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      一種新型解調(diào)電路的制作方法

      文檔序號(hào):6347863閱讀:207來源:國知局
      專利名稱:一種新型解調(diào)電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      一種新型解調(diào)電路
      (-)技術(shù)領(lǐng)域 本實(shí)用新型涉及一種電子電路,尤其是一種新型解調(diào)電路。
      背景技術(shù)
      電子標(biāo)簽作為一種射頻數(shù)據(jù)采集技術(shù),正廣泛應(yīng)用于物流、防偽、電子票證以及門禁等領(lǐng)域。作為無源高頻/超高頻無線通信的電子標(biāo)簽系統(tǒng),低成本、低功耗、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量成為電子標(biāo)簽所需解決的問題。由于電子標(biāo)簽接收無線信號(hào)且為無源電路,如何極大提高電子標(biāo)簽的接收信號(hào)能力,并降低無源電子標(biāo)簽的功耗成為急需解決的重點(diǎn)問題。
      (三)實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型解調(diào)電路,它可以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,是一種能夠極大地降低電路的瞬態(tài)功耗,在極大提高電子標(biāo)簽的接收信號(hào)能力同時(shí),降低無源電子標(biāo)簽的功耗,從而提高電子標(biāo)簽的工作距離的電路。本實(shí)用新型的技術(shù)方案一種新型解調(diào)電路,包括包含子載波信號(hào)的高頻/超高頻輸入幅度調(diào)制(ASK)信號(hào)端Vrf、地端子VSS、電源VDD、偏置電壓信號(hào)端Vbias,其特征在于它包括包絡(luò)檢波電路、信號(hào)解調(diào)電路和信號(hào)整形電路;其中所說的包絡(luò)檢波電路的輸入端連接包含子載波信號(hào)的高頻/超高頻輸入幅度調(diào)制(ASK)信號(hào)端Vrf,其輸出端與信號(hào)解調(diào)電路的輸入端連接,并將檢出的包絡(luò)信號(hào)輸出給信號(hào)解調(diào)電路;所說的信號(hào)解調(diào)電路輸出端與信號(hào)整形電路的輸入端;所說的信號(hào)整形電路的輸出端輸出所需的電壓信號(hào)Vdem。上述所說的包絡(luò)檢波電路由η個(gè)電容Cal至Can、2n個(gè)二極管Dl至D2n、n個(gè)電容 Cbl至Cbn、(n-1)個(gè)二極管Dal至Da(n_l)、(n+1)個(gè)二極管Dbl至Db(n+1)和N溝道晶體管Ml構(gòu)成;其中所說的電容Cal至Can的一端與端子Vrf相連接,其另一端與二極管D1、 D3、D5至ΙΚ2Π-1)的負(fù)極相連接,并同時(shí)與二極管D2、D4、D6至D2n的正極相連接;所說的二極管D1、D3、D5至ΙΚ2Π-1)的正極與地端子VSS相連接;所說的二極管D2、D4、D6至D2n 的負(fù)極與電容Cbl至Cbn的一端及二極管D3至D2n的正極連接,其另一端與地端子VSS連接;所說的二極管Dal至Da(n-1)相互串連,其中二極管Dal的正極與地端子VSS相連接,二極管Da (n-1)的負(fù)極與二極管lK2n-2)的負(fù)極相連接;所說的二極管Dbl至Db (n+1)的相互串連,其中二極管Dbl的正極與地端子VSS相連接,二極管Db (n+1)的負(fù)極與二極管D2n 的負(fù)極相連接;所說的N溝道晶體管Ml的漏極與二極管Da (n-1)的負(fù)極和二極管 Κ2η_2) 的負(fù)極相連接,其源極與地端子VSS相連接,其柵極與信號(hào)解調(diào)電路的輸出端連接。