問題，所述預(yù)處理過程是包括當(dāng)所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的凸出部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，清除所述凸出部分。當(dāng)所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，填補(bǔ)所述缺口部分。通過上述清除凸出部分、填補(bǔ)缺口部分的預(yù)處理過程之后，所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)在逐步轉(zhuǎn)換為符合設(shè)計規(guī)則且滿足產(chǎn)品制造工藝要求和電學(xué)特性要求的圖形數(shù)據(jù)，之后再經(jīng)過后面的驗證過程，將所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD與目標(biāo)CD進(jìn)行比對，在不滿足目標(biāo)CD要求的情況下重復(fù)修改OPC模型、OPC程序以及預(yù)處理的等過程，整個處理過程是循環(huán)進(jìn)行的，直至最終得出的OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD滿足目標(biāo)CD的要求時，循環(huán)停止，按照最終的OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行掩膜版的制作。下面以圖3所示的設(shè)計圖形為例，說明本實施例中所述的預(yù)處理過程。圖4中標(biāo)號41、42、43所示結(jié)構(gòu)分別為圖3中標(biāo)號31、32、33所示結(jié)構(gòu)的放大圖，圖5為圖3中部分結(jié)構(gòu)尺寸的放大圖，從圖4和圖5中可以看出，圖4中標(biāo)號41、42、43所示處的結(jié)構(gòu)尺寸，相對于該設(shè)計圖形的目標(biāo)CD要小很多，大概為一個數(shù)量級左右，因此可以判定標(biāo)號41、42、43所指的結(jié)構(gòu)為需要進(jìn)行預(yù)處理的部分，即標(biāo)號41所示凸出的圖形可以按照設(shè)計規(guī)則進(jìn)行清除，標(biāo)號42和43所示缺口部分可以按照設(shè)計規(guī)則進(jìn)行填補(bǔ)，完成預(yù)處理的設(shè)計圖形如圖6所示，圖7為與圖5對應(yīng)的預(yù)處理后的部分結(jié)構(gòu)尺寸的放大圖，從圖 6和圖7與圖3-圖5的比較中可以得出預(yù)處理過程所作的操作，即在滿足設(shè)計規(guī)則的情況下清除凸起，填補(bǔ)缺口。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，當(dāng)步驟S205中驗證得出所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的 CD不滿足目標(biāo)CD的要求時，可以如本實施例所述，返回步驟S202重建OPC模型，也可以返回步驟S201，重新收集OPC數(shù)據(jù)，還可以返回步驟S203，重新進(jìn)行設(shè)計圖形數(shù)據(jù)的預(yù)處理過程，具體返回哪一步本發(fā)明不做限定，具體操作過程可根據(jù)具體情況具體分析。通過本實施例的方法制作出的掩膜版能夠滿足光刻過程的需求，使光刻后在晶片上的成像更加準(zhǔn)確，減少實際晶片上得到的光刻圖形與掩膜版圖形之間的變形和偏差，提高了電路的性能和生產(chǎn)成品率。實施例二本實施例提供的掩膜版的制作方法的流程圖如圖8所示，本實施例與實施例一不同的是，將實施例一中的步驟S205中驗證過程進(jìn)行細(xì)化，即步驟S305-步驟S307所示，本實施例通過對所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行仿真的方式來驗證所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)CD是否滿足目標(biāo)CD的要求，其中，本實施例中對預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行OPC運(yùn)算后包括以下步驟步驟S305 對所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行仿真，得出所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD ；步驟S306 將所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶進(jìn)行比較，得出二者間的差值；步驟S307 判斷所述差值是否在誤差允許的范圍內(nèi)，如果否，返回步驟S302，如果是，進(jìn)入步驟S308 ；步驟S308 按照所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)制作掩膜版。下面以圖9所示的設(shè)計圖形為例，從圖中取六個不同關(guān)鍵尺寸的位置，如圖中的 Pointl-Point6所示，經(jīng)過仿真運(yùn)算后的Pointl_Point6的CD與目標(biāo)CD的差距如表一所示，從表一中可以看出，仿真結(jié)果與目標(biāo)CD相差很大。表一
權(quán)利要求
1.一種掩膜版制作方法，其特征在于，包括a)確定光刻工藝條件，并收集所述光刻工藝條件對應(yīng)的OPC數(shù)據(jù)；b)根據(jù)所述OPC數(shù)據(jù)創(chuàng)建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；c)提供設(shè)計圖形數(shù)據(jù)，按照設(shè)計規(guī)則對所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，將所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為符合設(shè)計規(guī)則的圖形數(shù)據(jù)；d)根據(jù)所述OPC程序，對所述預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行OPC運(yùn)算；e)驗證所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD與目標(biāo)CD的差值是否在誤差允許范圍內(nèi)，如果否，返回步驟b)，如果是，按照所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)制作掩膜版。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理過程包括當(dāng)所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的凸出部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，清除所述凸出部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理過程包括當(dāng)所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，填補(bǔ)所述缺口部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)滿足產(chǎn)品制造工藝要求和電學(xué)特性要求。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述驗證的過程包括對所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行仿真，得出所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶； 將所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶進(jìn)行比較，得出二者間的差值； 判斷所述差值是否在誤差允許的范圍內(nèi)。