上述所說的包絡(luò)檢波電路由4個(gè)電容Cal至Ca4、8個(gè)二極管Dl至D8、4個(gè)電容 Cbl至Cb4、3個(gè)二極管Dal至Da3、5個(gè)二極管Dbl至ΙΛ5和N溝道晶體管Ml構(gòu)成;其中所說的電容Cal至Ca4的一端與端子Vrf相連接,其另一端與二極管Dl、二極管D3、二極管D5 的負(fù)極相連接,并同時(shí)與二極管D2、二極管D4、二極管D6、二極管D8的正極相連接;所說的二極管Dl、二極管D3、二極管D5、二極管D7的正極與地端子VSS相連接;所說的二極管D2、 二極管D4、D6、二極管D8的負(fù)極與電容Cbl至Cb4的一端及二極管D3至D8的正極連接,其另一端與地端子VSS連接;所說的二極管Dal至Da3相互串連,其中二極管Dal的正極與地端子VSS相連接,二極管Da3的負(fù)極與二極管D6的負(fù)極相連接;所說的二極管Dbl至 Db5的相互串連,其中二極管Dbl的正極與地端子VSS相連接,二極管Db5的負(fù)極與二極管 D8的負(fù)極相連接;所說的N溝道晶體管Ml的漏極與二極管Da3的負(fù)極和二極管D6的負(fù)極相連接,其源極與地端子VSS相連接,其柵極與信號(hào)解調(diào)電路的輸出端連接。上述所說的信號(hào)解調(diào)電路是由N溝道晶體管M2、N溝道晶體管M3、P溝道晶體管 M4、P溝道晶體管M5和N溝道晶體管M6構(gòu)成;其中所說的P溝道晶體管M4的源極和P溝道晶體管M5的源極連接在一起與電源VDD相連接,所說的P溝道晶體管M4的漏極與N溝道晶體管M2的漏極連接在一起與信號(hào)整形電路的輸入端連接;所說的P溝道晶體管M4的柵極與P溝道晶體管M5的柵極相互連接;所說的P溝道晶體管M5的漏極與N溝道晶體管 M3的漏極相互連接,其柵極與漏極短接;所說的N溝道晶體管M2的柵極與包絡(luò)檢波電路中 N溝道晶體管Ml的柵極連接,其源級(jí)接地端子VSS ;所說的N溝道晶體管M3的源級(jí)接地端子VSS,其柵極與N溝道晶體管M6的柵極相互連接;所說的N溝道晶體管M6的源級(jí)接地端子VSS,其源級(jí)和柵極短接,且源級(jí)連接偏置電壓信號(hào)端Vbias。上述所說的信號(hào)整形電路是由緩沖器Bl構(gòu)成;所說的緩沖器Bl由P溝道晶體管 M7和N溝道晶體管M8構(gòu)成;所說的P溝道晶體管M7和N溝道晶體管M8的柵極相互連接作為信號(hào)整形電路的輸入端與信號(hào)解調(diào)電路中的P溝道晶體管M4的漏極與N溝道晶體管 M2的漏極連接;二者的漏極相互連接作為信號(hào)整形電路的輸出端Vdem ;所說的P溝道晶體管M7的源級(jí)連接電源VDD ;所說的N溝道晶體管M8的源級(jí)接地端子VSS。本實(shí)用新型的工作原理包絡(luò)檢波電路將包含子載波信號(hào)的高頻/超高頻輸入幅度調(diào)制(ASK)信號(hào),通過對(duì)電容Cal至Can, Cbl至Cbn,二極管Dl至D2n,Dal至Da(n-l), Dbl至Db(n+1)進(jìn)行反復(fù)充放電來獲得信號(hào)電壓,來實(shí)現(xiàn)峰值包絡(luò)檢波的功能,獲得輸入無線射頻信號(hào)的包絡(luò)信號(hào),通過N溝道晶體管Ml產(chǎn)生檢波信號(hào),從而從無線載波信號(hào)中檢波出包絡(luò)信號(hào),信號(hào)解調(diào)電路,通過晶體管M2至M6對(duì)信號(hào)電壓進(jìn)行邊沿檢測,對(duì)檢波出的包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行解調(diào),恢復(fù)出所需的數(shù)字信號(hào);信號(hào)整形電路,通過緩沖器Bl對(duì)解調(diào)恢復(fù)出的數(shù)字信號(hào)進(jìn)行整形輸出,用于對(duì)解調(diào)恢復(fù)出的數(shù)字信號(hào)進(jìn)行整形輸出。Vref為包含子載波信號(hào)的高頻/超高頻輸入幅度調(diào)制(ASK)信號(hào),其載波信號(hào)頻率為IkHz至1GHz,在載波信號(hào)頻率為IkHz至lMHz,VSS為接地,VDD為電源,Vbias為偏置電壓,Vdem為解調(diào)制得到的輸出信號(hào)。本實(shí)用新型的優(yōu)越性用于無源高頻(HF)/超高頻(UHF)電子標(biāo)簽的信號(hào)解調(diào)電路中,能夠極大地降低電路的瞬態(tài)功耗,極大提高電子標(biāo)簽的接收信號(hào)能力,并降低無源電子標(biāo)簽的功耗,從而提高電子標(biāo)簽的工作距離。


      圖1為本實(shí)用新型所涉一種新型解調(diào)電路的結(jié)構(gòu)框圖。圖2為本實(shí)用新型所涉一種新型解調(diào)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型所涉一種新型解調(diào)電路中信號(hào)整形電路所采用的緩沖器Bl的電路圖。圖4為本實(shí)用新型所涉一種新型解調(diào)電路的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施方式
      實(shí)施例一種新型解調(diào)電路(見圖1),包括包含子載波信號(hào)的高頻/超高頻輸入幅度調(diào)制(ASK)信號(hào)端Vrf、地端子VSS、電源VDD、偏置電壓信號(hào)端Vbias,其特征在于它包括包絡(luò)檢波電路、信號(hào)解調(diào)電路和信號(hào)整形電路;其中所說的包絡(luò)檢波電路的輸入端連接包含子載波信號(hào)的高頻/超高頻輸入幅度調(diào)制(ASK)信號(hào)端Vrf,其輸出端與信號(hào)解調(diào)電路的輸入端連接,并將檢出的包絡(luò)信號(hào)輸出給信號(hào)解調(diào)電路;所說的信號(hào)解調(diào)電路輸出端與信號(hào)整形電路的輸入端;所說的信號(hào)整形電路的輸出端輸出所需的電壓信號(hào)Vdem。上述所說的包絡(luò)檢波電路(見圖4)由4個(gè)電容Cal至Ca4、8個(gè)二極管Dl至D8、4 個(gè)電容Cbl至Cb4、3個(gè)二極管Dal至Da3、5個(gè)二極管Dbl至ΙΛ5和N溝道晶體管Ml構(gòu)成; 其中所說的電容Cal至Ca4的一端與端子Vrf相連接,其另一端與二極管D1、二極管D3、二極管D5的負(fù)極相連接,并同時(shí)與二極管D2、二極管D4、二極管D6、二極管D8的正極相連接; 所說的二極管D1、二極管D3、二極管D5、二極管D7的正極與地端子VSS相連接;所說的二極管D2、二極管D4、D6、二極管D8的負(fù)極與電容Cbl至Cb4的一端及二極管D3至D8的正極連接,其另一端與地端子VSS連接;所說的二極管Dal至Da3相互串連,其中二極管Dal 的正極與地端子VSS相連接,二極管Da3的負(fù)極與二極管D6的負(fù)極相連接;所說的二極管 Dbl至Db5的相互串連,其中二極管Dbl的正極與地端子VSS相連接,二極管Db5的負(fù)極與二極管D8的負(fù)極相連接;所說的N溝道晶體管Ml的漏極與二極管Da3的負(fù)極和二極管D6 的負(fù)極相連接,其源極與地端子VSS相連接,其柵極與信號(hào)解調(diào)電路的輸出端連接。