6.一種掩膜版制作系統(tǒng)，其特征在于，包括程序創(chuàng)建單元，用于根據(jù)確定的光刻工藝條件，收集所述光刻工藝條件對應(yīng)的OPC數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述OPC數(shù)據(jù)創(chuàng)建OPC模型，由所述OPC模型建立OPC程序；處理單元，用于按照設(shè)計規(guī)則對設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，將所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為符合設(shè)計規(guī)則的圖形數(shù)據(jù)；運(yùn)算單元，用于根據(jù)所述OPC程序，對所述預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行OPC運(yùn)算； 驗證單元，用于驗證所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD與目標(biāo)CD的差值是否在誤差允許范圍內(nèi)；制版單元，用于當(dāng)所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD與目標(biāo)CD的差值在誤差允許范圍內(nèi)時，按照所述OPC運(yùn)算后的圖形制作掩膜版。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述處理單元包括比較單元，用于將所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的凸出部分的尺寸以及缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)CD進(jìn)行比較，得出所述凸出部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值，以及所述缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)⑶的差值；第一判斷單元，用于判斷所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中凸出部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值， 以及所述缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值是否大于預(yù)設(shè)閾值；修正單元，用于當(dāng)所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)中的凸出部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，清除所述凸出部分，且當(dāng)所述設(shè)計圖形中的缺口部分的尺寸與所述目標(biāo)CD的差值大于預(yù)設(shè)閾值時，填補(bǔ)所述缺口部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述驗證單元包括仿真單元，用于對所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行仿真，得出所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD;計算單元，用于將所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD與目標(biāo)CD進(jìn)行比較，得出二者間的差值；第二判斷單元，用于判斷所述OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的⑶與目標(biāo)⑶差值是否在誤差允許的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8任一項所述的裝置，其特征在于，還包括存儲單元，用于存儲所述目標(biāo)CD的值、所述預(yù)設(shè)閾值和所述誤差范圍中的至少一種。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種掩膜版制作方法及系統(tǒng)，該方法包括a)確定光刻工藝條件，并收集所述光刻工藝條件對應(yīng)的OPC數(shù)據(jù)；b)根據(jù)所述OPC數(shù)據(jù)創(chuàng)建OPC模型，建立OPC程序；c)提供設(shè)計圖形數(shù)據(jù)，按照設(shè)計規(guī)則對設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，將所述設(shè)計圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為符合設(shè)計規(guī)則的圖形數(shù)據(jù)；d)根據(jù)所述OPC程序，對所述預(yù)處理后的設(shè)計圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行OPC運(yùn)算；e)驗證OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)的CD與目標(biāo)CD的差值是否在誤差允許范圍內(nèi)，如果否，返回步驟b)，如果是，按照OPC運(yùn)算后的圖形數(shù)據(jù)制作掩膜版。采用本發(fā)明的方法制作出的掩膜版滿足光刻過程的需求，使光刻后在晶片上的成像更加準(zhǔn)確，提高了電路的性能和生產(chǎn)成品率。
文檔編號G06F17/50GK102385242SQ20101026866
公開日2012年3月21日 申請日期2010年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月1日
發(fā)明者張雷, 王謹(jǐn)恒, 陳潔, 黃旭鑫 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司