上述所說的信號(hào)解調(diào)電路(見圖4)是由N溝道晶體管M2、N溝道晶體管M3、P溝道晶體管M4、P溝道晶體管M5和N溝道晶體管M6構(gòu)成;其中所說的P溝道晶體管M4的源極和P溝道晶體管M5的源極連接在一起與電源VDD相連接,所說的P溝道晶體管M4的漏極與N溝道晶體管M2的漏極連接在一起與信號(hào)整形電路的輸入端連接;所說的P溝道晶體管M4的柵極與P溝道晶體管M5的柵極相互連接;所說的P溝道晶體管M5的漏極與N溝道晶體管M3的漏極相互連接,其柵極與漏極短接;所說的N溝道晶體管M2的柵極與包絡(luò)檢波電路中N溝道晶體管Ml的柵極連接,其源級(jí)接地端子VSS ;所說的N溝道晶體管M3的源級(jí)接地端子VSS,其柵極與N溝道晶體管M6的柵極相互連接;所說的N溝道晶體管M6的源級(jí)接地端子VSS,其源級(jí)和柵極短接,且源級(jí)連接偏置電壓信號(hào)端Vbias。上述所說的信號(hào)整形電路(見圖3、圖4)是由緩沖器Bl構(gòu)成;所說的緩沖器B 1 由P溝道晶體管M7和N溝道晶體管M8構(gòu)成;所說的P溝道晶體管M7和N溝道晶體管M8 的柵極相互連接作為信號(hào)整形電路的輸入端與信號(hào)解調(diào)電路中的P溝道晶體管M4的漏極與N溝道晶體管M2的漏極連接;二者的漏極相互連接作為信號(hào)整形電路的輸出端Vdem ;所說的P溝道晶體管M7的源級(jí)連接電源VDD ;所說的N溝道晶體管M8的源級(jí)接地端子VSS。
      權(quán)利要求1.一種新型解調(diào)電路,包括包含子載波信號(hào)的高頻/超高頻輸入幅度調(diào)制(ASK)信號(hào)端Vrf、地端子VSS、電源VDD、偏置電壓信號(hào)端Vbias,其特征在于它包括包絡(luò)檢波電路、信號(hào)解調(diào)電路和信號(hào)整形電路;其中所說的包絡(luò)檢波電路的輸入端連接包含子載波信號(hào)的高頻/超高頻輸入幅度調(diào)制(ASK)信號(hào)端Vrf,其輸出端與信號(hào)解調(diào)電路的輸入端連接,并將檢出的包絡(luò)信號(hào)輸出給信號(hào)解調(diào)電路;所說的信號(hào)解調(diào)電路輸出端與信號(hào)整形電路的輸入端;所說的信號(hào)整形電路的輸出端輸出所需的電壓信號(hào)Vdem。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型解調(diào)電路,其特征在于所說的包絡(luò)檢波電路由η個(gè)電容Cal至Can、個(gè)二極管Dl至D&i、n個(gè)電容Cbl至Cbn、(n_l)個(gè)二極管Dal至Da (n_l)、 (n+1)個(gè)二極管Dbl至Db (n+1)和N溝道晶體管Ml構(gòu)成;其中所說的電容Cal至Can的一端與端子Vrf相連接,其另一端與二極管Dl、D3、D5至D (2n-l)的負(fù)極相連接,并同時(shí)與二極管D2、D4、D6至D2n的正極相連接;所說的二極管D1、D3、D5至DQn-I)的正極與地端子 VSS相連接;所說的二極管D2、D4、D6至D2n的負(fù)極與電容Cbl至Cbn的一端及二極管D3 至D2n的正極連接,其另一端與地端子VSS連接;所說的二極管Dal至Da(n-l)相互串連, 其中二極管Dal的正極與地端子VSS相連接,二極管Da(n-1)的負(fù)極與二極管 Κ2η_2)的負(fù)極相連接;所說的二極管Dbl至Db (n+1)的相互串連,其中二極管Dbl的正極與地端子VSS 相連接,二極管Db (n+1)的負(fù)極與二極管D2n的負(fù)極相連接;所說的N溝道晶體管Ml的漏極與二極管Da(n-1)的負(fù)極和二極管DOnD的負(fù)極相連接,其源極與地端子VSS相連接, 其柵極與信號(hào)解調(diào)電路的輸出端連接。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型解調(diào)電路,其特征在于所說的包絡(luò)檢波電路由4個(gè)電容Cal至Ca4、8個(gè)二極管Dl至D8、4個(gè)電容Cbl至Cb4、3個(gè)二極管Dal至Da3、5個(gè)二極管Dbl至此5和N溝道晶體管Ml構(gòu)成;其中所說的電容Cal至Ca4的一端與端子Vrf相連接,其另一端與二極管D1、二極管D3、二極管D5的負(fù)極相連接,并同時(shí)與二極管D2、二極管D4、二極管D6、二極管D8的正極相連接;所說的二極管D1、二極管D3、二極管D5、二極管 D7的正極與地端子VSS相連接;所說的二極管D2、二極管D4、D6、二極管D8的負(fù)極與電容 Cbl至Cb4的一端及二極管D3至D8的正極連接,其另一端與地端子VSS連接;所說的二極管Dal至Da3相互串連,其中二極管Dal的正極與地端子VSS相連接,二極管Da3的負(fù)極與二極管D6的負(fù)極相連接;所說的二極管Dbl至Db5的相互串連,其中二極管Dbl的正極與地端子VSS相連接,二極管Db5的負(fù)極與二極管D8的負(fù)極相連接;所說的N溝道晶體管Ml 的漏極與二極管Da3的負(fù)極和二極管D6的負(fù)極相連接,其源極與地端子VSS相連接,其柵極與信號(hào)解調(diào)電路的輸出端連接。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種新型解調(diào)電路,其特征在于所說的信號(hào)解調(diào)電路是由N溝道晶體管M2、N溝道晶體管M3、P溝道晶體管M4、P溝道晶體管M5和N溝道晶體管M6構(gòu)成;其中所說的P溝道晶體管M4的源極和P溝道晶體管M5的源極連接在一起與電源VDD相連接,所說的P溝道晶體管M4的漏極與N溝道晶體管M2的漏極連接在一起與信號(hào)整形電路的輸入端連接;所說的P溝道晶體管M4的柵極與P溝道晶體管M5的柵極相互連接;所說的P溝道晶體管M5的漏極與N溝道晶體管M3的漏極相互連接,其柵極與漏極短接;所說的N溝道晶體管M2的柵極與包絡(luò)檢波電路中N溝道晶體管Ml的柵極連接,其源級(jí)接地端子VSS ;所說的N溝道晶體管M3的源級(jí)接地端子VSS,其柵極與N溝道晶體管M6的柵極相互連接;所說的N溝道晶體管M6的源級(jí)接地端子VSS,其源級(jí)和柵極短接,且源級(jí)連接偏置電壓信號(hào)端Vbias。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型解調(diào)電路,其特征在于所說的信號(hào)整形電路是由緩沖器Bl構(gòu)成;所說的緩沖器Bl由P溝道晶體管M7和N溝道晶體管M8構(gòu)成;所說的P溝道晶體管M7和N溝道晶體管M8的柵極相互連接作為信號(hào)整形電路的輸入端與信號(hào)解調(diào)電路中的P溝道晶體管M4的漏極與N溝道晶體管M2的漏極連接;二者的漏極相互連接作為信號(hào)整形電路的輸出端Vdem ;所說的P溝道晶體管M7的源級(jí)連接電源VDD ;所說的N溝道晶體管M8的源級(jí)接地端子VSS。
      專利摘要一種新型解調(diào)電路,其特征在于它包括包絡(luò)檢波電路、信號(hào)解調(diào)電路和信號(hào)整形電路;其優(yōu)越性在于用于無源高頻(HF)/超高頻(UHF)電子標(biāo)簽的信號(hào)解調(diào)電路中,能夠極大地降低電路的瞬態(tài)功耗,極大提高電子標(biāo)簽的接收信號(hào)能力,并降低無源電子標(biāo)簽的功耗,從而提高電子標(biāo)簽的工作距離。
      文檔編號(hào)G06K19/077GK202018669SQ201020692260
      公開日2011年10月26日 申請(qǐng)日期2010年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日
      發(fā)明者呂英杰, 張小興, 戴宇杰, 陳力穎 申請(qǐng)人:天津南大強(qiáng)芯半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)有限公司
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